DE2461624A1

DE2461624A1 - Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE2461624A1
Application number: DE19742461624
Authority: DE
Inventors: Katsuhiko Akiyama
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1973-12-28
Filing date: 1974-12-27
Publication date: 1975-07-10
Also published as: FR2256488B1; CA1017839A; IT1028092B; NL7417016A; GB1499509A; US3936694A; FR2256488A1

Description

It 3121

SONY CORPORATION Tokyo / Japan

Anzeigevorrichtung

Die Erfindung betrifft allgemein eine Anzeigevorrichtung mit lichtemittierenden Halbleiterelementen und insbesondere eine Anzeigevorrichtung, bei der die Halbleiterelemente von einer einfachen Konstruktion sicher getragen werden.

Bei einer bekannten Anzeigevorrichtung mit lichtemittierenden Halbleiterelementen sind die Elektroden eines jeden Elements so ausgebildet, daß sie an der Ober- und Unterseite angeordnet sind, um zwangsläufig auf dem Substrat getragen zu werden. Hierbei ist es jedoch relativ schwierig, die Elektroden des Elements mit den leitenden Teilen durch Löten zu verbinden. Aus diesem Grund benötigt die obere Elektrode des Elements manchmal einen Führungsdraht für ihren Anschluß, wodurch seine Konstruktion sehr kompliziert wird.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, bei der die Halbleiterelemente durch Tragteile zur festen Verbindung mit leitenden" Teilen bei einfacher Konstruktion sicher gehalten werden, bei der die Halbleiterelemente mit den leitenden

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Teilen leicht und sicher verlötet werden können, die bei der Betrachtung einen Vergrößerungseffekt hat, bei der eine bestimmte Anzeige erreicht werden kann und die leicht und bei geringen Kosten herzustellen ist.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 bis 4 beispielsweise erläutert. Es zeigt:

Figur IA bis IJ Darstellungen von Herstellungsvorgängen eines Beispiels einer Anzeigevorrichtung gemäß der Erfindung,

Figur 2A bis 2D Querschnittsdarstellungen in der Reihenfolge des Herstellungsvorgangs eines weiteren Beispiels der Erfindung,

Figur 3A bis 3D Querschnittsdarstellungen in der Reihenfolge des Herstellungsvorgangs eines weiteren Beispiels der Erfindung,

Figur 4A eine Aufsicht eines weiteren Beispiels der Erfindung , und

Figur 4B einen Querschnitt längs der Linie C-C in Fig. 4A.

Es wird nun eine Ausführungsform der Anzeigevorrichtung gemäß der Erfindung und ihr Herstellungsverfahren anhand der Zeichnungen beschrieben. Die Querschnittsdarstellungen in den Fig. IC, IF und IG sind zur Erleichterung des Verständnisses der Erläuterung diejenigen längs der Linie A-A in Fig. IC.

Bei der Erfindung werden an gegenüberliegenden Seiten einer lichtdurchlässigen Isolierfolie 1 Metallschichten bzw. Kupferplatten 2 und 3 durch einen Klebstoff befestigt, um ein Substrat 4 zu bilden, wie Fig. IA zeigt. Hierbei wird als Folie 1 vorzugsweise ein relativ dünner Film wie ein

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lichtdurchlässiger Harzfilm bestehend aus einem Poliamidharz, einem Polyesterharz oder dergleichen verwendet, der eine Dicke von etwa 50 u hat. Die Kupferplatten 2 und 3 haben vorzugsweise eine Dicke von je 7Ou.

Danach wird die Oberfläche der Kupferplatte 3, die auf der einen Seite der Folie 1 gebildet ist, einem Schwärzungsprozeß unterworfen. Der Schwärzungsprozeß wird durch Aufbringen einer sogenannten Schwarznickelauflage 5 durchgeführt, die aus einer Legierungsauflage aus Zink, Schwefel und Nickel besteht. Die Dicke der Schwarznickelauf lage 5 beträgt z.B. etwa 1 u maximal (siehe Fig. IB).

