JP2000282229A - ＣｏＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにこれを用いた磁気記録膜およびＣｏＰｔ系磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 膜特性が均一で記録再生特性に優れた記録層
を有する磁気記録媒体を得ることができるＣｏＰｔ系ス
パッタリングターゲットおよびその製造方法ならびに磁
気記録膜およびＣｏＰｔ系磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 Ｃｏを主体としＰｔを必須とし４ａ族元
素、５ａ族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｃから選ばれる元素
のうち少なくとも一種以上を含有するターゲット材であ
って、ターゲット組織において実質的にＰｔ単体からな
る相の最大の内接円径が実質的に５００μm以下であ
り、Ｐｔ相の境界にある拡散層の層厚が実質的に５０μ
m以下であるＣｏＰｔ系スパッタリングターゲットであ
る。このターゲットにより、ディスクの半径方向で測定
したＰｔの含有量の分析値の差が、±１０％以下である
均一なＰｔ分布を有するハードディスク等に用いられる
磁気記録膜を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の記
録層であるＣｏＰｔ系合金を形成する際に使用されるス
パッタリング用ターゲットおよびその製造方法ならびに
ＣｏＰｔ系磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報化社会の発展に伴いコンピュ
ータ上で処理する情報量が増加しており、従来に比べて
情報を高密度に記録再生することが必要となっている。
現在、パーソナルコンピュータの外部記憶装置であるハ
ードディスクはＡｌ合金やガラス等の基板上に下地層、
記録層を形成した多層構造が主流となっている。最近の
磁気記録媒体では従来に比べて高密度記録を行うために
保磁力の向上、角形比の向上、低ノイズ化が必要とな
り、従来から使用されているＣｏＣｒ系合金に保磁力を
増加させる効果があるＰｔを加えたＣｏＣｒＴａＰｔに
代表されるＣｏＣｒＰｔ系の合金が主流となっている。

【０００３】上述の記録層は合金ターゲットを使用して
マグネトロンスパッタリング法により形成されている
が、Ｃｏ合金のような強磁性ターゲットを使用してマグ
ネトロンスパッタリングを行う場合、タ−ゲット裏面に
配置したマグネットからの磁束がタ−ゲット表面に漏洩
しにくく、プラズマが局所的に発生しタ−ゲットが部分
的に消耗するため使用効率が低下する問題があり、これ
を改善するためにはターゲット材の透磁率を低下させる
ことが有効であるため種々の方法が提案されている。

【０００４】例えば、特公平２−４９３８４号はＣｏ合
金内部に冷間加工により歪みを付与し結晶構造を変化さ
せて磁気特性を改善して使用効率を向上させる方法が開
示さされている。特開平８−２５２７０号はＣｏ系合金
タ−ゲットを圧延等の後に熱処理を行うことで結晶構造
を変化させるとともに、結晶粒界に金属間化合物層を析
出させることでターゲットの透磁率を低下させる方法が
開示されている。

【０００５】また、ターゲット組織の不均一性により漏
洩磁束が乱れ、膜の磁気特性が不均一になる問題があ
る。特に、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金ターゲットに代表され
る原子量の異なる元素を多量に含有する合金の場合、溶
解鋳造時に鋳造偏析が生じ易く、しかも金属間化合物の
生成により塑性加工性が悪化し組織の均質化は困難とな
るため、次の様な方法が提案されている。

【０００６】特開平５−８６４５６号では溶解したイン
ゴットをパックして熱処理後にＨＩＰ（熱間静水圧プレ
ス）を行い、さらに圧延する方法が開示されており、特
開平５−２４７６３８号ではＣｏを主体としＣｒを５〜
２０原子％、Ｐｔを１０〜５５原子％、Ｎｉ、Ｔａを１
〜１５原子％、希土類元素を１０〜１５００ｐｐｍ含む
合金で溶解鋳造後、鍛造、熱間圧延、冷間圧延を行うこ
とで組織の均一化と透磁率の低減が可能であることが開
示されている。

