DE4024612A1 - Keramisches, mehrfach geschichtetes substrat und herstellungsverfahren - Google Patents
Keramisches, mehrfach geschichtetes substrat und herstellungsverfahrenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein mehrfach geschichtetes
keramisches Substrat, und bezieht sich insbesondere auf ein
mehrfach geschichtetes keramisches Substrat, welches durch
Aufeinanderschichten von keramischen Schichten und Metall
schichten, Brennen der Schichtung, und anschließendes Bilden
einer leitenden Schicht auf der gebrannten Schichtung herge
stellt ist, sowie auf ein Verfahren zum Herstellen eines
derartigen mehrfach geschichteten keramischen Substrates.
Zur Herstellung eines mehrfach geschichteten keramischen
Substrats wurden verschiedenste Verfahren entwickelt, wobei
das sogenannte Grünblatt-(green sheet)-Verfahren das am mei
sten verwendete Verfahren darstellt, wegen seiner Eignung
bei einem Vergrößern der Anzahl von Schichten. Das Grün
blatt-Verfahren ist in zwei Gruppen eingeteilt, ein Print
verfahren und ein Tapeverfahren, wobei das Printverfahren
bei einem einen Kondensor enthaltenden Schaltkreissubstrat
oder dergleichen verwendet wird, da die Dicke der kerami
schen Schicht dünner ist als bei dem Tapeverfahren, und
somit die parasitäre Kapazität größer ist.
Bei dem Printverfahren werden beispielsweise drei Alumini
umoxidpastenschichten und eine Metallpastenschicht abwech
selnd durch Printen geschichtet, wobei der Stapel auf der
Oberseite drei Aluminiumoxidpastenschichten aufweist, und
die Schichtung anschließend gebrannt wird. Nach dem Brennen
wird eine obere leitende Metallschicht auf der oberen Alumi
niumoxidschicht (die drei Aluminiumoxidpastenschichten wer
den nach dem Brennen zu einer Aluminiumoxidschicht) durch
ein Printverfahren (Dickfilmbildungsverfahren) gebildet. Die
Erfinder haben herausgefunden, daß, falls die auf der Ober
seite der Schichtung aufgedrückten Aluminiumoxidpasten
schichten Verunreinigungen wie beispielsweise Staub, Quet
scher, Gummi, Pulver enthalten, die Verunreinigungen eben
falls zur Ausbildung von Defekten wie beispielsweise Pin
holes (Feinlöcher) in der oberen Aluminiumoxidschicht
gebrannt werden. Diese Defekte können eine Kurzschlußschal
tung zwischen der inneren Metallschicht in der Schichtung
und der auf der Aluminiumoxidschicht aufgrund des Printver
fahrens gebildeten oberen leitfähigen Metallschicht verursa
chen, wodurch somit die Zuverlässigkeit der Isolierung des
mehrfach geschichteten Substrates verringert wird.
Ein ähnliches Problem tritt auf, wenn das Grünblatt-Verfah
ren angewendet wird. Da bei dem Grünblatt-Verfahren die
Dicke der keramischen Schicht relativ dick ist, typischer
weise etwa 100 µm, wird eine Kurzschlußschaltung nicht ohne
weiteres aufgrund eines in der keramischen Schicht gebilde
ten Defektes ausgebildet. Es gibt jedoch Fälle, bei denen
die Dicke der keramischen Schicht dünner ist und große
Defekte durch Verunreinigungen in dem Grünblatt oder ein
außergewöhnlich großes Kornwachsen gebildet werden, und
somit ein Kurzschluß aufgrund dieser Defekte ausgebildet
werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das
oben genannte Problem zu lösen, und die Zuverlässigkeit der
Isolierung eines mehrfach geschichteten keramischen Sub
strates zu vergrößern.
Diese Aufgabe wird durch ein keramisches, mehrfach geschich
tetes Substrat mit den Merkmalen des Anspruches 1, und ein
Verfahren zum Herstellen eines keramischen, mehrfach
geschichteten Substrates gemäß Anspruch 10 gelöst.
