JP2002030044A - テトラアルキルアンモニウムハライドの製造方法 - Google Patents
テトラアルキルアンモニウムハライドの製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】非プロトン性溶媒を使用して反応を行うことに
より、高収率で高純度のテトラアルキルアンモニウムハ
ライドを製造する方法を提供する。 【解決手段】テトラアルキルアンモニウムハライドを製
造する際に一般に使用されるプロトン性の溶媒、例えば
水や低級アルコール類を使用することなく、テトラアル
キルアンモニウムハライドの結晶をほとんど溶解しない
非プロトン性の溶媒、例えばエステル類、ケトン類、エ
ーテル類等の溶媒中で反応を行い、溶媒に溶解すること
なく析出してきたテトラアルキルアンモニウムハライド
の結晶を分離精製し、得られた結晶を乾燥することによ
り、目的物であるテトラアルキルアンモニウムハライド
を製造する。
より、高収率で高純度のテトラアルキルアンモニウムハ
ライドを製造する方法を提供する。 【解決手段】テトラアルキルアンモニウムハライドを製
造する際に一般に使用されるプロトン性の溶媒、例えば
水や低級アルコール類を使用することなく、テトラアル
キルアンモニウムハライドの結晶をほとんど溶解しない
非プロトン性の溶媒、例えばエステル類、ケトン類、エ
ーテル類等の溶媒中で反応を行い、溶媒に溶解すること
なく析出してきたテトラアルキルアンモニウムハライド
の結晶を分離精製し、得られた結晶を乾燥することによ
り、目的物であるテトラアルキルアンモニウムハライド
を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はハロゲン化炭化水素と３
級アミンを非プロトン性溶媒中で反応させ、析出するテ
トラアルキルアンモニウムハライドを分離・精製するこ
とにより、高収率、高純度で目的とするテトラアルキル
アンモニウムハライドを製造する方法に関する。テトラ
アルキルアンモニウムハライドはイオン性と親水性・親
油性の両性を併せ持つことから、カチオン活性剤として
樹脂の帯電防止剤、導電性付与剤などに用いられてお
り、有機合成時の相間移動触媒として有用な物質であ
る。また、エポキシ樹脂やポリオレフィン樹脂の重合触
媒として、更に、ハロゲン化剤や酸化剤、防菌剤、水処
理剤など利用分野は多岐にわたる。
級アミンを非プロトン性溶媒中で反応させ、析出するテ
トラアルキルアンモニウムハライドを分離・精製するこ
とにより、高収率、高純度で目的とするテトラアルキル
アンモニウムハライドを製造する方法に関する。テトラ
アルキルアンモニウムハライドはイオン性と親水性・親
油性の両性を併せ持つことから、カチオン活性剤として
樹脂の帯電防止剤、導電性付与剤などに用いられてお
り、有機合成時の相間移動触媒として有用な物質であ
る。また、エポキシ樹脂やポリオレフィン樹脂の重合触
媒として、更に、ハロゲン化剤や酸化剤、防菌剤、水処
理剤など利用分野は多岐にわたる。
【０００２】
【従来の技術】テトラアルキルアンモニウムハライドは
イオン反応により合成されるため一般的にはプロトン性
溶媒である水や低級アルコール中で速やかに反応する。
これらの溶媒を単独又は混合して用い、常圧もしくは加
圧下で反応を行うことが一般に知られている。例えば、
Journal of American Chemical Society vol.６５.６９
３、特開平１０-２８７６３０、特開平１１-２７９１３
３、などに製造方法が記されている。
イオン反応により合成されるため一般的にはプロトン性
溶媒である水や低級アルコール中で速やかに反応する。
これらの溶媒を単独又は混合して用い、常圧もしくは加
圧下で反応を行うことが一般に知られている。例えば、
Journal of American Chemical Society vol.６５.６９
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３、などに製造方法が記されている。
