DE2920088C3 - Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung elektrischer LeiterplattenInfo
- Publication number
- DE2920088C3 DE2920088C3 DE19792920088 DE2920088A DE2920088C3 DE 2920088 C3 DE2920088 C3 DE 2920088C3 DE 19792920088 DE19792920088 DE 19792920088 DE 2920088 A DE2920088 A DE 2920088A DE 2920088 C3 DE2920088 C3 DE 2920088C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit boards
- electrical circuit
- carrier
- producing electrical
- boards according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 3
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- -1 silane ester Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000454 electroless metal deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0129—Thermoplastic polymer, e.g. auto-adhesive layer; Shaping of thermoplastic polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0108—Male die used for patterning, punching or transferring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1131—Sintering, i.e. fusing of metal particles to achieve or improve electrical conductivity
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
Die Erfindung geht von einem Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 aus.
Es ist bereits eine Reihe von Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten bekannt. Die
bekanntesten arbeiten nach der Subtraktiv- oder Additiv-Methode. Bei der reinen Additiv-Methode
erfolgt der Aufbau der Leiterbahnen auf chemischem
Wege. Man verwendet ein Basismaterial in dessen Oberfläche Metallsalze eingearbeitet wurden, die z. B.
durch Licht oder chemische Agentien zersetzbar sind und dadurch Metallkeime bilden. Diest reduzierenden
Metallkeime wirken katalytisch auf die stromlose Metallabscheidung z. B. eines autokatalytisch arbeitenden
Kupferbades. Das Leiterbild wird ajf den im Basismaterial verankerten Metallkeimen bis zur Endstärke
aufgebaut, so daß ein Ätzen vollkommen entfällt. Bei der reinen Subtraktiv-Methode wird ein Basismaterial
mit einem dünnen Metallfilm beschichte' und durch selektives Abätzen des Metallfilms werden c!.e "ntsprechenden
Leiterbahnen hergestellt. Es gibt neben diesen beiden Methoden noch die Semi-Additiv-Methode, bei
der man zunächst eine relativ dünne max. 5 μηι
betragende Leitkupferschicht auf dem Basismaterial herstellt, auf die das Leiterbild dann aufgedruckt wird
und das dann galvanisch verstärkt wird. Beim späteren Ätzvorgang ist lediglich die dünne Kupferleiterschicht
der freien Flächen abzulösen.
Es ist bereits ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leiterplatte bekannt, bei dem ein elektrisch
isolierendes Trägermaterial zwischen den einzelnen Leiterbahnen mit kanalartigen Vertiefungen versehen
ist. Von diesen Vertiefungen ist eines der Ränder scharfkantig und der andere abgerundet oder abgeschrägt
ausgebildet. Auf der Seite des Trägermaterial, auf der sich die Vertiefungen befinden, wird eine
einteilige Metallfolie von etwa 0,02 bis 0,2 mm Stärke, die mit einem Klebematerial beschichtet ist, aufgelegt.
Das Anpressen der Metallfolie erfolgt mittels eines beheizten Metallstempels oder durch einen Stempel aus
einem weichelastischen Werkstoff. Die Metallfolie wird an dem scharfkantigen Rand der Vertiefungen durchgetrennt
und über den abgerundeten Rand gebogen. Das Anpressen und das Abtrennen erfolgt in einem
Arbeitsgang. Nachteilig bei diesem Verfahren ist, daß der nicht zu den Leiterbahnen laminierte Metallfolienanteil
zu Abfall wird und daß, um eine einwandfreie Lötbarkeit der Leiterbahnen zu erhalten, eine galvanische
bzw. chemische Verstärkung der Leitei bahnen erforderlich ist.
Es ist ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Kontaktes mit einer Dicke von 50 bis 300 μηι auf einem
Metallträger bekannt, bei dem auf der Oberfläche des Metallträgers eine Isoliermaske angeordnet wird, die an
den Stellen, an denen ein Kontakt hergestellt werden soll, Durchgänge aufweist. In diesen so entstandenen
Hohlraum gibt man eine vorbestimmte Menge eines Metallpulvers, bestehend aus einer Mischung aus
Silberpulver, Graphitpulver, einem organischen Bindemittel und einem Lösungsmittel. Dieses im Hohlraum
liegende Metallpulver setzt man mittels einer ersten Elektrode einem Druck aus, wodurch einerseits ein
komprimierter Kontakt bestehend aus dem Metallpulver gebildet wird und wobei andererseits ein guter
elektrischer Kontakt zwischen dieser ersten Elektrode, diesem komprimierten Metallpulver und dem vorbestimmten
Bereich auf dem Metallträger hergestellt wird. Durch die erste Elektrode und eine elektrisch mit dem
Träger verbundene Gegenelektrode wird ein elektrischer Strom geschickt. Dieser Strom durchströmt den
Kontakt, so daß auch der Kontakt bzw. das Metallpulver erhitzt und somit eine Sinterung und Verschweißung mit
dem Metallträger erreicht wird.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren nach der eingangs genannten Art zur
Herstellung elektrischer Leiterplatten zu finden, das
eine einfache, möglichst abfallose und daher wirtschaftliche
Herstellung von lötbaren Leiterbahnen und/oder Flächen auch bei einem dreidimensionalen Träger
erlaubt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß entsprechend den im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1
angegebenen Verfahrensschritten gelöst.
Weitere vorteilhafte Verfahrensschritte sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Als Basismaterial für die elektrischen Leiterplatten "■<
wird ein Träger aus einem thermoplastischen, hochtemperaturbeständigen Kunststoff verwendet. Dieser
Kunststoff kann z. B. Polyäthylensulfon, Polyphenylensulfid, Polyimid oder Polyamidimid sein. Er sollte
hochtemperaturbeständig sein, da der Sintervorgang r. bei einer Temperatur von 160°C bis zu 25O0C
durchgeführt wird.
Eine Möglichkeit der Leiterbahnenherstellung auf einem ebenen Träger besteht darin, daß man das zu
sinternde Metallpulver auf die Oberfläche möglichst .·.·>
gleichmäßig streut bzw. verteilt. Das Metallpulver kann aus Kupfer-, Silber-, kupferumhüllten Nickel-, Kobalt-,
Eisen- oder Ferritteilchen bestehen. Ferner kann man noch silberumhüllte Nickel-, Kobalt-, Eisen- oder
Ferritteilchen verwenden. Die Teilchengröße sollte 2,
bevorzugt kleiner 10 μπι sein.
Es zeigte sich als vorteilhaft, einzelne Kupferteilchen oder verkupferte Metallteilchen z. B. im Reaktionsverdampfer
mit einem Haftvermittler zu umhüllen. Ein solcher Haftvermittler kann ein Siliconharz, ein in
organofunktionelles Silan oder ein Silanester sein. Im
Falle der Verwendung eines Silikonharzes wird dieses mit 0,1 bis 5, vorzugsweise 0,1 bis 1,5 Gew.-% bezogen
auf die Kupferteilchen beigefügt. Bei einer Anwendung dieses Verfahrens wird eine Haftfestigkeit der Leiter- r>
bahn zum Träger, der z. B. aus Polyphenylensulfid besteht, erreicht, die den Wert 10 N/cm2 übersteigen.
Bei Leiterplatten, bei denen erhöhte Ansprüche an die Abriebfestigkeit gestellt werden (z. B. bei Schaltvorgängen
und dgl.) empfiehlt es sich, mit den kupfeminmantelten
Nickelteilchen zu arbeiten. Hierbei entstehen abriebfeste und einwandfrei lötbare Leiterbahnen oder
elektrisch gut leitende Flächen. Der Einsatz von kupferummantelten Nickelteilchen ist auch zweckmäßig,
wenn die erforderlichen Leiterbahnen und Flächen « z. B. aus konstruktiven Gründen an einem dreidimensionalen
Träger realisiert werden müssen, wobei die magnetischen Eigenschaften eines solchen Pulvers
ausgenutzt werden.
