DE845500C - Verfahren zur Reinigung von rohen, durch Chlorieren oxydischer Erze erhaltenen, fluechtigen Metallchloriden - Google Patents
Verfahren zur Reinigung von rohen, durch Chlorieren oxydischer Erze erhaltenen, fluechtigen MetallchloridenInfo
- Publication number
- DE845500C DE845500C DEP14065D DEP0014065D DE845500C DE 845500 C DE845500 C DE 845500C DE P14065 D DEP14065 D DE P14065D DE P0014065 D DEP0014065 D DE P0014065D DE 845500 C DE845500 C DE 845500C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- crude
- chlorides
- metal chlorides
- gases
- purification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000746 purification Methods 0.000 title claims description 5
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N dichloridooxygen Chemical compound ClOCl RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 201000009032 substance abuse Diseases 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B34/00—Obtaining refractory metals
- C22B34/10—Obtaining titanium, zirconium or hafnium
- C22B34/12—Obtaining titanium or titanium compounds from ores or scrap by metallurgical processing; preparation of titanium compounds from other titanium compounds see C01G23/00 - C01G23/08
- C22B34/1218—Obtaining titanium or titanium compounds from ores or scrap by metallurgical processing; preparation of titanium compounds from other titanium compounds see C01G23/00 - C01G23/08 obtaining titanium or titanium compounds from ores or scrap by dry processes
- C22B34/1231—Obtaining titanium or titanium compounds from ores or scrap by metallurgical processing; preparation of titanium compounds from other titanium compounds see C01G23/00 - C01G23/08 obtaining titanium or titanium compounds from ores or scrap by dry processes treatment or purification of titanium containing products obtained by dry processes, e.g. condensation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
- C01G1/06—Halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/02—Halides of titanium
- C01G23/022—Titanium tetrachloride
- C01G23/024—Purification of tetrachloride
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
AUSGEGEBEN AM 31. JULI 1952
p 14065IVb/12 η D
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung von rohen, durch Chlorieren oxydischer
Erze erhaltenen, flüchtigen Metallchloriden, insbesondere von Titan- und Zirkontetrachlorid.
Die hierbei als Ausgangsmaterialien dienenden rohen flüchtigen Metallchloride werden dadurch erhalten,
daß die Erze der entsprechenden Metalle, deren Chloride in reiner Form gewonnen werden
sollen, mit Reduktionskohle vermischt, bei höheren Temperaturen mit Chlorgas behandelt und die dabei
entstehenden Dämpfe kondensiert werden. Die auf diese Weise gewonnenen flüchtigen Rohchloride sind
durch Chloride und Oxychloride der ihr Metall im Erz begleitenden Nebenmetalle stark verunreinigt
und gefärbt. Sie enthalten außerdem wechselnde Mengen von Chlor, Phosgen, Chlorwasserstoff,
Kühlenoxyd und anderen Gasen in gelöster Form.
Unter den Chloriden sind zu unterscheiden: einerseits Chloride, deren Dämpfe sich bei Atmosphärendruck
zu einer Flüssigkeit kondensieren lassen, wie z. B. die Tetrachloride von Silicium und
Titan, andererseits Chloride, die bei Atmosphärendruck keine flüssigen Phasen bilden und sich daher
nicht destillieren, sondern nur sublimieren lassen, wie Zirkontetrachlorid und Aluminiumtnchlorid.
Um nun die Chloride im reinen Zustand zu erhalten, müssen sie einem Reinigungsverfahren
unterworfen werden. Bei flüssigen Chloriden geschieht dies bisher in einer Weise, die an einem
Beispiel, nämlich der Reinigung von Titantetrachlorid, im nachfolgenden näher beschrieben wird.