Ein keramisches, mehrfach geschichtetes Substrat gemäß der
Erfindung weist auf:
eine Schichtung abwechselnd aus keramischen und inneren lei tenden Schichten, wobei die leitende Schicht einen Schmelz punkt aufweist, der höher liegt als eine niedrigste Brenn temperatur der keramischen Schicht, und die Schichtung eine obere keramische Schicht aufweist;
eine auf der oberen keramischen Schicht der Schichtung aus gebildete Isolierschicht, wobei die Isolierschicht eine Brenntemperatur aufweist, die niedriger ist als die niedrig ste Brenntemperatur der keramischen Schicht; sowie
eine leitende Schicht auf der Isolierschicht, wobei die lei tende Schicht elektrisch mit der inneren leitenden Schicht verbunden ist.
eine Schichtung abwechselnd aus keramischen und inneren lei tenden Schichten, wobei die leitende Schicht einen Schmelz punkt aufweist, der höher liegt als eine niedrigste Brenn temperatur der keramischen Schicht, und die Schichtung eine obere keramische Schicht aufweist;
eine auf der oberen keramischen Schicht der Schichtung aus gebildete Isolierschicht, wobei die Isolierschicht eine Brenntemperatur aufweist, die niedriger ist als die niedrig ste Brenntemperatur der keramischen Schicht; sowie
eine leitende Schicht auf der Isolierschicht, wobei die lei tende Schicht elektrisch mit der inneren leitenden Schicht verbunden ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines kerami
schen, mehrfach geschichteten Substrates weist die Schritte
auf:
Ausbilden und Brennen einer Schichtung aus abwechselnd kera mischen und inneren leitenden Schichten bei einer Tempera tur, welche geringer ist als ein Schmelzpunkt der inneren leitenden Schichten, wobei die Schichtung eine obere kerami sche Schicht aufweist,
Ausbilden und Brennen einer Isolierschicht auf der oben keramischen Schicht bei einer Brenntemperatur, welche gerin ger ist als eine niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schicht, und
Ausbilden einer leitenden Schicht auf der Isolierschicht, wobei die leitende Schicht elektrisch mit der inneren lei tenden Schicht verbunden ist.
Ausbilden und Brennen einer Schichtung aus abwechselnd kera mischen und inneren leitenden Schichten bei einer Tempera tur, welche geringer ist als ein Schmelzpunkt der inneren leitenden Schichten, wobei die Schichtung eine obere kerami sche Schicht aufweist,
Ausbilden und Brennen einer Isolierschicht auf der oben keramischen Schicht bei einer Brenntemperatur, welche gerin ger ist als eine niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schicht, und
Ausbilden einer leitenden Schicht auf der Isolierschicht, wobei die leitende Schicht elektrisch mit der inneren lei tenden Schicht verbunden ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden, selbst falls
Defekte wie beispielsweise Pinholes in der oberen kerami
schen Schicht während des Brennens der Schichtung aus
abwechselnd keramischen und metallisch leitenden Schichten
gebildet werden, solche Defekte eingegraben, bzw. aufge
füllt, bzw. erneuert durch die auf der oberen keramischen
Schicht gebildeten Isolierschicht. Demgemäß sind die auf der
Isolierschicht gebildete leitfähige Schicht und die metalli
sche Schicht in der Schichtung vollständig isoliert, wodurch
die Zuverlässigkeit der Isolierung verbessert ist.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den Unteransprüchen.
Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden
Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung
unter Bezugnahme auf die Zeichnung.
Es zeigt:
Fig. 1 eine Schnittansicht eines keramischen, mehrfach
geschichteten Substrates entsprechend der Erfindung;
Fig. 2 ein Flußdiagramm eines Herstellungsverfahrens eines
keramischen, mehrfach geschichteten Substrates ent
sprechend der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3A und 3B Schnittansichten eines Abschnittes eines
keramischen, mehrfach geschichteten Substrats;
Fig. 4 den Zusammenhang zwischen der Tiefe eines Defektes
und der Anzahl von hinzugefügten Glasschichten;
Fig. 5A und 5B einen Zusammenhang zwischen der Anzahl der
Durchbrüche und der Durchbruchsspannung;
Fig. 6 und 7 Ansichten von weiteren keramischen, mehrfach
geschichteten Substraten entsprechend der vorliegen
den Erfindung.
Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht einer Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung. In der Figur bezeichnet 1 ein Alumi
niumoxidband, welches durchgehende Löcher 2 aufweist, in die
ein hochtemperaturstabiles Metall wie beispielsweise W
(Wolfram) oder Mo (Molybdän) gefüllt ist. Eine innere lei
tende Schicht 3, welche aus hochtemperaturstabilem Metall
hergestellt ist, ist auf dem Aluminiumoxidband 1 gebildet,
und eine Aluminiumoxid-Printschicht 4a wird auf der inneren
leitenden Schicht 3 gebildet; die Aluminiumoxid-Printschicht
4a weist Öffnungen auf, wodurch ein Teil der inneren leiten
den Schicht 3 freiliegt. Die aus einem hochtemperaturstabi
len Metall hergestellten via-füll-leitenden Schichten 5a
sind in den Öffnungen gebildet, und sind elektrisch mit der
inneren leitenden Schicht 3 verbunden. Auf dieselbe Weise
werden eine Aluminiumoxid-Printschicht 4b, via-füll-leitende
Schichten 5b, und eine Aluminiumoxid-Printschicht 4c nach
einander auf der obigen Aluminiumoxid-Printschicht 4a und
der via-füll-leitenden Schicht 5a gebildet. Des weiteren
wird eine innere leitende Schicht 6 darauf in der gewünsch
ten Strukturierung gebildet, sowie eine Aluminiumoxid-Print
schicht 7a, eine via-füll-leitende Schicht 8a, eine Alumini
umoxid-Printschicht 7b, eine via-füll-leitende Schicht 8b,
eine Aluminiumoxid-Printschicht 7c, und eine via-füll-lei
tende Schicht 8c werden darauf aufeinanderfolgend gebildet
bzw. geschichtet. Ferner wird eine Glas-Printschicht 9 auf
der oberen Aluminiumoxid-Printschicht gemäß dieser Erfindung
gebildet. Zur Gewährleistung der elektrischen Verbindung
zwischen der oberen via-füll-leitenden Schicht 8c und einer
dickfilm-leitenden Schicht 11 wird eine Verbindungs-Unter
stützungsschicht 10 auf der via-füll-leitenden Schicht 8c
durch Plattieren eines Metalles wie beispielsweise Ni, Cu
oder Au oder durch ein organisches Metall, etc. gebildet.
Schließlich wird die aus Cu, Ni, Ag, Au oder dergleichen
hergestellte dickfilm-leitende Schicht 11 auf der Verbin
dungs-Unterstützungsschicht 10 gebildet, und die Glas-Print
schicht 9 und die dickfilm-leitende Schicht 11 werden mit
der Verbindungs-Unterstützungsschicht 10 elektrisch verbun
den. Demgemäß wird ein keramisches, mehrfach geschichtetes
Substrat entsprechend der Erfindung aufgebaut, und verschie
dene Chips etc. können auf der dickfilm-leitenden Schicht 11
dieses Substrates angebracht werden.
Unter Bezugnahme auf das in Fig. 2 gezeigte Flußdiagramm
wird im folgenden das Herstellungsverfahren des obigen kera
mischen, mehrfach geschichteten Substrates im Detail
beschrieben.
Zuerst wird ein in das Aluminiumoxidband 1 auszubildende
Aluminiumoxid-Grünblattband vorbereitet (Schritt A) und zur
Bildung von durchgehenden Löchern 2 gestanzt (Schritt B),
die durchgehenden Löcher 2 werden mit einem hochtemperatur
stabilen Metall durch Pressen oder Drucken (Printen) gefüllt
(Schritt C), und eine die innere leitende Schicht 3 bildende
hochtemperaturstabile Metallpastenschicht wird auf dem Band
mittels Screen-Printing gebildet (Schritt D) und bei 110°C
bis 150°C getrocknet (Schritt E). Eine die Aluminiumoxid-
Printschicht 4a bildende Aluminiumoxid-Pastenschicht wird
auf der inneren leitenden Schicht 3 und dem Band gebildet
(Schritt F) und getrocknet (Schritt G), und eine die via
füll-leitende Schicht 5a bildende via-füll-leitende Pasten
schicht wird bei den Öffnungen der Aluminiumoxid-Pasten
schicht gedruckt (Schritt H) und getrocknet (Schritt I) . Die
Schritte F bis I werden (einmal bei diesem Beispiel) zur
Bildung einer Aluminiumoxid-Pastenschicht bzw. einer via
füll-leitenden Pastenschicht wiederholt, welche jeweils die
Aluminiumoxid-Printschicht 4b bzw. die via-füll-leitende
Schicht 5b bilden. Ferner wird darauf eine die Aluminium
oxid-Printschicht 4c bildende Aluminiumoxid-Pastenschicht
gedruckt (Schritt J) und getrocknet (Schritt K). Die aufein
anderfolgenden Schritte D bis K bilden eine einzelne Verbin
dungs- bzw. Verdrahtungsschicht, und somit kann ein mehrfach
geschichteter Aufbau gebildet werden, notwendigerweise durch
Wiederholen dieser Schritte. Bei diesem Beispiel werden die
Schritte D bis K einmal wiederholt, wodurch die leitenden
Pastenschichten und Aluminiumoxid-Pastenschichten gebildet
werden, welche die innere leitende Schicht 6, die Alumini
umoxid-Printschicht 7a, die via-füll-leitende Schicht 8a,
die Aluminiumoxid-Printschicht 7b, die via-füll-leitende
Schicht 8b, sowie die Aluminiumoxid-Printschicht 7c bilden.