【０００３】しかし上記の方法では、テトラアルキルア
ンモニウムハライドのプロトン性溶媒への溶解度が高い
ので、溶媒を除去し目的物を分離精製するには低温再結
晶するか溶媒を蒸発させて固体化する必要がある。
ンモニウムハライドのプロトン性溶媒への溶解度が高い
ので、溶媒を除去し目的物を分離精製するには低温再結
晶するか溶媒を蒸発させて固体化する必要がある。
【０００４】低温再結晶を行う場合、１回の再結晶で回
収される量が少なく、濃縮・再結晶・分離の工程を繰り
返さなければならないため、生産効率が著しく低く、収
率も低下する。また、テトラアルキルアンモニウムハラ
イドはプロトン性溶媒を吸着しやすい性質があるので、
結晶を分離精製する際、大気中の水分が吸着し潮解性を
帯び、取り扱いが困難となり乾燥にも時間がかかる。
収される量が少なく、濃縮・再結晶・分離の工程を繰り
返さなければならないため、生産効率が著しく低く、収
率も低下する。また、テトラアルキルアンモニウムハラ
イドはプロトン性溶媒を吸着しやすい性質があるので、
結晶を分離精製する際、大気中の水分が吸着し潮解性を
帯び、取り扱いが困難となり乾燥にも時間がかかる。
【０００５】一方、溶媒を蒸発させ固体化する際は蒸発
乾固用の特殊な装置が必要になるばかりではなく、未反
応の原料を含んだ粗結晶が得られるため、純度の低い製
品となり、結果として再精製を行わなければならないと
いう欠点を有する。
乾固用の特殊な装置が必要になるばかりではなく、未反
応の原料を含んだ粗結晶が得られるため、純度の低い製
品となり、結果として再精製を行わなければならないと
いう欠点を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】テトラアルキルアンモ
ニウムハライドをほとんど溶解することのない非プロト
ン性溶媒を使用して反応を行い、溶媒に溶解することな
く析出してきたテトラアルキルアンモニウムハライドの
結晶を分離精製し、得られた結晶を室温〜反応終了物の
温度範囲内で乾燥することにより、高収率で高純度の目
的物を製造する方法を提供する。
ニウムハライドをほとんど溶解することのない非プロト
ン性溶媒を使用して反応を行い、溶媒に溶解することな
く析出してきたテトラアルキルアンモニウムハライドの
結晶を分離精製し、得られた結晶を室温〜反応終了物の
温度範囲内で乾燥することにより、高収率で高純度の目
的物を製造する方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はテトラアルキル
アンモニウムハライドを製造する際に一般に使用される
プロトン性の溶媒、例えば水や低級アルコール類を使用
することなく、テトラアルキルアンモニウムハライドの
結晶をほとんど溶解しない、しかも工業的に利用可能な
非プロトン性の溶媒中で反応することにより、簡便操作
で目的物である高純度テトラアルキルアンモニウムハラ
イドを高収率で製造する方法である。
アンモニウムハライドを製造する際に一般に使用される
プロトン性の溶媒、例えば水や低級アルコール類を使用
することなく、テトラアルキルアンモニウムハライドの
結晶をほとんど溶解しない、しかも工業的に利用可能な
非プロトン性の溶媒中で反応することにより、簡便操作
で目的物である高純度テトラアルキルアンモニウムハラ
イドを高収率で製造する方法である。
【０００８】前記溶媒のうち、詳しくはエステル類とし
て酢酸エチル、酢酸ブチル、ケトン類としてはメチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、エーテル類とし
てはテトラヒドロフラン、１,４−ジオキサンなどがあ
げられる。これらの溶媒は工業的に安価で、本反応の際
には混合せずに単独で用いることが可能であり、回収し
て再利用することにより製造費用を低減することができ
る。
て酢酸エチル、酢酸ブチル、ケトン類としてはメチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、エーテル類とし