【０００７】また、特開平５−２４７６４１号ではＣｏ
を主体としＣｒ等を４〜１８原子％、Ｐｔを０．５〜１
６原子％、Ｎｂ、Ｔａ等を０．１〜８原子％含有した合
金粉末を焼結することでターゲット組織を均一化する方
法が開示されている。以上のように、従来Ｃｏ系合金タ
ーゲットに対して施されてきた改良は、ターゲット使用
効率向上のための低透磁率化とターゲット組織の均一化
を目的としたものが主流である。

【０００８】また、本願出願人が提案する特開平４−２
９７５７２号には、ターゲット材の靭性を高めるため
に、Ｐｔ粒子を焼結組織中に分散させることを開示して
いる。この技術は、Ｐｔが完全に合金化した場合の脆さ
を改善できるものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、主として
磁気ディスク製造装置の典型的な構造である円形カソー
ドに正対する位置に円形の基板を配置して成膜を行う静
止対向型のスパッタ装置用のターゲットを研究開発して
いる。この研究開発において、発明者が溶解鋳造法や粉
末焼結法によって作製したＣｏＰｔ系合金ターゲットを
使用して成膜した膜の磁気特性評価を行うなかで、基板
の半径方向で膜の保磁力が連続的に変化するという新し
い問題に直面した。この問題は磁気ディスクの記録再生
特性に深刻な影響を及ぼす大きな問題である。

【００１０】さらに、本発明者が上述の問題について詳
細な調査を行った結果、基板の半径方向で膜組成が連続
的に変化しており、特にターゲットのエロージョン部か
ら遠ざかるにつれて膜中のＰｔ量が相対的に高くなって
おり、上述の膜の保磁力の変化は膜中のＰｔ量の変化と
対応していることを見出した。なお、スパッタ装置のカ
ソードの仕様によっては逆に外周部の方が膜中のＰｔ量
が減少する場合もあり、膜の組織変化の傾向にはスパッ
タ装置による違いがあることもわかった。本発明は上記
問題に鑑みてなされたものであり、膜特性が均一で記録
再生特性に優れた記録層を有する磁気記録媒体を得るこ
とができるＣｏＰｔ系スパッタリングターゲットおよび
その製造方法ならびに磁気記録膜およびＣｏＰｔ系磁気
記録媒体を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、ターゲット
の組織と膜特性の変化について詳細に検討を行った結
果、上述の膜の元素分布は合金相で構成されたターゲッ
トにおいて、合金相からスパッタされて飛び出す元素の
分布が均一ではないことに起因することを見出した。そ
して、ターゲットを構成する元素をできるだけ合金化さ
せずに分散させた組織とすることによりスパッタ装置の
カソードの仕様によらず膜の元素分布を均一化出来るこ
とを見出した。

【００１２】さらにＣｏ、Ｐｔ以外の元素を含有するＣ
ｏＰｔ系の合金ターゲットの場合、ターゲットを構成す
る元素のなかで、少なくともＰｔ相を他の相と境界にあ
る拡散相を特定以下の厚さに抑え、微細に分散させるこ
とが、膜の保磁力に及ぼす影響が特に大きいＰｔの含有
量を膜面内で均一化しつつ、しかもターゲット材の透磁
率を低減し、使用効率を向上させることが出来ることを
見出し本発明に到達した。

【００１３】すなわち本発明は、Ｃｏを主体としＰｔを
必須とし４ａ族元素、５ａ族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｃ
から選ばれる元素のうち少なくとも一種以上を含有する
ターゲット材であって、ターゲット組織において実質的
にＰｔ単体からなる相の最大の内接円径が実質的に５０
０μm以下であり、Ｐｔ相の境界にある拡散層の層厚が
実質的に５０μm以下であるＣｏＰｔ系スパッタリング
ターゲットである。