Ein die via-füll-leitende Schicht 8c bildende hochtempera
turstabile Metallpastenschicht wird aufgedrückt (Schritt L)
und getrocknet (Schritt M), und das somit erhaltene Substrat
wird bei etwa 350°C für 16 Stunden kalziniert (Schnitt N)
und anschließend bei 1600°C in einer Atmosphäre aus N2 + H2 +
H2O für 24 Stunden gebrannt (Schritt O). Hierbei ist wichtig,
daß der Schmelzpunkt des für die inneren leitenden Schichten
3 und 6 und die via-füll-leitenden Schichten 5a, 5b, 8a, 8b
und 8c verwendeten hochtemperaturstabilen Metalles höher
sein muß als die niedrigste Brenntemperatur der Aluminium
oxidschichten.
Eine die Glas-Printschicht 9 bildende Dickfilm-Glasschicht
wird über die gesamte Aluminiumoxid-Printschicht 7c, außer
an der freigelegten via-füll-leitenden Schicht 8c, durch
Aufdrücken (Schritt P), Trocknen bei 125°C bis 150°C
(Schritt Q) gebildet, und anschließend in Luft oder einer N2-
Atmosphäre bei 850°C bis 900°C für eine Stunde (Schritt R)
gebrannt. Die Bezeichnung "Dickfilm" bzw. "Dickfilm-Bil
dungsverfahren" bedeutet einen Film, der durch Aufdrücken
(Printen) einer Paste und Brennen derselben gebildet ist,
bzw. ein derartiges Verfahren. Das Material der Dickfilm-
Glasschicht kann ein Glas aufweisen, welches normalerweise
für eine Glas-Zwischenschicht verwendet wird, und die Dick
film-Glasschicht kann durch Printen einer Paste gebildet
sein, welche Glaskomponenten, ein Metalloxid als Glaskri
stallkeimling, sowie in einem organischen Lösungsmittel
gelöste Füllstoffe wie beispielsweise keramische Füller auf
weist. Notwendigerweise können zur Bildung einer Anzahl von
Glas-Printschichten 9 die Schritte P und Q wiederholt wer
den.
Ni, Cu oder Au wird auf der via-füll-leitenden Schicht 8c
plattiert (Schritt S), und die plattierte Schicht wird zur
Bildung der Verbindungs-Unterstützungsschicht 10 gesintert
(Schritt T). Der Sinterschritt kann wegfallen, oder die Ver
bindungs-Unterstützungsschicht 10 kann durch Printen einer
Paste aus Pt, etc., und Brennen derselben bei 850°C bis
900°C gebildet werden.
Alternativ können die Schritte P bis Q zur Bildung der Dick
film-Glasschicht 9, und die Schritte S und T zur Bildung der
Verbindungs-Unterstützungsschicht 10 umgedreht werden,
wodurch ähnliche Wirkungen erzielt werden. Wie in Fig. 3A
gezeigt, kann dies vorteilhaft sein, da die darunterliegende
via-füll-leitende Schicht 8c vollständig durch die Verbin
dungs-Unterstützungsschicht 10 bedeckt ist, bevor die Dick
film-Glasschicht 9 gebildet ist, wobei die via-füll-leitende
Schicht 8c, welche leicht oxidiert wird, durch die Verbin
dungs-Unterstützungsschicht 10 geschützt ist. Falls die
Dickfilm-Glasschicht 9 wie in Fig. 3B gezeigt vor der Ver
bindungs-Unterstützungsschicht 10 gebildet wird, kann die
via-füll-leitende Schicht 8c nachteilig durch Oxidation
durch einen dünnen Abschnitt (ein Defekt wird leicht gebil
det) der Dickfilm-Glasschicht 9 beeinflußt werden.
Falls der nächste Schritt des Brennens einer dickfilm-lei
tenden Schicht 11 (Schritt V) in Umgebungsluft durchgeführt
wird, kann die darunterliegende via-füll-leitende Schicht
8c, welche aus einem für Oxidation empfindlichen Metall wie
beispielsweise W, Mo, etc. hergestellt ist, durch die Oxida
tion nachteilig beeinflußt werden. Um diese Oxidation zu
verhindern, sollte eine Verbindungs-Unterstützungsschicht 10
vor der Bildung der Dickfilm-Glasschicht 9 gebildet sein,
wobei die Verbindungs-Unterstützungsschicht 10 gegen Oxida
tion resistent sein muß. Die gegen Oxiation resistente Ver
bindungs-Unterstützungsschicht 10 kann beispielsweise durch
Bilden einer Edelmetallschicht nach Plattierung der Oberflä
che der via-füll-leitenden Schicht 8c hergestellt werden.