Das rohe Titantetrachlorid, das infolge der in ihm noch gelösten oder suspendierten Chloride und
Oxychloride der Fremdmetalle, insbesondere von
Vanadin, Chrom und Eisen, stark gefärbt und trübe ist, während das gereinigte Titantetrachlorid klar
und farblos ist, wird zunächst mechanisch yorgereinigt, indem man durch Filtrieren oder durch
Absetzenlassen und Dekantieren die darin suspendierten festen Verunreinigungen ausscheidet. Sodann
läßt man das so vorgereinigte, aber noch gefärbte Rohchlorid mit den darin gelösten Chloriden,
Oxychloriden und Gasen verdampfen und in Dampf-
oder Gasform durch eine Schicht von Adsorptionsmittel, z. B. Aktivkohle u. dgl., strömen. Dabei werden
die Verunreinigungen durch Adsorption, zum Teil nach vorgängig erfolgter chemischer Reaktion,
beseitigt, so daß das Titantetrachlorid die Adsorpt5
tionskolonne gereinigt verläßt. In gewissen Fällen ist es nämlich notwendig, hierbei den Chloriddämpfen
noch Wasserstoff zuzusetzen. In anderen Fällen genügt eine Kolonne mit oberflächeninaktiven
Füllstoffen, die von den Chloriddämpfen unter ao Wasserstoffzusatz zu durchstreichen sind.
Nach allen diesen Methoden verläuft jedoch die Reinigung nicht mit der für die technische Ausführung
notwendigen Gleichmäßigkeit und Sicherheit; einerseits ist die Geschwindigkeit, mit welcher
J5 die Entfernung der färbenden Chloride und Oxychloride
erfolgt, sehr großen und sehr oft plötzlichen Schwankungen unterworfen, andererseits
läßt die Aufnahmefähigkeit der Kolonne in den meisten Fällen auffallend rasch nach. Die deshalb
erforderlichen großen Reinigungsapparaturen und der übermäßig große Verbrauch an Adsorptionsmitteln standen daher bisher einör technisch und
wirtschaftlich tragbaren Durchführung des Reinigungsprozesses im Wege.
Es wurde nun gefunden, daß als Ursache dieser Mißstände jene Gase zu betrachten sind, welche,
wie z. B. Chlor, Phosgen, Kohlenmonoxyd u. dgl., im Chlorid gelöst sind, und daß die Reinigung
gleichmäßig sicher und mit andauerndem Erfolg dann durchzuführen ist, wenn die genannten Gase
vor der Reinigung des rohen Chlorids entfernt wer-, den. Ist dies einmal geschehen, so arbeiten die oben
beschriebenen Reinigungsverfahren mit voller Zufriedenheit, mit guter Ausnutzung der Adsorptionsfähigkeit
der Adsorbentien und überdies noch bei wesentlich gesteigerter Strömungsgeschwindigkeit
in der Adsorptionskolonne.
Eine einfache, für alle vorkommenden Rohchloride anwendbare, aber nicht sehr wirksame Entgasung
besteht darin, daß die rohen Metallchloride gegebenenfalls unter Erhitzung derselben mit Vakuum
von den in ihnen gelösten Gasen befreit werden. Eine bessere Entgasung kann bei den leicht
flüchtigen, flüssigen Rohchloriden dadurch erzielt werden, daß die rohen Metallchloride durch Erhitzen
am Rückflußkühler bei normalem oder vermindertem Druck von den in ihnen gelösten Gasen
befreit werden. Bei Chloriden, die bei Atmosphärendruck keine flüssige Phase aufweisen, wie z. B.
