DE2154163A1 - Verlustbehaftetes Hochfrequenzfilter - Google Patents
Verlustbehaftetes HochfrequenzfilterInfo
- Publication number
- DE2154163A1 DE2154163A1 DE19712154163 DE2154163A DE2154163A1 DE 2154163 A1 DE2154163 A1 DE 2154163A1 DE 19712154163 DE19712154163 DE 19712154163 DE 2154163 A DE2154163 A DE 2154163A DE 2154163 A1 DE2154163 A1 DE 2154163A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- metal
- strip
- filter according
- dielectric material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 15
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 9
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- XBYNNYGGLWJASC-UHFFFAOYSA-N barium titanium Chemical compound [Ti].[Ba] XBYNNYGGLWJASC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052767 actinium Inorganic materials 0.000 description 1
- QQINRWTZWGJFDB-UHFFFAOYSA-N actinium atom Chemical compound [Ac] QQINRWTZWGJFDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/66—Structural association with built-in electrical component
- H01R13/719—Structural association with built-in electrical component specially adapted for high frequency, e.g. with filters
- H01R13/7197—Structural association with built-in electrical component specially adapted for high frequency, e.g. with filters with filters integral with or fitted onto contacts, e.g. tubular filters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/66—Structural association with built-in electrical component
- H01R13/719—Structural association with built-in electrical component specially adapted for high frequency, e.g. with filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H1/0007—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of radio frequency interference filters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
Zusatz zu P 20 58 419*4
In der Hauptanmeldung P 20 58 419·4 ist ein verlustbehaftetes
Hochfrequenzfilter beschrieben.
Das Filter weist ein Ferritsubstrat mit einer Schicht aus
dielektrischem Material auf, wobei die Schicht aus dielektrischem Material unmittelbar auf das Ferritsubstrat niedergeschlagen
ist.
Die Zusatzerfindung betrifft eine modifizierte Ausführungsform des oben beschriebenen Filters, wobei das Substrat kein
Ferritmaterial, sondern ein halbleitendes Keramikmaterial ist.
Ein verlustbehaftetes Hochfrequenzfilter mit einem Element, auf das unmittelbar eine Schicht aus dielektrischem Material,
beispielsweise Bariumtitanat, niedergeschlagen ist, gemäß Hauptanmeldung P 20 58 419.4, kennzeichnet sich gemäß der Zusatzerfindung
dadurch, dass das Element aus halbleitendem keramischem Material besteht.
209820/0647
Bayerische Vereinsbank München 820993
AMP 2974 - 2 -
Eine derartige modifizierte Ausführungsform weist nicht die
dem magnetischen Ferrit zugeordneten VerlustCharakteristiken
auf und ist bei hohen Frequenzen nicht so wirksam wie das das Ferritmaterial aufweisende Filter. Für manche Verwendungszwecke
ist jedoch das mit einem halbleitenden Keramiksubstrat ausgebildete Filter durchaus, zufriedenstellend und kann mit
geringerem Kostenaufwand hergestellt werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Von den Figuren
P zeigen:
Figur 1 einen axialen Schnitt durch ein bekanntes verlustbehaftetes Hochfrequenzfilter zur Verwendung
an einem elektrischen Anschlußstift;
Figur 2 eine der Figur 1 ähnliche Darstellung, wobei eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Filters gezeigt ist;
Figur 3 einen axialen Schnitt in verkleinertem Maßstab durch das Filter von Figur 2, das von einem
Isolierkörper getragen wird und auf einem elektrischen Anschlußstift vorgesehen ist;
Figur 4 eine teilweise geschnittene perspektivische
Darstellung eigner anderen Ausführungsform
^ eines erfindungsgemäßen verlustbehafteten
w Hochfrequenzfilters, das mit einer gedruckten
Schaltung verbunden ist; und
Figuren Schnittdarstellungen weiterer Ausführungsformen 5 bis 7 erfindungsgemäßer verlustbehafteter Hochfrequenzfilter.
Das in Figur 1 gezeigte bekannte Filter weist zwei konzentrische Hülsen auf, wobei die Innenhülse eine stranggepreßte
Ferritröhre 1 mit einem Metallüberzug 2 und die Außenhülse eine Bariumtitanatröhre 3 mit einem Metallüberzug 4 ist und
wobei die Hülsen durch elektrisch leitendes Epoxydharz oder durch Verlöten aneinander befestigt sind. Bei der Herstellung
209820/0647
AMP 2974 - 3 -
des Filters von Figur 1 muß jede der Röhren 1 und 3 durch
Strangpressen hergestellt werden, und jede Röhre muß mit
Metallüberzug versehen werden, und schließlich müssen die
Hülsen fest miteinander verbunden werden.