てはテトラヒドロフラン、１,４−ジオキサンなどがあ
げられる。これらの溶媒は工業的に安価で、本反応の際
には混合せずに単独で用いることが可能であり、回収し
て再利用することにより製造費用を低減することができ
る。
【０００９】原料であるハロゲン化炭化水素としては例
えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、デ
シル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタ
デシル、ベンジル、フェネチル、フェニルエチル、フェ
ニルプロピル、トリフェニルメチル、トリフェニルエチ
レン、メチルナフタレン、シクロヘキシルメチル、シク
ロヘキシルプロピルの塩化、臭化、ヨウ化物などがあげ
られる。
えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、デ
シル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタ
デシル、ベンジル、フェネチル、フェニルエチル、フェ
ニルプロピル、トリフェニルメチル、トリフェニルエチ
レン、メチルナフタレン、シクロヘキシルメチル、シク
ロヘキシルプロピルの塩化、臭化、ヨウ化物などがあげ
られる。
【００１０】また、もう一方の原料である３級アミンと
しては例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リブチルアミン、トリオクチルアミン、トリドデシルア
ミン、 N,N-ジメチルオクチルアミン、N,N-ジメチルド
デシルアミン、 N,N-ジメチルオクタドデシルアミン、
N,N-ジプロピルエチルアミン、 N,N-ジドデシルメチル
アミン、トリス２メチルアリルアミン、 N,N-ジメチル
ベンジルアミン、 N,N-ジメチルトルイジン、 N,N-ジエ
チルトルイジン、 N,N-ジメチル１ナフチルアミン、 N-
メチルジフェニルアミン、N-メチルジフェネチルアミ
ン、トリフェニルアミン、 N,N-ジメチルシクロヘキシ
ルアミン、 N,N-メチルジシクロヘキシルアミンなどが
あげられる。
しては例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リブチルアミン、トリオクチルアミン、トリドデシルア
ミン、 N,N-ジメチルオクチルアミン、N,N-ジメチルド
デシルアミン、 N,N-ジメチルオクタドデシルアミン、
N,N-ジプロピルエチルアミン、 N,N-ジドデシルメチル
アミン、トリス２メチルアリルアミン、 N,N-ジメチル
ベンジルアミン、 N,N-ジメチルトルイジン、 N,N-ジエ
チルトルイジン、 N,N-ジメチル１ナフチルアミン、 N-
メチルジフェニルアミン、N-メチルジフェネチルアミ
ン、トリフェニルアミン、 N,N-ジメチルシクロヘキシ
ルアミン、 N,N-メチルジシクロヘキシルアミンなどが
あげられる。
【００１１】ハロゲン化炭化水素及び３級アミンの反応
モル比は１：１でよいが採算性、廃棄物処理等が問題と
ならない程度であれば、いずれか一方を０〜５０％モル
程度過剰に用いてもよい。また、溶媒の量は使用溶媒及
びテトラアルキルアンモニウムハライドの種類によって
異なるが、反応後のスラリーが十分撹拌できる程度の
量、すなはち、結晶の重量に対し２〜１０倍量を用いる
のが好ましく、できるだけ釜効率を上げるために最少量
を用いるようにする。
モル比は１：１でよいが採算性、廃棄物処理等が問題と
ならない程度であれば、いずれか一方を０〜５０％モル
程度過剰に用いてもよい。また、溶媒の量は使用溶媒及
びテトラアルキルアンモニウムハライドの種類によって
異なるが、反応後のスラリーが十分撹拌できる程度の
量、すなはち、結晶の重量に対し２〜１０倍量を用いる
のが好ましく、できるだけ釜効率を上げるために最少量
を用いるようにする。
【００１２】本発明方法は一般に原料を溶媒に混合し徐
々に加熱することにより実施される。この時、原料のハ
ロゲン化炭化水素及び３級アミンが低沸点の場合、反応
