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DE60100795D1 - Verfahren zur steuerung der züchtung eines siliziumeinkristalles um züchtungsgeschwindigkeits- und durchmessersabweichungen zu minimieren - Google Patents

Verfahren zur steuerung der züchtung eines siliziumeinkristalles um züchtungsgeschwindigkeits- und durchmessersabweichungen zu minimieren

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DE60100795D1
DE60100795D1 DE60100795T DE60100795T DE60100795D1 DE 60100795 D1 DE60100795 D1 DE 60100795D1 DE 60100795 T DE60100795 T DE 60100795T DE 60100795 T DE60100795 T DE 60100795T DE 60100795 D1 DE60100795 D1 DE 60100795D1
Authority
DE
Germany
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breeding
minimize
controlling
silicon crystal
speed
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
DE60100795T
Other languages
English (en)
Inventor
Paolo Mutti
Vladimir V Voronknov
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SunEdison Inc
Original Assignee
SunEdison Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by SunEdison Inc filed Critical SunEdison Inc
Application granted granted Critical
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Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
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    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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DE60100795T 2000-02-01 2001-01-24 Verfahren zur steuerung der züchtung eines siliziumeinkristalles um züchtungsgeschwindigkeits- und durchmessersabweichungen zu minimieren Expired - Lifetime DE60100795D1 (de)

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