DE3122740A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Description

> O !PATENTANWÄLTE DR. KADOR & DR. KLUNKER

Beschreibung :

Die vorliegende Erfindung betrifft ,ein Halbleiterbauelement mit Bondstellen.

Der äußere Abschnitt einer Bondstelle beispielsweise in einem integrierten MOS-Schaltkreis ist bisher so wie in den Figuren 1 und 2 gezeigt gebaut worden. Der in Figur 1 gezeigte Aufbau ist durch die folgenden Schritte gebildet. Ein Oxidfilm (ein Film aus SXO2) 12 wird auf der Oberfläche eines N- oder P-leitenden Halbleiterträger 10 (auch Substrat genannt) mittels einer Hitzeoxidation oder des CVD-Verfahrens (Chemical Vapor Deposition, dh. mittels eines chemischen Aui'dainpf Verfahrens, bei dem polykristallines Silizium direkt aus der Gasphase hergestellt wird) aufgebracht. Dieser Oxidfilm 12 wird einem Fotoätzverfahren unterworfen, um Aussparungen zum J3iffundieren, zu bilden, durch die Störstellen an genau begrenzte Stellen diffundieren, um eine Diffusionsschicht 14 mit entgegengesetzter Leitfähigkeit zu der des Halbleiterträgers 10 zu bilden. Der an die Diffusionsschicht 14 angrenzende Oxidfilm 12 wird entfernt und in dem entfernten Abschnitt wird dann ein Teiloxidfilm 16 gebildet. Dann wird über die ganze Oberfläche des Mikrobausteins Aluminium aufgedampft. Die

so gebildete Aluminiumschicht wird dann an bestimmten Stellen entfernt, um eine Elektrodenverdrahtung 18 und Bondstellen 20 zu bilden. Eirie PSG-Schicht (Phosphor-Silikatglasschicht) 22 wird zum Schutz der Oberfläche durch das CVD-Verfahren über die gesamte Oberfläche des Mikrobausteins gebildet, wonach die auf der Bondstelle 20 gebildete PSG-Schicht 22 in einem kleineren Bereich als der Oberflächenbereich der Bondstelle 20 entfernt wird. Ein am vordersten Ende eines Bonddrahtes angeordneter Goldball 24 wird mit der Oberfläche der Bondstelle 20 durch Aufpressen verbunden.

Figur 2 zeigt einen Querschnitt eines anderen Mikrobausteins, in der die auf der Bondstelle 20 gebildete PSG-Schicht 22 in einem größeren Bereich als der Oberflächenbereich der Bondstelle 20 entfernt ist.

In dem Fall des so gebildeten Halbleiterbauelements wird der Oxidfilm 12 auf dem Halbleiterträger 10 mit gleicher Dicke gebildet, und deshalb wird die aus Aluminium bestehende Elektrodenverdrahtung 18 und die Bondstelle 20, die auf dem Oxidfilm 12 gebildet sind, auf der gleichen Ebene angeordnet. Bei jenen Halbleiterbauelementen, bei denen inrere Elemente, die eine Elektrodenverdrahtung 18 enthalten, durch die PSG-Schicht 22 aeschützt werden, ist die PSG-Schicht 22 über der Bondstelle 20 mit einer Größe angeordnet, die der Dicke der PSG-Schicht 22 entspricht. Heutzutaae heraestellte Halbleiterbauelemente weisen zunehmende kürzere Abstände zwischen der Bondstelle 20 und der Elektrodenverdrahtuna 18 auf, um eine hohe Integration zu erzielen. Wenn in dem Bond- oder Schweißverfahren der Mittelpunkt

-ζ.

des Goldballes 24 bezüglich des Mittelpunktes der Bondstelle 20 verschoben wird, kann der Goldball 24 über oder in größerer Nähe zur Elektrodenverdrahtung 18 angeordnet sein. Wenn insoweit aufgrund einer Schlagbeanspruchung eine verstärkte Belastung in der PSG-Schicht 22 auftritt, wird diese leicht zu dem Zeitpunkt zerborsten, wenn der Goldball mit der Bondstelle verbunden bzw. verschweißt wird, weil die die Elektrodenverdrahtung 18 schützende PSG-Schicht 22 eine geringe mechanische Bruchfestigkeit aufweist. Wenn das Gold in die Nähe der Bruchstelle gebracht wird, wird eine fehlerhafte elektrische Verbindung verursacht.

