DE2557209C2 - Verfahren zum Ansteuern der Steuergates von PNPN-Schaltern in einem mehrstufigen Koppelfeld sowie Schaltungsanordnung dafür - Google Patents
Verfahren zum Ansteuern der Steuergates von PNPN-Schaltern in einem mehrstufigen Koppelfeld sowie Schaltungsanordnung dafürInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ansteuern der Steuergates von PNPN-Schaltern in einem mehrstufigen
Koppelfeld gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie eine Schaltungsanordnung zur Durchführung
des Verfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 2.
Die Erfindung ist für Fernmelde-, insbesondere 5S
Fernsprechvermi'.tlungsanlagen, vorgesehen, bei denen
Koppelvielfache, nachfolgend auch Sprechwegschalter genannt, verwendet werden.
Bei üblichen automatischen Fernsprechvermittlungsanlagen werden der Freiton (akustisches Rufsignal), der
Sprechstrom, die Wählimpulse, das Gebührenzählsignal und weitere wichtige Signale über einen Sprechweg=
schalter bestimmten Einrichtungen zugeführt, der z. B. eilt Schalter mit mechanischen Kontakten, normaler'
weise ein Kreuzschienen* öder Koordinatenschalter sein kann. Die zur Ansteuerung des Sprechwegschalters
dienenden äußeren Ansteuerschaltungen sind durcli elektronische Schaltungen ersetzt, weshalb auch
Sprechwegschalter aus elektronischen Bauelementen verwendet werden wie Gasentladungsröhren oder
Halbleiter-Sprechwegschalter, um das Gesamtvolumen der Vermittlungsanlage zu verrringern, ihre Betriebseigenschaften
zu verbessern, die Gerätekosten zu senken usw.
Für derartige Halbleiter-Sprechwegschalter eignet sich besonders ein PNPN-Schalter als Schaltglied, Der
Sprechwegschalter ist dabei aus mehreren PNPN-Schaltern aufgebaut, die im allgemeinen matrixförmig
angeordnet sind. Eine aus PNPN-Schaltern aufgebaute m χ /7-Matrix, die also aus m χ η PNPN-Schaltern
besteht, benötigt eine Ansteuerung jedes Kreuzungspunkts der m κ η PNPN-Schalter, d. h. die Anzahl
dieser PNPN-Schalter-Ansteuerschaltungen entspricht der Anzahl der PNPN-Schalter.
Es ist bekannt (vgl. DE-OS 21 56 626), eine Koppelreihe
aus 1 χ π PNPN-Schaltern aufzubauen, deren Anoden zusammengeschaltet sind. Dann wird ein
rufender Teilnehmer mit einem gerufenen Teilnehmer über εϊΐϊ einzige Signal-Eingangsleitung und eine
Signal-Ausg?ngsleitung der Kop. i.-Ireihe verbunden,
wodurch nur ein PNPN-Schalier Je^ ί * η PNPN-Schalter
der Koppelreihe betätigt werden muß, also lediglich eine Ansteuerleitung erforderlich ist Somit
benötigt diese Koppelreihe vorteilhaft nur eine Anstej.erschaltung.
Nachteilig ist dabei jedoch, daß die Anzahl der zusammenschaltbaren Stufen von Sprechwegschaltern
mit PNPN-Schaltern begrenzt ist und einen Grenzwert nicht überschreiten kann. Außerdem .nuß für jede Stufe
der Spannungspegel des ansteuernden Spannungsimpuls sowie der Widerstandswert eines den PNPN-Schalter
beschaltenden Reihenwiderstands für jede Stufe einzeln festgelegt werden, wie das weiter unten
anhand der F i g. 1 und 2 ausführlich erläutert wird.
Bei einer weiteren Thyristoren verwendenden endmarkengesteuerten
Schaltmatrix (vgl. DE-OS 22 05 440) wird der Eingang der Ansteuerschaltung direkt mit dem
Sprechweg verbunden, wodurch Spannur.gssch wankungen auf die Ansteuerschaltung übertragen werden, d. h.
wodurch die Ansteuerung instabil wird. Zur Konstanthaltung des Gate- bzw. Steueranschlußpotentials ist
eine komplizierte und umfangreiche Beschallung des Thyristors erforderlich. Schließlich müssen bei einer
Mehrstufen-Verbindung wegen der unvermeidbaren Spannungspegeländerungen auch hier für jede Stufe
besondere Vorkehrungen getroffen werden.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und eine Schaltungsanordnung zur Steuergate-Ansteuerung
anzugeben, durch die Sprechwegschalter, die PNPN-Schalter als Schaltglieder verwenden, in größerer
Stufenzahl als bisher zusammengeschaltet werden können, wobei die Sprechwegschalter bei einfach
auf-utbarer Ansteueranordnung leicht steuerbar sein sollen.
Die Lösung di "ser Aufgabe geht aus d^n Patentansprüchen
1 und 2 hervor.