Das in Figur 2 gezeigte Filter, weist eine stranggepreßte
Röhre 5 aus dotiertem halbleitendem keramischem Material auf, auf welcher eine Bariumtitanatschicht 6 niedergeschlagen
ist, beispielsweise durch elektrophoretisohes Niederschlagen etwa gemäß dem Verfahren nach der US-Patentschrift
2 84-3 54-1« Das halbleitende Keramikmaterial kann beispielsweise
eines der halbleitenden Bariumtitanate sein, die durch bekannte Behandlungsverfahren gemäß der US-Patentschrift
3 268 783 erzeugt werden und als "halbleitende Bariumtitanate
mit gesteuerter Wertigkeit" bezeichnet werden. Wie in der US-Patentschrift 3 268 783 ausgeführt wird, kann halbleitendes
Keramikmaterial mittels Steuerung der Wertigkeit erzeugt werden, und dieses Verfahren kann ausgeführt werden bei Mitgliedern
der allgemein mit E +M 0, "~ bezeichneten Materialfamilie,
wobei E ein Erdalkalienelement ist, das aus der aus Barium, Magnesium, Kalzium, Strontium, Blei und deren Mischungen
bestehenden Gruppe gewählt ist, M ein Metall der aus Titan, Zinn und Zirkonium bestehenden Gruppe ist und 0 Sauerstoff
ist. Bariumtitanat ist ein Mitglied der vorgenannten Materialfamilie. Wie in der US-Patentschrift 3 268 783 weiter
betont wird, können die zur Wertigkeitssteuerung verwendeten Additive ein Material A enthalten, das aus der aus Yttrium,
Aktinium, !Thorium, Antimon, Wismuth, Mitgliedern der Edelmetallelemente
und deren Mischungen besteht, oder ein Material B, das zu der aus Vanadium, Niob,- , Tantal, Selen,
Tellur, Wolfram und deren Mischungen bestehenden Gruppe gehört, Die Gesamtmenge des Additives sollte zwischen 0,01 und 0,50
Atomprozent des Trägermaterials betragen, wobei das.Erdalkalienmaterial
E das Trägermaterial bei Verwendung des Additives A und das Metall M das Trägermaterial bei Verwendung
des Additives B ist.
209820/0647
AKEP 2974 - 4 -
Nachdem das Bariumtitanat auf die halbleitende Keramikröhre
5 niedergeschlagen ist, wird der so gebildete Körper mit einem Metallüberzug 7 plattiert, wobei Spalte 8 und 9 in
dem Metallüberzug belassen werden, um die Erdungselektrode und die zentrale Stiftelektrode des Filters voneinander zu
trennen.
Bei dem bekannten Filter gemäß Figur 1 müssen Spalte 10 und
11 für die Erdungselektrode und die zentrale Stiftelektrode in der Metallplattxerung vorgesehen werden, und außerdem muß
ein Spalt 12 in der Plattierung an der Innenseite der Außenhülse vorgesehen sein. Außerdem muß, wenn die Innenhülse mit
ihrem Metallüberzug versehen wird, ein freier Raum 12a vorgesehen werden, so daß das Ferrit nicht stromlos gemacht wird,
Dementsprechend ist die Herstellung des Filters gemäß Figur 2 weit einfacher als die des Filters gemäß Figur 1.
Bei der Konstruktion des Filters gemäß Figur 2 ist es möglich, einen extrem dünnen Film Bariumtitanat zu erhalten,
der beispielsweise eine Dicke von nur 0,05-0,09 mm aufweist. Ein derartiger Film sorgt für eine weit höhere Kapazität per
Einheitenlänge des Filters sowie bei einer vorgegebenen dielektrischen Konstante für eine größere Dämpfung per Einheitenlänge,
als dies-bei einem herkömmlichen Filter der Fall ist.
Figur 5 zeigt das Filter gemäß Figur 2 in Position auf einem elektrischen Anschlußstift 14, wobei eine Erdungsplatte 15
an einem das Filter aufnehmenden Isolierkörper mit der Außenfläche des Filters in Schnappverbindung steht zur Herstellung
einer Erdungsverbindung mit dem Filter.
