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DE2053195B2 - Verfahren zur Herstellung von Organo H silanen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Organo H silanen

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Publication number
DE2053195B2
DE2053195B2 DE2053195A DE2053195A DE2053195B2 DE 2053195 B2 DE2053195 B2 DE 2053195B2 DE 2053195 A DE2053195 A DE 2053195A DE 2053195 A DE2053195 A DE 2053195A DE 2053195 B2 DE2053195 B2 DE 2053195B2
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DE
Germany
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silanes
carbon atoms
reaction
radicals
organo
Prior art date
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Granted
Application number
DE2053195A
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English (en)
Other versions
DE2053195C3 (de
DE2053195A1 (de
Inventor
Keith Winton Midland Mich. Michael (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of DE2053195A1 publication Critical patent/DE2053195A1/de
Publication of DE2053195B2 publication Critical patent/DE2053195B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2053195C3 publication Critical patent/DE2053195C3/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0896Compounds with a Si-H linkage
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12Organo silicon halides
    • C07F7/121Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
    • C07F7/126Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-Y linkages, where Y is not a carbon or halogen atom

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

worin R, X und η die angegebene Bedeutung 20 in der R' einen Alkylrest mit 2 bis 10 C-Atomen be-
haben, mit Aluminiumalkylverbindungen der For- deutet, auf mindestens 300° C erhitzt und die gebildeten
mein Reaktionsprodukte vor ihrer Zersetzung aus der Er-
hitzungszone entfernt.
K 3AI oder K jjAlH Daserfindungsgemäße Verfahren wird zweckmäßig
25 so durchgeführt, daß das Gemisch aus den Silanen und
in der R' einen Alkylrest mit 2 bis 10 C-Atomen be- den Aluminiumalkylverbindungen im wesentlichen bei
deutet, auf mindestens 3000C erhitzt und die ge- Atmosphärendruck in die Erhitzungszone eingebracht
bildeten Reaktionsprodukte vor ihrer Zersetzung und dann die gebildeten Reaktionsprodukte so rasch
aus der Erhitzungszone entfernt. wie möglich aus der Erhitzungszone entfernt werden.
30 Es wurde festgestellt, daß für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens Zeitspannen von einer
Sekunde oder weniger bereits ausreichend sind. Es sei
jedoch darauf hingewiesen, daß die Bedingungen Druck und Zeit nur im Hinblick auf die Zersetzungs-Aus der USA.-Patentschrift 2 857 414 ist es be- 35 neigung der Reaktionsprodukte von entscheidender kannt, daß Aluminiumalkylverbindungen, und zwar Bedeutung sind. Aus diesem Grund ist es unzwecksowohl Aluminiumtrialkyle als auch Dialkylalumi- mäßig, genaue zahlenmäßige Begrenzungen hinsichtniumhydride mit Halogensilanen und Alkoxysilanen lieh der Reaktionszeit oder dem Druck anzugeben, unter Bildung von Si-H-Verbindungen reagieren. Die untere Temperaturgrenze ist jedoch entschei-Nach dieser Patentschrift wird die Reaktion bei 20 bis 40 dend, da das erfindungsgemäße Verfahren unterhalb 26O0C durchgeführt. In den Beispielen 2 und 3 wird von 3000C nicht in der gewünschten Weise durchführferner gezeigt, daß die Reaktion vonDialkylaluminium- bar ist. Die obere Temperaturgrenze spielt hingegen hydrid mit Halogensilanen bei Raumtemperatur zu keine entscheidende Rolle, da die Wirksamkeit dieses einer Reduktion des Silans führt, ohne daß hierbei eine Verfahrensablaufs im allgemeinen mit steigender Alkylierung am Si-Atom stattfindet. Aus den Beispie- 45 Temperatur, zunimmt. Die Temperatur sollte jedoch len 1 und 4 ist jedoch ersichtlich, daß bei der Umset- unterhalb der Zersetzungsneigung der Reaktionsprozung von Dialkylaluminiumhydriden oder Aluminium- dukte liegen. Es wurde festgestellt, daß Reaktionstrialkylen mit Halogensilanen bei Temperaturen von temperaturen im Bereich von 300 bis 8000C ausrei-200 bis 2600C eine geringfügige Reduktion des Si- chend sind. Selbstverständlich kann bei steigender Atoms eintritt, aber außerdem wird eine weitgehende 50 Temperatur auch die Durchsatzgeschwindigkeit der Alkylierung der Si-Verbindungen unter Bildung von Silane gesteigert werden, um eine übermäßige Zerset-Si-Alkyl - Bindungen erreicht. Diese Patentschrift zung zu verhindern.
vermittelt daher die allgemeine Lehre, daß bei niedri- Gegebenenfalls können die unreagierten Silane wiegen Temperaturen keine Alkylierung stattfindet, bei der in die Reaktionszone zurückgeführt werden, um die Steigerung der Temperatur hingegen eine weitgehende 55 Ausbeuten an dem gewünschten Endprodukt zu stei-Alkylierung erzielt wird. gern.
Unerwarteterweise wurde nun gefunden, daß bei Ferner können gegebenenfalls inerte Lösungsmittel
Temperaturen von 3000C und darüber Halogen- oder mitverwendet werden, wobei sich Kohlenwasserstoffe,
Alkoxysilane durch Aluminiumtrialkyle oder Di- wie Benzol, Hexan, Toluol, Xylol, Cyclohexan und
alkylaluminiumhydride reduziert werden, ohne daß 60 Decan, besonders bewährt haben,
hierbei eine Alkylierung des Si-Atoms stattfindet, und Die Einbringungsmethode der Reaktionsteilnehmer
daß außerdem die Wirksamkeit dieses Verfahrens in die Erhitzungszone ist nicht entscheidend, obwohl
in bezug auf die Bildung von Si-H-Bindungen mit es vorteilhaft ist, die Reaktionsteilnehmer so rasch wie
steigender Temperatur zunimmt. möglich auf die Reaktionstemperatur von 3000C oder
Gegenüber der bekannten Reduktion von Alkyl- 65 darüber zu bringen. Das kann am besten dadurch er-
halogensilanen mit Natriumhydridsusp ;nsionen bringt reicht werden, daß die Reaktionsteilnehmer oder
das erfindungsgemäße Verfahren df η Vorteil der Lösungen derselben in eine bereits auf die gewünschte
größeren Raum-Zeit-Ausbeute. Temperatur vorerhitzte Zone eingeführt werden. Auf
diese Weise werden die Reaktionsteilnehmer praktisch sofort auf die Reaktionstemperatur gebracht.
Beispiele für Reste R in den oben angegebenen Formeln sind Alkylreste, wie Methyl-, Äthyl-, Isopropyl-, Butyl- und Octylreste; Alkenylreste, cycloaliphatische Reste, aromatische Kohlenwasserstoffreste und Aralkylreste.
Beispiele für Reste X sind Halogenatome oder Alkoxyreste, wie Methoxy-, Äthoxy-, Octyloxy-, Isopropoxy- und /Ϊ-Methoxyäthoxyreste. Es können auch Halogenatome und Alkoxyreste an dasselbe Si-Atom gebunden sein.
Beispiele für Reste R' sind Äthyl-, Butyl-, Isobutyl-, Isopropyl- und Octylreste.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbaren Organo-H-silane sind handelsübliche Produkte von großer Bedeutung, die sowohl per se, beispielsweise als wasserabweisende Mittel, als auch als Zwischenprodukte zur Herstellung von anderen Silanen und Siloxanen Verwendung finden.
Beispiel 1
Ein Gemisch aus Diisobutylaluminiumhydrid und Dimethyldichlorsilan (Molverhältnis 1: 3) wurde bei den in der folgenden Tabelle I aufgeführten Tempera- as türen in ein erhitztes Rohr eingebracht. Der Abfluß aus dem Rohr wurde durch Gasphasenchromatographie analysiert, wobei die Produkte in dem in Tabelle I angegebenen Molverhältnis gefunden wurden. Die Gasphasenchromatographie zeigte, daß keine Alkylierung des Si-Atoms mit Isobutylgruppen stattgefunden hatte.
Dieser Versuch zeigt die zunehmende Reaktionsleistung in bezug auf die Bildung von SiH-Bindungen, wenn die Temperatur ansteigt. Er zeigt auch, daß mehr als eine SiH-Bindung (bis zu 3) je Mol des eingesetzten Aluminiumhydrids gebildet wird. So ist diese Reaktion bei weitem wirksamer als die Reaktion von Diisobutylaluminiumhydrid mit Chlorsilanen bei "Raumtemperatur, die nur 1 Mol SiH je Mol Dibutylaluminiumhydrid ergibt.
Beispiel 2
Ein Gemisch aus Aluminiumtriäthyl in Form einer l,5molaren Lösung in Cyclohexan und Dimethyldicblorsilan im Molverhältnis 1,5:4,5 wurde bei den in der Tabelle II aufgeführten Temperaturen erhitzt. Das Gemisch war in jedem Fall weniger als 1 Sekunde in der Reaktionszone.
Diese Versuchsreihe zeigt ebenfalls die zunehmende Reaktionsleistung bei steigender Temperatur. Es wurden keine Äthyl-Si-Bindungen in dem Produkt nachgewiesen.
Beispiel 3
Gemische aus Aluminiumtriisobutyl und jeweils einem Silan, wie in Tabelle III aufgeführt (Molverhältnis: 0,394 Aluminiumtriisobutyl und 2,4 Mol Silan), wurden jeweils durch ein auf 450° C erhitztes Rohr unter Mitführung von Helium geleitet Die Kontaktzeit bei 4500C bstrüg etwa 1 Sekunde. Die abströmenden Gase wurden durch Gasphasenchromatographie analysiert, wobei die in Tabelle ΠΙ aufgeführten Ergebnisse gefunden wurden.
Tabelle I
Tempe Dimethyl
dichlorsilan
Dimethyl- Dimethyl- Ausbeute
ratur in λίπΐ chlorsilan silan an SiH
in°C 111 IVlUl in Mol in Mol in Mol
(unreagiert)
330 1,6 0,5 0,9 1,9
350 1,5 0,4 1,0 2,4
370 1,4 0,5 1,2 2,9
410 1,3 0,5 1,2 2,9
450 1,1 0,5 1,3 3,1
Tabelle II
Temperatur
in°C
Dimethyl
dichlorsilan
in Mol
Dimethyl-
chlorsilan
in Mol
Dimethyl-
silan
in Mol
450
475
500
4,05
3,86
3,23
0,33
0,39
0,80
0,12
0,24
0,47
Tabelle UT
Silan-Reaktionspartner
Produkte in Mol
Dimethyldichlorsilan
Phenyldimethylfiuorsilan
Phenyldimethylbromsilan ...
Trimethyl-tert. butoxysilan .
Phenylmethyldimethoxysilan
Dimethylchlormethoxysilan .
Allyltrichlorsilan
0,3 Dimethylchlorsilan und 0,45 Dimethylsilan
0,8 Phenyldimethylsilan
0,5 Phenyldimethylsilan
0,9 Trimethylsilan
0,3 Phenylmethylsilan und 0,2 Phenylmethyl-
methoxysilan
0,38 Dimethylsilan und 0,38 Dimethylchlorsilan
0,4 Propenyldichlorsilan und Spuren von Propenyl-
monochlorsilan