Durch die erfindungsgemäße Konstantstrom-Ansteuerung kann bei einem mehrstufigen Koppelfeld in
den SprechwegSthalter jeder Schaltstufe ein gleichgroßer Gau-Strom eingespeist werden, wobei jeder
PNPN-Schalter stabil und zuverlässig angesteuert wird. Die effindungsgemäße Ansteuerung ermöglicht eine
Einstellung des Gateansteuerstroms abhängig von Änderungen eines Mindest-Galeansteuerstroms der
PNPN-Schalter infolge von Temperaturschwankungen bei der Fertigung, weshalb die PNPN-Schalter mit
geringer elektrischer Leistung ansteuerbar sind. Da außerdem die Beschallung des PNPN-Schalters wegen
des im wesentlichen gleichen Ansteuerstroms in jeder Stufe praktisch gleich und auch einfach ist, und da auch
die Ansteuerschaltung im wesentlichen in jeder Stufe gleich ist, ist eine Ausführung als integrierte Schaltung
einfach möglich»
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es
zeigt
Fig. 1 den grundsätzlichen Aufbau eines bekannten
Sprechwegschalters mit PNPN-Schaltern als Schaltglieder zur Herstellung der Sprechwege.
Fig.2 eine bekannte Ansteuerschaltung für Sprechwegschalter
nach F i g. 1,
Fig. 3 die Schaltung eines Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Anordnung zur Gate-Ansteuerung
und
Fig.4 bis 7 Schaltungen weiterer Ausführungsbeisniele
der Erfindung.
Vor der genauen Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele der Erfindung sei zunächst ein in Fig. 1
dargestellter, bereits entwickelter Sprechwegschalter erläutert, der PNPN-Schalter als Schaltglieder zur
Herstellung von Sprechwegen verwendet, sowie ein in F i g. 2 dargestelltes bereits entwickeltes Verfahren zur
Gate-Ansteuerung eines derartigen Sprechwegschalters.
F i g. 1 zeigt, wie Sprechwege durch einen bereits entwickelten Sprechwegschalter-Aufbau hergestellt
werden; der Sprechwegschalter-Aufbau besteht in diesem Fall aus vier PNPN-Schaltern 101 bis 104, die in
Form einer Matrix aus zwei mal zwei Schaltern angeordnet sind.
Nach Fig. 1 verbindet eine gemeinsame Anodenleitung
1 die Anoden der PNPN-Schalter 101 und 102 über einen Anschluß Λι und einen Transformator 2 mit einer
gemeinsamen Gleichspannungsquelle 3. Eine ähnliche Verbindung besteht für die PNPN-Schalter 103 und 104.
Eine gemeinsame Kathodenleitung 4 verbindet die Kathoden der PNPN-Schalter 101 und 103 über einen
Anschluß Kt, einen Transformator 5, einen Stromeinstellwiderstand
6 und einen Stromschalter 7 mit Erde. Die PNPN-Schalter 102 und 104 sind in ähnlicher Weise
an Erde angeschlossen. Ein Steuergate 8 des PNPN-Schalters 101 ist über eine Diode 9 mit einer
gemeinsamen Gateansteuerleitung 10 verbunden, die wiederum an einen ersten Gateansteuereingang G\
angeschlossen ist. Die Diode 9 dient zur Verhinderung eines Sperrstroms aus der Kathode des PNPN-Schalters
101. Zwischen der Kathode und dem Steuergate 8 des PNPN-Schalters 101 liegt ein Widerstand II, der ein
Fehlzünden des PNPN-Schalters 101 infolge des Rate-Effekts verhindert Das Steuergate des PNPN-Schalters
103 ist in ähnlicher Weise über eine Diode 16 und eine gemeinsame Gateansteuerleitung 14 an einen
zweiten Gateansteuereingang G2 angeschlossen; ferner
ist ein weiterer Widerstand 15 dem PNPN-Schalter 103 zugeordnet Die Steuergates der PNPN-Schalter 102
und 104 sind ebenfalls an die entsprechenden Gatean-Steuereingänge Gi und G2 angeschlossen.
Wenn nun der Schalter 7 geschlossen wird und
dadurch eine Gleichspannung aus der Gleichspannungsquelle 3 zwischen der Anode und der Kathode des
nichtleitenden PNPN-Schalters ΙΟΙ anliegt, tritt an der
Anode des PNPN-Schalters 101 positives Potential und an der Kathode säherungsweise Erdpoteniial auf. Wenn
danach am Gateansteuereingang G\ ein Steuerimpuls in die gemeinsame Gateansteuerleitung 10 und damit in
das Steuergate 8 des PNPN-Schalters 101 eingespeist wird, fließt ein Gatestrom vom Steuergate 8 zur
Kathode des PNPN-Schalters 101 und schaltet den PNPN-Schalter 101 durch, so daß ein Gleichstrom in
Pfeilrichtung (Voll-Linie) fließt. Wenn der PNPN-Schalter
101 eingeschaltet ist, hält er sich selbst und ermöglicht einen ständigen Stromfluß, bis der Schalter 7
wieder geöffnet wird, obwohl zu diesem Zeitpunkt kein Steuerimpuls mehr vorhanden ist. Dadurch wird ein in
einer Signalquelle 12, die einem Handapparat eines rufenden Teilnehmers entspricht, erzeugtes Signal über
den Transformator 2 übertragen und dem Gleichstrom aus der Gleichspannungsquelle 3 überlagert und danach
über den PNPN-Schalter 101 und den Transformator 5 an eine Last 13 übertragen, die einen Handapparat eines
gerufenen Teilnehmers darstellt. Gleichzeitig erhöht sich das Kathodenpotential V/^ein) des leitenden
PNPN-Schalters 101 nahezu bis zum Anodenpotential des PNPN-Schalters 101. da der Spannungsabfall in
Durchlaßrichtung des PNPN-Schalters 101 nach dessen Durchschalten in den leitenden Zustand klein ist.