Figur 4 veranschaulicht die Anwendung der Erfindung bei einem verlustbehafteten Hochfrequenzfilterstreifen für eine
gedruckte Schaltung. Der Filterstreifen weist ein dotiertes halbleitendes Keramikelement 16 auf, das auf einer Seite
209820/0647
AMP 2974 - 5 -
eine niedergeschlagene Bariumtitanatschicht 17 trägt, die
von einer Metallplattierung 18 bedeckt ist, und auf der anderen
Seite eine Metallplattierung 19 aufweist, die an einen Erdungsleiter 20 einer gedruckten Schaltungsplatte
angelötet ist. Schaltungskomponenten 21 und 22 sind mit dem
Filterstreifen durch leitungen 23 und 24 verbunden, welche
auf die Plattierung 18, die ein G-leichstromverteilerelement
bildet, aufgelötet sind. Wenn die Komponenten 21 und 22 beispielsweise in einer digitalen Schaltung getriggert werden
sollen, wird die Plattierung 18 normalerweise mit hohen Frequenzen
beaufschlagt, so daß Rauschen erzeugt wird, das andere, nicht gezeigte Schaltungskomponenten auf der Schaltungsplatte
stört. Das verlustbehaftete Filter dient jedoch dazu, die Komponenten 21 und 22 zu trennen.
Obwohl Bariumtitanat als dielektrisches Material besonders geeignet ist, können andere niedrige dielektrische Konstanten,
aufweisende dielektrische Materialiaa, zur Steuerung der G-renzfreq.uenz des Filters niedergeschlagen werden.
Gemäß Figur 5 weist ein dotiertes Halbleiterelement 25 auf
jeder Seite niedergeschlagene Bariumtitanatschichten 26 bzw.
27 auf, über welche Metallplattierungen 28 bzw. 29 aufgebracht
sind. Ein derartiges Filter hat eine hohe Durchsehlagsspannung.
Das in Figur 6 gezeigte Filter weist dotierte halbleitende Keramikelemente 33 und 34 auf, zwischen denen sieh eine lei
tende Metallschicht 31 befindet. Auf dem Element 33 ist ein äußerer Bariumtitanatüberzug 35 niedergeschlagen, der von
einer Schicht 30 aus Metall bedeckt ist, und auf dem Element
34 ist ein äußerer Bariumtitanatüberzug 36 niedergeschlagen,
der von einer Metallschicht 32 bedeckt ist. Die Schicht 31 kann die leitende Schioht des Filters sein, und die Schichten
30 und 32 können geerdet sein. Ein derartiges Filter besitzt tine hohe Kapazität und einen hohen Verlust per Einheitenlänge. 209820/0647
AMP 2974 - 6 -
Ein Mehrfachstromkreisfilter gemäß Figur 7 weist ein dotiertes
harbleitendes Keramikelement 37 auf, auf dessen einer
Seite sich ein einzelner Erdungsleiter 43 befindet; voneinander getrennte elektrisch leitende Streifen 39 "bis 42 sind
auf einer auf der anderen Seite des Elements 37 niedergeschlagenen Bariumtitanatschicht 38 vorgesehen.
209820/064?
Claims (8)
- Pat entansprücheI.) Verlustbehaftetes Hochfrequenzfilter mit einem Element, auf das unmittelbar eine Schicht aus dielektrischem Material, beispielsweise Bariumtitanat, niedergeschlagen ist, gemäß Hauptanmeldung P 20 58 419.4, dadurch gekennzeichnet , daß das Element (5, 16, 25, 53» 37) aus halbleitendem keramischem Material besteht.
- 2. Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das halbleitende Keramikmaterial (5, 16, 25, 33, 37) dotiertes Bariumtitanat ist.
- 3· Filter nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß auf der Schicht aus dielektrischem Material eine Metallplattierung (7» 19, 28, 30, 43) vorgesehen ist.
- 4· Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das halbleitende Keramikelement die Form einer stranggepreßten Höhre (5) hat, deren Außenfläche mit der Schicht (6) aus dielektrischem Material bedeckt ist, und daß die Außenfläche der Schicht (6) und die Innenfläche der Röhre (5) metallplattiert sind.
