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DE60301834D1 - Vorläuferverbindung enthaltend eine an HfCl4 gebundene Stickstoffverbindung für die Ausbildung einer Hafniumoxidschicht und Verfahren zur Bildung der Hafniumoxidschicht unter Verwendung der Vorläuferverbindung - Google Patents

Vorläuferverbindung enthaltend eine an HfCl4 gebundene Stickstoffverbindung für die Ausbildung einer Hafniumoxidschicht und Verfahren zur Bildung der Hafniumoxidschicht unter Verwendung der Vorläuferverbindung

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DE60301834D1
DE60301834D1 DE60301834T DE60301834T DE60301834D1 DE 60301834 D1 DE60301834 D1 DE 60301834D1 DE 60301834 T DE60301834 T DE 60301834T DE 60301834 T DE60301834 T DE 60301834T DE 60301834 D1 DE60301834 D1 DE 60301834D1
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DE
Germany
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hafnium oxide
precursor compound
hfcl4
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DE60301834T
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Yo-Sep Min
Young-Jin Cho
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Samsung Electronics Co Ltd
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Samsung Electronics Co Ltd
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