Als nächstes sei der Fall betrachtet, daß der PNPN-Schalter 104 durchgeschaltet wird, um einen
strichliniert dargestellten Sprechweg herzustellen. In diesem Fall muß ein über die gemeinsame Gateansteuerleitung
14 in das Steuergate des PNPN-Schalters 104 eingespeister Gate-Steuerimpuls Va kleiner als das
genanr'e Kathodenpotential V*{ein) sein, damit der
PNPN-Schalter 103 nicht fehlgezündet wird, oder damit kein unerwünschter Rausch- bzw. Störstrom auf dem
bereits hergestellten Sprechweg (in Vollinie) auftritt. Während des Durchschaltens des PNPN-Schalters 104
kann ein Sperrstrom über den an den PNPN-Schalter 103 angeschlossenen Widerstand 15 aus der Kathodenleitung
4 in die Gateansteuerleitung 14 fließen, doch läßt sich dieser unerwünschte Sperrstrom mit Hilfe der
Diode 16 verhindern. Mehrere Matrizen, deren jede wie in F i g. 1 angeordnet ist, sind für Vermittlungsaufgaben
über mehrere Stufen zusammengeschaltet
F i g. 2 zeigt, wie in einer bereits entwickelten Vermittlungsanordnung Sprechwege hergestellt werden,
wobei drei Sprechwegschalter hintereinandergeschaltet sind. Drei in Fig. 2 gezeigte PNPN-Schalter
201,301 und 401 stellen jeweils einen PNPN-Schalter in einzelnen Sprechwegschaltern dar, deren jeder wie in
F i g. 1 aufgebaut ist d. h. eine Vielzahl weiterer (nicht gezeigter) PNPN-Schalter ist matrixförmig an die
Anode und Kathode jedes PNPN-Schalters 201,301 und 401 angeschlossen.
In F i g. 2 ist das Steuergate des PNPN-Schalters 201 über eine Diode 9 an eine gemeinsame Gateanstpvierleitung
20 angeschlossen, die allen PNPN-Schaltern gemeinsam ist, deren Anoden in derselben Matrix
zusammengeschaltet sind. Diese gemeinsame Gateansteuerleitung 20 ist über einen Gatestrom-Stellwiderstand
21 mit einem Gateansteuereingang Gn verbunden,
an den ein Gate-Steuerimpuls Vc angelegt wird.
Die übrigen PNPN-Schalter 301 und 401 sind in ähnlicher Weise angeschaltet
Wenn nun ein Gate-Steuerimpuls Vg gleichzeitig an
die in Fig.2 dreistufig angeordneten PNPN-Schalter
201, 301 und 401 angelegt wird, wird zuerst der in der letzten Stufe liegende PNPN-Schalter 401, dessen
Kathodenpotential fast auf Erdpotential liegt, durchgeschaltet danach die PNPN-Schalter 301 und 201 in
dieser Reihenfolge, so daß ein Sprechweg hergestellt wird. Im folgenden wird der Spannungswert des
Gate-Steuerimpulses Va und der Widerstandswert des Widerstands 21 diskutiert.
Wenn die PNPN-Schailer leiten, fällt ah ihnen eine
Durchlaßspannung von ca. 1 bis 1,5 V ab. Das Kalhodenpolential des PNPN-Schalters 201 in der
ersten Stufe, der am weitesten Vom PNPN-Schalter 401 in der letzten Stufe entfernt ist, ist am höchsten, so daß
das zum Durchschalten dieses PNPN-Schalters 201 benötigte Potential ebenfalls am größten ist. Somit muß
der fc*j7i'nnunSswert des Gate-Steuerimpulses Vc groß
genug sein, um den PNPN-Schalter 201 in der ersten Stufe zuverlässig durchzuschalten, indem der durch den
Gatestrom verursachte Spannungsabfali am Widersland 21 überwunden wird. Andererseits muß die über
den Gateansteuereingang Gn an die gemeinsame Gateansteuerleitung 20 angelegte Spannung kleiner als
das Kathodenpotential des leitenden PNPN-Schallers 201 sein, damit ein Störstrom durch andere bereits
hergestellte Sprechwege verhindert wird, bzw. damit ein bereits beschriebenes Fehlzünden von nichtleitenden
PNPN-Schaitern vermieden wird. Diese Bedingung muß auch für den PNPN-Schalter 401 in der letzten
Stufe erfüllt sein, wo das Kathodenpotential am niedrigsten ist. Da sich die Kathodenpotentiale der
PNPN-Schalter 201,301 und 401 in den entsprechenden Stufen voneinander um einen durch den Durchlaßrichtungs-Spannungsabfall
an den PNPN-Schaltern gegebenen Betrag unterscheiden, müssen die Spannung des
Gate-Steuerimpulses Vc und der Widerstandswert des
Widerstands 21 in jeder Stufe derart gewählt sein, daß der in den PNPN-Schalter 201 in der ersten Stufe
eingespeiste Gatestrom nicht kleiner als erforderlich ist. und uaß der in den PNPN-Schalter 401 in der letzten
Stufe eingespeiste Gatestrom nicht wesentlich größer als nötig ist.