- 5. Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das halbleitende Keramikelement die Form eines Streifens (16) hat, auf dessen eine Seite die Schicht (17) aus dielektrischem Material unmittelbar niedergeschlagen ist, wobei die Schicht (17) und die andere Seite des keramischen Streifens (16) metallplattiert sind und wobei die Metallplattierung (19) auf dem Streifen (16) elektrisch mit einem Erdungsleiter (20) auf einer gedruckten-Schaltungsplatte verbunden ist und die Metallplattierung (18) auf der Schicht (17) aus dielektrischem Material elektrisch mit einer elektrischen Schaltungskomponente (21) auf der Platte verbunden ist.209820/0647AMP 2974 - r -
- 6. Filter nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet , daß das halbleitende keramische Element ein Streifen (25) ist, auf dessen beide Seiten eine Bariumtitanatschicht niedergeschlagen ist, wobei auf jeder Bariumtitanatschioht (26 und 27) eine Metallschicht (28 und 29) vorgesehen ist.
- 7. Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das halbleitende keramische Element ein Streifen (33) ist, der auf einer Seite eine elektrisch leitende Metallschicht (31) und auf seiner entgegengesetzten Seite die Schicht (35) aus dielektrischem Material trägt, wobei die Metallschicht (31) an einer Seite eines weiteren keramischen Streifens (34) befestigt ist, dessen andere Seite eine weitere unmittelbar darauf niedergeschlagene Schicht (36) aus dielektrischem Material trägt, und wobei jede Schicht (35 und 36) aus dielektrischem Material eine Metallplattierung (30 und 32) trägt.
- 8. Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das keramische Element ein Streifen(37) ist, auf dessen einer Seite die dielektrische Schicht(38) vorgesehen ist, wobei die andere Seite des Streifens(37) an einer metallischen Erdungsplatte (43) befestigt ist und Metallstreifen (39-42) auf der dielektrischen Schicht(38) vorgesehen sind.209820/0647Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US88350169A | 1969-12-09 | 1969-12-09 | |
| US8804270A | 1970-11-09 | 1970-11-09 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2154163A1 true DE2154163A1 (de) | 1972-05-10 |
| DE2154163B2 DE2154163B2 (de) | 1979-09-20 |
| DE2154163C3 DE2154163C3 (de) | 1980-06-04 |
Family
ID=26778097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2154163A Expired DE2154163C3 (de) | 1969-12-09 | 1971-10-29 | Verfahren zur Herstellung eines verlustbehafteten Hochfrequenzfilters |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3743978A (de) |
| BE (1) | BE774939R (de) |
| DE (1) | DE2154163C3 (de) |
| FR (1) | FR2113619A6 (de) |
| GB (1) | GB1304510A (de) |
| NL (1) | NL7114344A (de) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE794865A (fr) * | 1969-12-09 | 1973-08-01 | Amp Inc | Filtre electrique dissipatif haute frequence |
| US3961294A (en) * | 1975-04-21 | 1976-06-01 | Amp Incorporated | Connector having filter adaptor |
| CA1064118A (en) * | 1975-04-28 | 1979-10-09 | Eric E. Vander Heyden | Filtered connector assembly with composite ground plane |
| US4020430A (en) * | 1975-04-28 | 1977-04-26 | Amp Incorporated | Filtered connector assembly with composite ground plane |
| US4267536A (en) * | 1977-09-30 | 1981-05-12 | Amp Incorporated | Stepped pin potted filter assembly |
| US4215326A (en) * | 1978-01-16 | 1980-07-29 | Amp Incorporated | Filtered adapter |
| US4212510A (en) * | 1978-11-14 | 1980-07-15 | Amp Incorporated | Filtered header |
| JPS56128002A (en) * | 1980-03-13 | 1981-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | Antenna equipment |
| US4296390A (en) * | 1980-04-21 | 1981-10-20 | Amp Incorporated | Solderless filter mounting for header assemblies |
| US4553114A (en) * | 1983-08-29 | 1985-11-12 | Amp Incorporated | Encapsulated printed circuit board filter |
