DE1181919B - Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von hochreinem ArsenInfo
- Publication number
- DE1181919B DE1181919B DES83054A DES0083054A DE1181919B DE 1181919 B DE1181919 B DE 1181919B DE S83054 A DES83054 A DE S83054A DE S0083054 A DES0083054 A DE S0083054A DE 1181919 B DE1181919 B DE 1181919B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- arsenic
- chloride
- hydrogen
- water
- iii
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 45
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N Arsenious Acid Chemical compound O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 arsenic halides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- STWNJQOCTNSGLJ-UHFFFAOYSA-N (2-amino-5-methylphenyl)methanol Chemical compound CC1=CC=C(N)C(CO)=C1 STWNJQOCTNSGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 13
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N sulfur dioxide Inorganic materials O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 1
- 241000287182 Sturnidae Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- PXJJSXABGXMUSU-UHFFFAOYSA-N disulfur dichloride Chemical compound ClSSCl PXJJSXABGXMUSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G28/00—Compounds of arsenic
- C01G28/007—Halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B30/00—Obtaining antimony, arsenic or bismuth
- C22B30/04—Obtaining arsenic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen Extrem hohe Reinheitsgrade sind in der Halbleitertechnik von besonderem Interesse. In den bekannten AI"Bv-Halbleitern sind es die Elemente der 111. und V. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente, die sehr wirksame Reinigungsverfahren verlangen.
- Bei der Reinigung der Elemente der V. Hauptgruppe, insbesondere- des Arsens, bereitete die Beseitigung der Fremdstoffe, die im AIIIBv-Halbleiter Donatorenniveaus besitzen, erhebliche Schwierigkeiten. Chemische und physikalische Überlegungen sowie Analysenergebnisse und radiochemische Untersuchungen über die Wirksamkeit von Reinigungsverfahren für Arsen zeigen, daß Donatorenelemente, insbesondere der Schwefel, durch alle bisher bekam ten Reinigungsmethoden nicht befriedigend entfernt werden konnten.
- Dabei hat es nicht an Versuchen gefehlt, z. B. weitgehend schwefelfreies Arsen herzustellen. Erwähnt sei ein Verfahren, bei dem zwischen 900 und 1000° C die im Arsendampf vorhandenen Schwefelverhindungen mittels Wasserstoff in Schwefelwasserstoff übergeführt und mit den Abgasen beseitigt werden sollen. Nach einer anderen Reinigungsmethode soll der Schwefelgehalt durch Behandeln des Arsens mit geschmolzenem Blei bei Temperaturen um 650° C vermindert werden. Diese Verfahren haben sich je- doch als relativ wenig reinigungswirksam und zum Teil sehr aufwendig erwiesen.
- Komplizierte Temperaturführung mit entsprechend hohem Aufwand an überwachungsärbeit und kostspieligen Temperaturregeleinrichtungen erfordert ein Verfahren zur Entfernung von Schwefel und Sauerstoff aus Arsen, bei dem Arsen zunächst zu As203 oxydiert und dieses dann durch Hin- und Hersublimieren im Wasserstoffstrom wieder in Arsen übergeführt wird. Der Schwefel soll dabei teils in Form von S02, zum anderen Teil als AS verflüchtigt werden.