系内からガスとして排出されないよう、必要ならコンデ
ンサに冷媒を通すなどして還流を行いながら注意深く加
熱し、最終的には溶媒の沸点まで上昇する。また、必要
なら加圧による反応も可能である。
々に加熱することにより実施される。この時、原料のハ
ロゲン化炭化水素及び３級アミンが低沸点の場合、反応
系内からガスとして排出されないよう、必要ならコンデ
ンサに冷媒を通すなどして還流を行いながら注意深く加
熱し、最終的には溶媒の沸点まで上昇する。また、必要
なら加圧による反応も可能である。
【００１３】反応の進行とともに結晶が析出しスラリー
が徐々に濃くなってくる。反応の終点は反応液の沸点上
昇が停止するすることで、または、薄層クロマトグラフ
ィーによる原料のスポットが消失することにより確認で
きる。
が徐々に濃くなってくる。反応の終点は反応液の沸点上
昇が停止するすることで、または、薄層クロマトグラフ
ィーによる原料のスポットが消失することにより確認で
きる。
【００１４】反応の終点を確認したらスラリーの温度を
必要に応じて室温に下げ、室温〜反応終了物の沸点の範
囲内で溶媒と分離した後、必要ならば結晶の洗浄を行
う。尚、洗浄用の溶媒は回収再利用を考慮し反応に使用
した溶媒を使用することが好ましい。この際得られる結
晶の収率は、一般に理論収率の９５％以上であり、分離
した溶媒中にはほとんどテトラアルキルアンモニウムハ
ライド及び原料が含まれておらず、そのまま次の反応に
使用可能であり、必要ならば蒸留回収し再利用すること
もできる。
必要に応じて室温に下げ、室温〜反応終了物の沸点の範
囲内で溶媒と分離した後、必要ならば結晶の洗浄を行
う。尚、洗浄用の溶媒は回収再利用を考慮し反応に使用
した溶媒を使用することが好ましい。この際得られる結
晶の収率は、一般に理論収率の９５％以上であり、分離
した溶媒中にはほとんどテトラアルキルアンモニウムハ
ライド及び原料が含まれておらず、そのまま次の反応に
使用可能であり、必要ならば蒸留回収し再利用すること
もできる。
【００１５】結晶を分離する工程では結晶に付着する溶
媒の雰囲気により大気中の水分を吸湿することなく乾燥
工程に進むことができるため作業性が良く、また、溶媒
を含んだ結晶は大気圧以下の減圧、加熱状態で容易に乾
燥できる。
媒の雰囲気により大気中の水分を吸湿することなく乾燥
工程に進むことができるため作業性が良く、また、溶媒
を含んだ結晶は大気圧以下の減圧、加熱状態で容易に乾
燥できる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を詳し
く説明するが、本発明はこれら実施例のみになんら限定
されるものではない。
く説明するが、本発明はこれら実施例のみになんら限定
されるものではない。
【００１７】
【実施例】実施例１ ３リットル（Ｌ）４つ口フラスコに酢酸ブチル１８７５
ｇを投入し、ガス分配フィルターを通じトリメチルアミ
ンガス１４３.１ｇ（２.4２モル）を吹き込み溶解し
た。この溶液にn-ドデシルブロマイド４６４.２ｇ（１.
８６モル）を混合し撹拌を開始した。−５℃に冷却した
ブラインを通したジムロート冷却管を装着した後、オイ
ルバスにより徐々に加熱した。昇温の際には、トリメチ
ルアミンが系外に排出されないよう注意深く加熱し、昇
温開始１時間後に液温７５℃で還流が始まった。以後、
還流を続けながら徐々に昇温し、７時間で１１０℃に達
し、これ以上の温度上昇はなくなった。この間、溶液の
状態としては、昇温開始直後からスラリー化し始め、徐
々にスラリー濃度が濃くなってた。昇温開始から全８時
間後に反応液を薄層クロマトグラフィーにより分析した
結果、 n-ドデシルブロマイドの消失を確認し反応を終
了した。このスラリーを２５℃まで冷却し、濾過分離し
た結晶を少量の酢酸ブチルで洗浄した後、５０ｍｍＨｇ
の減圧下、６０℃で乾燥した結果、白色粉末であるn-ド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド５６９.６ｇ
を収率９９.２％で得た。元素重量分析の結果、Ｃ５８.