Figur 3 zeigt die Beziehung zwischen dem Kriechstrom und der an das Halbleiterelement benachbart zu der Bondstelle angelegten Spannung, wobei die Bondbelastung als Parameter benutzt wird. Die Kurve A 1 zeigt die Beziehung, wenn die Bondbelastung 100 g, Kurve A 2 die Beziehung, wenn die Bondbelastung 120 g und die Kurve A 3 die Beziehung, wenn die Bondbelastung 150 g ist. Wie aus Figur 3 ersichtlich ist, wird der Kriechstrom größer, wenn die Bondbelastung zunimmt.

Figur 4 zeigt die Beziehung zwischen der Bondbelastung und der Häufigkeitsrate des Stromübergangs r wobei die Bondoder Verschweißgeschwindigkeit als Parameter benutzt wird. Die Häufigkeitsrate des Stromübergangs steigt an, wenn die Bondbelastung oder die Bond- bzw. Verschweißgeschwindigkeit ansteigt.

Um das Auftreten eines Stromübergangs zu verhindern, ist es deshalb notwendig, daß die benachbart zu und in der

Nahe der Bondstelle angeordneten Elektrodenverdrahtung und Halbleiterelemente ausreichend von der Bondstelle getrennt sind, so daß sie nicht einer zu großen Bondbelastung während des Verschweißens bzw. Verbondens unterworfen sind. Dies verhindert eine hohe Integration der Halbleiterbauelemente.

Bond- oder Verschweißmaschinen sind erst kürzlich verbessert worden, um ein vollautomatisches 'Verschweißen bzw. Bonden auszuführen. In diesem vollautomatischen Bondverfahren wird die Bondstelle 20 durch ein optisches Verfahren aufgefunden, um eine durch das Bondverfahren verursachte Verrückung . bei . der Verschweißung zu verhindern. Da die PSG-Schicht 22 durchsichtig ist und da die Bondstelle 20 und die Elektrodenverdrahtung 18 auf der gleichen Ebene gebildet sind, werden jeweils die Lichtreflexionswinkel und die Lichtreflexionsstärke der Bondstelle 20 und der Elektrodenverdrahtung 18, die durch das optische System gemessen werden, ungefähr gleich. Es gibt Fälle, in denen vorspringende Abschnitte 28 a und 28 b der PSG-Schicht wie in Figur 1 gezeigt, um die Bondstelle 20 herum ausgebildet werden, wodurch eine unregelmäßige Reflexion des Lichtes an den vorspringenden Abschnitten 28 a und 28 b der PSG-Schicht auftritt, wodurch der Außenumfang der Bondstelle 20, der durch das optische System abgetastet wird, verschwommen wird. Sogar bei diesem vollautomatischen Schweißverfahren tritt deshalb die Tendenz auf, die Mitte des Goldballes 24 an einem von der zweckmäßigen Mitte der Bondstelle 20 verrückten Punkt zu verschweißen bzw. verbunden. Es war deshalb notwendig, daß die Halbleiterelemente oder die Elektrodenverdrahtung, die angrenzend an oder in der

Nähe der Bondstelle 20 angeordnet sind, in einem ausreichenden Abstand von der Bondstelle 20 angeordnet wurden.

Wie in Figur 4 gezeigt, steigt die Häufigkeitsrate des Stromübergangs an, wenn die Bondgeschwindigkeit vergrößert wird, selbst wenn die Bondbelastung konstant gehalten wird. Deshalb kann die Bondgeschwindigkeit bei dem vollautomatischen Verschweißen nicht genügend erhöht werden.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen .Stromübergang zu verhindern, der in dem Halbleiterbauelement während des Verschweißverfahrens durch einen mechanischen Stoß verursacht wird.

Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Elektrbdenverdrahtung und ein Halbleiterelement näher an der Bondstelle anzuordnen, um eine hohe Integration zu erzielen.

Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement der vorliegenden Erfindung gelöst, das wie folgt gebildet ist. Eine erste Isolierschicht ist angrenzend an den Halbleiterträger gebildet. Eine Bondstelle ist auf der ersten Isolierschicht und eine Leitungsschicht ist angrenzend zu der Bondstelle auf der ersten Isolierschicht gebildet. Auf der Leitungsschicht ist eine zweite Isolierschicht so gebildet, daß die Oberfläche der zweiten Isolierschicht das gleiche Oberflächenniveau oder ein niedrigeres als die Oberfläche der Bondstelle aufweist. . '

Das so gebildete Halbleiterbauelement ermöglicht es, eiiien

W , ■%

mechanischen Stoß während des Bond- bzw. Verschweißverfahrens niedrig zu halten, wodurch ein Stromübergang um die Bondstelle herum verhindert wird. Dadurch kann der Abstand zwischen der Bondstelle und der Elektrodenverdrahtung des Halbleiterelements verkürzt werden, wodurch eine größere Zahl von Halbleiterelementen in einem Mikrobaustein bei gleicher Größe wie bei einem üblichen Mikrobaustein angeordnet werden können.. Mit anderen Worten kann ein Mikrobaustein, in dem eine gleiche Anzahl von Halbleiterelementen angeordnet sind, wie bei einem üblichen Mikrobaustein, mit kleinerer Größe ausgeführt sein.

Zusätzlich kann, wenn zwischen der Oberfläche der Bondstelle und der der Leitungsschicht eine Stufe gebildet ist, der Abtastfehler niedriger gehalten werden, der zur Zeit der optischen Bestimmung der Lage und der Größe der Bondstelle auftritt.

Da überdies während des Bondverfahrens Stöße niedrig gehalten werden können, wird die Verwendung von Bondmaschinen bzw. Schweißmaschinen mit hoher Geschwindigkeit möglich.

Darüberhinaus wird der Abtastfehler der Bondstelle niedriger gehalten, wodurch eine Bondstelle mit geringerer Größe ermöglicht und ebenso eine hohe Integration erzielt wird.

Zusätzlich wird der von einem mechanischen Stoß herrührende Stromübergang beinahe vernachlässigbar, was eine freiere Normenkontrolle des Halbleiterbauelements erlaubt.

Diese und andere Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die folgende ausführliche Beschreibung unter Bezugnahme auf die dazugehörigen Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen im einzelnen:

Figur 1: einen Querschnitt durch ein bekanntes Halbleiterbauelement;

Figur 2: einen Querschnitt durch ein anderes bekanntes Halbleiterbauelement;

Figur 3: eine Kurve, die die Beziehung zwischen dem Kriechstrom und der angelegten Spannung der PN-Übergangszone wiedergibt;

Figur 4: eine Kurve, die die Beziehung zwischen der Bondbelastung, der■Häufigkeitsrate des Stromübergangs und der Verschweißgeschwindigkeit wiedergibt;

Figur 5: einen Querschnitt durch eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements;

Figur 6: einen Querschnitt durch eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements;

Figur 7: einen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements;

ViT-

Figuren 8 a - 8 g, 9 a - 9 g und 10 a - 10 f:

Herstellungsverfahren weiterer Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements.

Bezugnehmend auf Figur 5 ist ein Hitzeoxidfilm 112, der aus SiO^ besteht, oder'ein Oxidfilm 112, der entsprechend dem CVD-Verfahren gebildet ist, auf einem N- oder P-leitenden Halbleiterträger 110 (auch Substrat genannt) mit einer Dicke aufgebracht, die ungefähr 1,5 mal größer ist als eine übliche Dicke. Danach wird der Hitzeoxidfilm 112 durch zielgerichtetes Ätzen mit Ausnahme eines Abschnittes, an dem die Bondstelle gebildet ist, entfernt. Ein Oxidfilm 130 mit einer ungefähr halb so großen Dicke wie der Oxidfilm 112 wird durch das CVD-Verfahren an dem entfernten Abschnitt aufgebracht. Der Oxidfilm 130 wird einem Fotoätzverfahren unterworfen, um Diffusionsausnehmungen darin zu schaffen, durch die Störstellen mit entgegengesetzter Leitfähigkeit zu der des Halbleiterträgers 110 eingeführt werden, um eine Diffusionsschicht 114 zu bilden. Der Oxidfilm 130 in der Nähe der Diffusionsschicht 114 wird entfernt und danach wird ein Teiloxidfilm 116 an dem entfernten Abschnitt aufgebracht. Der Teiloxidfilm 116 wird zielgerichtet geätzt, um eine Ausnehmung zur Aufnahme einer Elektrode zu schaffen, und Aluminium wird über die gesamte Oberfläche des Mikrobausteins aufgedampft. Die Aluminiumschicht wird dann zielgerichtet entfernt, um eine Elektrodenverdrahtung 118 und eine Bondstelle 120 zu bilden. Über die gesamte Oberfläche des Mikrobausteins wird eine PSG-Schicht 122 zum Oberflächenschutz aufgetragen, wobei die auf der Bondstelle 120 gebildete PSG-Schicht 122 in einem kleineren