Eine dickfilm-leitende Pastenschicht aufweisend ein Cu-, Ni-
Ag- oder Au-Grundmaterial wird auf der Verbindungs-Unter
stützungsschicht 10 und der Glas-Printschicht 9 durch Prin
ten gebildet (Schritt U), getrocknet, und in Luft oder in
einer N2-Atmosphäre bei ungefähr 850°C für eine Stunde
gebrannt (Schritt V), wodurch das keramische, mehrfach
geschichtete Substrat hergestellt wird.
Bei dem obigen Ausführungsbeispiel der Erfindung werden die
bis zum Schritt M jeweils gebildeten Schichten gleichzeitig
bei den Schritten N und O gebrannt, und die Glas-Print
schicht 9 wird anschließend durch Brennen gebildet. Dement
sprechend werden, auch falls Defekte wie beispielsweise Pin
holes in den Aluminiumoxidschichten 7a, 7b und 7c während
des Brennschrittes gebildet werden, diese Defekte aufgrund
der Glas-Printschicht 9 während dem Brennen der Glas-Print
schicht 9 vergraben, wodurch Kurzschlußschaltungen, welche
von Anfang an, bei der Verwendung, oder beim Lebensdauertest
zwischen den oberen und unteren leitenden Schichten durch
die Defekte gebildet werden, verhindert.
Fig. 4 zeigt einen Zusammenhang zwischen der Anzahl der
Glas-Printschichten 9 auf der Aluminiumoxid-Printschicht 7c
und der Tiefe des Defektes (Pinhole). Diese Untersuchung
wurde durch vorhergehendes Bilden eines Defektes (Pinhole)
mit einem Durchmesser von 100 µm und einer Tiefe von 20 µm
in der Aluminiumoxid-Printschicht 7c, und anschließendes
Bilden der Glas-Printschichten 9 hierauf durch Printen und
Brennen durchgeführt. Gemäß Fig. 4 geben die Kreismarkierun
gen eine Dicke der Aluminiumoxid-Printschicht 7c von 20 µm,
und die Dreieckmarkierungen eine solche von 10 µm an. Aus
Fig. 4 ist deutlich erkennbar, daß die Wirkung der Glas-
Printschichten 9 beträchtlich ist, und daß die Wirkung durch
Vergrößerung der Anzahl der Glas-Printschichten 9 verstärkt
wird. Wenn insbesondere die Dicke der Glas-Printschicht 9 zu
20 µm hergestellt ist, und zwei Glas-Printschichten 9 gebil
det sind, kann insbesondere ein Pinhole mit einem Durchmes
ser von sogar 100 µm fast vollständig vergraben werden.
Die Fig. 5A und 5B zeigen einen Zusammenhang zwischen der
Anzahl der Durchbrüche (Durchbruch der Isolierung) und der
Durchbruchsspannung; Fig. 5A zeigt den Fall, bei dem die
Glas-Printschicht 9 nicht gebildet ist, und Fig. 5B zeigt
den Fall, bei dem eine Glas-Printschicht 9 mit einer Dicke
von 17 µm gebildet ist. In den Fig. 5A und 5B bezeichnet "x"
die mittlere Durchbruchsspannung. Aus einem Vergleich zwi
schen den Fig. 5A und 5B ist ersichtlich, daß die Durch
bruchsspannung durch die Bildung der Glas-Printschicht 9
ganz allgemein zu einer höheren Spannung hin verschoben ist.
Die Fig. 6 und 7 veranschaulichen ein weiteres Ausführungs
beispiel der Erfindung.