- In der Praxis wird eine Verfahrensweise benutzt; die im allgemeinen über Arsen-Halogen-Verbindungen, vor allem Arsen(111)-chlorid, verläuft. Nach Oberführung des Roharsens und sämtlicher darin enthaltener Verunreinigungen in Chloride können die Fremdanteile unter Ausnutzung der unterschiedlichen Siedepunkte der einzelnen Verbindungen weitgehend vom Arsen(Ill)-chlorid abgetrennt werden. Die fraktionierte Destillation des Rohchlorids erwies sich, wie radiochemische Untersuchungen zeigten, in hohem Maße wirksam zur Beseitigung der metallischen Verunreinigungen, wie z. B. Kupfer oder Zink. Dagegen wird der Schwefelgehalt des Rohchlorids durch Destillation nur geringfügig verringert. Im Rohchlorid liegt der Schwefel vermutlich ebenfalls als Halogenverbindung vor. Diese ist durch Destillation nicht abtrennbar. E wurde versucht, das Arsen chlorid von den'#7erunreinigtingen zu befreien, indem man es- einer eydroiyse,unfierwarf. Schwefelhalogenverbindungen,' z. B. such, werden wohl, vom Wasser unter Bildung von Salzsäure, Schwefeldioxyd und amorphem Schwefel zersetzt, jedoch schließt das gleichzeitig mit ausfallende Atsen(lII)-oxyd reichlich Schwefel ein, der bei der folgenden Reduktion des Oxyds mittels ; W;.serstof zu Arsen nicht völlig beseitigt werden' kanti: Därtiber hinaus ist die überführung des Chlorids in elementares Arsen über die Zwischenstufe des Oxyds, umständlich und, aufwendig. Es besieht Gefähr, `daß 'Verunreinigungen eingeschleppt werden, weil die Gefäße mehrfach gewechselt werden müssen und greße Wassermengen für die Hydrolyse und . Filtrationen in der staubhaltigen Laborluft erforderlich sind. Nachteilig ist weiterhin die relativ geringe Ausbeute an Reinstarsen, bedingt durch die nicht unerhebliche Löslichkeit des Arsen-(III)-oxyds im Hydrolysenwasser.
- Das erfindungsgemäße Verfahren, das vom Arsenhalogenid, insbesondere Arsen(111)-ohlorid, ausgeht, beseitigt die beschriebenen Nachteile dadurch, daß das Arsenhalogenid mit einer kleinen Wassermenge versetzt wird, die einerseits gerne ausreicht, die Verunreinigungen des Arsenhalogenids hydrolytisch zu zersetzen, andererseits jedoch noch kein Arsen(111)-oxyd ausfällt, darauf der hochreine Stoff durch De. stillation von den Zersetzungsprodukten abgetrennt und mit gereinigtem Wasserstoff reduziert wird. Es zeichnet sich ferner durch rationelle Arbeitsreise und hohe Ausbeuten an hochreinem Arsen aus. Die praktische Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens soll an Hand des folgenden Beispiels näher erläutert werden. Nachdem man das Roharsen und seine Begleitverunreinigungen auf bekannte Weise in die Chloride übergeführt hat, werden die in der Flüssigkeit vorhandenen überschüssigen Chlorgasanteile verkocht. ZurBeseitigung derSchwefelkomponente, die ebenfalls als Halogenverbindung vorliegt und durch einfache Destillation nicht abgetrennt werden kann, :wird eine Hydrolyse durchgeführt. Das chlorfreie Arsen(111)-chlorid wird mit einer bestimmten kleinen Menge Wasser - z. B. 1 Volumteil Wasser zu 40 Volumteilen Arsen(111)-chlorid -versetzt und 24 Stunden lang gut durchmischt. Größere Wassermengen erweisen sich als ungünstig, weil sie mit Arsen(III)-chlorid unter Bildung von Arsen (III)-oxyd reagieren. Die angestrebte Reaktion, die Zerstörung der Schwefelhalogenverbindungen durch Einwirkung von Wasser, wird bei einem derartigen Reaktionsablauf gestört. Eine gute Durchmischung des spezifisch leichteren Wassers mit dem Reaktionsgut, die für eine vollkommene Zerstörung der Schwefelhalogenverbindungen erforderlich ist, erreicht man durch Erhitzen des Gemisches am Rückfluß oder mit Hilfe eines kräftigen Magnetrührers. Dischwefeldichlorid z. B. reagiert mit Wasser derart, daß ein Teil des Schwefels als gasförmiges Schwefeldioxyd entweicht, während der restliche Anteil als elementarer Schwefel' anfällt. Dieser löst sich im Arsen(IIII)-chlorid, kann aber nun durch Destillation vom Arsen(111)-chlorid abgetrennt werden.
