[go: up one dir, main page]

DE2158270C3 - Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor - Google Patents

Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor

Info

Publication number
DE2158270C3
DE2158270C3 DE2158270A DE2158270A DE2158270C3 DE 2158270 C3 DE2158270 C3 DE 2158270C3 DE 2158270 A DE2158270 A DE 2158270A DE 2158270 A DE2158270 A DE 2158270A DE 2158270 C3 DE2158270 C3 DE 2158270C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
field effect
contactless switch
area
semiconductor body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2158270A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2158270B2 (de
DE2158270A1 (de
Inventor
Akio Ikeda Yamashita (Japan)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP10428570A external-priority patent/JPS527716B1/ja
Priority claimed from JP45106523A external-priority patent/JPS527717B1/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE2158270A1 publication Critical patent/DE2158270A1/de
Publication of DE2158270B2 publication Critical patent/DE2158270B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2158270C3 publication Critical patent/DE2158270C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00Thyristors
    • H10D18/40Thyristors with turn-on by field effect 
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/40Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of IGFETs with BJTs
    • H10D84/401Combinations of FETs or IGBTs with BJTs
    • H10D84/403Combinations of FETs or IGBTs with BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/406Combinations of FETs or IGBTs with vertical BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen kontaktlosen Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein kontaktloser Schalter dieser Art ist aus der Zeitschrift »elektronikpraxis« (1970) Nr. 7/8, Seiten 8 bis 10, bekannt. Ferner ist aus der Zeitschrift »Solid-State Electronics« Bd. 9 (1966), Nr. 5, Seiten 571 bis 580, ein kontaktloses schaltbares Halbleiterbauelement bekannt, bei dem innerhalb einer integrierten Halbleiterschaltung die Hallspannung eines Hallelements mittels des hohen Eingangswiderstandes eines MOS-Transistors verstärkt wird, bei dem also das Hallelement mit der isolierten Steuerelektrode des Feldeffekttransistors verbunden ist.
Der Erfindung liegt nunmehr demgegenüber die Aufgabe zugrunde, einen zum Ein-Ausschalten hoher Stromstärken geeigneten, magnetisch steuerbaren kontaktlosen Schalter zu schaffen.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
Sowie die zwischen der ersten Kontaktelektrode auf dem ersten Bereich und die zweite Steuerelektrode gelegte Schaltung kurzschließt, kann die Ein-Ausschaltung des kontaktlosen Schalters durch Änderung des Widerstandswertes des Hallelementes über die an die erste Steuerelektrode gelegte Vorspannung erfolgen. Hohe Stromstärken bis zu mehreren Ampere lassen sich deswegen erzielen, weil aufgrund der beiden gegenüberliegenden Steuerelektroden ein breiter Kanal zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich im Halbleiterkörper für die Stromleitung zur Verfugung steht.
Sieht man sowohl im ersten als auch im zweiten
Bereich des Halbleiterkörpers einen Bereich des gleichen Leitfähigkeitstyps wie der des Halbleiterkörpers vor, so erhält man einen bidirektionalen Schalter.
Der erfindungsgemäße Schalter ist insofern von großem industriellem Nutzen, als er als Tastaturschalter verwendet werden kann, der mit Hilfe eines Magnetfeldes steuerbar ist
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung näher erläutert, und zwar zeigt
to F i g. 1 eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines bekannten Feldeffekt-Thyristors,
Fig.2 eine bekannte Schaltung des Bauelements nach F ig. 1, Fig.3 die Spannung-Strom-Kennlinie des Bauele ments nach F i g. 1,
F i g. 4 die Veränderungskennünien von Spannung Vr und Widerstand R, des in F i g. 1 veranschaulichten Bauelements, Fi g. 5 die Veränderungskennlinien von Spannung V1/, und Spannung Vg des in F i g. 1 dargestellten Bauelements,
Fig.6 eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform Feldeffekt-Thyristors, Fig.7 die Spannung-Strom-Kennlinien des Bauele ments nach F i g. 6 und
Fig.8 die Schaltung eines erfindungsgemäßen kontaktlosen Schalters unter Verwendung eines der Bauelemente nach F i g. 1 oder F i g. 6. F i g. 1 zeigt einen bekannten Feldeffekt-Thyristor mit einem n-Halbleiterkörper 1, in dem an einer Hauptfläche p-Bereiche 2 und 3 ausgebildet sind, von denen der p-Bereich 3 einen n-Bereich 4 aufweist Das Bauelement hat ferner eine Isolierschicht 5, eine auf dem p-Bereich 2 vorgesehene Kontaktelektrode 6, eine auf dem n-Be reich 4 vorgesehene Kontaktelektrode 7, eine auf der Isolierschicht 5 angeordnete erste Steuerelektrode 8 und eine auf dem Halbleiterkörper befindliche zweite Steuerelektrode 9. Als Halbleitermaterial können Ge, Si, GaAs, GaP, InAs oder SiC verwendet werden, die alle in
«o der einschlägigen Technik bekannt sind.
Fig.2 zeigt eine bekannte Schaltung für den Feldeffekt-Thyristor der F i g. 1, bei dem ein Widerstand R, zwischen einen Lastwiderstand Rl und die Kontaktelektroden 6 und 9 geschaltet ist Die zwischen den
«5 Kontaktelektroden 6 und 7 auftretenden Strom-Spannungs-Kennlinien sind in F i g. 3 dargestellt die zeigen, daß das Bauelement am Punkt der Spannung Vn, von »AUS« auf »EIN« geschaltet wird, und daß die Spannung auf Vr zurückkehrt wenn das Bauelement von »EIN« auf »AUS« geschaltet wird.
Wie nun im Rahmen der Erfindung festgestellt wurde, hängt der Wert von Vr von R, ab, und zwar nähern sich V,h und Vr einander bei einer Verringerung von R, und stimmen schließlich überein, wie F i g. 4 zeigt d. h, die Obereinstimmung erfolgt zwischen der Spannung Vr, bei der das Bauelement von »EIN« auf »AUS« geschaltet wird, und der Spannung V,*, bei der das Bauelement von »AUS« auf »EIN« geschaltet wird. Wenn nun eine Steuerspannung an die erste Steuerelek trode 8 bei /?,=0 oder bei miteinander kurzgeschlosse nen Kontaktelektroden 6 und 9 gelegt wird, verändert sich V/a wie Fig.5 zeigt Wenn eine positive Steuerspannung an die erste Steuerelektrode angelegt wird, wird V)* größer, während die Spannung Vn, kleiner wird, wenn eine negative Steuerspannung angelegt wird. Das bedeutet, daß der Schalter mit Hilfe dieser Steuerspannung ein- und ausschalten kann, da V,*= Vr ist.
Die η- und p-Bereiche wurden nur zur besseren Erläuterung besonders festgelegt; diese Bereiche können auch gegeneinander ausgetauscht werden, ohne das Schaltprinzip zu verändern.
Im folgenden wird nun ein Ausführungsbeispiel eines kontaktlosen Schalters gemäß der Erfindung beschrieben.
Der in F i g. 1 dargestellte Feldeffekt-Thyristor ist mit der in F i g. 8 gezeigten erfindungsgemäßen Schaltung verbunden, die ein Hallelement H, Widerstände Rl und Ra einen Anodenanschluß A, einen Steueranschluß G und einen Kathodenanschluß K aufweist Die Bezugszahlen bezeichnen Elektroden, die denen der F i g. 1 und 2 entsprechen.
Die zwischen den Kontaktelektroden 6 und 7 erscheinenden Strom-Spannungs-Kennlinien sind die gleichen wie die in Zusammenhang mit Fig.3 beschriebenen. V<* bezeichnet die Kippspannung. Das Bauelement ist so geartet, daß es vom Einschaltzustand in den Ausschaltzustand zurückkehrt Durch Verändern des Widerstandswertes des Hallelements H mit Hilfe eines Magnetfeldes, wobei eine Spannung an den Steueranschluß G gelegt wird, wird die an die Steuerelektrode 8 gelegte Spannung verändert Es wurde festgestellt daß die Beziehung zwischen den Spannungen Va und V,h im wesentlichen den oben in Zusammenhang mit Fig.5 beschriebenen Kennlinien entspricht Die Spannung V1/, kann in Abhängigkeit von der Polarität der Steuerspannung Va erhöht bzw. verringert werden. Auf diese Weise kann man mit H;!fe eines Magnetfeldes eine Ein- und Ausschalt-Steuerung für Ströme in der Größenordnung von einigen zehn Milliampere bis zu einigen Ampere erzielen. Als Hallelement kann InSb, eine p-i-n-Ge-Diode od. dgl. verwendet werden.
Es ist auch möglich, das in Fig, I gezeigte Feldeffekt-Halbleiterbauelement in der Schaltung der F i g. 8 gegen den in F i g. 6 gezeigten Feldeffekt-Thyristor auszutauschen, das in npnpn- oder pnpnp-Form aufgebaut sein kann. In diesem Fall dient der Schalter als bidirektionaler Schalter. F i g. 6 zeigt einen n-Halbleiterkörper 10, p-Bereiche 11 und 12, n-Bereiche 13 und 14, eine Isolierschicht 15 und Elektroden 16,17,18 und 19. Bei diesem Aufbau ist es möglich, Kennlinien eines bidirektionalen negativen Widerstandes zu erhalten, wie sie in F i g. 7 dargestellt sind. In diesem Fall wird V,h mit der Steuerspannung gleichzeitig in zwei Richtungen verändert.
Im Grund ist es gleich ob die Widers:äiide RL und Rc vorhanden sind oder nicht Der wesentliche Punkt besteht darin, daß das Hallelement mit der ersten Steuerelektrode des Feldeffekt-Halbleiterbauelements verbinden ist.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

  1. Patentansprüche:
    ■t? Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor, mit einem Halbleiterkörper des einen, ersten Leitungstyps an einer Hauptfläche des Halbleiterkörpers, in dem ein erster und ein zweiter Bereich des entgegengesetzten, zweiten Leitungstyps gebildet sind und im ersten oder zweiten Bereich ein dritter Bereich des ersten Leitungstyps gebildet ist, weiter mit einer ersten und einer zweiten Kontaktelektrode auf dem ersten und dem dritten Bereich, und schließlich mit einer unter Zwischenlage einer Isolierschicht auf dem Halbleiterkörper zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich angeordneten Steuerelektrode und einer auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers angeordneten zweiten Steuerelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß mit der ersten Steuerelektrode {«*) ein Hallelement (H) verbunden ist und daß eine die erste Kontaktelektrode (6) auf dem ersten Bereich (2) und die zweite Steuerlektrode (9) bei Bedarf kurzschließende Schaltung vorgesehen ist
  2. 2. Kontaktloser Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in dem nicht mit dem dritten Bereich (14) versehenen ersten bzw. zweiten Bereich (11 bzw. 12) ein vierter Bereich (13) ausgebildet ist, der einen dem Leitungstyp des ersten bzw. zweiten Bereichs entgegengesetzten Leitungstyp aufweist und mit dem eine Elektrode (16) verbunden ist (F i g. 6).
DE2158270A 1970-11-26 1971-11-24 Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor Expired DE2158270C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10428570A JPS527716B1 (de) 1970-11-26 1970-11-26
JP45106523A JPS527717B1 (de) 1970-11-30 1970-11-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2158270A1 DE2158270A1 (de) 1972-06-29
DE2158270B2 DE2158270B2 (de) 1977-12-08
DE2158270C3 true DE2158270C3 (de) 1978-08-03

Family

ID=26444792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2158270A Expired DE2158270C3 (de) 1970-11-26 1971-11-24 Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3742318A (de)
AU (1) AU446887B2 (de)
CA (1) CA938736A (de)
DE (1) DE2158270C3 (de)
FR (1) FR2115412B1 (de)
GB (1) GB1377996A (de)
NL (1) NL7116235A (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3831187A (en) * 1973-04-11 1974-08-20 Rca Corp Thyristor having capacitively coupled control electrode
US3916428A (en) * 1973-05-19 1975-10-28 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Semiconductor magneto-resistance element
JPS6036708B2 (ja) * 1978-02-24 1985-08-22 株式会社日立製作所 電界効果形サイリスタのゲ−ト回路
JPS5936832B2 (ja) * 1978-03-14 1984-09-06 株式会社日立製作所 半導体スイッチング素子
DE2922250A1 (de) * 1979-05-31 1980-12-11 Siemens Ag Lichtsteuerbarer transistor
DE2945366A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschluessen
DE2945380A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Triac mit einem mehrschichten-halbleiterkoerper
DE2945347A1 (de) * 1979-11-09 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit hilfsemitterelektrode und verfahren zu seinem betrieb
FR2774511B1 (fr) * 1998-01-30 2002-10-11 Commissariat Energie Atomique Substrat compliant en particulier pour un depot par hetero-epitaxie

Also Published As

Publication number Publication date
US3742318A (en) 1973-06-26
DE2158270B2 (de) 1977-12-08
NL7116235A (de) 1972-05-30
CA938736A (en) 1973-12-18
AU446887B2 (en) 1974-04-04
FR2115412B1 (de) 1976-09-03
GB1377996A (en) 1974-12-18
DE2158270A1 (de) 1972-06-29
FR2115412A1 (de) 1972-07-07
AU3610671A (en) 1973-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0114371B1 (de) MISFET mit Eingangsverstärker
DE2154904C3 (de) Temperaturkompensierte Bezugsgleichspannungsquelle
DE2009102C3 (de) Integrierte Halbleiteranordnung mit komplementären Feldeffekttransistoren
EP0096190A1 (de) Magnetfeldsensor
DE2158270C3 (de) Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor
DE1514431A1 (de) Halbleiteranordnung mit pn-UEbergang zur Verwendung als spannungsabhaengige Kapazitaet
DE2363089C3 (de) Speicherzelle mit Feldeffekttransistoren
DE1564048C3 (de) Halbleiterschalter für niedrige Schaltspannungen
DE1115837B (de) Flaechentransistor mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper
DE1216435B (de) Schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Zonen
DE2061943C3 (de) Differenzverstärker
DE3926944A1 (de) Mosfet mit darin enthaltenem stromspiegel-fet
DE1185294C2 (de) Schaltungsanordnung mit unipolartransistoren auf einer einkristallinen halbleiterplatte
DE1906324C3 (de) Integrierte Halbleiteranordnung mit vier auf dem gleichen Halbleitersubstrat angeordneten und elektrisch miteinander verbundenen Feldeffekttransistorelementen
DE1212221B (de) Halbleiterbauelement mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und zwei sperrfreien Basiselektroden
DE1514228C3 (de) Feldeffekttransistor
DE2520608C3 (de) Halbleiteranordnung zum Digitalisieren eines analogen elektrischen Eingangssignals
EP0008008A1 (de) Thyristor
DE1132662B (de) Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone
DE1764152B2 (de) Steuerbares feldeffekt-halbleiterbauelement mit zwei stabilen zustaenden
DE2835143A1 (de) Thyristor
DE1936603U (de) Halbleiterschalter.
EP0065173A2 (de) Thyristor mit verbessertem Schaltverhalten
EP0044021A1 (de) Aus MIS-Feldeffekttransistoren bestehender elektrischer Widerstand für integrierte Halbleiterschaltungen
DE2163922C3 (de) Feldeffekt-Thyristor

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)