Zirkonchlorid, kann die Entfernung der Gase dadurch verbessert werden, daß die festen Chloride
bei Drucken unter ι atü durch Erhitzen bis auf Temperaturen, bei denen bereits ein Teil der festen Chloridemit
den Gasen verflüchtigt wird, von den in ihnen gelösten Gasen befreit werden. Schwer fluchtige
Chloride, deren Schmelz- und Siedepunkte "nicht weit auseinanderliegen, wie z. B. Niobpentachlorid,
können sowohl im festen Zustand durch teilweise Verflüchtigung des festen Chlorids bei
Drucken unter 1 atü als auch in flüssigem Zustand durch Erhitzen am Rückflußkühler von den in ihnen
gelösten Gasen befreit werden. Die Entgasung braucht nicht unbedingt vollständig zu sein, sondern
nur bis zu einem gewissen Gasgehalt durchgeführt zu werden, welcher bei dem sich anschließenden
Reinigungsverfahren nicht mehr schädlich ist. Nach Versuchen liegt diese Grenze für Chlor bei etwa
0,1 %>, für Phosgen bei etwa 0,2%. Es ist deshalb
auch möglich, einen Teil der Gase durch Adsorption an Aktivkohle oder einem SiO2-haltigen Adsorptionsmittel
bei Temperaturen knapp über dem Siedepunkt bzw. Sublimationspunkt zu binden, bei
denen die störenden Chloride und Oxychloride der Fremdmetalle noch nicht adsorbiert werden, um
dann erst das noch nicht völlig entgaste Metallchlorid bei höheren Temperaturen oberhalb 250 bis
3000 in einer zweiten Adsorptionskolonne von dem Rest der störenden Chloride und Oxychloride zu
befreien. Diese Entgasungsverfahren sind auf alle flüchtigen Chloride anwendbar, so also auch auf
die Tetrachloride von Silicium und Zinn, auf Aluminium u. dgl.
Claims (5)
1. Verfahren zur Reinigung von rohen, durch Chlorieren der oxydisc'hen Erze erhaltenen,
flüchtigen Metällchloriden, dadurch gekennzeichnet, daß die rohen Metallchloride vor der
Entfernung der in ihnen gelösten Fremdmetall- -100 chloride von den in ihnen gelösten Gasen befreit
werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die rohen Metallchloride gegebenenfalls unter Erhitzung derselben mittels
Vakuum von den in ihnen gelösten Gasen befreit werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die flüssigen rohen Metallchloride
durch Erhitzen am Rückflußkühler von den in ihnen gelösten Gasen befreit werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die festen rohen Metallchloride
bei Drucken unter 1 atü durch Erhitzen bis auf Temperaturen, bei denen bereits ein Teil
der festen Chloride mit den Gasen verflüchtigt wird, von den in ihnen gelösten Gasen befreit
werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die rohen Metallchloride
von den in ihnen gelösten Gasen durch Adsorption der letzteren an porösen Körpern bei so
niederen Temperaturen befreit werden, bei denen noch keine wesentliche Adsorption der das
Rohchlorid verunreinigenden Metallchloride eintritt.
5267 7.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH627904X | 1946-06-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE845500C true DE845500C (de) | 1952-07-31 |
Family
ID=4524532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP14065D Expired DE845500C (de) | 1946-06-27 | 1948-10-02 | Verfahren zur Reinigung von rohen, durch Chlorieren oxydischer Erze erhaltenen, fluechtigen Metallchloriden |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE845500C (de) |
| FR (1) | FR947580A (de) |
| GB (1) | GB627904A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2467821A1 (fr) * | 1979-10-18 | 1981-04-30 | Zaporozhsky Titano Magnievy | Dispositif pour la separation du tetrachlorure de titane se trouvant dans un melange vapeurs-gaz |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2805133A (en) * | 1954-06-25 | 1957-09-03 | Du Pont | Preparation of pure silicon |
| US2820698A (en) * | 1954-06-25 | 1958-01-21 | Du Pont | Process for purifying silicon halide |