４１、Ｈ１１.１３、Ｎ４.５３、Br２５.９１％（ 理論
重量Ｃ５８.４３、Ｈ１１.１１、Ｎ４.５３、Br２５.９
３％）であった。
ｇを投入し、ガス分配フィルターを通じトリメチルアミ
ンガス１４３.１ｇ（２.4２モル）を吹き込み溶解し
た。この溶液にn-ドデシルブロマイド４６４.２ｇ（１.
８６モル）を混合し撹拌を開始した。−５℃に冷却した
ブラインを通したジムロート冷却管を装着した後、オイ
ルバスにより徐々に加熱した。昇温の際には、トリメチ
ルアミンが系外に排出されないよう注意深く加熱し、昇
温開始１時間後に液温７５℃で還流が始まった。以後、
還流を続けながら徐々に昇温し、７時間で１１０℃に達
し、これ以上の温度上昇はなくなった。この間、溶液の
状態としては、昇温開始直後からスラリー化し始め、徐
々にスラリー濃度が濃くなってた。昇温開始から全８時
間後に反応液を薄層クロマトグラフィーにより分析した
結果、 n-ドデシルブロマイドの消失を確認し反応を終
了した。このスラリーを２５℃まで冷却し、濾過分離し
た結晶を少量の酢酸ブチルで洗浄した後、５０ｍｍＨｇ
の減圧下、６０℃で乾燥した結果、白色粉末であるn-ド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド５６９.６ｇ
を収率９９.２％で得た。元素重量分析の結果、Ｃ５８.
４１、Ｈ１１.１３、Ｎ４.５３、Br２５.９１％（ 理論
重量Ｃ５８.４３、Ｈ１１.１１、Ｎ４.５３、Br２５.９
３％）であった。
【００１８】実施例２ ５００ミリリットル（ｍＬ）４つ口フラスコにメチルエ
チルケトン３６１.３０ｇを投入し、次いでトリエチル
アミン３１.３７ｇ（０.３１０モル）を投入した。この
溶液にn-ブチルクロライド２５.００ｇ（０.２７０モ
ル）を混合し撹拌を開始した。ジムロート冷却管を装着
した後、オイルバスにより徐々に加熱した。昇温開始２
時間後に液温６９℃で還流が始まった。以後、還流を続
けながら徐々に昇温し、１０時間で７９℃に達し、これ
以上の温度上昇はなくなった。この間、溶液の状態とし
ては、昇温開始直後からスラリー化し始め、徐々にスラ
リー濃度が濃くなった。昇温開始から全１２時間後に反
応液を薄層クロマトグラフィーにより分析した結果、 n
-ブチルクロライドの消失を確認し反応を終了した。こ
のスラリーを２５℃まで冷却し、濾過分離した結晶を少
量のメチルエチルケトンで洗浄した後、５０ｍｍＨｇの
減圧下、６０℃で乾燥した結果、白色粉末であるn-ブチ
ルトリエチルアンモニウムクロライド５０.５９ｇを収
率９６.７％で得た。元素重量分析の結果、Ｃ６１.９
１、Ｈ１２.５１、Ｎ７.２２、Cl１８.３４％（ 理論重
量Ｃ６１.９９、Ｈ１２.４９、Ｎ７.２３、Cl１８.３０
％）であった。
チルケトン３６１.３０ｇを投入し、次いでトリエチル
アミン３１.３７ｇ（０.３１０モル）を投入した。この
溶液にn-ブチルクロライド２５.００ｇ（０.２７０モ
ル）を混合し撹拌を開始した。ジムロート冷却管を装着
した後、オイルバスにより徐々に加熱した。昇温開始２
時間後に液温６９℃で還流が始まった。以後、還流を続
けながら徐々に昇温し、１０時間で７９℃に達し、これ
以上の温度上昇はなくなった。この間、溶液の状態とし