Diese drei Bedingungen widersprechen sich, und eine gleichzeitige Erfüllung dieser einander entgegenlaufenden
Bedingungen läßt sich nicht erzielen, wenn die Anzahl der Sprechwegschalter gegenüber der in F i g. 2
gezeigten Anzahl erhöht werden soll. Das Zusammenschalten der Sprechwegeschalter über vier bis acht
Stufen, um eine Vermittlungsanordnung hoher Kapazität zu bilden, ist nur sehr schwer möglich, oder die
entsprechenden Stufen müssen in einem derartigen Fall mit verschieden großen Gate-Steuerimpulsen angesteuert
werden, ferner müssen die Widerstände 21 in den entsprechenden Stufen verschiedene Widerstandswerte
aufweisen.
Aus der obigen Beschreibung geht hervor, daß bei dem bereits entwickelten Verfahren zur Gate-Ansteuerung
von Sprechwegschaltern mit PNPN-Schaltern als Schaltglieder verschieden große Gateströme über
verschieden eingestellte Widerstände zur Gate-Ansteuerung eingespeist werden müssen, indem verschieden
große Gate-Steuerimpulse an die entsprechenden Stufen angelegt werden, wenn die Sprechwegschalter
über viele Stufen zusammengeschaltet sind. Das bereits entwickelte Verfahren zur Gate-Ansteuerung weist
deshalb sowohl technische als auch wirtschaftliche Nachteile auf, da ein Zusammenschalten der Sprechwegschalter
über viele Stufen schwierig ist, wobei eine unnötige Erhöhung der Anzahl der Teile mit unterschiedlichen
Eigenschaften und eine unerwünschte Vergrößerung des Zeitaufwands für den Entwurf wegen
der verschiedenen Entwurfsschritte, die für die einzelnen Stufen benötigt werden, unvermeidlich sind.
Durch die Erfindung werden die genannten Nachteile vermieden und es wird ein neues und verbessertes
Verfahren zur Gate-Ansteuerung sowie eine Anordnung der eingangs genannten Art geschaffen, wobei
Sprechwegschalter praktisch ohne Schwierigkeiten über viele Stufen zusammengeschaltet werden können
und ein konstanter Galeslrom in jede dieser Stufen einspeisbar ist.
F Ig13 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der
erfindungsgemäßen Anordnung zur Gate-Ansteuerung von Sprechwegschaltern, Um die Darstellung zu
in vereinfachen, sind in Fig.3 anodenseitig zusammengeschaltete
PNPN-Schaller 501, 601 und 701 aus einer
Anzahl von Schaltern, die drei Matrizen bilden, dargestellt.
Nach Fig.3 verbindet eine gemeinsame Anodenleitung
1 die Anoden der PNPN-Schalter 501,601 und 701 über einen ersten Anodenanschluß A\ und einen
Transformator 2 mit einer gemeinsamen Gleichspannungsquelle 3. Eine gemeinsame Kathodenleitung 4
verbindet die Kathode des PNPN-Schalters 501 über einen ersten Kathodenanschluß Ku einen Transformator
5. einen Stromsteiiwidersiand ö und einen
Stromschalter 7 mit Erde. Die Kathoden der übrigen PNPN-Schalter 601 und 701 sind in ähnlicher Weise
geerdet.
Die PNPN-Schalter 501, 601 und 701 sind mit ihren Steuergates 8 im Vielfach über entsprechende Dioden 9
mit einer einzigen gemeinsamen Gateansteuerleitung 10 verbunden. Diese gemeinsame Gateansteuerleitung 10
ist über einen ersten Gateansteuereingang G\ an eine
3ö geregelte Konstantstromquelle 30 angeschlossen. Diese
geregelte Konstantstromquelle 30 weist auf einen Stromspeisetransistor 31, einen Gatestrom-Stellwiderstand
32, zwei Spannungsklemmdioden 33 und 34, einen Strombegrenzungswiderstand 35. einen Steuertransistör
36 sowie eine Gleichspannungsquelle 37. Zwischen der Kathode und dem Steuergate 8 jedes PNPN-Schalters
501,601 und 701 liegt ein Widerstand 11.
Im Betrieb wird der dem PNPN-Schalter 501
zugeordnete Schalter 7 geschlossen, wodurch die Spannung der Gleichspannungsquelle 3 zwischen der
Anode und der Kathode des PNPN-Schalters 501 anliegt, wenn dieser durchgeschaltet werden soll.
Danach wird ein in F i g. 3 gezeigter Steuerimpuls an die Basis 38 des Steuertransistors 36 angelegt und macht
diesen leitend. Dadurch wird ein Basisstrom in die Basis des Transistors 31 eingespeist, so daß auch dieser
durchgeschaltet wird. Da gleichzeitig eine Spannung am Widerstand 32 mit Hilfe der Dioden 33 und 34 auf einen
konstanten Pegel festgeklemmt wird, wird auch der
so Emitterstrom des Transistors 31 konstant gehalten, so daß auch der Kollektorstrom dieses Transistors 31 ein
Konstantstrom ist, der das Produkt aus dem konstanten Emitterstrom und dem «-Stromverstärkungsfaktor des
Transistors 31 in Basisschaltung ist. Der Kollektorstrom des Transistors 31 fließt über die gemeinsame
Gateansteuerleitung 10, die einen Sperrstrom verhindernde Diode 9 und den Widerstand 11 in die Kathode
des PNPN-Schalters 501. Sobald der Spannungsabfall am Widerstand 11 größer als die Durchlaßrichtungs-
Sättigungsspannung des PN-Obergangs zwischen dem Steuergate 8 und der Kathode des PNPN-Scha!ters 501
ist, fließt ein Gatestrom in das Steuergate 8 des PNPN-Schalters 501 und schaltet diesen durch.