| US2813008A (en) * | 1954-06-25 | 1957-11-12 | Du Pont | Method of purifying silicon tetrafluoride |
| US2804377A (en) * | 1954-06-25 | 1957-08-27 | Du Pont | Preparation of pure silicon |
| US2931709A (en) * | 1956-09-17 | 1960-04-05 | Robert S Aries | Decarburizing silicon tetrachloride |
| NL235008A (de) * | 1958-01-11 | |||
| NL246431A (de) * | 1958-12-16 | 1900-01-01 | ||
| DE1155098B (de) * | 1960-06-10 | 1963-10-03 | Siemens Ag | Verfahren zur Gewinnung von reinstem Silicium |
| US3161474A (en) * | 1960-06-21 | 1964-12-15 | Siemens Ag | Method for producing hyperpure semiconducting elements from their halogen compounds |
| DE10030252A1 (de) * | 2000-06-20 | 2002-01-03 | Degussa | Abtrennung von Metallchloriden aus deren Suspensionen in Chlorsilanen |
-
1947
- 1947-06-02 GB GB14587/47A patent/GB627904A/en not_active Expired
- 1947-06-06 FR FR947580D patent/FR947580A/fr not_active Expired
-
1948
- 1948-10-02 DE DEP14065D patent/DE845500C/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2467821A1 (fr) * | 1979-10-18 | 1981-04-30 | Zaporozhsky Titano Magnievy | Dispositif pour la separation du tetrachlorure de titane se trouvant dans un melange vapeurs-gaz |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB627904A (en) | 1949-08-18 |
| FR947580A (fr) | 1949-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE845500C (de) | Verfahren zur Reinigung von rohen, durch Chlorieren oxydischer Erze erhaltenen, fluechtigen Metallchloriden | |
| EP0296147B1 (de) | Verfahren zur Gewinnung bzw. Rückgewinnung von Säuren aus metallhaltigen Lösungen dieser Säuren | |
| DE69100811T2 (de) | Verfahren zur behandlung von einer wässerigen lösung, die insbesondere salpetersäure und flusssäure enthält. | |
| DE1082238B (de) | Verfahren zum Herstellen von Silizium | |
| DE2453864B2 (de) | Kontinuierliches Verfahren zur Auftrennung von Gemischen aus Zirkoniumtetrachlorid und Hafniumtetrachlorid | |
| DE2240658A1 (de) | Verfahren zur desoxydation refraktaerer metalle, insbesondere zur desoxydation von niob und tantal | |
| DE1141628B (de) | Verfahren zur Gewinnung von Uranverbindungen aus Uran-Molybdaen-Legierungen | |
| DE1018228B (de) | Verfahren zur Herstellung von Titan | |
| DE882145C (de) | Verfahren zum Raffinieren von Aluminium | |
| DE1805698A1 (de) | Verbessertes Oxychlorierungsverfahren | |
| DE69103825T2 (de) | Verfahren zur Entfernung von Siliziumverbindungen aus Beizbädern und Einrichtung dafür. | |
| DE2444384A1 (de) | Chemische falle | |
| DE950758C (de) | Verfahren zur Herstellung von Titan und Titanlegierungen | |
| DE1805332B2 (de) | Verfahren zur rueckgewinnung von quecksilber aus abfalloesungen | |
| DE1181919B (de) | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen | |
| DE1222486B (de) | Verfahren zur Nachbehandlung von bestrahlten Uran- und/oder Plutoniumcarbiden | |
| DE915082C (de) | Verfahren zur Gewinnung der bei Zersetzung von Metallhalogeniden mit sauerstoffhaltigen Gasen entstehenden metalloxyde aus den Reaktionsgasen | |
| DE664737C (de) | Verfahren zur Reinigung von Magnesium | |
| DE1592254A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Molybdaenchlorid,bevorzugte Molybdaenpentachlorid | |
| DE2115324C (de) | Metallothermische Herstellung von Magnesium in Gegenwart einer im wesentlichen statischen Atmosphäre von inertem Gas | |
| DE877448C (de) | Verfahren zur Aufbereitung von Chlorierungsgasen oxydischer Erze | |
| DEF0009783MA (de) | ||
| DE1592248C (de) | Verfahren zur Gewinnung von Plutoniumtetrafluorid | |
| DE964351C (de) | Verfahren zur Gewinnung von hochreinem Germanium | |
| DE1934660C (de) | Verfahren zur Abtrennung von Verunrei nigungen aus Zirkonminerahen \nm Th Goldschmidt AG, 4300 Essen |