ては、昇温開始直後からスラリー化し始め、徐々にスラ
リー濃度が濃くなった。昇温開始から全１２時間後に反
応液を薄層クロマトグラフィーにより分析した結果、 n
-ブチルクロライドの消失を確認し反応を終了した。こ
のスラリーを２５℃まで冷却し、濾過分離した結晶を少
量のメチルエチルケトンで洗浄した後、５０ｍｍＨｇの
減圧下、６０℃で乾燥した結果、白色粉末であるn-ブチ
ルトリエチルアンモニウムクロライド５０.５９ｇを収
率９６.７％で得た。元素重量分析の結果、Ｃ６１.９
１、Ｈ１２.５１、Ｎ７.２２、Cl１８.３４％（ 理論重
量Ｃ６１.９９、Ｈ１２.４９、Ｎ７.２３、Cl１８.３０
％）であった。
【００１９】実施例３ １リットル（Ｌ）４つ口フラスコにメチルイソブチルケ
トン３８１.１ｇを投入し、ガス分配フィルターを通じ
トリメチルアミンガス４４.３３ｇ（０.７５モル）を吹
き込み溶解した。この溶液にベンジルクロライド７５.
９５g（０.６０モル）を混合し撹拌を開始した。−５℃
に冷却したブラインを通したジムロート冷却管を装着し
た後、オイルバスにより徐々に加熱した。昇温の際に
は、トリメチルアミンが系外に排出されないよう注意深
く加熱し、昇温開始１時間後に液温７１℃で還流が始ま
った。以後、還流を続けながら徐々に昇温し、４時間で
１０５℃に達し、これ以上の温度上昇はなくなった。こ
の間、溶液の状態としては、昇温開始直後からスラリー
化し始め、徐々にスラリー濃度が濃くなった。昇温開始
から全５時間後に反応液を薄層クロマトグラフィーによ
り分析した結果、 クロロベンゼンの消失を確認し反応
を終了した。このスラリーを２５℃まで冷却し、濾過分
離した結晶を少量のメチルイソブチルケトンで洗浄した
後、４０ｍｍＨｇの減圧下、６０℃で乾燥した結果、白
色粉末であるベンジルトリメチルアンモニウムクロライ
ド１０９.６４ｇを収率９８.４％で得た。元素重量分析
の結果、Ｃ６4.７０、Ｈ８.６２、Ｎ７.５３、Cl１９.
１６％（ 理論重量Ｃ６４.６８、Ｈ８.６８、Ｎ７.５
４、 Cl１９.０９％）であった。
トン３８１.１ｇを投入し、ガス分配フィルターを通じ
トリメチルアミンガス４４.３３ｇ（０.７５モル）を吹
き込み溶解した。この溶液にベンジルクロライド７５.
９５g（０.６０モル）を混合し撹拌を開始した。−５℃
に冷却したブラインを通したジムロート冷却管を装着し
た後、オイルバスにより徐々に加熱した。昇温の際に
は、トリメチルアミンが系外に排出されないよう注意深
く加熱し、昇温開始１時間後に液温７１℃で還流が始ま
った。以後、還流を続けながら徐々に昇温し、４時間で
１０５℃に達し、これ以上の温度上昇はなくなった。こ
の間、溶液の状態としては、昇温開始直後からスラリー
化し始め、徐々にスラリー濃度が濃くなった。昇温開始
から全５時間後に反応液を薄層クロマトグラフィーによ
り分析した結果、 クロロベンゼンの消失を確認し反応
を終了した。このスラリーを２５℃まで冷却し、濾過分
離した結晶を少量のメチルイソブチルケトンで洗浄した
後、４０ｍｍＨｇの減圧下、６０℃で乾燥した結果、白
色粉末であるベンジルトリメチルアンモニウムクロライ
ド１０９.６４ｇを収率９８.４％で得た。元素重量分析
の結果、Ｃ６4.７０、Ｈ８.６２、Ｎ７.５３、Cl１９.