Das Basispotential des Transistors 31 wird durch die
f5 Spannung der Gleichspannungsquelle 37 und den
Spannungsabfall der Dioden 33 und 34 bestimmt Wenn also die Spannung der Gleichspannungsquelle 37 derart
gewählt ist, daß das Basispotential des Transistors 31
tiefer als das Kathodenpotential des leitenden PNPN-Schalters
501 ist, ist es völlig unmöglich, daß ein Störstrom in bereits hergestellte Sprechwege eingespeist
wird, oder daß irgendein nichtleitender PNPN-Schalter fehlgezündet wird. Dadurch läßt sich die -,
Anzahl der zusainmenschaltbaren Stufen auf einen Wert erhöhen, der durch Teilen der Differenz zwischen
der Kathodenspannung des PNPN-Schalters im leitenden und im nichtleitenden Zustand durch den Durchlaß-Spannungsabfall
am PNPN-Schalter gegeben ist. to Außerdem läßt sich der Gatestrom in allen Stufen
gleichgroß halten.
F i g. 4 bis 7 zeigen weitere Ausführungsbeispiele der in der erfindungsgemäßen Anordnung zur Gate-Ansteuerung
von Sprechwegschaltern verwendeten gere- (5
gelten Konstantstromquelle 30.
Im Ausführungsbeispiel nach F i g. 4 ist der geregelten Konstantstromquelle 30 nach Fig. 3 ein NPN-Transistor
40 hinzugefügt. Die Arbeitsweise des Ausführungsbeispiels nach Fig.4 stimmt mit jener der geregelten
Ronstantstromquelle 30 nach Fig. 3 völlig überein, jedoch sind die in der Ausgangsstufe angeordneten
Transistoren 31 und 40 in Darlington-Schaltung geschaltet. Diese Anordnung ist insbesondere dann
vorteilhaft, wenn die Stromquelle in integrierter Form aufgebaut ist. da in diesem Fall der PNP-Transistor 31
einen lateralen Aufbau hat, weshalb sein Stromverstärkungsfaktor nicht über einen bestimmten Grenzwert
erhöht werden kann.
Im Ausführungsbeispiel nach F i g. 5 sind die Dioden jo
33 und 34 der geregelten Konstantstromquelle 30 nach F i g. 3 durch eine Spannungsregeldiode 50 ersetzt. Auch
die Arbeitsweise dieses Ausführungsbeispiels nach F i g. 5 stimmt mit jener der geregelten Konstantstromquelle
30 nach F i g. 3 völlig überein, jedoch benötigt die in Fig. 5 gezeigte Schaltung nur eine Diode zur
Erzeugung des Spannungsabfalles.
Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 sind der Transistor
31, der Widerstand 32 sowie die Dioden 33 und 34 der geregelten Konstantstromquelle 30 nach Fig.3
durch zwei Transistoren 60 und 61 sowie durch einen Widerstand 62 ersetzt. Der Transistor 61 ist dabei zur
Basis und zum Emitter des Ausgangstransistors 60 derart parallelgeschaltet, daß der Kollektorstrom des
Transistors 61 durch Vergrößerung bzw. Verkleinerung des Kollektor-Ausgangsstroms des Transistors 60
vergrößert oder verkleinert werden kann, wodurch der mit Kollektor-Ausgangsstrom des Ausgangstransistors 60
konstant gehalten wird. Dadurch ist der Strom durch den Widerstand 62 im wesentlichen gleich dem
Koüektor-Ausgangsstrom des Ausgangstransistors 60, wenn der Stromverstärkungsfaktor des Transistors 60
etwa gleich dem Stromverstärkungsfaktor des Transistors 61 gewählt wird.
Im Ausführungsbeispiel nach F i g. 7 sind der Transistör
31, der Widerstand 32 sowie die Dioden 33 und 34 der geregelten Konstantstromquelle 30 nach Fig.3
durch eine Stromregeldiode 70 und einen Transistor 71 ersetzt Die Arbeitsweise dieses Ausführungsbeispiels
ist derart, daß durch Einspeisen eines Steuerimpulses in die Basis 38 des Transistors 36 die Transistoren 36 und
71 durchgeschaltet werden, wodurch auch die Stromregeldiode 70 leitet und einen Konstantstrom in die
gemeinsame Gateansteuerleitung 10, die an die Steuergates 8 der PNPN-Schalter angeschlossen ist,
einspeist Das Steuergate 8 jedes PNPN-Schalters in jeder der zusamnierigeschaHeten Stufen kann mit einem
konstanten Gatestrom versorgt werden, da dsr durch die Stromregeldiode 70 fließende Strom unabhängig
von der an der Diode 70 angelegten Spannung konstant gehalten wird.