Unter Bezugnahme auf Fig. 6 wird bei diesem Ausführungsbei
spiel das keramische, mehrfach geschichtete Substrat aus
einer Schichtung von Aluminiumoxidbändern 21 und inneren
leitenden Schichten 23 hergestellt; die inneren leitenden
Schichten 23 sind durch gefüllte durchgehende Löcher 22 in
den Aluminiumoxidschichten 21 elektrisch verbunden. Eine
obere leitende Schicht 24 ist auf der Schichtung gebildet,
und elektrisch mit den inneren leitenden Schichten 23 ver
bunden, und eine Dickfilm-Glasschicht 25 mit Öffnungen ist
auf der oberen leitenden Schicht 24 gebildet, und eine Ver
bindungs-Unterstützungsschicht 26 ist in diesen Öffnungen
gebildet. Daran anschließend ist eine dickfilm-leitende
Schicht 27 auf der Dickfilm-Glasschicht 25 und der Verbin
dungs-Unterstützungsschicht 26 gebildet. Damit kann die vor
liegende Erfindung ebenso auf ein keramisches, mehrfach
geschichtetes Substrat angewendet werden, welches eine
Schichtung aus abwechselnden keramischen und inneren leiten
den Schichten aufweist.
Die Schritte zur Herstellung dieses Ausführungsbeispieles
sind wie folgt.
Grünaluminiumoxidbänder, in welche durchgehende Löcher
gestanzt worden sind, und welche mit einer hochtemperatur
stabilen Metallpaste gefüllt sind, und auf denen eine innere
leitende Pastenschicht mit einer vorbestimmten Strukturie
rung gebildet ist, werden gestapelt und bei etwa 1600°C in
einer reduzierten Atmosphäre gebrannt, wodurch eine
gebrannte Schichtung aus abwechselnd Aluminiumoxidbändern 21
und inneren leitenden Schichten 23, welche durch die aufge
füllten durchgehenden Löcher 22 verbunden sind, gebildet
wird, wobei die gebrannte Schichtung eine darauf befindliche
obere leitende Schicht 24 aufweist.
Eine Dickfilm-Glasschicht 25 mit Öffnungen wird auf der obe
ren leitenden Schicht 24 und der oberen Aluminiumoxidschicht
der gebrannten Schichtung aufgedrückt, und in einer redu
zierten Atmosphäre gebrannt. Anschließend wird eine Verbin
dungs-Unterstützungsschicht 26 auf der freiliegenden oberen
leitenden Schicht 24 in die Öffnungen gebildet, durch Plat
tieren von Cu, Ni, Au, etc., oder durch ein Dickfilm-Bil
dungsverfahren von Ni, Pt, Au etc., und eine dickfilm-lei
tende Schicht 27 wird anschließend auf der Verbindungs-
Unterstützungsschicht 26 und der Dickfilm-Glasschicht 25
durch Brennen in einer reduzierten Atmosphäre gebildet. Die
dickfilm-leitende Schicht 27 ist mit der inneren leitenden
Schicht 24 elektrisch verbunden. Ferner kann die dickfilm
leitende Schicht 27 durch oxidationsresistentes Ausbilden
der Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 in Luft gebrannt
werden. Falls notwendig, können zur Bildung einer Mehrfach
schicht auf der gebrannten Schichtung die Schritte von der
Bildung der Dickfilm-Glasschicht 25 bis zur Bildung der
dickfilm-leitenden Schicht 27 wiederholt werden.
Alternativ kann, wie in Fig. 7 gezeigt, nach dem Brennen der
Schichtung der abwechselnden Aluminiumoxidbänder 21 und
inneren leitenden Schichten 23 die Verbindungs-Unterstüt
zungsschicht 26 zuerst zur Bedeckung der oberen leitenden
Schicht 24 gebildet sein, gefolgt von einer Bildung der
Dickfilm-Glasschicht 25 und anschließend der dickfilm-lei
tenden Schicht 27. Bei diesem Fall wird die dickfilm-lei
tende Schicht 27 normalerweise in einer reduzierten Atmo
sphäre gebrannt, kann jedoch auch in Luft durch Ausbilden
der Verbindungs-Unterstützungsschicht 26 resistent gegen
Oxidation gebrannt werden. Durch Wiederholen der Schritte
des Bildens der Dickfilm-Glasschicht 25 und anschließend der
dickfilm-leitenden Schicht 27 kann auf der gebrannten
Schichtung eine Mehrfachschicht hergestellt werden.
Bei diesem Aufbau bzw. Verfahren sollte die Dickfilm-Glas
schicht 25 eine Brenntemperatur aufweisen, welche niedriger
ist als die niedrigste Brenntemperatur der Aluminiumoxid
schichten in der Schichtung, um eine ausgezeichnete Isolie
rung zwischen der dickfilm-leitenden Schicht 27 und der
inneren leitenden Schicht 23 vorzusehen, auch wenn das Alu
miniumoxidband 21 eine große Anzahl von Defekten aufweist.