１６％（ 理論重量Ｃ６４.６８、Ｈ８.６８、Ｎ７.５
４、 Cl１９.０９％）であった。
【００２０】比較例１ ５００ミリリットル（ｍＬ）４つ口フラスコにエタノー
ル２８０.５６ｇを投入し、ガス分配フィルターを通じ
トリメチルアミンガス１７.３０ｇ（０.２９３モル）を
吹き込み溶解した。この溶液にn-ドデシルブロマイド５
６.１１ｇ（０.２２５モル）を混合し撹拌を開始した。
−５℃に冷却したブラインを通したジムロート冷却管を
装着した後、オイルバスにより徐々に加熱した。昇温の
際には、トリメチルアミンが系外に排出されないよう注
意深く加熱し、昇温開始２時間後に液温７６℃で還流が
始まった。以後、還流を続けながら１時間反応を行っ
た。この間、溶液の状態としては、無色透明の状態が続
いた。昇温開始から全３時間後に反応液を薄層クロマト
グラフィーにより分析した結果、 n-ドデシルブロマイ
ドの消失を確認し反応を終了した。このスラリーを５℃
まで冷却しても結晶がほとんど析出しないため、エタノ
ールを１４１.７ｇ減圧留去し、続いて５℃まで冷却し
た後濾過分離を行った。得られた結晶は濾過途中で吸湿
し潮解性を帯びてきたので、リンス洗浄することなく素
早く乾燥を行った。４０ｍｍＨｇの減圧下、６０℃で乾
燥した結果、白色粉末であるn-ドデシルトリメチルアン
モニウムブロマイド３７.２４ｇを収率５３.６％で得
た。元素重量分析の結果、Ｃ５８.３６、Ｈ１１.１０、
Ｎ４.５２、Br２５.９６％であった。また、濾過母液を
濃縮乾固し、淡黄白色固体３１.１１ｇを得た。元素重
量分析の結果、Ｃ５８.４３、Ｈ１１.０４、Ｎ４.３
８、Br２６.１６％であった。共に理論重量はＣ５８.４
３、Ｈ１１.１１、Ｎ４.５３、Br２５.９３％である。
ル２８０.５６ｇを投入し、ガス分配フィルターを通じ
トリメチルアミンガス１７.３０ｇ（０.２９３モル）を
吹き込み溶解した。この溶液にn-ドデシルブロマイド５
６.１１ｇ（０.２２５モル）を混合し撹拌を開始した。
−５℃に冷却したブラインを通したジムロート冷却管を
装着した後、オイルバスにより徐々に加熱した。昇温の
際には、トリメチルアミンが系外に排出されないよう注
意深く加熱し、昇温開始２時間後に液温７６℃で還流が
始まった。以後、還流を続けながら１時間反応を行っ
た。この間、溶液の状態としては、無色透明の状態が続
いた。昇温開始から全３時間後に反応液を薄層クロマト
グラフィーにより分析した結果、 n-ドデシルブロマイ
ドの消失を確認し反応を終了した。このスラリーを５℃
まで冷却しても結晶がほとんど析出しないため、エタノ
ールを１４１.７ｇ減圧留去し、続いて５℃まで冷却し
た後濾過分離を行った。得られた結晶は濾過途中で吸湿
し潮解性を帯びてきたので、リンス洗浄することなく素
早く乾燥を行った。４０ｍｍＨｇの減圧下、６０℃で乾
燥した結果、白色粉末であるn-ドデシルトリメチルアン
モニウムブロマイド３７.２４ｇを収率５３.６％で得
た。元素重量分析の結果、Ｃ５８.３６、Ｈ１１.１０、
Ｎ４.５２、Br２５.９６％であった。また、濾過母液を
濃縮乾固し、淡黄白色固体３１.１１ｇを得た。元素重
量分析の結果、Ｃ５８.４３、Ｈ１１.０４、Ｎ４.３
８、Br２６.１６％であった。共に理論重量はＣ５８.４
３、Ｈ１１.１１、Ｎ４.５３、Br２５.９３％である。
【００２１】
【発明の効果】本発明の製造方法に従って、テトラアル
キルアンモニウムハライドをほとんど溶解することのな
い非プロトン性溶媒中で、原料であるハロゲン化炭化水
素と３級アミンを反応させ、溶媒に溶解することなく析