- Die Hydrolyse zeichnet sich nicht nur durch hohe Reinigungswirksamkeit aus, sondern stellt auch eine wesentliche Vereinfachung für die Herstellung von hochreinem Arsen dar.
- Das vorbehandelte AsC13 wird über eine Füllkörperkolonne bei einem Rücklaufverhältnis von etwa 20: 1 fraktioniert. Der Siedepunkt beträgt 130,2° C. Die Hauptfraktion des Destillates wird einer direkten Reduktion zu elementarem Arsen zugeführt. Bei einer Badtemperatur von 140° C wird das Arsen(111)-chlorid verdampft und durch das Verdampfungsgefäß gleichzeitig Wasserstoffgas geleitet. Hierdurch wird der Arsen(III)-chlorid-Dampf gleichmäßig mit Reduktionsgas vermischt und in das.- Reaktionsrohr transportiert. In der Temperaturzone von 850° C findet die günstigste Reduktion der Halogenverbindung durch das Wasserstoffgas zu elementarem Arsen statt. Bei dieser Reaktion entsteht gleichzeitig Chlorwasserstoffgas, das mit überschüssigem Waserstoff aus dem Reaktionsraum entweicht.
- Am Ende des Reaktionsrohres erfolgt in einer Temperaturzone von 350 bis 400° C die Abscheidung als a-Arsen. Die Ausbeute beträgt bei diesem Verfahren etwa 50 %, Gesamtausbeute (a,ß,y-Arsen) etwa 75 11/o. Für eine weitgehende Abscheidung des Arsens als metallische Modifikation ist zu beachten, daß die Strömungsgeschwindigkeit des Wasserstoffgases einen Maximalwert von 1 1/min nicht überschreitet.
- Vergleiche über den Reinheitsgrad der nach verschiedenen Reinigungsverfahren erhaltenen Arsenchargen können bisher nur durch indirekte Analysen erfolgen, da für die unmittelbare Erfassung der Fremdelemente auf analytischem Wege zur Zeit keine genügend empfindlichen Methoden bekannt sind. Man ist daher darauf angewiesen, Aussagen über den Reinheitsgrad des Arsens aus der Elektronenbeweglichkeit des daraus hergestellten Halbleiters zu treffen. Zu diesem Zweck wurden Arsenchargen, die nach den verschiedensten Reinigungsverfahren hergestellt waren, zu InAs-Stäben verarbeitet und die Meßergebnisse für die Beurteilung der Wirksamkeit der einzelnen Reinigungsverfahren in der Abreicherung von Fremdelementen herangezogen.
- In nachfolgender Tabelle wird eine Anzahl von bekannten Reinigungsverfahren sowie ihre Wirksamkeit in der Abreicherung von Fremdelementen mit dem erfindungsgemäßen Verfahren verglichen. Dabei gibt R,7 den Wert für den Haukoeffizienten, ,u die Elektronenbeweglichkeit an.