Aus der vorhergehenden Beschreibung ist ersichtlich, daß bei dem erfindungsgemäßen Verfahren sowie der
erfindurtgsgemäßert Anordnung zur Gate-Ansteuerung von Sprechwegschaltern 1 χ η PNPN-Schalter in
jedem Schalterfeld, die anodenseitig zusammengefaßt sind, mit ihrem Steuergate über entsprechende Dioden
im wesentlichen an eine gemeinsame Gateansteuerlei- £üng angeschlossen sind, und daß eine einzige geregelte
Konstantstromquelle, deren Ausgangsstrom durch eine äußere Sleuersignalquelle geschaltet werden kann, an
diese gemeinsame Gateansteuerleitung angeschlossen ist und in das Steuergate jedes PNPN-Schalters einen
konstanten Gatestrom einspeist. Dadurch läßt sich die Ansteuerung gegenüber dem eingangs erläuterten
Verfahren zur Ansteuerung mit einer Konstantspannung stabil und zuverlässig durchführen. Dieser stabiia
und zuverlässige Betrieb ist darauf zurückzuführen, daß der in jede Stufe eingespeiste Gatestrom gleichgroß ist.
Die erfindungsgemäße Anordnung zur Gate-Ansteuerung von Sprechwegschaltern nach dem beschriebenen
Verfahren kann zudem in einfacher Weise entworfen und gefertigt werden, wobei eine unnötige Zunahme
von Teilen mit unterschiedlichen Eigenschaften vermieden wird, so daß auch die zum Entwurf benötigte Zeit
nicht unnötig erhöht wird.
Da die erfindungsgemäße Gateansteuerschaltung außerdem zentral an die Kreuzungspunkte von η
PNPN-Schaltern angeschlossen ist, ist die Anzahl dieser
Ansteuerschaltungen wesentlich kleiner als bei den bereits entwickelten Anordnungen, so daß die Ansteuerschaltungen
zusammen mit den PNPN-Schaltern integriert werden können, ohne daß sich die Herstellungskosten
merklich erhöhen.
Wenn die geregelte Konstantstromquelle nach F i g. 3 und 4 in Form einer integrierten Halbleiterschaltung
aufgebaut wird, lassen sich bestimmte, weiter unten genannte Vorteile erzielen. Wenn in Fig.3 der
Gateansteuerstrom fg, ist, kann der Kollektorstrom des
Transistors 31 nach folgender Gleichung (1) abgeschätzt werden:
R,
Vfdj=Durchlaßspannungen der Dioden 33 und 34,
Vbe = Durchlaßspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors 31,
αϊ =a-Stromverstärkungsfaktor des Transistors
αϊ =a-Stromverstärkungsfaktor des Transistors
31, und
R2 = Widerstandswert des Widerstands 32.
Der Mindest-Gateansteuerstrom Igb mj„ des an den Widerstand 11 angeschlossenen PNPN-Schalters 501 beträgt dabei
Der Mindest-Gateansteuerstrom Igb mj„ des an den Widerstand 11 angeschlossenen PNPN-Schalters 501 beträgt dabei
'«.im
Jk
%lmin
mit Vgt = Spannungsabfall zwischen Gate und Kathode
des PNPN-Schalters 501, und
Ri = Widerstandswert des Widerstands 11.
Wenn die geregelte Konstantstromquelle nach F ϊ g. 3 in ähnlicher Weise in eine integrierte Halbleiterschaltung umgesetzt wird, gilt:
Ri = Widerstandswert des Widerstands 11.
Wenn die geregelte Konstantstromquelle nach F ϊ g. 3 in ähnlicher Weise in eine integrierte Halbleiterschaltung umgesetzt wird, gilt:
VnB ~ Vfm " Vbe « V* = VF
mit Ff=OJV für Siliziumsubstrat.
mit Ff=OJV für Siliziumsubstrat.
DuiJi Einsetzen der Gleichung (3) in Gleichung (1)
ergibt sich:
fa<
(Γ>
Durch Setzen von at <=* 1 in Gleichung (Γ) ergibt sich
4. ~ γ d")
Die Gleichung (1") bedeutet, daß der Gateansteuerstrom ig, in der Ansteuerschaltung durch die Durchlaßspannung
der Diode und den Widerstand bestimmt ist, ebenso wie der Mindest-Gateansteuerström Ig,.mm der
PNPN-Schalter durch die Gleichung (2) bestimmt ist.
Mit Hilfe der Hälbleitef-Ifitegfationsfechnik ist es
möglich, Schwankungen im Verhältnis von Widerstandswerten
oder von Dioden-Durchlaßspannungen innerhalb eines Chips kieinzuhalten. Ferner können die
im vorhergehenden Aüsführungsbeispiel genannten
12
Dioden 33 und 34 durch PN-Übergänge von Transistoren ersetzt werden, die als Zweipol-Bauelemente
verwendet werden, außerdem kann die Anzahl der Dioden beliebig, jedoch nicht kleiner als zwei sein.