【００１４】本発明のターゲットの組織は、ターゲット
を構成する元素が、それぞれ単体相として接合された組
織とすることができる。また、本発明のターゲット組織
は、Ｃｏの一部もしくは全部が、Ｐｔを除く残りの元素
の少なくとも１部との合金相として接合された組織とす
ることができる。

【００１５】本発明においては、例えばＣｒ含有量が
０．１〜２５原子％、Ｐｔ含有量が０．１〜２０原子
％、Ｔａ含有量が０．１〜１５原子％、残部Ｃｏを主体
とする組成に適用することができる。

【００１６】上述した本発明のターゲットは、Ｐｔ粉末
およびＣｏと４ａ族元素、５ａ族元素、６ａ族元素、
Ｂ、Ｃから選ばれる元素から選ばれる元素のうち少なく
とも一種以上の単体元素粉末もしくは合金粉末を秤量混
合し、４００〜１０００℃で焼結することによって得る
ことができる。本発明のターゲットをスパッタリングし
て磁気記録膜を製造することができ、好ましくは、ディ
スクの半径方向で測定したＰｔの含有量の分析値の差
が、±１０％以下である均一なＰｔ分布を有する磁気記
録膜となる。この薄膜を用いてハードディスク等の磁気
記録媒体を得ることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】上述した通り、本発明の重要な特
徴は、ターゲットを構成する元素のなかで、少なくとも
Ｐｔを微細に分散させるとともに、Ｐｔ相と他の相と境
界にある拡散相を特定以下の厚さに抑えたことにある。

【００１８】具体的には、ターゲット組織において実質
的にＰｔ単体からなる相の最大長径が実質的に５００μ
m以下であり、Ｐｔ相の境界にある拡散層の層厚が実質
的に５０μm以下と規定した。Ｐｔ相の実質的な最大長
径を５００μm以下と規定したのは最大長径がこれより
大きくなると、スパッタの進行によるターゲット表面の
形態変化が大きくなり、膜組成のスパッタ時間に対する
変動量が大きくなるからである。また、Ｐｔ相の境界に
形成される拡散層の層厚を実質的に５０μm以下と極め
て薄いものに規定した理由は、拡散がこれ以上進行する
と、膜の元素分布が大きくなるからである。

【００１９】このようにＰｔ相を合金化させず分散させ
た組織としたことで、膜の保磁力に大きく影響する膜中
のＰｔ量を基板全体に渡って均一化することが出来る。
この理由は不詳であるが、次のように推定される。スパ
ッタリングではターゲット表面への入射イオンがターゲ
ット表面にある原子に与えたエネルギーが隣接する原子
との衝突過程で伝搬されることによりスパッタリング粒
子として飛び出すと考えられている。原子量が近い元素
からなる合金ターゲットでは、入射イオンがターゲット
表面の原子に衝突する際に、入射イオンが持つエネルギ
ーがターゲット構成元素に均等に伝達されるため膜の元
素分布を生じないが、原子量の差が大きい元素からなる
合金ターゲットでは衝突過程で授受される運動量、エネ
ルギーが個々の原子の原子量によって異なるため、元素
によって放出角度に指向性を生じると推定される。

【００２０】この結果、膜の部位によって飛来する原子
の量が異なり膜組成が均一でなくなると考えられる。特
にＣｏの原子量は５８．９３３２であるのに対しＰｔの
原子量は１９５．０９と約３倍大きいことから、上述の
推測からこれらの合金相はスパッタ粒子の指向性を生じ
易く、膜中の元素量を均一化するためにはターゲット組
織における合金相の比率を極力低減することが望ましい
と考えられる。特に、ＣｏＰｔ系合金膜においては、Ｐ
ｔはＣｏの結晶磁気異方性を高める作用が大きいため、
その他の元素に比べて元素分布の不均一性が磁気ディス
クの磁気特性の均一性に及ぼす影響が大きいと考えられ
る。