| EP0169053B1 (de) * | 1984-07-16 | 1990-10-10 | Nippondenso Co., Ltd. | HF-Filter für elektronische Instrumente |
| DE3528498A1 (de) * | 1985-08-08 | 1987-02-19 | Albatron Elektronik Gmbh | Steckverbinder |
| SE449406B (sv) * | 1985-08-27 | 1987-04-27 | Ellemtel Utvecklings Ab | Forlustbeheftad filteranordning for att undertrycka radiofrekventa storningar pa en tvatradsledning |
| DE3801328A1 (de) * | 1988-01-19 | 1989-07-27 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur herstellung eines formkoerpers aus oxidkeramik |
| EP0583809B1 (de) * | 1992-07-20 | 1999-05-26 | General Motors Corporation | Ferromagnetische und ferroelektrische Verbundmaterialien |
| US6758698B1 (en) | 1992-12-23 | 2004-07-06 | Panduit Corp. | Communication connector with capacitor label |
| TW218060B (en) * | 1992-12-23 | 1993-12-21 | Panduit Corp | Communication connector with capacitor label |
| US5382928A (en) * | 1993-01-22 | 1995-01-17 | The Whitaker Corporation | RF filter having composite dielectric layer and method of manufacture |
| US5497129A (en) * | 1994-06-27 | 1996-03-05 | General Motors Corporation | Filter elements having ferroelectric-ferromagnetic composite materials |
| EP0732777A3 (de) * | 1995-03-14 | 1997-06-18 | At & T Corp | Elektromagnetische Interferenz unterdrückende Verbinderleiste |
| US5899755A (en) * | 1996-03-14 | 1999-05-04 | Johnstech International Corporation | Integrated circuit test socket with enhanced noise imminity |
| US20020121943A1 (en) * | 2000-05-25 | 2002-09-05 | Alexander Axelrod | EMI filters based on amorphous metals in a form of a microwire, a ribbon and/or a powder |
| US6717241B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-04-06 | Micron Technology, Inc. | Magnetic shielding for integrated circuits |
| WO2011140438A2 (en) | 2010-05-07 | 2011-11-10 | Amphenol Corporation | High performance cable connector |
| US9831588B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-11-28 | Amphenol Corporation | High-frequency electrical connector |
| WO2015112773A1 (en) | 2014-01-22 | 2015-07-30 | Amphenol Corporation | Very high speed, high electrical interconnection system with edge to broadside transition |
| CN111430991B (zh) | 2015-07-07 | 2022-02-11 | 安费诺富加宜(亚洲)私人有限公司 | 电连接器 |
| CN115000735B (zh) | 2016-08-23 | 2025-09-09 | 安费诺有限公司 | 可配置为高性能的连接器 |
| CN208862209U (zh) | 2018-09-26 | 2019-05-14 | 安费诺东亚电子科技(深圳)有限公司 | 一种连接器及其应用的pcb板 |
| CN111585098B (zh) | 2019-02-19 | 2025-08-19 | 安费诺有限公司 | 高速连接器 |
| WO2021154718A1 (en) | 2020-01-27 | 2021-08-05 | Fci Usa Llc | High speed, high density direct mate orthogonal connector |
| CN115428275B (zh) | 2020-01-27 | 2025-12-30 | 富加宜(美国)有限责任公司 | 高速连接器 |
| CN215816516U (zh) | 2020-09-22 | 2022-02-11 | 安费诺商用电子产品(成都)有限公司 | 电连接器 |
| CN213636403U (zh) | 2020-09-25 | 2021-07-06 | 安费诺商用电子产品(成都)有限公司 | 电连接器 |
| CN215266741U (zh) | 2021-08-13 | 2021-12-21 | 安费诺商用电子产品(成都)有限公司 | 一种满足高带宽传输的高性能卡类连接器 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE428241A (de) * | 1937-05-24 | |||
| US2443109A (en) * | 1943-05-01 | 1948-06-08 | Rca Corp | Super high frequency attenuator |
| US2782381A (en) * | 1946-01-30 | 1957-02-19 | Walter P Dyke | Filament voltage terminal for pulse transformer |
| US2611094A (en) * | 1950-02-16 | 1952-09-16 | Harold B Rex | Inductance-capacitance resonance circuit |
| US3380004A (en) * | 1959-01-20 | 1968-04-23 | Mcmillan Corp Of North Carolin | Aperiodic low-pass filter |
| BE625303A (de) * | 1961-12-11 | |||
| US3275953A (en) * | 1963-08-20 | 1966-09-27 | Erie Technological Prod Inc | Multiple pin connector having ferrite bead-capacitor filter |
| US3456215A (en) * | 1964-09-02 | 1969-07-15 | Peter A Denes | High frequency low pass filter |
| US3435387A (en) * | 1965-09-01 | 1969-03-25 | Allen Bradley Co | Solderless mounting filter connection |