Wegen der relativ großen Dicke des Aluminiumoxidbandes von
beispielsweise 200 µm bis 250 µm ist bei diesem Ausführungs
beispiel dieser Erfindung die Isolierung zwischen den
Schichten relativ zuverlässig, wobei dennoch die vorliegende
Erfindung wirksam und nützlich für das Vorsehen einer ausge
zeichneten Isolierung ist, auch obwohl ein derartig dickes
Band manchmal einen kritischen Defektwert aufweist. Hierbei
ist zu beachten, daß die vorliegende Erfindung im wesentli
chen und insbesondere wirksam und nützlich für eine außerge
wöhnlich gute Isolierung ist, wenn die Dicke der keramischen
Schicht nicht größer als 150 µm ist. Des weiteren kann ent
sprechend der Erfindung zumindest eine weitere leitende
Schicht, oder sogar eine mehrfach geschichtete Struktur auf
der gebrannten Schichtung der abwechselnden Aluminiumoxid
bänder 21 und der inneren leitenden Schichten 23 gebildet
sein, wodurch die folgenden Vorteile bewirkt werden. Bei der
herkömmlichen Stuktur wird nämlich lediglich eine einzige
dickfilm-leitende Schicht (entsprechend der Schicht 24) auf
der gebrannten Schichtung gebildet, und daher müssen, falls
die Schaltung geändert werden soll, Formteile zum Ausstanzen
der durchgehenden Löcher in den Aluminiumoxid-Grünblatt-Bän
dern aufgrund der Änderung der Lokalisierungen und Anzahl
der durchgehenden Löcher geändert werden, was im Hinblick
auf die hohen Kosten und den benötigten Zeitaufwand wegen
der Änderung des Formteiles nachteilig ist. Im Gegensatz
dazu kann erfindungsgemäß, auch falls die Schaltungen geän
dert werden, die gebrannte Schichtung ohne Änderung und
Modifizierung der auf der gebrannten Schichtung gebildeten
Dickfilm-Glas- und leitenden Schichten verwendet werden, was
leicht durchführbar und kostengünstiger ist.
Ferner ist zu beachten, daß das Print-Verfahren und das
Tape-Verfahren zur Bildung eines Stapels kombiniert sein
können.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obigen Ausfüh
rungsbeispiele begrenzt, sondern kann modifiziert sein. Bei
spielsweise kann die keramische Schicht aus einem Aluminium
nitrid (AIN), Mullit (3Al2O3 × 2SiO2), oder dergleichen her
gestellt sein, und kann ferner aus einer Glaskeramik herge
stellt sein. Im Hinblick auf eine geringe Brenntemperatur
von zum Beispiel 850°C bis 1000°C ergeben sich hier Vor
teile, wodurch anstatt einem hochtemperaturstabilen Metall
wie beispielsweise W oder Mo zur Bildung einer inneren lei
tenden Schicht ein Metall mit einem niedrigen Schmelzpunkt
wie beispielsweise Ag, Cu, Ni, Pt, Ag-Pt oder dergleichen
verwendet werden kann.
Die Dickfilm-Glasschicht 9 oder 25 kann durch Anordnen eines
Glasfilmes bzw. -blattes und Brennen gebildet werden. Ferner
kann das Material der auf der Schichtung gebildeten Isolier
schicht nicht nur Glas sein, sondern ebenso eine zusammenge
setzte Glaskeramik, oder dergleichen, und kann jedoch vor
zugsweise bei einer Temperatur gebrannt werden, welche nied
riger ist als die niedrigste Brenntemperatur der keramischen
Schicht in der Schichtung, so daß ein Wiederbrennen der
keramischen Schicht in dem Stapel während des Brennens der
Isolierschicht vermieden wird. Zur Vermeidung von Pinholes
in der Isolierschicht wird die Isolierschicht vorzugsweise
aus einem Material mit geringer Viskosität von beispiels
weise weniger als 200 000 cps während dem Print-Schritt bzw.
vor dem Brennen gebildet.
Claims (20)
1. Keramisches, mehrfach geschichtetes Substrat mit:
einer Schichtung aus abwechselnd keramischen und inne ren leitenden Schichten, wobei die leitende Schicht einen Schmelzpunkt aufweist, der höher liegt als eine niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schicht, und die Schichtung eine obere keramische Schicht aufweist;
einer auf der oberen keramischen Schicht der Schichtung gebildeten Isolierschicht, wobei die Isolierschicht eine Brenntemperatur aufweist, die niedriger ist als die niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schicht; und
einer auf der Isolierschicht gebildeten leitenden Schicht, wobei die leitende Schicht elektrisch mit der inneren leitenden Schicht verbunden ist.
einer Schichtung aus abwechselnd keramischen und inne ren leitenden Schichten, wobei die leitende Schicht einen Schmelzpunkt aufweist, der höher liegt als eine niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schicht, und die Schichtung eine obere keramische Schicht aufweist;
einer auf der oberen keramischen Schicht der Schichtung gebildeten Isolierschicht, wobei die Isolierschicht eine Brenntemperatur aufweist, die niedriger ist als die niedrigste Brenntemperatur der keramischen Schicht; und
einer auf der Isolierschicht gebildeten leitenden Schicht, wobei die leitende Schicht elektrisch mit der inneren leitenden Schicht verbunden ist.
2. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die innere leitende Schicht aus einem hochtemperatur
stabilen Metall hergestellt ist.
3. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die innere leitende Schicht aus einem Metall herge
stellt ist, welches aus der Gruppe bestehend aus Cu,
Ag, Pt, Ni, sowie einer Legierung hieraus, ausgewählt
ist.
4. Substrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die keramische Schicht aus einer Glaskeramik herge
stellt ist.
5. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Isolierschicht aus einem Glas hergestellt ist.
6. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Isolierschicht aus einer Glaskeramik hergestellt
ist.
7. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die obere keramische Schicht eine Dicke von nicht
größer als 150 µm aufweist.
8. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die keramische Schicht mit einem Dickfilm-Verfahren
hergestellt ist.
9. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das keramische, mehrfach geschichtete Substrat eine
Schichtung aufweist.
10. Verfahren zum Herstellen eines keramischen, mehrfach
geschichteten Substrates mit den Schritten:
Ausbilden und Brennen einer Schichtung aus abwechselnd keramischen und inneren leitenden Schichten bei einer Temperatur, welche niedriger ist als ein Schmelzpunkt der inneren leitenden Schichten, wobei die Schichtung eine obere keramische Schicht aufweist,
Ausbilden und Brennen einer Isolierschicht auf der obe ren keramischen Schicht bei einer Brenntemperatur, wel che niedriger ist als die kleinste Brenntemperatur der keramischen Schicht, und
Ausbilden einer leitenden Schicht auf der Isolier schicht, wobei die leitende Schicht elektrisch mit der inneren leitenden Schicht verbunden wird.
Ausbilden und Brennen einer Schichtung aus abwechselnd keramischen und inneren leitenden Schichten bei einer Temperatur, welche niedriger ist als ein Schmelzpunkt der inneren leitenden Schichten, wobei die Schichtung eine obere keramische Schicht aufweist,
Ausbilden und Brennen einer Isolierschicht auf der obe ren keramischen Schicht bei einer Brenntemperatur, wel che niedriger ist als die kleinste Brenntemperatur der keramischen Schicht, und
Ausbilden einer leitenden Schicht auf der Isolier schicht, wobei die leitende Schicht elektrisch mit der inneren leitenden Schicht verbunden wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die keramische Schicht eine Dicke von nicht größer als
150 µm aufweist.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
keramischen Schichten mit einem Dickfilm-Bildungsver
fahren gebildet werden.
13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die Isolierschicht durch ein Dickfilm-Bildungsverfahren
hergestellt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die Isolierschicht durch Ausbilden einer Vielzahl von
Glasschichten übereinander gebildet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die innere leitende Schicht aus einem hochtemperatur
stabilen Metall hergestellt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
eine obere leitende Schicht auf dem Stapel gebildet
wird, wobei die obere leitende Schicht elektrisch mit
den inneren leitenden Schichten verbunden wird, und das
Verfahren ferner den Schritt des Ausbildens einer Ver
bindungs-Unterstützungs-Schicht auf der oberen
leitenden Schicht vor dem Ausbilden der leitenden
Schicht aufweist, wobei die Verbindungs-Unterstützungs-
Schicht zwischen der oberen leitenden Schicht und der
leitenden Schicht vorliegt und diese elektrisch
verbindet.
17. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungs-Unterstützungs-Schicht vor der Ausbil
dung der Isolierschicht gebildet wird.
18. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungs-Unterstützungs-Schicht nach der Ausbil
dung der Isolierschicht gebildet wird.
19. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungs-Unterstützungs-Schicht gegen Oxidation
resistent ist, und die leitende Schicht durch Brennen
in Luft ausgebildet wird.
20. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die Schritte des Bildens der Isolierschicht und
anschließend der leitenden Schicht wiederholt werden,
zur Bildung einer Vielzahl von leitenden Schichten auf
der Schichtung.
Applications Claiming Priority (1)
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