【００２１】以上のことから本発明においては膜の元素
分布を生じる原因となる合金相は、可能な限り低減する
ことが好ましいと考えられる。したがって、元素分布を
できるだけ抑制しようとするためには、ターゲットを構
成する元素が、それぞれ単体相として接合された組織と
することが好ましいのである。

【００２２】一方、強磁性体であるＣｏを含むターゲッ
トの場合、すべてのＣｏが単体で存在する組織では、Ｃ
ｏを他の元素と合金化した組織に比べて磁化が大きくな
り、最大透磁率も増加するため漏洩磁束が低下し、マグ
ネトロンスパッタで使用する際にターゲットの寿命が低
下するという問題がある。本発明者の検討によれば、原
子量の大きさが比較的近い元素の場合、合金相とした場
合でも膜の元素分布を生じにくく、特に強磁性合金の場
合、ターゲット構成元素の一部を合金化させることによ
り、ターゲット材の透磁率が低下し、膜の元素分布の均
一性を維持しつつ使用効率を大幅に向上させることが出
来る。

【００２３】例えばＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金ターゲ
ットの場合、Ｃｒの原子量（５１．９９６）はＣｏの原
子量（５８．９３３２）に近いため、ターゲット組織に
Ｃｏ−Ｃｒ合金相として存在させた場合でも膜の元素分
布を生じにくく、含有量の全てもしくは一部をＣｏと合
金化させた状態で分散させることでターゲットの磁化を
低減し漏洩磁束を高め、使用効率を向上させることが出
来る。このように、Ｐｔの分布を抑え、ターゲットの漏
洩磁束を高めるためには、Ｃｏの一部もしくは全部が、
Ｐｔを除く残りの元素の少なくとも１部との合金相とし
て接合された組織を有するように調整することが望まし
い。

【００２４】本発明のターゲットの組成はＣｏを主体と
しＰｔを必須とし４ａ族元素、５ａ族元素、６ａ族元
素、Ｂ、Ｃから選ばれる元素のうち少なくとも一種以上
を含有し、特にＣｒ含有量が０．１〜２５原子％、Ｐｔ
含有量が０．１〜２０原子％、Ｔａ含有量が０．１〜１
５原子％とすることが好ましい。このように成分を規程
した理由は、次の通りである。

【００２５】Ｐｔは前記のようにＣｏの結晶磁気異方性
を高め、保磁力を増加させる作用があることから記録密
度の向上には欠くことの出来ない元素である。４ａ族元
素、５ａ族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｃについては膜の結
晶粒微細化や偏析構造、結晶配向性の向上等の効果があ
り、記録層の磁気特性を高める効果がある元素である。
これらの元素の添加量は、磁気記録媒体に要求される性
能、具体的には保磁力と磁束密度に依存するが、基本的
な磁気特性を担うＣｏを確保する必要があるため、トー
タルで５０原子％以下にすることが望ましい。

【００２６】特に、上述の元素のうちＣｒを０．１〜２
５原子％、Ｐｔを０．１〜２０原子％、Ｔａを０．１〜
１５原子％、あるいはさらにＢを０．１〜１５原子％の
範囲で含有する合金は磁気ディスクの記録層として高い
記録再生特性が得られるため特に好ましい。また、ター
ゲットに含まれる酸素は、膜の磁気特性を低下させる原
因となるため好ましくは１５００ｐｐｍ以下であり、さ
らに好ましくは８００ｐｐｍ以下とすることが望まし
い。

【００２７】本発明のターゲットの製法上の特徴は、粉
末焼結法を採用し焼結温度を４００〜１０００℃と規定
したことにある。焼結温度をこのように定めたのは、４
００℃以下では拡散が不十分なため組織に空孔が残留し
て異常放電の原因となるためであり、１０００℃を超え
ると粉末同士の界面における拡散により合金相の比率が
増加し、膜の元素分布を生じるからである。焼結温度は
計算密度に対して９９％以上のターゲット密度が得られ
る下限に設定することが好ましい。