Wenn, wie bereits gesagt wurde, die in F i g. 3 und 4 dargestellte erfindungsgemäße Gate-Ansteueranordnung
für Sprechwegschalter als integrierte Halbleiterschaltung aufgebaut wird, kann der Widerstandswert
des Widerstands 32 zur Einstellung des Gatestroms lg,
dadurch bestimmt werden, daß eine sehr kleine Toleranz eingefügt wird, um Änderungen des Λ-Stromverstärkungsfaktorsai
des Transistors 31 zu berücksichtigen, so daß der Gateansteuerstrom der PNPN-Schal·
ter bei temperaturbedirigten Änderungen des Miridest-Gateansteuerstroms
geregelt werden kann; somit ist es also nicht erforderlich, den Gateansteuerstrom dadurch
festzulegen, daß ein Tölefänzbereich zur Berücksichtigung
von Änderungen des Mindest-Gateansteüerstforris
vorgegeben wird.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (12)
1. Verfahren zum Ansteuern der Steuergates von PNPN-Schaltern in einem mehrstufigen Koppelfeld
mit jeweils m χ π PNPN-Schaltern als Koppelvielfache,
in denen je eine PNPN-Koppelreihe darstellende 1 χ π PNPN-Schalter anodenseitig gemeinsam
an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen werden, ι ο unter Anschließen von Steuergates der je eine
PNPN-Koppelreihe darstellenden 1 χ π PNPN-Schalter
über entsprechende Dioden im wesentlichen an eine gemeinsame Gateansteuerleitung, für
Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen,
gekennzeichnet durch
Anschließen der gemeinsamen Gateansteuerleitung (10) jeweils an eine geregelte Konstantstromquelle (30), deren Ausgangsstrom durch eine äußere Steuersignalquelle geschaltet werden kann; und
Einspeisen eines Konstantstroms aus der geregelten Konstantstromquelle (30) in das Steuergate (8) jedes an einer Verbindung zu beteiligenden PNPN-Schalters (501, 601, 701) derart daß dieser eingeschaltet wird (F i g. 3).
Anschließen der gemeinsamen Gateansteuerleitung (10) jeweils an eine geregelte Konstantstromquelle (30), deren Ausgangsstrom durch eine äußere Steuersignalquelle geschaltet werden kann; und
Einspeisen eines Konstantstroms aus der geregelten Konstantstromquelle (30) in das Steuergate (8) jedes an einer Verbindung zu beteiligenden PNPN-Schalters (501, 601, 701) derart daß dieser eingeschaltet wird (F i g. 3).
2. Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einer Gateansteuerschaltung
und einem Verbindungsglied zum Anschließen von Steuergates der je eine PNPN-Koppelreihe
darstellenden 1 χ η PNPN-Schalter (iber entsprechende Dioden im wesentlichen an eine
gemeinsam*. Gateansteuerleitung, dadurch gekennfceichnet,
daß die Gatransteu /schaltung für jede der gemeinsamen Gateausf-suerleitungen (10) eine daran
angeschlossene geregelte Kor Santstromquelle (30) hat, deren Ausgangsstrom durch eine äußere
Steuersignalquelle schaltbar ist (F i g. 3).
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gateansteuerschaltung
aufweist:
einen ersten und einen zweiten Transistor (31, 36);
einen ersten und einen zweiten Widerstand (J2, 35);
eine erste und eine zweite Diode (33,34); und
eine Gleichspannungsquelle (37),
wobei angeschlossen sind:
eine Gleichspannungsquelle (37),
wobei angeschlossen sind:
der erste Transistor (31) emitterseitig über eine Reihenschaltung aus dem ersten Widerstand
(32) und der Gleichspannungsquelle (37) an Erde, basisseitig über den zweiten Widerstand
(35) an den Kollektor des zweiten Transistors
(36) und über die Reihenschaltung aus der ersten und der /weiten Diode (33, 34) an den
Verbindungspunkt zwischen dem ersten Widerstand (32) und der Gleichspannungsquelle (37),
und kollektorseitig an die gemeinsame Gateansteuerleitung (10), die mit den Steuergates (8)
der PNPN-Schalter (501, 601, 701) verbunden ist. und
der zweite Transistor (36) emitterseitig an Erde, und mit der Basis (38) an die äußere
Steuersignalquelle (F t g. 3).
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Basispotential des ersten Transistors (31) im leitenden Zustand der PNPN-Schalter
(501) 601, 701) niedriger als das Kathodenpotential der PNPN-Schalter (SOl, 601,701) gewählt
ist (F ig. 3).
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (31) in der
geregelten Konstantstromquelle (30) durch zwei Transistoren (31,40) in Darlington-Schaltung ersetzt
ist (F ig. 3,4).
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Diode
(33, 34) in der geregelten Konstantstromqnelle (30) durch eine Spannungsregeldiode (50) ersetzt sind
(F ig. 3,4,5).