Die Herstellung der Leiterbahnen und/oder der ■>(>
elektrisch gut leitenden Flächen erfolgt mittels einer Stempeleinrichtung. Diese besitzt cndseitig erhaben die
Form des Musters dei Leiterbahnen und/oder der elektrisch gut leitenden Flächen. Mit Hilfe dieser
Stempeleinrichtung, die z. B. auf eine Temperatur von 200°C aufgeheizt ist, wird bei einem Druck von
100 N/cm- das Metallpulver, bestehend aus z.B. verkupferten Nickelteilchen auf dem z. B. aus Polyphenylensulfid
bestehenden Träger aufgesintert. Hierbei sintert die Kupferumhül'iung der Nickelteilchen, so daß
eine kontinuierlich verkupferte, mit Nickelteilchen gefüllte Leiterbahn bzw. Fläche entsteht. Gleichzeitig
erweicht der der Druck- und Temperatureinwirkung ausgesetzte Teil des Trägers unter den sich im Status
nascendi befindenden Leiterbahnen und Flächen, so daß diese im nun erweichten Träger nach dessen Abkühlung
fest verankert bleiben. Das restliche auf dem Träger noch aufgestreute Metallpulver kann abschließend
abgeschüttelt werden.
Das Verfahren ermöglicht selbstverständlich auch den Einsatz von reinen Kupferteilchen.
Der Sintervorgang kann bei einer Temperatur von 160" C bis 25O°C, vorzugsweise 200°C, und bei einer
Druckanwendun^ von 80 bis 140 N/cm2, durchgeführt werden.
Eine andere Möglichkeit der Leiterbahnenherstellung besteht darin, daß man die beheizte Stempeleinrichtung
zumindest teilweise, insbesondere endseitig. aus einem magnetischen Werkstoff herstellt. Auch diese Stempeleinrichtung
besitzt endseitig erhaben die Form des Musters der Leiterbahnen und/oder der elektrisch gut
leitenden Flächen. Als, Metallpulver verwendet man verkupferte ferromagnetische Metallteilchen, wie z. B.
Eisen-, Kobalt- oder Nickelteilchen. Die Stempeleinrichtung wird in einen Behälter, der mit dem
Metallpulver gefüllt ist, eingetaucht und wieder herausgezogen. Die Metallteilchen bleiben, bedingt
durch die magnetischen Eigenschaften des Werkstoffes, an der Stempeleinrichtung haften. Die übrigen Verfahrensschritte
entsprechen im wesentlichen denen des anderen Herstellungsverfahrens.
Das zuletzt erwähnte Herstellungsverfahren ist besonders geeignet, wenn der Träger dreidimensional
ist und daher Erhebungen und Vertiefungen aufweist. Die Form der Stempeleinrichtung kann leicht an die
Trägerform angepaßt werden. Es sollten allerdings für die Erhebungen und Vertiefungen keine scharfkantigen
Ränder, sondern nur abgerundete oder abgeschrägte Ränder vorgesehen werden.
Bei beiden Herstellungsverfahren können mit der Stempeleinrichtung auch gleichzeitig mit der Aufsinterung
der Leiterbahnen und/oder Flächen Metallösen umgebördelt werden, die zuvor in Bohrungen des
Trägers zur Durchkontaktierung eingesetzt wurden.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten, bestehend
aus einem flächigen, elektrisch isolierenden Träger und
aus in einem bestimmten Muster auf den Träger aufgebrachten Leiterbahnen und/oder elektrisch gut
leitenden Flächen,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Träger aus einem thermoplastischen, hochtemperaturbeständigen Kunststoff besteht und
daß mittels einer Stempeleinrichtung, die erhaben die Form des Musters der Leiterbahnen und/oder
Flächen aufweist, die Leiterbahnen und/oder die Flächen aus Metallpulver unter Anwendung von
Druck und Temperatur auf den Träger aufgesintert werden.
2. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das zu sinternde Metallpulver aus Kupfer-, Silber-, kupferumhüllte Nickel-, Kobalt-, Eisen- oder
Ferritteilchen oder silberumhüllte Nickel-, Kobalt-, Eisen- oder Ferritteilchen besteht.
3. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der hochtemperaturbeständige, thermoplastische Kunststoff t'olyathylensulfon, Polyphenylensulfid,
Polyimidoder Polyamidimid ist.
4. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das zu sinternde Metallpulver auf die Trägeroberfläche aufgestreut wird.
5. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Stempeleinrichtung aus einem magnetischen Werkstoff besteht.
6. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Sintervorgang bei einer Temperatur von 1600C bis zu 2500C und bei einer Druckanwendung
von 80 N/cm2 bis 140 N/cm2 durchgeführt wird.
7. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Metallteilchen mit einem Haftvermittler ganz oder teilweise umhüllt sind.
8. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß der Haftvermittler ein Silikonharz, ein organofunktionelles Silan oder ein Silanester ist.
9. Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit der Aufsinterung der Leiterbahnen und/oder Flächen durch die
gleiche Stempeleinrichtung zuvor in Bohrungen des Trägers eingesetzte Metallösen umbördelt werden.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792920088 DE2920088C3 (de) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792920088 DE2920088C3 (de) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2920088A1 DE2920088A1 (de) | 1980-11-20 |
| DE2920088B2 DE2920088B2 (de) | 1981-05-14 |
| DE2920088C3 true DE2920088C3 (de) | 1982-02-04 |
Family
ID=6071060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19792920088 Expired DE2920088C3 (de) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2920088C3 (de) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3806515C1 (de) * | 1988-03-01 | 1989-07-20 | Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 4000 Duesseldorf, De | |
| EP0457071A3 (en) * | 1990-05-12 | 1992-09-16 | Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh | Process for generating fine conductor lines |
| DE19810809C1 (de) * | 1998-03-12 | 1999-12-16 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer flexiblen Leiterbahnfolie, die eine Trägerfolie aufweist, auf deren Oberseite eine vorgegebene Leiterstruktur aufgebracht wird |
| DE10145749A1 (de) * | 2001-09-17 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallschicht auf einem Trägerkörper und Trägerkörper mit einer strukturierten Metallschicht |
| DE10154110A1 (de) * | 2001-11-03 | 2003-05-22 | Leoni Ag | Verfahren zum Herstellen eines Trägermaterials mit einer integrierten Leiterbahn |
| DE10155713A1 (de) * | 2001-11-09 | 2003-05-22 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Leiterstrukturen auf einem flexiblen Träger |
| JP2009049136A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Fujitsu Ltd | 配線基板、配線パターン形成方法および配線基板の製造方法 |
-
1979
- 1979-05-18 DE DE19792920088 patent/DE2920088C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2920088B2 (de) | 1981-05-14 |
| DE2920088A1 (de) | 1980-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3782522T2 (de) | Leitfaehige kupferpastenzusammensetzung. | |
| DE3786600T2 (de) | Mehrschichtige gedruckte schaltung und verfahren zu ihrer herstellung. | |
| DE4125879C2 (de) | Leiterplatten und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE69329673T2 (de) | Abgeschirmtes Flachkabel | |
| DE3700910C2 (de) | ||
| DE3151512A1 (de) | "elektrische leiterverbindung und verfahren zu ihrer herstellung" | |
| DE10297325T5 (de) | Spannungsveränderliches Trägermaterial | |
| DE3020477A1 (de) | Heiss-siebdruckmaschine und verfahren zur siebherstellung | |
| DE2111396A1 (de) | Herstellung von elektrischen Schaltungen vermittels Drahtschriftverfahren | |
| DE69921893T2 (de) | Leitfähige Pastenzusammensetzung zum Füllen | |
| DE2920088C3 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Leiterplatten | |
| DE3700912C2 (de) | ||
| DE2364520C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Schaltung | |
| DE3631632C2 (de) | ||
| EP0073904B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen | |
| DE3045280T1 (de) | ||
| CH628195A5 (en) | Printed-circuit board having at least two wiring layers | |
| DE3707494C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines PTC-Bauelements | |
| DE910185C (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes aus Metall | |
| DE2838982B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Mehrebenen-Leiterplatten | |
| DE3006117C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten mit mindestens zwei Leiterzugebenen | |
| DE1496984B2 (de) | Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen mit galvanisch erzeugten Leiterbahnen nach der Aufbaumethode | |
| DE3515985A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer loetbaren beschichtung auf einem substrat und leiterbahnplatte bzw. loetbare kontaktflaeche | |
| DE1906967C3 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiterplatten | |
| AT511758B1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges für eine ein- oder mehrlagige Leiterplatte und Halbzeug |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAP | Request for examination filed | ||
| OD | Request for examination | ||
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee | ||
| 8380 | Miscellaneous part iii |
Free format text: IN HEFT 23/84, SEITE 4364, SP. 1: DIE VEROEFFENTLICHUNG IST ZU STREICHEN |
|
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |