DE19964214A1 - Kompensationsbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Abstract

Es wird ein Kompensationsbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben, wobei Kompensationsgebiete (3) durch Implantation von Schwefel oder Selen in einer p-leitenden Halbleiterschicht (3) erzeugt werden oder als p-leitende Gebiete, die mit Indium, Thallium und/oder Palladium dotiert sind, clusterartig in einem n-leitenden Gebiet vorgesehen werden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kompensationsbauele­ ment sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.

Die Durchlaßverluste bei MOS-Transistoren setzen sich be­ kanntlich aus Verlusten im Kanal zwischen Sourcezone und Drainzone und aus ohmschen Verlusten im Driftbereich, der zur Aufnahme einer Raumladungszone im Sperrfall des MOS-Transi­ stors dient, zusammen. Bei Hochvolt-MOS-Transistoren ist ge­ rade der durch den Driftbereich bedingte Anteil an den ohm­ schen Verlusten besonders hoch und dominant.

Zur Reduzierung der ohmschen Verluste im Driftbereich bei Hochvolt-MOS-Transistoren wurden die Kompensationsbauelemente entwickelt: bei diesen befinden sich hoch n-leitende Gebiete und hoch p-leitende Gebiete in vertikaler Richtung im Drift­ bereich nebeneinander. Hierzu sind beispielsweise in einen hoch n-dotierten Halbleiterkörper säulenförmige hoch p-do­ tierte Gebiete eingebracht. Dabei ist die Nettodotierung ho­ rizontal über dem Driftbereich gemittelt nahezu kompensiert. Das heißt, in dem obigen Beispiel gleicht die Dotierung der p-dotierten säulenförmigen Gebiete praktisch die Dotierung des n-leitenden Halbleiterkörpers aus.

Wird an ein solches Kompensationsbauelement eine Sperrspan­ nung angelegt, so befindet sich ein wesentlicher Teil der Ge­ genladung der ionisierten Dotierstoffatome in der gleichen horizontalen Ebene, so daß in vertikaler Richtung zwischen den beiden Hauptoberflächen des Halbleiterkörpers die elekt­ rische Feldstärke noch wenig reduziert wird. Mit anderen Wor­ ten, es liegt hier in vertikaler Richtung nur ein geringer resultierender Gradient der elektrischen Feldstärke vor. Da­ her kann in vertikaler Richtung die Sperrspannung über einer geringeren Dicke des Driftbereiches des Kompensationsbauele­ mentes abgebaut werden.

Da aber im Durchlaßfall eine höhere wirksame n-Dotierung im Driftbereich zur Verfügung steht, zeichnen sich Kompensati­ onsbauelemente im Vergleich zu herkömmlichen, flächengleichen MOS-Transistoren durch drastisch geringere Verluste im lei­ tenden Zustand aus. Kompensationsbauelemente haben so einen erheblich reduzierten Einschaltwiderstand Ron.

Die Herstellung von Kompensationsbauelementen ist aufwendig, was durch die alternierende Struktur der p-leitenden und n- leitenden Gebiete im Driftbereich bedingt ist, also durch ei­ ne in lateraler Richtung alternierende p/n/p/n. . .-Struktur.

Bisher gibt es zwei verschiedene Methoden zum Herstellen der­ artiger alternierender p/n/p/n. . .-Strukturen von Kompensati­ onsbauelementen:

Bei der bevorzugten Methode werden mehrstufige Epitaxiepro­ zesse mit zwischengeschalteten Implantationen angewandt. Kon­ kret werden hier n-leitende epitaktische Schichten auf ein n⁺-leitendes Siliziumsubstrat aufgetragen, und nach jedem E­ pitaxieprozeß wird eine Implantation von Boratomen an über­ einanderliegenden Stellen vorgenommen, so daß bei einer nach­ folgenden Wärmebehandlung die übereinanderliegenden Bor- Implantationen ein säulenförmiges p-leitendes Gebiet in einem n-leitenden Gebiet bilden.

Bei der anderen üblichen Methode werden in einen Siliziumkör­ per des einen Leitungstyps tiefe Trenches eingebracht, die anschließend mit Silizium des anderen Leitungstyps aufgefüllt werden.

Beiden bekannten Methoden ist gemeinsam, daß sie für jede Chipgröße in einer gewünschten Spannungsklasse einen exakt angepaßten Unterbau im Silizium des Driftbereiches erfordern und ihre Prozessierung äußerst aufwendig und damit teuer ist.

Trotz dieses erheblichen Nachteiles einer komplizierten Pro­ zessierung und eines großen Aufwandes wurde bisher nicht dar­ an gedacht, ein Kompensationsbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung auf andere Weise so zu gestalten, daß diese Nachteile überwunden werden können. Der vorliegenden Erfindung liegt daher die neue Aufgabe zugrunde, ein Kompen­ sationsbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung derart anzugeben, daß auf aufwendige und teure Prozessierung verzichtet werden kann.

Zur Lösung dieser Aufgabe sind erfindungsgemäß ein Kompensa­ tionsbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung mit den Merkmalen der jeweiligen unabhängigen Patentansprüche vorgesehen. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung erge­ ben sich aus den Unteransprüchen.

Wesentlich an der vorliegenden Erfindung ist der Grundgedan­ ke, entweder in die üblicherweise n-leitende Grunddotierung der Driftzone homogen verteilte p-leitende Atome mit etwa der gleichen Dotierungskonzentration wie die n-leitende Grunddo­ tierung einzubringen oder aber das Konzept einer n-leitenden Grunddotierung zu verlassen und in einen p-leitenden Silizi­ umkörper einen relativ rasch diffundierenden Dotierstoff mit Donatoreigenschaften einzubringen, wie insbesondere Schwefel und/oder Selen, um so mit diesem rasch diffundierenden Do­ tierstoff die gewünschten n-leitenden säulenartigen Gebiete zu erzeugen.

Im folgenden soll zunächst auf die erste Alternative, also die homogene Verteilung von Atomen des einen Leitungstyps in einer Grunddotierung des anderen Leitungstyps des Driftberei­ ches eingegangen werden. Obwohl im folgenden dabei in Einzel­ heiten erläutert wird, wie p-dotierende bzw. -leitende Atome, nämlich insbesondere Indiumatome, Thalliumatome und Palla­ diumatome in eine übliche n-leitende Dotierung einer Driftzo­ ne aus beispielsweise Phosphor eingebracht werden, können die Leitungstypen gegebenenfalls bei entsprechender Auswahl der Atome auch umgekehrt sein. Gleiches gilt selbstverständlich auch für die weiter unten näher erläuterte zweite Methode.

Bei der Auswahl des Dotierstoffes für die erste Methode, also für das Einbringen von p-dotierenden Atomen in eine übliche n-Dotierung einer Driftzone, muß darauf geachtet werden, daß der Abstand zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und der Va­ lenzbandkante von Silizium größer ist als etwa 150 meV, so daß bei Raumtemperatur im thermischen Gleichgewicht nur ein sehr geringer Anteil der Akzeptoratome ionisiert ist. In Durchlaßrichtung des Kompensationsbauelementes wird die n- leitende Dotierung des Driftbereiches damit nur zu einem ge­ ringen Anteil kompensiert, so daß das Kompensationsbauele­ ment, insbesondere ein Transistor, die gewünschten niedrigen Durchlaßverluste hat.

Außerdem sollte der Abstand zwischen dem Akzeptorniveau und der Valenzbandkante größer als der Abstand zwischen dem Dona­ torniveau und der Leitungsbandkante des Siliziums sein. Im Sperrfall wird nämlich eine Raumladungszone aufgebaut, die dazu führt, daß die bei der Ionisation der Akzeptoren frei werdenden Löcher sofort abfließen und nicht mit anderen Ak­ zeptorrümpfen in Wechselwirkung treten können. Es werden dann also in kurzer Zeit alle Akzeptoren ionisiert, so daß die Do­ natoren im Volumen des Driftbereiches kompensiert sind. Das heißt, es liegen ähnliche Verhältnisse wie bei üblichen Kom­ pensationsbauelementen vor.

Ein wesentlicher Vorteil der ersten Methode liegt in einer besonders einfachen und damit billigen Prozeßführung im Ver­ gleich zum Stand der Technik mit Epitaxien und Implantationen bzw. tiefen Trenches. Der p-leitende Dotierstoff, also insbe­ sondere Indium, Thallium und Palladium, kann ohne weiteres gleichzeitig mit der n-Dotierung beim Abscheiden der epitak­ tischen Schicht erzeugt werden, so daß die Implantationen entfallen können. Auch kann ein auf diese Weise behandelter epitaktischer Wafer als Grundmaterial für alle Chipgrößen ei­ ner Spannungsklasse verwendet werden, was die Logistik erheb­ lich vereinfacht und eine Verkürzung der Durchlaufzeiten er­ laubt. Während des Abscheideprozesses für die epitaktischen Schichten ist es nämlich möglich, die Dotierstoffzusammenset­ zung über die Dicke der epitaktischen Schichten zu verändern und damit die Bauelement-Eigenschaften entsprechend einzu­ stellen.

Alternativ zur Abscheidung einer mit Indium, Thallium oder Palladium dotierten epitaktischen Schicht ist es möglich, die p-Dotierung vor dem Start einer Vorderseitenbearbeitung in üblicher Weise einzubringen oder während des Prozesses durch Öffnungen in entsprechenden Fenstern einzudiffundieren.

Von Bedeutung ist dabei, daß der p-leitende Dotierstoff Cluster bildet, die ortsverschieden von der n-leitenden Do­ tierung des Driftbereiches ist. Damit soll ein direkter Über­ gang von Elektronen aus dem Donatorniveau in das Akzeptorni­ veau verhindert werden, während in einer Ebene über eine grö­ ßere Fläche immer noch eine Kompensation der Ladungsträger erreicht wird.

Bei dem erfindungsgemäßen Kompensationsbauelement sollte der Randabschluß n-lastig sein, was durch eine entsprechende Do­ tierung mit beispielsweise Selen erreicht werden kann. Der Vorteil dieses Donatorstoffes liegt darin, daß er ebenfalls mehrere tiefe Energieniveaus, wie beispielsweise ein tiefes Energieniveau mit etwa 310 meV Abstand zur Leitungsbandkante besitzt. Damit wird eine ähnliche Zeitverzögerung beim Aufbau der Raumladungszone und Sperrspannung erreicht, wie in einem homogenen Halbleitermaterial, was sich günstig auf die Ab­ schalteigenschaften eines Transistors und die Stabilität von dessen Rand auswirkt.

Bei der zweiten Methode, auf die im folgenden näher eingegan­ gen werden soll, werden Schwefel und Selen durch Diffusion in Siliziumscheiben eingebracht, da diese dort relativ schnell diffundieren, so daß eine Dotierung in einer bestimmten Scheibentiefe mit einer relativ geringen Temperatur-/Zeit­ belastung der Scheiben realisiert werden kann.

Schwefelatome und Selenatome lassen sich beispielsweise durch eine maskierte Implantation mit einem nachfolgenden Eintreib­ schritt in die Siliziumscheiben eindiffundieren. Die Dotie­ rungskonzentration von n-leitenden Bereichen läßt sich dann ohne weiteres durch die Dosis der Schwefel- bzw. Selenimplan­ tation, die Eintreibtemperatur und die Eintreibzeit steuern. Als Maskierungsschichten für die Implantation von Schwefel oder Selen können in üblicher Weise Siliziumdioxid oder Pho­ tolackschichten mit ausreichender Dicke herangezogen werden. Es hat sich gezeigt, daß eine Dicke von etwa 1 µm ausreichend ist.

Durch die im Vergleich zu einer Bordiffusion wesentlich kür­ zere Diffusionszeit von Schwefel und Selen läßt sich die Zahl der notwendigen epitaktischen Schichten verringern, was eine deutliche Kostenreduzierung mit sich bringt.

Die Dotierungskonzentration in den p-leitenden Bereichen läßt sich besonders gut eingrenzen, da ja bevorzugt von einem p- leitenden Grundmaterial ausgegangen wird.