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die geregelte Konstantstromquelle
(30) aufweist:
einen ersten, zweiten und dritten Transistor (60, 36,61);
einen ersten und zweiten Widerstand (62, 35); und
eine Gleichspannungsquelle (37);
wobei angeschlossen sind:
wobei angeschlossen sind:
der erste Transistor (60) emitterseitig über eine Reihenschaltung aus dem ersten Widerstand
(62) mit der Gleichspannungsquelle (37) an Erde, basisseitig über den zweiten Widerstand
(35) an den Kollektor des zweiten Transistors (36), und kollektorseitig an die gemeinsame
Gateansteuerleitung (10), die mit den Steuergates (8) der PNPN-Schalter (501, 601, 701)
verbunden ist;
der zweite Transistor (36) emitterseitig an Erde, und mil seiner Basis (38) an die äußere
Steuerspannungsquelle; und
der dritte Transistor (61) kollektorseitig an die Basis und basisseitig an den Emitter des ersten Transistors (60), sowie emitterseitig an den Verbindungspunkt der Reihenschaltung des ersten Widerstands (62) mit der Gleichspannungsquelle (37) (F i g. 3,6).
der dritte Transistor (61) kollektorseitig an die Basis und basisseitig an den Emitter des ersten Transistors (60), sowie emitterseitig an den Verbindungspunkt der Reihenschaltung des ersten Widerstands (62) mit der Gleichspannungsquelle (37) (F i g. 3,6).
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die geregelte Konstantstromquelle
(30) aufweist:
einen ersten und zweiten Transistor (71,36);
einen Widerstand (35);
eine Stromregeldiode (70); und
eine Gleichspannungsquelle (37),
wobei angeschlossen sind:
einen Widerstand (35);
eine Stromregeldiode (70); und
eine Gleichspannungsquelle (37),
wobei angeschlossen sind:
der erste Transistor (71) emitterseitig über die Gleichspannungsquelle (37) an Erde, basisseitig
über den Widerstand (35) an den Kollektor des zweiten Transistors (36), und kollektorseitig an
einen Anschluß der Stromregeldiode (70);
der zweite Transistor (36) emitterseitig an Erde, und mit seiner Basis (38) an die äußere Steuersignalquelle; und
der zweite Transistor (36) emitterseitig an Erde, und mit seiner Basis (38) an die äußere Steuersignalquelle; und
die Stromregeldiode (70) mit ihrem anderen Anschluß an die gemeinsame Gateansteuerleitung
(10). die mit den Steuergates (8) der PNPN Schalter (501, 601, 701) verbunden ist
(F i g. 3, 7).
9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, mit PNPN-Schaltern als Schaltglieder in integrierter
Halbleitertechnik, dadurch gekennzeichnet, daß die Gateansteuerschaltung als integrierte Halbleiterschaltung
aufgebaut ist mit einem Transistor (31), einem Widerstand (32) und zwei PN-Übergängen
(33,34), wobei angeschlossen sind:
der Emitter des Transistors (31) an ein Ende des
Widerstands (32) und die beiden PN -Übergänge (33, 34) in Reihe zwischen dem anderen Ende
des Widerstandes (32) und der Basis des Transistors (31), und wobei verwendet sind:
das andere Ende des Widerstands (32) als Anschluß für eine Gleichspannungsquelle (37), der Basisanschluß des Transistors (31) zum Einspeisen eines äußeren Steuersignals, und der Kollektoranschluß des Transistors (31) als Anschluß von Steuergates (8) der PNPN-Schal- to ter (501,601,701) (F ig. 3).
das andere Ende des Widerstands (32) als Anschluß für eine Gleichspannungsquelle (37), der Basisanschluß des Transistors (31) zum Einspeisen eines äußeren Steuersignals, und der Kollektoranschluß des Transistors (31) als Anschluß von Steuergates (8) der PNPN-Schal- to ter (501,601,701) (F ig. 3).
10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle der PN-Übergänge
zwei Dioden verwendet sind.
11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, mit PNPN-Schaltern als Schaltglieder in integrierter
Halbleitertechnik, mit einer Ansteuerschaltung einschließlich einer Darlington-Schaltung, dadurch
gekennzeichnet, daß die Gateansteuerschaltung als integrierte Halbleiterschaltung aufgebaut ist mit
zwei Transistoren (31, 40), einem Widerstand (32) und zwei Dioden (33,34),
wobei die beiden Transistoren (31, 40) aus einem ersten Transistor (31) und einem zweiten Transistor
(40) in Darlington-Schaltung zusammengeschaltet sind, von der angeschlossen sind:
ein Emitter an ein Ende des Widerstands (32), eine Reihenschaltung der beiden Dioden (33,
34) zwischen dem anderen Ende des Widerstands (32) und einem Basisanschluß der Darlington-Schaltung (31,40), und
wobei verwendet sind:
wobei verwendet sind:
das andere Ende des Widerstands (32) als Anschluß für eine Gleichspannungsquelle (37),
der Basisanschluß der Darlington-Schaltung (31, 40) zum Einspeisen eines äußeren Steuersignals,
und ein Kollektoranschluß der Darlington-Schaltung (31, 40) zum Anschließen von
Steuergates (8) der PNPN-Schalter (501, 6Oi, 70I)(Fi g. 3,4).
12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Gateansteuerschaltungen
zusammen mit den PNPN-Schaltern integriert werden.
45
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14556874A JPS576833B2 (de) | 1974-12-20 | 1974-12-20 |
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| DE2557209A1 DE2557209A1 (de) | 1976-06-24 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP (1) | JPS576833B2 (de) |
| CA (1) | CA1047634A (de) |
| DE (1) | DE2557209C2 (de) |
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| FR2396484A1 (fr) * | 1977-06-30 | 1979-01-26 | Telic | Matrice de commutation a thyristors |
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Family Cites Families (5)
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1974
- 1974-12-20 JP JP14556874A patent/JPS576833B2/ja not_active Expired
-
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|---|---|---|---|
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