Der InAs-Stab Nr.7, der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Arsen enthält, liefert wesentlich bessere Werte, insbesondere für die Elektronenbeweglichkeit, als die Stäbe, die nach den bisher bekannten Verfahren hergestelltes Arsen enthalten.InAs Reinigungsverfahren Stabquerschnitt Stablänge RH (mittel) u Stab-Nr. (mm) (cm) (cm'A-I sec-') (cmp V-I sec-') 1 AsCI., destilliert, bei 900° mit H2 direkt reduziert 5,7 4,5 9,8 212,2 16780 bis 21350 2 AsCls mit As203 versetzt, 24 Stunden unter Rückfluß erhitzt, destilliert mit H2 bei 850° C reduziert ................ 8,3 3,5 9,5 330 24600 bis 25800 3 AsC13 mit As203 versetzt, 9 Stunden unter Rückfluß erhitzt, destilliert, mit H2 bei 850° C reduziert ................... 7,4 3,8 9,9 244 24300 bis 25500 4 AsC13 destilliert, Hydrolyse zum Oxyd, Reduktion mit H2 bei 850° C ........ 6,95-4,2 9,8 307 25000 bis 25500 5 AsBr" bei 15 mm Hg zweimal destilliert, mit H2 bei 850° C reduziert ......... 6,95 -4,25 9,4 303 23800 bis 25000 6 Sublimation von As203 im OZ Strom, Reduktion mit HZ bei 1000° C ....... 6,9 4,4 9,9 257 23800 bis 24250 7 Erfindungsgemäßes Verfahren ......... 7 4 9,7 325 27000 bis 28500
Claims (3)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen aus Arsenhalogeniden, insbesondere Arsen (111)-chlorid, dadurch gekennzeichnet, daß das Assenhalogenid mit einer kleinen Wassermenge versetzt wird, die einerseits gerade ausreicht, die Verunreinigungen des Arsenhalogenids hydrolytisch zu zersetzen, und wobei andererseits jedoch kein Arsen(III)-oxyd ausfällt, vorzugsweise unter Verwendung einer Mischung aus etwa 40 Volumteilen Arsen(III)-chlorid und etwa 1 Volumteil Wasser, worauf der so gereinigte Stoff durch Destillation von den Zersetzungsprodukten abgetrennt und in an sich bekannter Weise mit gereinigtem Wasserstoff reduziert wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Arsenhalogeniddampf mit Wasserstoff bei Temperaturen ab 500° C, vorzugsweise bei 850° C, reduziert wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffströmungsgeschwindigkeit so gewählt wird, daß das gebildete Arsen vorwiegend in der metallischen Modifikation anfällt und daß dabei ein Maximalwert von 0,21/min je Quadratzentimeter Querschnittsfläche der rohrförmigen Abscheidekammer für das Arsen nicht überschritten wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Britische Patentschrift Nr. 833 928.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE641736D BE641736A (de) | 1962-12-24 | ||
| DES83054A DE1181919B (de) | 1962-12-24 | 1962-12-24 | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen |
| AT552163A AT242963B (de) | 1962-12-24 | 1963-07-10 | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen |
| CH1043063A CH420631A (de) | 1962-12-24 | 1963-08-23 | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen |
| US329960A US3359071A (en) | 1962-12-24 | 1963-12-12 | Method of producing hyperpure arsenic |
| GB49883/63A GB1006382A (en) | 1962-12-24 | 1963-12-17 | Method of preparing ultra-pure arsenic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES83054A DE1181919B (de) | 1962-12-24 | 1962-12-24 | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1181919B true DE1181919B (de) | 1964-11-19 |
Family
ID=7510774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES83054A Pending DE1181919B (de) | 1962-12-24 | 1962-12-24 | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3359071A (de) |
| AT (1) | AT242963B (de) |
| BE (1) | BE641736A (de) |
| CH (1) | CH420631A (de) |
| DE (1) | DE1181919B (de) |
| GB (1) | GB1006382A (de) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1173970A (en) * | 1966-05-04 | 1969-12-10 | Matsushita Electronics Corp | Preparation of High Purity Arsenic |
| DE1667700A1 (de) * | 1967-02-28 | 1971-02-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsentrichlorid |
| DE1667699A1 (de) * | 1967-02-28 | 1971-07-22 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Arsentrichlorid |
| DE1667711A1 (de) * | 1967-06-15 | 1971-07-08 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen(III)-chlorid |