Dann werden die Kupferplatte 3, auf die die Schwarznickelauflage 5 aufgebracht ist, und die andere Kupferplatte 2 durch Ätzen in verschiedenen Mustern unter Anwendung einer normalen Fotoätztechnik (siehe Fig. IC) entfernt. Wie Fig. IC¹ zeigt, wird ein Ätzmuster 6 auf der Kupferplatte 3 so gewählt, daß Ausnehmungen 6a, 6a¹, 6b, 6b¹ ... 6g, 6g¹ und 6h an den jeweiligen Seiten einer 8-förmigen Anordnung entsprechend einem Muster mehrerer lichtemittierender Halbleiterelemente gebildet werden. Diese Halbleiterelemente werden später an der Seite der Kupferplatte 2 in 8-förmigem Muster bei diesem Beispiel angeordnet. Bei dem gezeigten Beispiel ist jede der jeweiligen Seiten, die ein 8-fÖrmiges Muster bilden, halbiert, d.h. ein Paar aus zwei Hälften bildet eine Seite bzw. ein Element.

Außerdem wird, wie Fig. IC" zeigt, an einem Teil der Kupferplatte 2 entsprechend dem Ätzmuster 6 der Kupferplatte 3 ein Ätzmuster 7 gebildet, um Nuten 8 (8a, 8a¹, 8b, 8b¹ 8g, 8g¹ und 8h) zu erhalten, in denen lichtemittierende Halbleiterelemente in Nuten 10 angeordnet werden, in denen Verdrahtungsteile 9 gebildet sind, als ob sie die zuvor erwähnten Nuten 8 umgeben würden. Das Muster der Verdrahtungsteile 9 kann in verschiedenen Formen gewählt werden.

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Bei diesem Beispiel jedoch werden externe Anschlußteile entsprechend den acht Elementen, die die 8-förmige Anordnung bilden, dem oberen und unteren Ende zugewandt, erzeugt. 111 bezeichnet einen gemeinsamen Anschluß, 11A bis HH Anschlüsse, von denen jeder jedem Paar aus zwei Elementen entspricht, die das 8-förmige Muster bilden, und HJ einen freien Anschluß. Jeder Führungsdraht, obwohl nicht gezeigt, wird zur Verbindung zweier lichtemittierender Halbleiterelemente in Reihe verwendet und ist entsprechend jedem der acht Elemente ausgebildet.

Beim Ätzen der Kupferplatten 2 und 3 wird die Breite L· (bzw. die Länge) einer jeden Ausnehmung 6, die durch Ätzen der Kupferplatte 3 gebildet wird, größer gewählt als die Breite £- (bzw. die Länge) einer jeden entsprechenden Nut 8, die durch Ätzen der Kupferplatte 2 gebildet wird.

Nachdem die Kupferplatten 2 und 3 in einem vorbestimmten Muster geätzt sind, werden, wie Fig. IE zeigt, lichtemittierende Halbleiterelemente 12 (12a, 12a¹, 12b, 12b¹ ... 12g, 12g¹ und 12h) in den Nuten 8a, 8a¹, 8b, 8b¹ ... 8g, 8g¹ und 8h an der Seite der Kupferplatte 2 angeordnetund bilden die 8-förmige Anordnung

Das lichtemittierende Halbleiterelement 12 ist mit einem PN-Übergang j versehen, wie in den Fig. ID und ID¹ gezeigt ist. Fig. ID ist ein Querschnitt des HalbIeiterelernents längs der Linie B-B in Fig. ID. Elektroden 13p und I3n werden durch Anordnung an den Enden seiner P- und N-Zone in ohmschen Kontakt damit verbunden, um z.B. eine GaP-Iichtemittierende Diode zu bilden. Bei der Anordnung solch eines Elements 12 z.B. in jeder Nut 8 wird die P-Zone so ausgebildet, daß sie dem Verdrahtungsteil gegenüberliegt, der mit dem gemeinsamen Anschluß HI verbunden ist, d.h. bei dem gezeigten Beispiel ist die P-Zone so ausgebildet, daß sie der Innenseite des 8-förmigen Musters zugewandt ist.

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In der nächsten Stufe wird ein Lötflußmittel (nicht gezeigt) auf die gesamte Oberfläche des Substrats 4 an der Seite aufgebracht, wo jedes Element 12 angeordnet ist, um das Element 12 mit dem Substrat 4 zu verlöten und zu verbinden. Danach wird, wie die Fig. IF und IF¹ zeigen, Lötpaste 14 quer über das Element 12 und sich auf die Verdrahtungsteile 9 erstreckend aufgebracht, die jeweils den Elektroden 13p und 13n des Elements 12 gegenüberliegen, um sie z.B. mittels eines "silk screen"- Druckverfahrens ο.dgl. damit zu verbinden, Zu diesem Zeitpunkt wird auch die Lötpaste 14 in die Spalte g zwischen den Elektroden 13p und 13n des Elements 12 und die Verdrahtungsteile 9 gefüllt. Daher ist die Genauigkeit in der seitlichen'Abmessung des Elements 12 und diejenige der Nut 8, in der das Element 12 angeordnet ist, nicht besonders streng.