出してきたテトラアルキルアンモニウムハライドの結晶
を室温状態で濾過分離し、洗浄後、減圧乾燥することに
より、高収率で高純度のテトラアルキルアンモニウムハ
ライドを製造することができる。
キルアンモニウムハライドをほとんど溶解することのな
い非プロトン性溶媒中で、原料であるハロゲン化炭化水
素と３級アミンを反応させ、溶媒に溶解することなく析
出してきたテトラアルキルアンモニウムハライドの結晶
を室温状態で濾過分離し、洗浄後、減圧乾燥することに
より、高収率で高純度のテトラアルキルアンモニウムハ
ライドを製造することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （Ｘはハロゲン、Ｒ１は炭素数１〜２４の脂肪族炭化水
素又は、炭素数３〜２４の脂環族または芳香族を含む炭
化水素基）で表されるハロゲン化炭化水素と、一般式
（２） 【化２】 （ Ｒ２、 Ｒ３、 Ｒ４は炭素数１〜２４の脂肪族炭化
水素又は、炭素数３〜２４の脂環族または芳香族を含む
炭化水素基）で表される３級アミンを、非プロトン性溶
媒中で反応させることを特徴とする一般式（３） 【化３】 （ Ｒ１、 Ｒ２、 Ｒ３、 Ｒ４及びXは前記と同様）で
表されるテトラアルキルアンモニウムハライドの製造方
法。 - 【請求項２】請求項１において非プロトン性溶媒が一般
式（３） 【化４】 で表されるテトラアルキルアンモニウムハライドをほと
んど溶解しないエステル類、ケトン類、エーテル類であ
る請求項１の方法。 - 【請求項３】請求項１，２において反応終了後、析出物
を室温〜反応終了物の沸点温度の範囲内で非プロトン溶
媒と分離することを特徴とする一般式（３） 【化５】 で表されるテトラアルキルアンモニウムハライドの製造
方法。 - 【請求項４】一般式（３） 【化６】 で表されるテトラアルキルアンモニウムハライドのＲ１
が炭素数１〜18の脂肪族炭化水素または、炭素数３〜12
の脂環族または芳香族を含む炭化水素基であり、Ｒ２、
Ｒ３、 Ｒ４が炭素数１〜18の脂肪族炭化水素または、
炭素数３〜12の脂環族または芳香族を含む炭化水素基で
あり、Ｘが塩素または臭素であり、溶媒が酢酸エチル、
酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、テトラヒドロフラン、１.４−ジオキサンである
請求項１〜３の方法。 - 【請求項５】一般式（３） 【化７】 で表されるテトラアルキルアンモニウムハライドがn-ド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイドであり、溶媒
が酢酸ブチルである請求項１〜４の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000210627A JP2002030044A (ja) | 2000-07-12 | 2000-07-12 | テトラアルキルアンモニウムハライドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000210627A JP2002030044A (ja) | 2000-07-12 | 2000-07-12 | テトラアルキルアンモニウムハライドの製造方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2002030044A true JP2002030044A (ja) | 2002-01-29 |
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