| CN112374474B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-10-21 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种致密超高纯材料的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB833928A (en) * | 1957-11-27 | 1960-05-04 | Vickers Electrical Co Ltd | Improved process for the purification of semi-conductor material |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA618608A (en) * | 1961-04-18 | Metropolitan-Vickers Electrical Company Limited | Purification of semi-conductor material | |
| US1512734A (en) * | 1921-03-30 | 1924-10-21 | Metallurgical Dev Co | Process of purifying arsenious chloride |
| US3047366A (en) * | 1959-12-21 | 1962-07-31 | Monsanto Chemicals | Production of pure arsenic and phosphorus |
-
0
- BE BE641736D patent/BE641736A/xx unknown
-
1962
- 1962-12-24 DE DES83054A patent/DE1181919B/de active Pending
-
1963
- 1963-07-10 AT AT552163A patent/AT242963B/de active
- 1963-08-23 CH CH1043063A patent/CH420631A/de unknown
- 1963-12-12 US US329960A patent/US3359071A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-12-17 GB GB49883/63A patent/GB1006382A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB833928A (en) * | 1957-11-27 | 1960-05-04 | Vickers Electrical Co Ltd | Improved process for the purification of semi-conductor material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH420631A (de) | 1966-09-15 |
| US3359071A (en) | 1967-12-19 |
| AT242963B (de) | 1965-10-11 |
| GB1006382A (en) | 1965-09-29 |
| BE641736A (de) |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2404019B2 (de) | Verfahren zur rueckgewinnung des quecksilbers aus metallurgischen abgasen | |
| DE1592324A1 (de) | Verfahren zur Reinigung eines hauptsaechlich aus Ammoniak bestehenden Gases | |
| DE1181919B (de) | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Arsen | |
| DE1443677C3 (de) | Verfahren zur Gewinnung von spektrophotometrisch reinem Dimethylsulfoxid | |
| DE893197C (de) | Verfahren zur Anreicherung und Trennung der Elemente Niob und Tantal | |
| DE1805698A1 (de) | Verbessertes Oxychlorierungsverfahren | |
| DE1028543B (de) | Verfahren zum Reinigen von mit Wasser Gel bildenden Halogeniden, insbesondere des Germaniums oder Siliciums, vorzugsweise fuer die Herstellung von Halbleiterstoffen | |
| DE2516173A1 (de) | Verfahren zur reinigung von mit organischen sulfonsaeuren verunreinigter schwefelsaeure | |
| DE1141625B (de) | Verfahren zur Herstellung von reinen gelben Phosphorsulfiden | |
| DE1161248B (de) | Verfahren zur Reinigung von rohem Tetrachlorkohlenstoff | |
| DE638595C (de) | Wiedergewinnung des durch Chlorierung von eisensulfidhaltigen Erzen zwecks Gewinnung des Schwefels an Eisen gebundenen Chlors | |
| DE2209841B2 (de) | Verfahren zur abtrennung von fluorwasserstoff aus einem fluorwasserstoff enthaltenden gasgemisch | |
| DE2232453C3 (de) | Verfahren zur Abtrennung von Anthrachinon aus dem Gemisch seines Dampfes mit einem Trägergas | |
| DE1242579B (de) | Verfahren zur Wiedergewinnung von Chlorwasserstoffsaeure aus einem durch katalytische Oxydation von Chlorwasserstoffgas mit einem sauerstoffhaltigen Gas erhaltenen Gasgemisch | |
| DE2826919C2 (de) | ||
| DE1667572A1 (de) | Verfahren zur Reinigung von gelbem Phosphor | |
| EP0084674A1 (de) | Verfahren zur Reinigung von Abfallschwefelsäure | |
| DE2218968A1 (de) | Verfahren zur Entfernung von Quecksilber aus wäßrigen alkalischen Lösungen | |
| DE1254136B (de) | Kontinuierliches Verfahren zur Herstellung von Tetrachlorkohlenstoff aus Schwefelkohlenstoff | |
| DE2261941C3 (de) | Gewinnung eines im wesentlichen eisenfreien Aluminiumchlorids aus einem eisenchloridhaltigen Aluminium-Chlorid | |
| DE603788C (de) | Entfernung von Selen und Arsen aus Schwefel | |
| DE1107651B (de) | Verfahren zur Reinigung von Phosphor oder Arsen | |
| AT239809B (de) | Verfahren zur Wiedergewinnung von Chlorwasserstoffsäure aus einem durch katalytische Oxydation von Chlorwasserstoffgas mit einem sauerstoffhaltigen Gas erhaltenen Gasgemisch | |
| DE1134973B (de) | Verfahren zur Herstellung von hochreinen Siliciumhalogeniden | |
| DE1768109C (de) | Verfahren zur Gewinnung von Tetraalkyl blei |