Claims (1)

  1. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung Patentanspruch: von Organo-H-silanen der Formel
    Verfahren zur Herstellung von Organo-H-silanen
    der Formel 5 worin R einen Kohlenwasserstoffrest mit weniger als
    10 C-Atomen, X ein Halügenatom oder einen Alkoxy- n-b rest mit weniger als 10 C-Atomen bedeuten, η 1, 2 oder
    3, b 1,2 oder 3 und die Summe von n + b nicht größer worin R einen Kohlenwasserstoffrest mit weniger als 4 ist, durch Umsetzung von Halogen- oder Alkoxyals 10 C-Atomen, X ein Halogenatom oder einen io silanen mit Aluminiumalkylverbindungen ist dadurch Alkoxyrest mit weniger als 10-C-Atomen bedeuten, gekennzeichnet, daß man Gemische aus Silanen der η 1, 2 oder 3, b 1, 2 oder 3 und die Summe von Formel
    n + b nicht größer als 4 ist, durch Umsetzung von RnSiX4-O
    Halogen- oder Alkoxysilanen mit Aluminiumalkylverbindungen, dadurch gekennzeich- 15 worin R, X und η die angegebene Bedeutung haben, net, daß man Gemische aus Silanen der mit Aluminiumalkylverbindungen der Formeln
    Formel
    R„SiX4-„ R'*A1 oder R'aA1H
DE2053195A 1969-11-03 1970-10-29 Verfahren zur Herstellung von Organo-H-silanen Expired DE2053195C3 (de)

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US87351969A 1969-11-03 1969-11-03

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DE2053195B2 true DE2053195B2 (de) 1973-11-29
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JP (1) JPS508062B1 (de)
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DE (1) DE2053195C3 (de)
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