Dann wird in einem Heizofen mit einer Temperatur von maximal 170°C, normalerweise bei mehr als 16O°C 1,5 Minuten lang ein Erhitzungsprozeß angewandt. Bei der obigen Anordnung wird die Lötpaste 14 geschmolzen und beide Elektroden 13p und 13n des Elements 12 und die gegenüberliegenden Verdrahtungsteile 9 werden durch die Lötpaste 14 elektrisch verbunden, wie Fig. IG zeigt. Der Anteil der Lötpaste, die auf die obere Oberfläche des Elements 12, das keine Elektrode hat, aufgebracht wird, fließt infolge der Koh sion des Lötmittels zu den Seiten der beiden Elektroden 13p und 13n,und damit haftet kein Lötmittel auf der oberen Oberfläche des Elements 12 (siehe Fig. IG).

Wie Fig. IH zeigt, wird jeder externe Führungsdraht 15, der aus "Kovar" oder dergleichen hergestellt ist, mit jedem der Anschlüsse HA bis 121 verbunden und dann gebogen, wie Fig. II zeigt. "Kovar" ist eine auf Eisen basierende Legierung mit 2 8 bis 30 % Nickel, 15 bis 18 % Kobalt und einem Bruchteil Mangan und hat eine niedrige Expansion. Danach wird, wie Fig. υ zeigt, das so aufgebaute Gebildet mit dem Element 12 in ein Transportgehäuse 16 aus Harz.oder dergleichen

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eingesetzt, wobei seine Schwarznickelauflage 5 zur Anzeigefläche gemacht wird, und dann wird das Gehäuse 16 mit einem geeigneten Harz gefüllt. Dadurch kann eine angestrebte An-Zeigevorrichtung 18 unter Verwendung lichtemittierender Halbleiterelemente erhalten werden.

Bei der so aufgebauten Anzeigevorrichtung 18 wird an den gemeinsamen Anschluß HX eine negative Spannung angelegt, während an die anderen Anschlüsse HA bis HH entsprechend den jeweiligen, die "8-förmige Anordnung bildenden Elementen wahlweise eine positive Spannung angelegt wird, so daß .die Halbleiterelemente in den gewählten Nuten Licht emittieren, um die gewünschte Zahl durch die Ausnehmungen 6 der Kupferplatte 3 anzuzeigen.

Entsprechend dem oben beschriebenen Aufbau wird die lichtdurchlässige Folie 1 an ihren gegenüberliegenden Seiten mit Metallschichten 2 und 3 wie Kupferplatten zur Bildung des Substrats 4 belegt, die Metallschichten 2 und 3 werden in Mustern geätzt, wie sie in den Fig. IC" und IC gezeigt sind, wobei in der Metallschicht 2, die die Verdrahtungsteile 9 hat, die lichtemittierenden Halbleiterelemente 12 angeordnet werden, und die andere Metallschicht 3 als Anzeigemaske verwendet wird. Daher kann die Anzeigevorrichtung unter Verwendung von lichtemittierenden Halbleiterelementen dieser Art leicht hergestellt werden und der vereinfachte Aufbau führt zu einem geringen Preis. Die Metallschicht 3, die als Anzeigemaske verwendet wird, wird zuvor dem Schwärzungsprozeß wie durch die Schwarznickelauflage 5, unterworfen, um den Anzeigekontrast für ihre bestimmte Anzeige zu verbessern. Wenn das Element 12 Licht emittiert, durchläuft, da die Ausnehmung 6 der Metallschicht 3 als Anzeigeblende größer als die Nut 8 ihrer Rückseite ausgebildet ist, in der das Element 12 angeordnet ist, und auch die Folie 1 dünn ausgebildet ist, das Licht des Elements 12 durch die Folie 1, ohne gestreut zu werden und es tritt aufgrund der größeren Ausnehmung 6 bei der Betrachtung ein Vergrößerungseffekt auf.

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Solch eine Anzeigevorrichtung gemäß der Erfindung kann auf verschiedene Art verbessert werden.