| US3447143A (en) * | 1966-06-30 | 1969-05-27 | Research Corp | Reciprocal ferrite phase shifters and memory system utilizing same |
| US3458837A (en) * | 1966-12-22 | 1969-07-29 | Bell Telephone Labor Inc | Filter element using ferromagnetic material loading |
| US3588758A (en) * | 1969-04-28 | 1971-06-28 | Itt | Electrical connector filter having dielectric and ferromagnetic tubes bonded together with conductive electrode layers and having nonintegral connecting spring |
| US3566311A (en) * | 1969-05-02 | 1971-02-23 | Westinghouse Electric Corp | Reciprocal ferrite film phase shifter having latching conductor film |
-
1970
- 1970-11-09 US US00088042A patent/US3743978A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-10-15 GB GB4797971A patent/GB1304510A/en not_active Expired
- 1971-10-19 NL NL7114344A patent/NL7114344A/xx unknown
- 1971-10-29 DE DE2154163A patent/DE2154163C3/de not_active Expired
- 1971-11-04 BE BE774939A patent/BE774939R/xx active
- 1971-11-05 FR FR7139749A patent/FR2113619A6/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2113619A6 (de) | 1972-06-23 |
| DE2154163C3 (de) | 1980-06-04 |
| BE774939R (fr) | 1972-03-01 |
| DE2154163B2 (de) | 1979-09-20 |
| GB1304510A (de) | 1973-01-24 |
| US3743978A (en) | 1973-07-03 |
| NL7114344A (de) | 1972-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2154163A1 (de) | Verlustbehaftetes Hochfrequenzfilter | |
| DE2058419A1 (de) | Verlustbehaftetes Hochfrequenzfilter | |
| DE69414728T2 (de) | Filterorgan mit verteiltem Element und Herstellungsverfahren | |
| DE2235783C2 (de) | Metalloxid-Varistorelement | |
| DE2118430A1 (de) | Dickschicht Induktor mit feitomag netischem Kern | |
| DE10153770A1 (de) | Gestapelte piezoelektrische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE2752333A1 (de) | Streifenleitungs-kondensator | |
| DE2508140C3 (de) | Überspannungsableiter | |
| DE1085916B (de) | Kryotron, das einen Torleiter und einen Steuerleiter enthaelt | |
| DE3905444C2 (de) | Keramischer Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2126303A1 (de) | Eine isolierte Gate-Elektrode aufweisender Feldeffekt-Transistor mit veränderlicher Verstärkung | |
| DE864131C (de) | Elektrischer Kondensator mit auf die Stirnseiten aufgebrachten leitenden Schichten | |
| DE1262465B (de) | Verzoegerungseinrichtung in Form einer Kunstleitung mit verteilten Induktivitaeten und Kapazitaeten | |
| DE2352712A1 (de) | Wellenleitung mit sperrkondensator | |
| DE3786807T2 (de) | Halbleiterbauelement mit variabler Kapazität. | |
| DE68906044T2 (de) | Supraleitende logische vorrichtung. | |
| DE3702780A1 (de) | Integrierte Varistor-Schutzvorrichtung zum Schutz eines Elektronikbauteils gegen die Wirkungen von elektromagnetischen Feldern oder statischen Ladungen | |
| DE2157707C3 (de) | Verzögerungsleitung | |
| DE1962316A1 (de) | Elektrische Leitung fuer die UEbertragung elektrischer Wellen | |
| DE2700388C2 (de) | Entstöranordnung an einem Elektrowerkzeug oder -gerät mit einem ganz oder teilweise aus Metall bestehenden Gehäuse | |
| DE2329488C3 (de) | Magnetischer Fühler mit einem parametrisch erregten zweiten harmonischen Oszillator | |
| DE112020005494T5 (de) | Varistor | |
| DE2832735A1 (de) | Stabilisierter varistor | |
| DE3004736A1 (de) | Nicht-lineare widerstandselemente und verfahren zu deren herstellung | |
| DE1816439C3 (de) | Leistungstransistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OD | Request for examination | ||
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: KADOR, U., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. KLUNKER, H., DIPL.-ING. DR.RER.NAT. SCHMITT-NILSON, G., DIPL.-ING. DR.-ING. HIRSCH, P., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: KLUNKER, H., DIPL.-ING. DR.RER.NAT. SCHMITT-NILSON, G., DIPL.-ING. DR.-ING. HIRSCH, P., DIPL.-ING.,PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |