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DE19881312D2 - P-dotiertes Silizium-Makromolekül mit mehrflächiger Struktur, Verfahren zu seiner Herstellung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie basierend auf dem Silizium-Makromolekül aufgebauter Transistor - Google Patents

P-dotiertes Silizium-Makromolekül mit mehrflächiger Struktur, Verfahren zu seiner Herstellung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie basierend auf dem Silizium-Makromolekül aufgebauter Transistor

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DE19881312D2 DE19881312T DE19881312T DE19881312D2 DE 19881312 D2 DE19881312 D2 DE 19881312D2 DE 19881312 T DE19881312 T DE 19881312T DE 19881312 T DE19881312 T DE 19881312T DE 19881312 D2 DE19881312 D2 DE 19881312D2
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7015546B2 (en) * 2000-02-23 2006-03-21 Semiconductor Research Corporation Deterministically doped field-effect devices and methods of making same
US6664559B1 (en) * 2000-02-23 2003-12-16 Semiconductor Research Corporation Supermolecular structures and devices made from same
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4213781A (en) * 1978-11-20 1980-07-22 Westinghouse Electric Corp. Deposition of solid semiconductor compositions and novel semiconductor materials
JP2723099B2 (ja) * 1995-12-28 1998-03-09 日本電気株式会社 クラスレート化合物およびその製造方法

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