In dem n-leitenden säulenartigen Bereichen kann gegebenen­ falls eine vertikale Variation des Kompensationsgrades vorge­ nommen werden, wenn beispielsweise zwei verschiedene n-do­ tierende Implantationsebenen zur Anwendung gebracht werden oder die Konzentration des n-leitenden Dotierstoffes während der Abscheidung der epitaktischen Schicht verändert wird.

Eine spezielle Eigenschaft von mit Schwefel bzw. Selen do­ tierten Siliziumschichten besteht darin, daß die effektive Dotierungskonzentration solcher Siliziumschichten mit der Temperatur ansteigt, da Schwefel und Selen als Dotierungs­ stoffe Energieniveaus aufweisen, die tief in der Silizium- Bandlücke liegen. Dadurch werden im Durchlaßzustand des Bau­ elementes mit zunehmender Temperatur immer mehr freie La­ dungsträger zur Verfügung gestellt. Da aber die Beweglichkeit der freien Ladungsträger mit zunehmender Temperatur abnimmt, ergibt sich somit eine reduzierte Abhängigkeit des Einschalt­ widerstandes Ron von der Temperatur. Im Sperrzustand, in wel­ chem sich die Schwefelatome bzw. Selenatome in der Raumla­ dungszone befinden, sind diese dagegen vollständig aktiviert.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung zur Er­ läuterung eines Ausführungsbeispiels, bei dem Schwefel oder Selen durch Implantation in ei­ nen Halbleiterkörper eingebracht werden, um in diesem Kompensationsgebiete zur Herstel­ lung eines Driftbereiches für ein Kompensati­ onsbauelement zu erzeugen,

Fig. 2 eine schematische Veranschaulichung einer durch Cluster gebildeten p-Dotierung aus bei­ spielsweise Indium, Thallium oder Palladium in einem n-leitenden Gebiet eines Driftberei­ ches, und

Fig. 3 und 4 Banddarstellungen zur Erläuterung der Dotie­ rung nach dem Beispiel von Fig. 2.

Fig. 1 zeigt den Driftbereich eines Kompensationsbauelemen­ tes, wie beispielsweise eines MOS-Transistors mit einem p⁺- leitenden Siliziumsubstrat 1, auf dem eine p-leitende Silizi­ umschicht 2 beispielsweise durch eine oder mehrere Epitaxien aufgebracht ist. In diese Schicht 2, die ein p-leitendes Ge­ biet darstellt, werden durch Diffusion von Schwefel und/oder Selen n-leitende säulenartige Gebiete 3 eingebracht, die so hoch dotiert sind, daß die Nettodotierung horizontal, also senkrecht zum Verlauf der Gebiete 3, gemittelt nahezu kompen­ siert ist.

Dies kann beispielsweise durch eine maskierte Ionenimplanta­ tion (vgl. Pfeile 5) mit Hilfe einer etwa 1 µm dicken Maske 4 aus Siliziumdioxid oder Photolack geschehen. Die Dotierungs­ konzentration in den auf diese Weise entstehenden n-leitenden Gebieten 3 läßt sich dann über die Dosis der Schwefel- bzw. Selenimplantation, die Eintreibtemperatur bei dem nachfolgen­ den Temperaturschritt und die Eintreibzeit hiervon steuern.

Da Schwefel und Selen in Silizium relativ schnell diffundie­ ren, läßt sich auf diese Weise der Driftbereich eines Kompen­ sationsbauelementes ohne aufwendige und zahlreiche Epitaxie- und Implantationsschritte herstellen, was eine bedeutsame Ko­ stenreduktion bedeutet.

Eine vertikale Variation des Kompensationsgrades kann er­ reicht werden, indem beispielsweise eine zusätzliche Implan­ tationsebene (vgl. Strichlinie 6) vorgesehen wird: in einem ersten Epitaxieschritt wird die Schicht 2 bis zu der Höhe der Strichlinie 6 auf dem Siliziumsubstrat 1 aufgewachsen. Es schließt sich dann eine erste Implantation an, um so bei­ spielsweise die unteren Teile der Gebiete 3 höher zu dotieren als deren oberen Teile. Mit einem weiteren Epitaxie- und Im­ plantationsschritt, verbunden mit einem Eintreibschritt am Ende der epitaktischen Abscheidung, wird sodann die in der Fig. 1 dargestellte Anordnung fertiggestellt.

Während bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 1 (zweite Metho­ de) definierte n- und p-leitende Gebiete im Driftbereich vor­ liegen, gilt dies für das Ausführungsbeispiel der Fig. 2 bis 4 (erste Methode) nicht: dort sind in ein n-leitendes Gebiet 7 (vgl. Fig. 2) clusterartige p-leitende Gebiete 8 mit Akzep­ toratomen aus Indium, Thallium und/oder Palladium eingela­ gert. Diese p-leitenden Gebiete 8 in dem n-leitenden Gebiet 7 mit beispielsweise Phosphor-Donatoratomen sind so hoch do­ tiert, daß wie im Ausführungsbeispiel von Fig. 1 horizontal über dem Driftbereich die Nettodotierung gemittelt nahezu kompensiert ist.

Die p-Dotierung für die Gebiete 8 kann praktisch gleichzeitig mit der n-Dotierung des Gebietes 7 beim Abscheiden einer ent­ sprechenden epitaktischen Schicht erzeugt werden. Das heißt, wenn auf ein Siliziumsubstrat, wie beispielsweise das Silizi­ umsubstrat 1 der Fig. 1 eine epitaktische Schicht aufgetragen wird, dann wird diese Abscheidung so vorgenommen, daß die da­ durch gebildete epitaktische Schicht mit der n-leitenden Phosphor-Grunddotierung mit den darin eingelagerten cluste­ rartigen Gebieten 8, die mit Indium, Thallium oder Palladium dotiert sind, aufwächst.

Anstelle von Indium, Thallium und Palladium können gegebenen­ falls auch andere Materialien gewählt werden. Wesentlich ist aber, daß der Abstand D (vgl. Fig. 3) zwischen dem Akzeptor- Energieniveau 9 und der Valenzbandkante 10 des Siliziums grö­ ßer ist als 150 meV und auch größer ist als der Abstand d zwischen dem Donatorniveau 11 und der Leitungsbandkante 12. Dabei ist darauf zu achten, daß die entsprechenden Energieni­ veaus örtlich versetzt voneinander sind, wie dies in Fig. 4 schematisch angedeutet ist, um einen direkten Übergang zwi­ schen den Niveaus zu vermeiden. Bei örtlich gleichzeitigem Vorkommen von n- und p-leitender Dotierung im mikroskopischen Maßstab liegt damit eine homogene Kompensation bei entspre­ chendem Fehlen von hoch n-leitenden Zonen mit erhöhter elekt­ rischer Leitfähigkeit vor. Mit anderen Worten, während mikro­ skopisch n- und p-leitende Gebiete getrennt sind, besteht makroskopisch, das heißt bezogen auf den Maßstab der Durch­ bruchsladung, eine homogene Ladungsverteilung mit einem even­ tuell überlagerten Gradienten im Sinne eines variablen Säu­ lenkonzepts.

Bezugszeichenliste

1

Siliziumsubstrat

2

p-leitende Siliziumschicht

3

n-leitendes Gebiet

4

Maske

5

Pfeile für Ionenimplantation

6

Strichlinie für erste Epitaxieschicht

7

Driftbereich

8

clusterartige Kompensationsgebiete

9

Akzeptorniveau

10

Valenzbandkante

11

Donatorniveau

12

Leitungsbandkante
d Abstand zwischen Donatorniveau und Leitungsband
D Abstand zwischen Akzeptorniveau und Valenzband

Claims (3)

1. Verfahren zum Herstellen einer Driftzone eines Kompensa­ tionsbauelementes, bei dem in einem p-leitenden Halblei­ terkörper (2, 3) n-leitende Kompensationsbereiche (3) vorgesehen werden, dadurch gekennzeichnet, daß die n-leitenden Kompensationsbereiche mit Schwefel und/oder Selen dotiert werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Schwefel und/oder Selen durch Ionenimplantation mittels einer Maske (4) in den Halbleiterkörper (2) eingebracht werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Maske eine Siliziumdioxid- oder Photolackschicht mit einer Dicke von etwa 1 µm verwendet wird.