Fig. 2A bis 2D zeigen eine verbesserte .Ausführungsform der Erfindung, bei der das Element 12 sicher an dem Substrat 4 befestigt wird, wenn es in der Nut 8 angeordnet wird, um den folgenden Vorgang stoßfrei-zu machen. Vor dem Ätzvorgang der Kupferplatten 2 und 3 wird eine Nickelschicht 22 auf der mit den Elementen 12 zu versehenden Kupferplatte 2 aufgebracht. Danach werden beim Ätzen der Kupferplatte 2 zuerst die Nickelschicht 22 und die Kupferplatte 2 mit geringer Ätzbreite geätzt, und dann wird die Kupferplatte 2 mit einer bestimmten Breite tief-geätzt, wobei die Nickelschicht 22 als Maske verwendet wird. Dies bedeutet, daß, wie Fig. 2A zeigt, Vorsprünge 22a der Nickelschicht 22 durch den obigen Tiefätzvorgang wenigstens an einem Teil über der Nut 8 gebildet werden, in der das Element 12 angeordnet wird. Bei dem obigen Ätzvorgang wird die endgültige Ätzbreite /v der Kupferplatte 2, die durch den Tief ätz Vorgang erhalten wird, in einer bestimmten Größe gewählt, die zuvor anhand der Fig. 1 beschrieben wurde.

Nachdem die Vorsprünge 22a der Nickelschicht 22 so gebildet sind, wird z.B. eine Zinnschicht 23 durch Ablagerung auf der Oberfläche einschließlich der Nickelschicht 22 und der' Kupferplatte 2 gebildet, wie Fig. 2B zeigt. Danach wird das Element 12 in jede Nut 8 eingesetzt, die die Vorsprünge 22a hat, indem die jeweiligen Vorsprünge 22a nach unten gedrückt werden. Dabei wird das Element 12 von den Vorsprüngen 22a federnd getragen, wie Fig. 2C zeigt. Außerdem werden die Elektroden 13p und 13n des Elements 12 mit den Kupferplatten 2 durch die Zinnschichten 23 und.die Nickelschichten 22 ,elektrisch in Berührung gebracht. Nachdem Lötmittel 24 auf die Zinnschichten 23 unter der oben beschriebenen Bedingung aufgebracht wurde, wie Fig. 2C zeigt, wird ein Legierungsprozeß angewandt. Die Zinnschichten 23 werden einem Legierungs-

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prozeß unterworfen, wie Fig. 2D zeigt, um die Elektroden 13p und I3n des Elements 12 mit den Kupferplatten .2 bzw. den Verdrahtungsteilen 9 elektrisch und mechanisch zu verbinden.

Es ist jedoch in dem Zustand, in dem die Vorsprünge 22a gebildet sind, möglich, daß das Element 12 in die Nut 8 eingesetzt wird, indem direkt die Vorsprünge 22a nach unten gedrückt werden, und daß es von den gekrümmten Teilen der Vorsprünge 22a der Nickelschichten federnd getragen wird, wie Fig. 2B¹ zeigt, wobei auf diese Weise die elektrische und mechanische Verbindung zwischen dem Element 12 und den Verdrahtungsteilen 9 vervollständigt wird. Wie Fig. 2C zeigt, wird außerdem die Zinnschicht 23 auf die Nickelschicht 22 aufgebracht und dann kann der Legieruncrsvorgang angewandt werden, um den in Fig. 2D gezeigten Aufbau zu erhalten.

Wenn die Vorsprünge 22a an den Rändern der Verdrahtungsteile 9 der Nut 8 zugewandt vorgesehen sind und die Vorsprünge 22a nach unten gedrückt werden, um das Element 12 einzusetzen, wird das Element 12 von den Vorsprüngen 22a mechanisch sicher getragen. Der in dem folgenden Prozeß folgende Vorgang kann daher stoßfrei durchgeführt werden, d.h., daß verhindert werden kann, daß das Element bei seinem Transport geschüttelt wird und herausfällt, und es kann eine genaue Verbindung ohne Lageverschiebung erreicht werden.

Die Fig. 3A bis 3D zeigen eine weitere verbesserte Ausführungsform der Erfindung, bei der die lichtemittierende Anzeige vergrößert wirkt, insbesondere selbst bei kleinen lichtemittierenden Halbleiterelementen. Dies bedeutet, daß ein sogenannter Vergrößerungseffekt erreicht wird. Hierfür wird zuerst eine Folie 1 vorgesehen, die zuvor auf ihren beiden gegenüberliegenden Seiten mit Aventurin-Lack 25 versehen wurde, und dann werden die Kupferplatten 2 und 3

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durch Ablagerung auf beiden Seiten dieser Folie 1 gebildet, um das Substrat 4 herzustellen, wie es in Fig. 3A gezeigt ist. Die Oberfläche der einen Kupferplatte 3 wird mit der Schwarznickelauflage 5 versehen, wenn es erforderlich ist. Danach wird, wenn die Vorsprünge in gleicher Weise wie im Falle der Fig. 2A bis 2D vorzusehen sind, die Nickelschicht 22 auf der Oberfläche der Kupferplatte 2 abgelagert (siehe Fig. 3B) und dann werden die Kupferplatten 2 und 3 zusammen mit der Nickelschicht 22 dem Ä'tzprozeß unterworfen, um die Vorsprünge 22a auf der Nickelschicht 22 zu bilden, so daß ein bestimmtes Muster erzeugt wird, wie es in Fig. 3C gezeigt ist. Hierbei kommt der Aventurin-Lack 25 an den geätzten Teilen auf die Außenseite heraus. Außerdem wird die Ausnehmung 6 in der Kupferplatte 3 größer als die Nut 8 der Kupferplatte 2.

Dann wird das Element 12 in die Nut 8 der Kupferplatte 2 eingesetzt und beide Teile werden durch die Lötpaste 14 verbunden, wie Fig. 3D zeigt.

Bei dieser Konstruktion wird das Licht, das von dem Element 12 emittiert wird, durch die transparente Folie 1 von der Seite der Kupferplatte 3 her gesehen. Da hierbei die Oberfläche der Folie 1 mit Aventurin-Lack 25 versehen ist, wird das Licht diffus reflektiert, um eine Anzeige mit einem mittleren bis hervortretenden Ziffer zu bewirken.

Die Fig. 4A und 4B zeigen eine weitere verbesserte Ausführungsform der Erfindung. Zuerst wird eine Eisenplatte 31 mit einer Dicke von etwa 250 ii an ihren gegenüberliegenden Seiten mit einer Kupferplatte mit einer Dicke von etwa 20 u versehen, wobei ein Fotowiderstand als Blende benutzt wird, um eine Kupferschicht 32 und Kupfermarkierungen- 32· in vorbestimmten Mustern zu bilden. Hierbei wird der Spalt zwischen den Kupferschichten 32 auf der Oberseite im we-

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sentIichen 0,6 nun breit gemacht und an beiden Schichten 32 stehen kainmartige Elektroden mit im wesentlichen einem Abstand von 0,5 mm, einer Breite von 100 ii und einer Länge von 225 ii vor.

Dann wird ein schwarzes Keramiksubstrat 34 mit einer Dicke von etwa 8 mm an der unteren Oberfläche der Eisenplatte 31 durch Epoxyharz 33 oder dergleichen befestigt, wobei die Kupfermarkierungen 32', die auf der Unterseite gebildet sind, zu seiner Füh'rung verwendet werden.

Darauf wird die Eisenplatte 31 in Form eines Leitungsrahmens 35 geätzt, wobei die Kupferschicht 32 als Maske verwendet wird, wie Fig. 4A zeigt. Die Eisenplatte 31 wird 100 bis 150 u tiefgeätzt, um Vorsprünge 32a der Kupferschicht 32 zu bilden. Dann wird eine Lötmittelauflage mit einer Dicke von etwa 20 u auf die Oberfläche einschließlich der Kupferschicht bzw. der Elektroden 32 und der Eisenplatte 31 aufgebracht. Dann wird ein GaP-lichtemittierendes Halbleiterelement im wesentlichen mit einer Länge von 4 mm, einer Breite von 0,5 mm und einer Höhe von 18Ou zwischen die Vorsprünge 32a der Kupferschicht 32 eingesetzt, wobei der PN-Übergang des Elements senkrecht zu dem Substrat 34 verläuft, und wird schließlich einem Lötprozeß unterworfen.

Bei der Ausführungsform der Erfindung, die in den Fig. 4A und 4B gezeigt ist, werden die Dioden von der Seite der Anordnung gegenüber derjenigen betrachtet, wo die lichtundurchlässige schwarze Keramikschicht liegt, d.h. in Fig. 4B von oben gesehen.

Durch die Erfindung kann somit eine Anzeigevorrichtung^mit lichtemittierenden HalbIeiterelementen mit sehr einfachem Aufbau geschaffen werden, und es ist auch möglich, ihre Herstellung zu vereinfachen und sie mit geringer Größe und niedrigem Preis herzustellen.

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Claims

Ansprüche

zeigevorrichtung/ bestehend aus einem Substrat aus Isoliermate rial, mehreren lichteitiittierenden Dioden, die auf einer Hauptfläche des Substrats in einem bestimmten Muster angeordnet sind, wobei ihre PN-übergänge senkrecht zu dem Substrat verlaufen/ und mehrschichtigen Bahnen auf dieser Fläche des Substrats, von denen wenigstens die äußere Schicht aus leitendem Material besteht und die Bahnen so geformt sind, daß sie Ausnehmungen bilden, die größer als die Breite einer Diode sind, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Dioden in den Ausnehmungen befinden, und daß die Außenschicht einer zugehörigen Bahn der mehrschichtigen Bahnen nach unten in die Ausnehmung gebogen ist, um jede Diode mechanisch zu halten und eine elektrische Verbindung herzustellen.
2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche Schicht an der gegenüberliegenden Hauptfläche des Substrats gebildet ist, daß Öffnungen durch die zusätzliche Schicht unter jeder lichtemittierenden Diode vorgesehen sind, die breiter als die Breite der darüberliegenden Ausnehmung sind, und daß das Substrat transparent ist.
3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein leitendes Klebstoffmittel zwischen den leitenden Bahnen und den Dioden.
4. Anzeigevorrichtung, gekennzeichnet durch ein Substrat aus transparentem isolierendem Material, eine erste Kupferschicht auf einer Hauptfläche des Substrats, eine Nickelschicht, die die äußere Oberfläche der ersten Kupferschicht bedeckt, eine zweite Kupferschicht auf der anderen Hauptfläche des Substrats, mehrere lichtemittierende Dioden, von denen jede eine positive und

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eine negative Elektrode hat, und dadurch, daß die erste Kupferschicht und ihre zugehörige erste Nickelschicht mehrere Leiterbahnen zur selektiven Erregung der Dioden aufweisen, daß die erste Kupferschicht öffnungen aufweist, in denen die Dioden angeordnet sind und die breiter als der Abstand zwischen den Elektroden einer Diodesind, daß die erste Nickelschicht öffnungen entsprechend und in Übereinstimmung mit den öffnungen der ersten Kupferschicht, jedoch mit einer geringeren Breite aufweist, wobei die Vorsprünge der ersten Nickelschicht nach unten in die öffnungen der ersten Kupferschicht gebogen sind, und daß die Dioden zwischen den nach unten gebogenen Vorsprüngen angeordnet und mechanisch und in elektrischem Kontakt mit diesen gehalten werden.
5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine Schwarznickelauflage auf der äußeren Oberfläche der zweiten Kupferschicht.
6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zinnauflage die freie Oberfläche der Nickelschicht und der ersten Kupferschicht bedeckt.
7. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Vorsprung mit der Elektrode seiner zugehörigen Diode verlötet ist.
8. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Kupferschicht Ausschnitte unter jeder Diode hat, die breiter als die Ausnehmungen in der ersten Kupferschicht sind.
9. Anzeigevorrichtung, gekennzeichnet durch ein Substrat aus lichtundurchlässigem, isolierendem Material, eine Epoxyschicht auf einer Oberfläche des Substrats, eine erste Metallschicht aus Eisen auf der Epoxyschicht, eine zweite Metallschicht aus Kupfer auf der Eisen- *

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schicht, mehrere lichtemittierende Dioden, von denen jede eine positive und eine negative Elektrode zum Anschluß an eine Gleichspannungsquelle hat, und dadurch daß die Metallschicht mehrere Leiterbahnen von der Spannungsquelle zu den Dioden aufweist, daß die Eisenschicht Öffnungen aufweist, in denen die Dioden mit ihrem PN-Übergang senkrecht zu dem Substrat angeordnet sind,und die breiter als der Abstand zwischen der positiven und negativen Elektrode einer Diode sind, daß die Kupferschicht öffnungen entsprechend den öffnungen in der ' Eisenschicht, jedoch mit geringerer Breite aufweist, und daß in jeder öffnung der Kupferschicht eine Diode auf dem Substrat aufliegend angeordnet ist, wobei ihre Elektroden an gegenüberliegenden Vorsprüngen der Kupferschicht anliegen.

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