【００２８】尚、原料粉末はいかなる形態のものでも用
いることが出来るが、合金粉末の製造に際してはガス分
の少ないガスアトマイズ法が好ましい。また、焼結時に
はＨＩＰ（熱間静水圧プレス）、ホットプレス、熱間押
し出し等の加圧焼結を施すことにより低温で焼結を行っ
た場合でも高密度な焼結体が得られるため特に好まし
い。

【００２９】本発明のターゲットを用いることによっ
て、磁気記録媒体、例えばハードディスクの記録面にお
ける元素分布を低減した新規の磁気記録媒体を得ること
ができる。具体的には、ディスクの半径方向に測定した
Ｐｔ含有量の分析値の差が、±１０％以下となり磁気特
性が半径方向で均一なＣｏＰｔ系磁気記録媒体が得られ
る。

【００３０】

【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。 （ターゲット材の製造）表１に示すＰｔ単体粉末をはじ
めとする各種単体元素粉末とＣｏ系合金粉末を用意し
た。Ｃｏ系合金粉末は溶解鋳造により作製した２５ｋｇ
マスターインゴットを窒素ガス雰囲気でガスアトマイズ
した後６０メッシュ以下に分級した。次にこれらを表２
に示す配合組成となるようそれぞれ秤量しロッキングミ
キサーによって３０分間混合を行った。これらの混合粉
を軟鉄性のＨＩＰ缶に充填し、ＨＩＰ缶内を４００℃以
上で加熱を行いながら油拡散ポンプによって１０マイナ
ス１乗Ｐａ以下の圧力に排気して脱気封止を行った後Ｈ
ＩＰ処理を行った。

【００３１】

【表１】

【００３２】ＨＩＰ条件は９５０℃、１５０ＭＰａ、１
時間保持とした。尚、試料番号９は拡散を進行させた比
較例であり、ＨＩＰ条件を１２５０℃、１２７ＭＰａ、
３時間とした。次にこれらのターゲットに機械加工を施
してＨＩＰ缶を除去し、φ１００×４ｔのターゲット材
と組織調査用の試験片を得た。試料番号１０、１１は所
望の組成となるよう秤量した原料を真空溶解により合金
鋳塊としたのち１１５０℃にて１パスあたりの加工率を
１０％として計３パスの熱間圧延を施して得られた板材
に機械加工を施してφ１００×４ｔのターゲット材と組
織調査用の試験片を得た。

【００３３】（ターゲット材のミクロ組織）本発明のタ
ーゲットのミクロ組織は典型的には図１に示す試料番号
３の１５０倍のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）像のように
なり、焼結体の相構成は実質的に原料粉末の相構成を維
持した状態であることが確認された。このターゲットの
Ｐｔ相と隣接するＣｏ合金相の境界におけるＰｔの拡散
状態をＪＥＯＬ社製ＥＰＭＡ分析装置ＪＸＡ−８９００
を用いて、加速電圧１５．０ｋＶ、照射電流０．７μ
Ａ、測定間隔１μmにて分析を行った結果が図２であ
る。図２は、Ｐｔを検出したカウントを縦軸に走査距離
を横軸にしたものである。この図から、最大で約３０μ
mの拡散層が形成されているが、この部分を除いて実質
的に純ＰｔのままのＰｔ相が存在する事が確認された。
また、Ｐｔ単体からなる相の大きさは原料となるＰｔ単
体粉末の大きさにほぼ一致し、最大の内接円径は実質的
に３０μｍ以下であった。

【００３４】一方、ＨＩＰ温度を高めた試料番号９の比
較例のターゲットのミクロ組織は、図３に示す１５０倍
のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）像のようになり、前記本
発明例に比べて拡散が進行していることが判る。上記と
同様にＰｔ相と隣接するＣｏ合金相との境界におけるＰ
ｔの拡散状態の分析を行った結果が図４である。この図
から、約１００μmにも及ぶ拡散層が存在することが確
認された。また、試料番号１０、１１の比較例のターゲ
ットは完全な合金相からなる圧延組織であった。尚、Ｈ
ＩＰ温度の違いにより拡散状態の違いが靱性に及ぼす影
響を調査するために、前記本発明例試料番号２と比較例
試料番号９について、スパン５０ｍｍ断面５ｍｍ×５ｍ
ｍの３点曲げ抗折試験片を５本採取し、それぞれ抗折試
験を行い抗折力の平均値を測定したところ、本発明例試
料番号２の抗折力は１６２０Ｎ／ｍｍ^２、比較例の試料
番号９の抗折力は１８７０Ｎ／ｍｍ^２であった。本発明
においては、拡散層厚を抑制することで、拡散の進んだ
ターゲットに比べて、やや靱性が低いものとなるが、タ
ーゲットとしては十分な靱性を有している。

【００３５】（ターゲットの磁気特性）上述のターゲッ
トの端材より３０ｍｍ×１０ｍｍ×５ｍｍの試験片を採
取し電磁石法により測定した磁化曲線から最大透磁率を
求めた結果を表２に示す。この表において、本発明例の
うち同一組成である試料番号１、２、３を比較すると構
成元素の単体相からなる組織を有するターゲットよりも
構成元素の一部を合金化した組織を有する本発明のター
ゲットの方が最大透磁率が低くなっていることが判る。

【００３６】

【表２】

【００３７】（膜の元素分布）上述の本発明及び比較例
のターゲットを図５に示す基板１、ターゲット２、マグ
ネット３を配置するスパッタ装置に装着し、１０マイナ
ス４乗Ｐａ以下に排気を行った後、高純度Ａｒガスを
０．３Ｐａまで導入し、直流電源により５００Ｗの電力
を印可してスライドガラス上に膜厚１μmの薄膜を形成
した。このスライドガラスを基板中心（Ｘ=０ｍｍ）か
ら基板端部（Ｘ＝５０ｍｍ）まで１０ｍｍ間隔に切断し
てＥＰＭＡによりそれぞれの位置における膜組成の分析
を行った。次に分析結果を元に元素別に基板中心からｄ
ｍｍの位置での膜組成分析値をＣ_Ａ（Ｘ＝ｄ）（原子
％）として、基板中心（Ｘ=０ｍｍ）での膜組成分析値
に対するずれ量を次式で評価した。 ずれ量（％）＝１００×｛Ｃ_Ａ（Ｘ＝ｄ）−Ｃ_Ａ（Ｘ＝
０）｝÷Ｃ_Ａ（Ｘ＝０）

【００３８】本発明のターゲットの膜組成のずれ量の基
板半径方向での変化は典型的にはそれぞれ図６に示す試
料番号３の結果の様になり、比較例のターゲットでは図
７、図８にそれぞれ示した試料番号９、１０の結果の様
になり、本発明のターゲットを使用して形成された膜は
比較例のターゲットを使用して形成された膜に比べて膜
中の元素分布が均一であり、特にエロージョン部（Ｘ＝
３０ｍｍ）から外側での膜中Ｐｔ含有量の変化が極めて
小さいことが判る。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば従来の製法によるＣｏＰ
ｔ系ターゲットにより形成された磁気記録媒体で問題と
なる基板半径方向での元素分布を均一化することがで
き、磁気記録媒体の品質を向上させる上で欠くことので
きない技術となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明例試料番号３の金属ミクロ組織写真の１
例である。

【図２】本発明例試料番号３のＰｔ相境界のＥＰＭＡ線
分析結果である。

【図３】比較例試料番号９の金属ミクロ組織写真の１例
である。

【図４】比較例試料番号９のＰｔ相境界のＥＰＭＡ線分
析結果である。

【図５】成膜評価を行った装置の配置図である。

【図６】本発明例試料番号３の膜の元素分布である。

【図７】比較例試料番号９の膜の元素分布である。

【図８】比較例試料番号１０の膜の元素分布である。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年４月５日（１９９９．４．５）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１０】さらに、本発明者が上述の問題について詳
細な調査を行った結果、基板の半径方向で膜組成が連続
的に変化しており、特にターゲットのエロージョン部か
ら遠ざかるにつれて膜中のＰｔ量が相対的に高くなって
おり、上述の膜の保磁力の変化は膜中のＰｔ量の変化と
対応していることを見出した。なお、スパッタ装置のカ
ソードの仕様によっては逆に外周部の方が膜中のＰｔ量
が減少する場合もあり、膜の組成変化の傾向にはスパッ
タ装置による違いがあることもわかった。本発明は上記
問題に鑑みてなされたものであり、膜特性が均一で記録
再生特性に優れた記録層を有する磁気記録媒体を得るこ
とができるＣｏＰｔ系スパッタリングターゲットおよび
その製造方法ならびに磁気記録膜およびＣｏＰｔ系磁気
記録媒体を提供することである。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】具体的には、ターゲット組織において実質
的にＰｔ単体からなる相の最大内接円径が実質的に５０
０μm以下であり、Ｐｔ相の境界にある拡散層の層厚が
実質的に５０μm以下と規定した。Ｐｔ相の実質的な最
大内接円径を５００μm以下と規定したのは最大内接円
径がこれより大きくなると、スパッタの進行によるター
ゲット表面の形態変化が大きくなり、膜組成のスパッタ
時間に対する変動量が大きくなるからである。また、Ｐ
ｔ相の境界に形成される拡散層の層厚を実質的に５０μ
m以下と極めて薄いものに規定した理由は、拡散がこれ
以上進行すると、膜の元素分布が大きくなるからであ
る。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｃｏを主体としＰｔを必須とし４ａ族元
   素、５ａ族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｃから選ばれる元素
   のうち少なくとも一種以上を含有するターゲット材であ
   って、ターゲット組織において実質的にＰｔ単体からな
   る相の最大の内接円径が実質的に５００μm以下であ
   り、Ｐｔ相の境界にある拡散層の層厚が実質的に５０μ
   m以下であることを特徴とするＣｏＰｔ系スパッタリン
   グターゲット。
2. 【請求項２】 ターゲットを構成する元素が、それぞれ
   単体相として接合された組織を有することを特徴とする
   請求項１に記載のＣｏＰｔ系スパッタリングターゲッ
   ト。
3. 【請求項３】 Ｃｏの一部もしくは全部が、Ｐｔを除く
   残りの元素の少なくとも一部との合金相として接合され
   た組織を有することを特徴とする請求項１に記載のＣｏ
   Ｐｔ系スパッタリングターゲット。
4. 【請求項４】 Ｃｒ含有量が０．１〜２５原子％、Ｐｔ
   含有量が０．１〜２０原子％、Ｔａ含有量が０．１〜１
   ５原子％、残部Ｃｏを主体とする組成を有することを特
   徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＣｏＰｔ
   系スパッタリングターゲット。
5. 【請求項５】 Ｐｔ粉末およびＣｏと４ａ族元素、５ａ
   族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｃから選ばれる元素から選ば
   れる元素のうち少なくとも一種以上の単体元素粉末もし
   くは合金粉末を秤量混合し、４００〜１０００℃で焼結
   することを特徴とするＣｏＰｔ系スパッタリングターゲ
   ットの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１ないし４のターゲットをスパッ
   タリングして得られた磁気記録膜。
7. 【請求項７】 ディスクの半径方向で測定したＰｔの含
   有量の分析値の差が、±１０％以下である請求項６に記
   載の磁気記録膜を具備することを特徴とするＣｏＰｔ系
   磁気記録媒体。