Bereich als der Oberflächenbereich der .Bondstelle 120 entfernt wird. Ein am vordersten Ende eines Bonddrahtes angeordneter Goldball 124 ist unter Druck an der Oberfläche der Bondstelle 120 befestigt.

In dem Fall, in dem ein Halbleiterbauelement mit einer-Stufe zwischen der Oberfläche A der Bondstelle 120 und der Oberfläche B der PSG-Schicht 122 gebildet ist, die auf der Elektro'denverdrahtung benachbart zu der Oberfläche A der Bondstelle 120 angeordnet ist, kommt die Oberfläche B der PSG-Schicht niedriger als die Oberfläche A der Bondstelle zu liegen. Deshalb wird, wenn der Goldball 124 an der Bondstelle 120 durch Verschweißen befestigt wird, die PSG-Schicht 122 von einem Belastungsstoß schwer ergriffen. Sogar wenn eine örtliche Verschiebung des Goldballs 124 zum Zeitpunkt des Verschweißens des Goldballes auftritt, wie in Figur 5 gezeigt, wird kein Bruch in der PSG-Schicht 122 verursacht, der wiederum einen elektrischen Kurzschluß, der im wesentlichen zwischen dem Goldball 124 und der Elektrodenverdrahtung 118 auftritt, verursacht.

Zusätzlich ist es bei dem vollautomatischen Bond-Verfahren möglich, bei dem die Lage der Bondstelle 120 durch ein optisches System abgetastet wird, um den Goldball 124 an der Bondstelle 120 durch Verschweißen zu befestigen, zwischen der Lichtreflexionsstärke der Bondstelle 120 und der der Elektrodenverdrahtung 118 zu unterscheiden, so daß, selbst wenn die hervorragenden Abschnitte 128 a und 128 b auf der Oberfläche der PSG-Schicht gebildet sind, der Abtastfehler der Bondstelle 120 verkleinert werden kann. Dies er-

V VV -■

laubt auch eine · Versetzung zwischen der Mitte des Goldballes 124 und der Bondstelle 120 zu verringern. Dies hat zur Folge, daß der Abstand zwischen der Bondstelle 120 und der Elektrodenverdrahtung 118 um ungefähr die Hälfte verkürzt werden kann (oder ungefähr um 20 μ kürzer) im Gegensatz zu einem üblichen Halbleiterbauelement, wodurch eine hohe Integration erzielt wird. Da überdies der Abtastfehler niedrig gehalten werden kann, kann die Bondstelle 120 auch kleiner bauen.

Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf Figur 6 beschrieben. Aufrechte oder hervorragende Abschnitte 128 a und 128 b der PSG-Schicht sind in der ersten Ausführungsform um den Umfang der Bondstelle 120 herum ausgebildet, währenddessen die PSG-Schicht 122 und die Bondstelle 120 in dieser zweiten Ausführungsform nicht miteinander in Kontakt stehen. Die Oberfläche A der Bondstelle.120 und die Oberfläche B der auf der Elektrodenverdrahtung 118 ausgebildeten PSG-Schicht 122 bilden eine Ebene mit gleicher Höhe. Da in dieser zweiten Ausführungsform die Oberfläche der auf der Elektrodenverdrahtung 118 gebildeten PSG-Schicht 122 nicht über die Oberfläche A der Bondstelle 120 hervorragt, kann die mechanische 'Stoßbeanspruchung zu dem Zeitpunkt, bei dem der Goldball 124 an der Bondstelle 120 durch das Verschweißen befestigt wird, kleiner gehalten werden. Zusätzlich ist eine Stufe zwischen der Bondstelle 120 und der Elektrodenverdrahtung 118 gebildet, so daß der Abtastfehler während des Abtastverfahrens verringert werden kann, bei dem die Lage der Bondstelle 120 durch das optische System abgetastet wird. Da überdies die PSG-Schicht um den Umfang der

- TT-

Bondstelle 120 herum keine hervorragenden Abschnitte aufweist, wird auch der Fehler beim Abtasten der Lage der Bondstelle 120 verringert.

Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend anhand von Figur 7 beschrieben. Ein aus SiO2 bestehender Oxidfilm 112 ist auf dem Halbleiterträger 110 ausgebildet, und ein anderer Oxidfilm 130 mit einer Dicke größer als der eines anderen Abschnittes ist darüberhinaus durch das CVD-Verfahren auf dem Abschnitt ausgebildet, auf dem die Bondstelle 120 vorgesehen ist. Die Oberfläche A der Bondstelle 120 ist so mit einer gleichhohen Ebene oder niedrigeren Ebene als die Oberfläche B der PSG-Schicht 122 gebildet, die über der Elektrode 118 vorgesehen ist. Die Wirkungen dieser so gebildeten Ausführungsform sind die gleichen wie bei den bereits beschriebenen Ausführungsformen.

Obwohl aus Aluminium hergestellte Leitungsschichten wie die Bondstelle 120 und die Elektrodenverdrahtung 118 verwendet werden, können auch aus anderen Materialien hergestellte verwendet werden.

Eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren 8 a - 8 g beschrieben.

Ein Teil eines P-leitenden Halbleiterträgers 110 wird geätzt, um eine Stufe darin zu bilden (Figur 8 a). Auf diesen Halbleiterträger 110 wird ein Oxidfilm 112 durch HitZeoXidatio'n aufgetragen (Figur 8 b) . Auf den Oxidfilm 112 wird

äarüberhinaus ein Oxidfilm 130 durch das CVD-Verfahren ausgebildet (Figur 8c). Um eine Dxffusionsausnehmung zu bilden, durch die Störstellen des N-Typs eingeführt werden, urn eine Diffusionsschicht 114 zu bilden, werden die Oxidfilme 130 und 112 einer Fotoätzung unterworfen (Figur 8 d). Um eine Aluminiumschicht 134 zu bilden, wird dann Aluminium über die gesamte Oberfläche des Mikrobausteins aufgedampft (Figur 8 e). Die Aluminiumschicht 134 wird zielgerichtet entfernt, um eine Elektrodenverdrahtung 118 und eine Bondstelle 120 zu bilden (Figur 8 f). Eine PSG-Schicht 122 ist darüberhinaus durch das CVD-Verfahren über die gesamte Oberfläche des Mikrobausteins zum Schutz der Oberfläche derart aufgebracht, daß die auf der Elektrodenverdrahtung 118 gebildete Oberfläche der PSG-Schicht die gleiche Höhe oder eine niedrigere aufweist, als die Oberfläche der Bondstelle 120. Die auf der Bondstelle 120 gebildete PSG-Schicht wird in einem kleineren Bereich als der Oberflächenbereich der Bondstelle 120 entfernt. Der an einem vordersten Ende eines Bonddrahtes angeordnete Goldball 124 wird auf der Oberfläche der Bondstelle 120 durch Druck befestigt (Figur 8 g).

Eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren 9 a - 9 g beschrieben.

Auf einem P-leitenden Halbleiterträger 110 wird durch Hitzeoxidation ein Oxidfilm 112 aufgetragen (Figur 9 a). Auf dem Oxidfilm 112 wird weiterhin durch das CVD-Verfahren ein Oxidfilm 130 aufgebracht (Figur 9 b). Der Oxidfilm 130 wird zielgerichtet entfernt (Figur 9 c). Der Oxidfilm 112

wird dann einer Fotoätzung unterworfen, um eine Diffusionsausnehmung zu bilden, durch die N-leitende Störstellen eingeführt werden, um eine Diffusionsschicht 114 zu bilden (Figur 9 d). über die gesamte Oberfläche des Mikrobausteins wird Aluminium aufgedampft, um eine Aluminiumschicht 134 zu bilden (Figur 9 e). Die Aluminiumschicht 134 wird zielgerichtet entfernt, um eine Elektrodenverdrahtung 118 und eine Bondstelle 120 zu bilden (Figur 9 f). über die gesamte Oberfläche des Mikrobausteins wird zum Schutz der Oberfläche weiterhin eine PSG-Schicht 122 so aufgebracht, daß die Oberfläche der auf der Elektrodenverdrahtung 118 gebildeten PSG-Schicht die gleiche Höhe oder eine niedrigere als die Oberfläche der Bondstelle 120 aufweist. Die auf der Bondstelle 120 gebildete PSG-Schicht 122 wird in einem kleineren Bereich als der Oberflächenbereich der Bondstelle 120 entfernt. Ein an dem vordersten Ende eines Bonddrahtes angeordneter Goldball 124 wird dann unter Druck an der Oberfläche der Bondstelle 120 befestigt (Figur 9g).

Eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren 10 a - 10 f beschrieben.

Auf einem P-leitenden Halbleiterträger 110 wird durch Hitzeoxidation ein Oxidfilm 112 ausgebildet (Figur 10 a). Ein Oxidfilm 130 wird zielgerichtet durch das CVD-Verfahren auf dem Oxidfilm 112 ausgebildet (Figur 10 b). Um eine Diffusionsausnehmung zu bilden, durch die N-leitende Störstellen eingeführt werden, um eine Diffusionsschicht 114 zu bilden, wird dann der Oxidfilm 112 einer Fotoätzung unterworfen (Figur 10 c). Über die gesamte Oberfläche des

Mikrobausteins wird Aluminium aufgedampft, um eine Aluminiumschicht 134 zu bilden (Figur 10 d). Die Aluminiumschicht 134 wird zielgerichtet entfernt, um eine Elektretdenverdirahtung 118 und eine Bondstelle 120 zu bilden (Fi- · gur 10 e). Zum Schutz der Oberfläche wird weiterhin eine PSG-Schicht 122 durch das CVD-Verfahren über der gesamten Oberfläche des Mikrobausteins derart aufgebracht, daß die Oberfläche der auf der Elektrodenverdrahtung 118 gebildeten PSG-Schicht die gleiche Höhe oder eine niedrigere aufweist, als die Oberfläche der Bondstelle 120. Die auf der Bondstelle 120 ausgebildete PSG-Schicht wird in einem kleineren Bereich als der Oberflächenbereich der Bondstelle entfernt. Ein Goldball 124 wird dann unter Druck auf der Oberfläche der Bondstelle 120 befestigt (Figur 10 f).

Claims (5)

1. :-:·: - :PATENTANWÄLTE DR. KADOR & DR. KLUNKER

   K 13415/

   TOKYO SHIBAURA DENKI KABUSHIKI KAISHA ..-:..

   72 Horikawa-cho, Saiwai-ku,
   Kawasaki-shi, Japan

   Halbleiterbauelement

   Patentansprüche :

   Halbleiterbauelement gekennzeichnet durch einen Halbleiterträger (110), eine erste auf dem Halbleiterträger (110) gebildete Isolierschicht (112, 130), eine auf der ersten Isolierschicht (112, 130) gebildete Bondstelle (120), eine auf der ersten Isolierschicht (112, 130) und benachbart zu der Bondstelle (120) gebildete Leitungsschicht (118), und eine zweite Isolierschicht (122), um eine Abdeckung der Leitungsschicht (118) zu bilden, wobei die Oberfläche (B) der zweiten Isolierschicht (122), die auf und in der Nähe der Leitungsschicht (118) gebildet ist, die gleiche Höhe oder eine niedrigere als die Oberfläche (A) der Bondstelle (120) aufweist.

   -I-
2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine Stufe in dem Halbleiterträger ausgebildet ist, und daß die Bondstelle an dem dickeren Abschnitt des Halbleiterträgers gebildet ist.
3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Isolierschicht (112, 130) eine erste bedeckende Isolierschicht (112), auf der die Bondstelle ausgebildet werden soll, und eine zweite bedeckende Isolierschicht (130) umfaßt, auf der die Leitungsschicht (118) ausgebildet werden soll, wobei die erste bedeckende Isolierschicht (112) dicker ist als die zweite bedeckende Isolierschicht (130).
4. 4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die erste und zweite bedeckende Isolierschicht Oxidschichten darstellen.
5. 5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die erste Isolierschicht (112, 130) einen unter Hitze oxidierten Film (112), der auf dem Halbleiterträger (110) ausgebildet ist, und einen Oxidfilm (130) umfaßt, der auf dem unter Hitze oxidierten Film (112) ausgebildet ist und daß die Bondstelle (120) auf dem Oxidfilm (130) ausgebildet ist.