DE19841575A1 - Verfahren zur Herstellung schmelztexturierter Volumenproben auf der Basis des Hochtemperatursupraleiters Sm¶1¶Ba¶2¶Cu¶3¶O¶7¶/Sm¶2¶Ba¶1¶Cu¶1¶O¶5¶ (SmBC) - Google Patents
Verfahren zur Herstellung schmelztexturierter Volumenproben auf der Basis des Hochtemperatursupraleiters Sm¶1¶Ba¶2¶Cu¶3¶O¶7¶/Sm¶2¶Ba¶1¶Cu¶1¶O¶5¶ (SmBC)Info
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Herstellung massiver SmBC-HTSL beschrieben, bei dem die Zusammensetzung und die Ausgangsmaterialien variiert werden, um für die jeweiligen Anforderungen die optimale Zusammensetzung zu erreichen, wie z. B. die Steigerung der Levitationskraft oder Anwendungen im Magnetfeld. Die Handhabung in Luft vereinfacht die Handhabung, insbesondere das Aufbringen des Saatkristalles und die Verwendung eines einfachen Ofens.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung schmelztex
turierter Volumenproben an Luft auf der Basis der Hochtempera
tursupraleiter Sm1Ba2Cu3O7/Sm2Ba1Cu1O5 (SmBC).
Solche Proben finden Anwendung in berührungsfreien, selbststabi
lisierenden Magnetlagern. Hierbei wird angestrebt, höhere kri
tische Stromdichten jc bzw. eine Erhöhung des eingefrorenen Ma
gnetfelds zu erreichen.
Durch eine ausgerichtete Textur mit großen texturierten Berei
chen werden die supraleitenden Eigenschaften derart, daß im Be
trieb Magnetfelder eingefroren werden können, mit denen diese
Eigenschaften unkompliziert erreicht werden. Mikrostrukturelle
Defekte bewirken eine effektivere Verankerung des magnetischen
Flusses, bekannt unter dem Begriff "pinning", und damit die aus
gezeichneten Stabilisierungseigenschaften des Lagers. Aufgrund
der Anisotropie der kritischen Ströme des Hochtemperatursupra
leiters SmBC ist für eine hohe Levitationskraft die Ausrichtung
der c-Achse parallel zum externen Magnetfeld wichtig.
Weitere Einsatzgebiete sind die Verwendung als Magnet oder in
Rotoren in supraleitenden Motoren bzw. dort, wo hohe kritische
Stromdichten im Magnetfeld gefordert werden. Hier bewirken mi
krostrukturelle Defekte in SmBCO im Vergleich zu YBCO eine hohe
kritische Transportstromdichte jc auch im Magnetfeld < 1 T, be
kannt unter dem Begriff "fishtail-effect". Dadurch können im
Vergleich zu YBCO auch höhere Magnetfelder im HTSL gespeichert
werden.
Weitere Pinning Zentren entstehen durch die Zugabe von natürli
chem Uran oder Uran 238. Es bilden sich dabei Ausscheidungen der
Zusammensetzungen UReBaO und UPtReBaO (Re = Seltenerdmetall).
Diese Pinning Zentren sind sehr effektiv und die Zugabe von an
deren Pinning-Zentrenbilder wie z. B. Y-211, Nd-422 können dann
entfallen. Durch diese Effekte können im Vergleich zu YBCO auch
höhere Magnetfelder im HTSL gespeichert werden.
Anwendungsgebiete sind weiter die Magnettechnik im allgemeinen
und die elektrische Energietechnik. In der Energietechnik kommen
z. B. die HTSL-Bauteile für thermisch entkoppelte Stromzuführun
gen für Kryosysteme und Strombegrenzer in Frage.
Für die Magnettechnik können wirtschaftlicher und mit besserer
Wirkung als bisher Komponenten für die Felderzeugung, Feldfüh
rung und -abschirmung bereitgestellt werden. Das betrifft auch
Elektromotoren, Magnetseparatoren, Magnetkupplungen, Transforma
toren und Generatoren.
In diesen Materialien können, bedingt z. B. durch Phasenumwand
lungen, Risse auftreten, die die mechanische Festigkeit reduzie
ren oder Flußkriechen oder Flußwandern bewirken. Silber oder
Silberoxid kann zur Rißverringerung im Material und damit zur
Erhöhung der mechanischen Festigkeit verwendet werden.
Solche schmelztexturierten Proben sind bei der Herstellung von
Hochtemperatursupraleitern bedeutungsvoll. Sie werden als
Saatkristalle für niedrig schmelzende Re-Ba-Cu-O-Systeme
verwendet (Re = seltene Erden repräsentativ für alle). Große
Domänen mit einstellbarer Textur lassen sich nur mit einem
Saatkristall erreichen. Einkristalle sind schwierig herzustellen
und teuer.
Die Herstellung von SmBCO an Luft führt ohne anschließende Warm
behandlung zu einem Gemisch von Sm1+xBa2-xCu3Oy, x < 0, einem breitem
Übergang in der kritischen Temperatur, aber ähnlicher Struktur
wie die Hoch-Tc-Phase (x = 0). Dieser Anteil x kann durch eine
Wärmebehandlung nicht nur in Argon, sondern auch an Luft, ver
ringert werden. Mit und ohne Wärmebehandlung ist aber die Ver
wendung als Saatkristall möglich.
SmBC kann auch mittels Schmelztextur in reduzierter Sauer
stoffatmosphäre [Murakami Jpn. Jour. Appl. Phys. 33, L715-L717,
1994] hergestellt werden. Dies hat den Nachteil, daß ein teurer
Vakuumofen benötigt wird. Die Herstellung an Luft bedeutet eine
Vereinfachung.
Insbesondere können durch die Präparation an Luft Saatkristalle
für Sm-123 verwendet werden, die in reduzierter Atmosphäre nicht
stabil sind oder bei Temperaturen oberhalb T2 und unterhalb Tmax
zerstört werden, da der Ofen an Luft betrieben wird, bzw. wäh
rend der Textur zugänglich ist.
Ein weiteres Verfahren stellt Park et al. in Supercond. Sci.
Technol. 9, 694-705, 1996 vor. Er schmelztexturiert Sm-123 bei
0.001-1 atm. Die kritische Temperatur bzw. der kritische Über
gang zeigt ein Verhalten (breiter Übergang, bis 60 K), das auf
keinen Fortschritt hinweist. Es wird kein Saatkristall verwen
det, um die gewünschte Textur einzustellen. Es werden keine An
gaben über die Korngröße der Proben gemacht.
Aus den USA (Texas Center for Superconductivity at the Univer
sity of Houston) ist eine Arbeit (Physica C, Vol 282-287, Seite
2275ff, 1997) bekannt, in der abgereichertes Uran(238) Y-123/Y-211
zugegeben wird. Für das System Sm-123 ist darüber nichts
bekannt.
Des weiteren wird in den Aufsätzen nicht erwähnt, inwieweit Sil-
ber oder Silberoxid zur Rißverringerung im Material und damit
zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit verwendet wird. Dies
ist wichtig, wenn das HTSL-Material starken Magnetfeldänderungen
oder Temperaturänderungen ausgesetzt ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein wirtschaftlich in
teressantes und für die Automatisierung geeignetes Verfahren zur
Herstellung von Volumenproben auf der Basis der Hochtemperatur
supraleiter Sm BCO zu entwickeln, mit dem über Schmelztexturie
rung mit Aufbringen von Saatkristallen mit beliebig einstellba
rer Textur solche Volumenproben an Luft hergestellt werden kön
nen.
Die Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 aufgeführten Verfah
rensschritte gelöst.
Mit dem Unteranspruch 2 stehen optimierte Verfahrensschritte als
Wahlmöglichkeiten zur Bereitstellung der Pulvermischung für die
Warmbehandlung zur Verfügung. Es wird gekennzeichnet, daß Sm-123
mit 50 Gew.-% die Matrix bildet und Pulver der Art Sm0,8-1,8Ba2-yCu3-zO7-x
verwendet werden können, die von der stöchiometrischen Zu
sammensetzung von Sm-123 abweichen und so z. B. den Mischprozeß
von Sm-123 mit Sm2O3 ersparen oder durch Überdotierung von Barium
die Bildung unerwünschter Phasen
verringert.
Dadurch, daß die Reaktion von Sm2O3 mit Sm-123 zu Sm-211 der An
teil an Sm-123 reduziert wird, wird die Angabe von Sm-123 auf
das Endprodukt bezogen.
Es wird gezeigt, daß der Sm-211 Anteil von 5-50 Gew.-% im schmelz
texturiertem Körper auch durch Zugabe von Sm-211 oder Sm2O3 (Sm2O3
+Sm-123 → Sm-211) erreicht werden kann. Diese Anteile bestimmen
neben dem Anteil der Pinningzentren auch den Grad der Unterküh
lung.
Als weitere Pinningzentren können auch Y-211 oder Nd-422 hinzu
geben werden.
Durch die Verwendung von Reaktiv- oder Oxid/Karbonatmischungen
oder Mischungen derer, kann die Herstellung von Sm-123 mittels
Kalzinierung umgangen werden.
Insbesondere mit Beigabe von Additiven stehen Schritte zur Ver
fügung, die gewünschten Eigenschaften des fertigen Bauteils ge
zielt hervorzubringen. Pt, Ce, Rh oder deren Oxide verringern
die Größe der Sm-211 Ausscheidungen, wobei höhere Pinningkräfte
erzielt werden, da die Grenzfläche zwischen Sm-211 und Sm-123
vergrößert wird. Es können auch durch Reaktion dieser Komponen
ten mit der Schmelze neue Pinningzentren entstehen, wie z. B.
BaCeO3. Weiterhin wird die Formstabilität der Probe durch die hö
here Viskosität der Schmelze deutlich erhöht.
Der Einbau von Silber steigert die Festigkeit und reduziert die
Prozeßtemperaturen.
Die Additive können direkt bei der Herstellung von Sm0,8-1,8Ba2-yCu3-zO7-x
zugegeben werden, was im Verfahrensablauf den Mischpro
zeß erspart.
Weitere Pinning Zentren entstehen durch die Zugabe von natürli
chem Uran oder Uran 238. Es bilden sich dabei sehr feine Aus
scheidungen der Zusammensetzungen UReBaO und UPtReBaO. Je nach
Uran-Anteil ist der Platinanteil entsprechend zu erhöhen, damit
0,1 Gew.-% zur Reduzierung der Korngröße von Y-211, Sm-211, Nd-422
vorhanden sind. Die in der Merkmalsgruppe i) und viy aufgeliste
ten Zugaben dienen als Pinningzentren.
Im Unteranspruch 3 wird die Pulvermorpholgie gekennzeichnet. Die
Korngrößen der Pulver liegen im Bereich von nm bis 80 µm, was
insbesondere für die Zugaben gilt, die als Pinningzentren wir
ken. Verschiedene Korngrössen können miteinander vermischt wer
den, um die Poren zwischen größeren Körnern mit entsprechend
kleineren Körner zu füllen, damit eine hohe Gründichte erreicht
wird.
Unteranspruch 4 kennzeichnet den Mischprozeß. Kohlenstoff kann
bis zu 0,18 Gew.-% als Verunreinigung zugelassen werden. Eine Ver
kleinerung gröberen Pulvers beeinträchtigt die weitere Verarbei
tung nicht.
Alternativen der Formgebung werden in Anspruch 5 gekennzeichnet.
In Anspruch 6 werden die möglichen Bindemittel für die entspre
chenden Formgebungsverfahren gekennzeichnet.
Im Anspruch 7 wird gekennzeichnet, daß ein Kohlenstoffgehalt
durch restliche organische Anteile von Bindern/Wachsen der Pul
vermischung bzw. des Endprodukts bis zu 0,18 Gew.-% die ange
strebte und erreichte Qualität der so prozessierten Volumenpro
ben nicht beeinträchtigt.
Anspruch 8 kennzeichnet die Möglichkeit der Entbinderung durch
eine thermische Behandlung des Grünkörpers vor der Schmelztextur
bis höchsten zur Sintertemperatur.
Einerseits können gesinterte Proben, die eine höhere mechanische
Festigkeit im Vergleich zu dem Grünkörper haben, schon mittels
Schleifen oder Ultraschall bearbeitet werden, um eine bestimmte
Endgeometrie zu erreichen. Andererseits kann der Fluß der
Schmelze während der Schmelztextur durch dicht gesinterte Aus
gangsproben deutlich reduziert werden (Anspruch 9). Auch kann
vor oder während des Sinterprozesses eine Kalzinierung von Oxi
den/Karbonaten ablaufen.
Unteranspruch 10 kennzeichnet die Schmelztextur:
Kleinere Aufheizraten werden bei großen Proben mit einem Durch messer von 6 cm oder größer verwendet, um Risse zu vermeiden. Bei der Oxid/Karbonatmischung können dann die Gase der ablaufen den Festkörperreaktion langsam entweichen ohne durch erhöhten Gasdruck im Innern der Probe Risse im Grünkörper zu erzeugen. Die Maximaltemperatur Tmax kann bis 1150°C betragen. Die Haltezeit richtet sich nach der Gesamtmasse der im Ofen zu texturierenden Grünkörpermasse, um bei großen Proben bzw. Massen eine gleichmä ßige Aufschmelzung zu erreichen. Je nach Zusammensetzung, insbe sondere durch Sm-211, Samariumoxid und Silber, und damit je nach Unterkühlung der Schmelze kann die Prozeßtemperatur weiter abge senkt werden. Die Abkühlrate im Intervall T2-T3 richtet sich nach der Größe der Proben und ist bestimmt durch die Wachstumsrate von Sm-123. Größere Proben (Durchmesser ≧ 6 cm) benötigen Raten kleiner 1,0 K/h. Die folgende Abkühlung richtet sich wieder nach der Probengröße, um Risse durch Thermoschock zu vermeiden.
Kleinere Aufheizraten werden bei großen Proben mit einem Durch messer von 6 cm oder größer verwendet, um Risse zu vermeiden. Bei der Oxid/Karbonatmischung können dann die Gase der ablaufen den Festkörperreaktion langsam entweichen ohne durch erhöhten Gasdruck im Innern der Probe Risse im Grünkörper zu erzeugen. Die Maximaltemperatur Tmax kann bis 1150°C betragen. Die Haltezeit richtet sich nach der Gesamtmasse der im Ofen zu texturierenden Grünkörpermasse, um bei großen Proben bzw. Massen eine gleichmä ßige Aufschmelzung zu erreichen. Je nach Zusammensetzung, insbe sondere durch Sm-211, Samariumoxid und Silber, und damit je nach Unterkühlung der Schmelze kann die Prozeßtemperatur weiter abge senkt werden. Die Abkühlrate im Intervall T2-T3 richtet sich nach der Größe der Proben und ist bestimmt durch die Wachstumsrate von Sm-123. Größere Proben (Durchmesser ≧ 6 cm) benötigen Raten kleiner 1,0 K/h. Die folgende Abkühlung richtet sich wieder nach der Probengröße, um Risse durch Thermoschock zu vermeiden.
Im Anspruch 11 wird gekennzeichnet, daß die Zersetzungstempera
tur des Saatkristalles oberhalb der Maximaltemperatur der Warm
behandlung der Probe oder der gewählten Temperatur im Temperatur
intervall T1-T2 liegen muß.
Im Unteranspruch 12 wird gekennzeichnet, daß eine Wärmebehand
lung für eine bestimmte Zeitdauer, Temperatur und in einer be
stimmten Atmosphäre erfolgen muß. Die Herstellung von SmBCO an
Luft führt zu einer Festkörperlösung von Sm1+xBa2-xCu3Oy (x < 0)
mit einem breitem Übergang in der kritischen Temperatur, aber
ähnlicher Struktur wie die Hoch-Tc Phase (x = 0), da die Phasen
mit x < 0 eine höhere peritektische Temperatur haben und sich
eher bilden als die Phase mit x = 0. Das maximal mögliche Tc nach
einer Sauerstoffbeladung sinkt kontinuierlich mit x ab. Dieser
Anteil x kann durch eine Wärmebehandlung nicht nur in Argon, Ar
gon/Sauerstoff sondern auch an Luft, verringert werden. Die Wahl
der Parameter hängt von der Zusammensetzung ab. Insbesondere bei
verschiedenen Anteilen von Sm-211 ergibt sich ein verschiedenes
Sm/Ba Verhältnis, was entscheidend für die Bildung der Festkör
perlösungen ist. Je höher der Samarium Anteil ist desto höher
ist die Wahrscheinlichkeit, daß Samarium auf Barium-Plätze im
Sm-123-Gitter geht und x erhöht.
Jeder Wert von x hat im Temperatur/Sauerstoffpartialdruck-Dia
gramm von Sm-123 eine Stabilitätslinie. Ein solches Diagramm
wurde bisher nur für Nd-123 entwickelt.
Das Aufheizen auf eine Temperatur in einer bestimmten Atmosphäre
unterhalb der Zersetzungstemperatur führt zu einer Annäherung
des Gleichgewichtes.
Mit und ohne Wärmebehandlung ist aber die Verwendung als Saat
kristall möglich.
Im Unteranspruch 13 wird die Sauerstoffbeladung der Proben be
schrieben, um die optimalen supraleitenden Eigenschaften bei
vorgegebener Kristallstruktur (Sm1+xBa2-xCu3Oy, mit x minimal oder
0) zu erzielen.
Im Unteranspruch 14 wird erwähnt, daß zur Erzielung einer eindo
mänigen Volumenprobe die eventuell zunächst erreichte polykri
stalline oder multidomänige Volumenprobe ein zweites Mal
schmelztexturiert wird.
Beim Schmelztexturieren kann es vorkommen, daß Körner mit einer
ungewünschten Orientierung (Zweitkorn) auftreten oder das durch
Stromausfall das Temperaturprogramm beendet wird und polykri
stalline Proben entstehen. Solche Proben können ein zweites Mal
einer Schmelztextur unterzogen werden, wodurch im Fall der Pro
ben mit Zweitkorn die Homogenität verbessert wird und aus poly
kristallinen Proben eindomänige Proben entstehen.
Bei dem Verfahren handelt es sich um ein für solche thermische
Prozesse einfaches, schnelles Verfahren mit großem Automatisie
rungspotential. Das Verfahren liefert Materialien mit supralei
tenden Eigenschaften, mit denen im Betrieb die erforderlichen
Kraftzustände und Kraftfeldkonfigurationen in notwendiger Quali
tät erreicht werden. Die Formgebung ist nahezu beliebig.
Zwei Ausführungsbeispiele werden im folgendem tabellarisch be
schrieben und jeweils in ihrem B(T)-Verhalten und jc(H)-Verhalten
mit und ohne Warmnachbehandlung vorgestellt. In der Zeichnung
ist die Vermessung der Proben dargestellt. Es zeigen
Fig. 1 den B(T)-Verlauf für Sm-123/Sm-211 + Ba3Cu5Ox,
Fig. 2 den jc(H)-Verlauf für Sm-I23/Sm-211 + Ba3Cu5Ox (fish-
tail),
Fig. 3 den B(T)-Verlauf für Sm-123/Sm-211 (10%),
Fig. 4 den jc(H)-Verlauf für Sm-123/Sm-211 (14%) (fish-tail).
Zusammensetzung:
Mischung Sm-123 (Matrix) + 20 Gew.-% Sm-211 + 10 Gew.-% Ba3
Mischung Sm-123 (Matrix) + 20 Gew.-% Sm-211 + 10 Gew.-% Ba3
Cu5
Ox
+ 0,1 Gew.-%
PtO2
+ 2 Gew.-% CeO2
,
Warmbehandlung (Schmelztextur):
mit 400 K/h ab Raumtemperatur und mit 300 K/h ab 800°C auf T1
Warmbehandlung (Schmelztextur):
mit 400 K/h ab Raumtemperatur und mit 300 K/h ab 800°C auf T1
=
1150°C, Haltezeit 10 min,
rasche Abkühlung mit 500 K/h auf T2
rasche Abkühlung mit 500 K/h auf T2
= 1060°C, Setzen des Saatkri
stalls Nd-123 bei 1080°C,
langsame Abkühlung mit 0,7 K/h auf T3
langsame Abkühlung mit 0,7 K/h auf T3
= 980°C,
weitere Abkühlung mit 300 K/h auf Raumtemperatur.
weitere Abkühlung mit 300 K/h auf Raumtemperatur.
Die Endgeometrie der eindomänigen Probe ist: 22 mm Durchmesser,
10 mm Höhe.
Warmnachbehandlung:
Erwärmung auf 960°C und 12 h Halten in Ar/3vol%O2-Atmosphäre,
Abkühlung auf 350°C, Sauerstoffbeladung und Halten 200 h lang.
Warmnachbehandlung:
Erwärmung auf 960°C und 12 h Halten in Ar/3vol%O2-Atmosphäre,
Abkühlung auf 350°C, Sauerstoffbeladung und Halten 200 h lang.
In Fig. 1 ist die erreichte Supraleitereigenschaft des ersten
Beispiels durch die normierte Magnetisierung über der Temperatur
(in Kelvin) aufgetragen, und zwar punktiert ohne Warmnachbehand
lung, mit Kreuz für die angegebene Warmnachbehandlung. Die
durchgezogene Kurve ist der Verlauf einer Sm-123/Sm-211-Volumen
probe ohne Ba3Cu5Ox-Anteil und ohne Warmnachbehandlung.
Den Verlauf der kritischen Stromdichte jc in kA/cm2 in Abhängig
keit von H bei der konstanten Temperatur von 60 K ist für die
erreichte Supraleitereigenschafte des ersten Beispiels in Fig. 2
aufgetragen. Der verbessernde Einfluß durch die Warmnachbe
handlung - Kreuzpunktverlauf mit ausgeprägtem "fish-tail" - in
der Ar/3%/O2-Atmosphäre ist augenscheinlich gegenüber dem ohne
diese Warmnachbehandlung (Punktverlauf).
Zusammensetzung:
Mischung Sm-123 (Matrix) + 10-Gew.-% Sm-211 + 0,1 Gew.-% PtO2
Mischung Sm-123 (Matrix) + 10-Gew.-% Sm-211 + 0,1 Gew.-% PtO2
+ 2 Gew.-%
CeO2
,
Warmbehandlung:
mit 400 K/h ab Raumtemperatur und ab 800°C mit 300 K/h auf T1
Warmbehandlung:
mit 400 K/h ab Raumtemperatur und ab 800°C mit 300 K/h auf T1
=
1150°C, Haltezeit 10 min,
rasche Abkühlung mit 500 K/h auf T2
rasche Abkühlung mit 500 K/h auf T2
= 1060°C, Setzen des Saatkri
stalls Nd-123 bei 1080°C,
langsame Abkühlung mit 0,7 K/h auf T3
langsame Abkühlung mit 0,7 K/h auf T3
= 980°C,
weitere Abkühlung mit 300 K/h bis auf Raumtemperatur.
weitere Abkühlung mit 300 K/h bis auf Raumtemperatur.
Die Endgeometrie der eindomänigen Probe ist: 22 mm Durchmesser,
10 mm Höhe.
Warmnachbehandlung:
Erwärmung auf 960°C in Ar/Bvol%O2 und 12 h Halten,
Abkühlen auf 350°C, Sauerstoffbeladung und Halten für 200 h.
Warmnachbehandlung:
Erwärmung auf 960°C in Ar/Bvol%O2 und 12 h Halten,
Abkühlen auf 350°C, Sauerstoffbeladung und Halten für 200 h.
In Fig. 3 ist die erreichte Supraleitereigenschaft des zweiten
Beispiels durch die normierte Magnetisierung über der Temperatur
(in Kelvin) aufgetragen, und zwar punktiert ohne Warmnachbehand
lung, mit Kreuz für die angegebene Warmnachbehandlung in der
Ar/8%O2-Atmosphäre.
Den Verlauf der kritischen Stromdichte jc in kA/cm2 in Abhängig
keit von H bei der konstanten Temperatur von 60 K ist für die
erreichte Supraleitereigenschafte des zweiten Beispiels in Fig. 4
aufgetragen. Die ausgeprägte Überhöhung der kritischen Strom
dichte jc bei etwa 1,5 Tesla ist höher als der in Beispiel 1 an
gegebenen kritischen Stromdichte.
Claims (14)
1. Verfahren zur Herstellung schmelztexturierter Volumenproben
auf der Basis des Hochtemperatursupraleiters
Sm1Ba2Cu3O7/Sm2Ba1Cu1O5 (SmBC),
bestehend aus den Schritten:
die pulvermetallurgische Herstellung jeder Volumenprobe wird bis einschließend der ersten Warmbehandlung an Luft durchge führt,
an der obenliegenden Stelle eines jeden Volumenbereichs der zu texturierenden Volumenprobe wird ein Saatkristall orien tiert gesetzt ("top seeded"),
die Volumenprobe wird durch eine Warmbehandlung an Luft, die Schmelztextur, verdichtet und texturiert,
die Volumenprobe wird zur endgültigen Einstellung der vorge gebenen Supraleitereigenschaften Tc und jc in mindestens einer weiteren Warmbehandlung in einer Argon- oder Ar gon/Sauerstoff-Atmosphäre oder an Luft für 6-24 h bei 800-1010°C nachbehandelt.
Sm1Ba2Cu3O7/Sm2Ba1Cu1O5 (SmBC),
bestehend aus den Schritten:
die pulvermetallurgische Herstellung jeder Volumenprobe wird bis einschließend der ersten Warmbehandlung an Luft durchge führt,
an der obenliegenden Stelle eines jeden Volumenbereichs der zu texturierenden Volumenprobe wird ein Saatkristall orien tiert gesetzt ("top seeded"),
die Volumenprobe wird durch eine Warmbehandlung an Luft, die Schmelztextur, verdichtet und texturiert,
die Volumenprobe wird zur endgültigen Einstellung der vorge gebenen Supraleitereigenschaften Tc und jc in mindestens einer weiteren Warmbehandlung in einer Argon- oder Ar gon/Sauerstoff-Atmosphäre oder an Luft für 6-24 h bei 800-1010°C nachbehandelt.
2. Verfahren nach Anpruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die schmelztexturierte Volumenprobe aus mindestens 50 Gew.-%
Sm-123 sowie 5 bis 50 Gew.-% Sm-211 besteht und/oder 0 bis
45 Gew.-% Y-211 und/oder 0 bis 45 Gew.-% Nd-422 enthält, wobei
das Ausgangsmaterials in folgenden Schranken zusammengestellt
wird:
- a) Sm0,8-1,8Ba2-yCu3-zO7-x,
mit 0 < x < 0, 5,
-0,2 < y < 0,2,
-0,3 < z < 0,3, und/oder
0-15 Gew.-% Sm2O3 und/oder
0-50 Gew.-% Sm2BaCuO5 (Sm-211) und/oder
0-30 Gew.-% Y1Ba2Cu3Oy und/oder
0-45 Gew.-% Y-211 und/oder
0-45 Gew.-% Nd-422 und/oder
es wird zunächst: - b) eine entsprechende Reaktivmischung, bestehend aus Sm-211, BaCuOx und CuO oder
- c) eine Oxid/Karbonatmischung, bestehend aus Sm2O3, BaO, BaCO3 und CuO zusammengesetzt oder
- d) eine Mischung aus Ba/Cu, hergestellt aus BaCO3/BaO und CuO, und Sm2O3 oder
- e) eine Mischung aus i) bis iv) oder,
- f) der verwendeten Basismischung wird, falls nicht schon den
Ausgangskomponenten beigemengt, an Additiven insgesamt
bis zu 12 Gew.-% zugegeben:
0-10 Gew.-% (3 mol% BaCuO + 2 mol% CuO) und/oder
0-6 Gew.-% Silberoxid und/oder
0-1 Gew.-% Pt in Form von PtO2 oder Pt, so daß genügend Pt vorhanden ist, um Uran-Platin-Verbindungen zu bilden und/oder
0,1-2 Gew.-% Ce in Form von CeO2 oder Ce und/oder
0,005-1 Gew.-% Rh in Form von Rh2O3 oder Rh und/oder
0-2 Gew.-% Yb2O3 und
0-2 Gew.-% Uran 238 eventuell mit geringen Anteilen von Uran 235 oder natürliches Uran in Form von Uran oder Uranoxid;
Weiterhin wird bis zu maximal 15 Gew.-% zugesetzt:
0-2 Gew.-% BaO und/oder
0-2 Gew.-% CuO und/oder
0-2 Gew.-% CaO2 und/oder
0-2 Gew.-% MgO und/oder
0-2 Gew.-% Al2O3 und/oder
0-15 Gew.-% BaZrO3 oder entsprechend (BaO + ZrO2) und
0-1 Gew.-% ZrO2 und/oder
0-1 Gew.-% V2O5 und/oder
0-1 Gew.-% TiO2 und/oder
0-1 Gew.-% Nb2O5 und/oder
0-1 Gew.-% Sb2O3 und/oder
0-1 Gew.-% Bi2O3.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Korngrößen der Komponenten im Bereich von nm- bis 80 µm
liegen und von den Fraktionen her gleich oder unterschied
lich sind.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
die Zusammensetzung wird in einer Mahleinrichtung, wie z. B.
einer Kugelmühle, einem Taumelmischer oder einer Rollbank
gleichmäßig vermengt, wobei eine Kohlenstoffaufnahme über CO2
bis zu 0,18 Gew.-% und eine Zerkleinerung der Körner ohne
Beeinträchtigung bleibt.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Formgebung und Verdichtung des vorbereiteten Pulvers
uniaxial oder
uniaxial und anschließend isostatisch oder
isostatisch oder
mittels eines drucklosen Formgebungsverfahrens oder
mittels eines drucklosen Formgebungsverfahrens und anschlie ßend isostatisch oder
unter Verwendung organischer Bindemittel mittels Gieß-, Spritzguß- oder Extrusionsverfahren durchgeführt wird.
daß die Formgebung und Verdichtung des vorbereiteten Pulvers
uniaxial oder
uniaxial und anschließend isostatisch oder
isostatisch oder
mittels eines drucklosen Formgebungsverfahrens oder
mittels eines drucklosen Formgebungsverfahrens und anschlie ßend isostatisch oder
unter Verwendung organischer Bindemittel mittels Gieß-, Spritzguß- oder Extrusionsverfahren durchgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Pulvermischung zur Formgebung das Bindemittel Schel lack oder PMMA oder Wachs oder
ein thermoplastischer Kunststoff oder Polyvinylbutyral oder
Polyvinylalkohol und seine Derivate oder
Polyacrylat oder
Polymethacrylatderivat zugesetzt wird.
daß der Pulvermischung zur Formgebung das Bindemittel Schel lack oder PMMA oder Wachs oder
ein thermoplastischer Kunststoff oder Polyvinylbutyral oder
Polyvinylalkohol und seine Derivate oder
Polyacrylat oder
Polymethacrylatderivat zugesetzt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Zugabe an Binder oder Wachs auf bis zu 0,18 Gew.-% be
schränkt wird, damit die Aufnahme an Kohlenstoff ohne Beein
trächtigung für die Supraleitereigenschaften bleibt.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Bindemittel im Grünkörper vor dem Schmelztexturieren
durch eine thermische Behandlung, die maximal bis zur Sinter
temperatur geht, ausgetrieben wird.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 5 und 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Grünkörper zur seiner wesentlichen Verdichtung einer
thermischen Behandlung, dem Sintern, unterworfen wird, um da
nach vor dem Schmelztexturieren schon auf Maß bearbeitet wer
den zu können.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 5, 8, und 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Rohling der Schmelztexturierung gemäß einem zeitlich in folgenden Schranken verlaufenden Temperaturprogramm unter worfen wird:
Erwärmung mit bis zu 400 K/h auf etwa T1 = 1150°C mit an schließender Haltezeit bis zu 30 min, dann
rasche Abkühlung mit 400 K/h auf mindestens T2 = 1060°C, dann
langsame Abkühlung mit 0,5-2,0 K/h auf T3 = 980°C, dann
schnellst mögliche finale Abkühlung mit etwa 50 K/h auf Umge bungstemperatur, wobei der Saatkristall vor Beginn der Warm behandlung oder während der ersten Abkühlphase gesetzt wird.
daß der Rohling der Schmelztexturierung gemäß einem zeitlich in folgenden Schranken verlaufenden Temperaturprogramm unter worfen wird:
Erwärmung mit bis zu 400 K/h auf etwa T1 = 1150°C mit an schließender Haltezeit bis zu 30 min, dann
rasche Abkühlung mit 400 K/h auf mindestens T2 = 1060°C, dann
langsame Abkühlung mit 0,5-2,0 K/h auf T3 = 980°C, dann
schnellst mögliche finale Abkühlung mit etwa 50 K/h auf Umge bungstemperatur, wobei der Saatkristall vor Beginn der Warm behandlung oder während der ersten Abkühlphase gesetzt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Schmelztexturierung ein Saatkristall wie z. B. Nd-123
mit höherer Zersetzungstemperatur als die Maximaltempera
tur Tmax der Warmbehandlung oder höher als die Temperatur zwi
schen T1 und T2, bei der der Saatkristall aufgesetzt wird,
verwendet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Nachbehandlung in
Luft oder in
Argon oder in
Argon/Sauerstoff (max20%)-Atmosphäre für 6-24 h bei Tempera turen von 800-1010°C erfolgt, wodurch eine Umwandlung der an Luft gebildeteten Niedrig-Tc-Phasen in Hoch-Tc-Phasen er folgt.
daß eine Nachbehandlung in
Luft oder in
Argon oder in
Argon/Sauerstoff (max20%)-Atmosphäre für 6-24 h bei Tempera turen von 800-1010°C erfolgt, wodurch eine Umwandlung der an Luft gebildeteten Niedrig-Tc-Phasen in Hoch-Tc-Phasen er folgt.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Volumenprobe zur Einstellung der optimalen Supralei
tereigenschaften für Tc und jc einer abschließenden Sauer
stoffbeladung bei 310-350°C für bis zu 300 h unterzogen wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß zur Erzielung einer eindomänigen Probe die zunächst er
reichte polykristalline oder multidomänige Probe ein zweites
Mal schmelztexturiert wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19841575A DE19841575A1 (de) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Verfahren zur Herstellung schmelztexturierter Volumenproben auf der Basis des Hochtemperatursupraleiters Sm¶1¶Ba¶2¶Cu¶3¶O¶7¶/Sm¶2¶Ba¶1¶Cu¶1¶O¶5¶ (SmBC) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19841575A DE19841575A1 (de) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Verfahren zur Herstellung schmelztexturierter Volumenproben auf der Basis des Hochtemperatursupraleiters Sm¶1¶Ba¶2¶Cu¶3¶O¶7¶/Sm¶2¶Ba¶1¶Cu¶1¶O¶5¶ (SmBC) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19841575A1 true DE19841575A1 (de) | 2000-03-23 |
Family
ID=7880607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19841575A Ceased DE19841575A1 (de) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Verfahren zur Herstellung schmelztexturierter Volumenproben auf der Basis des Hochtemperatursupraleiters Sm¶1¶Ba¶2¶Cu¶3¶O¶7¶/Sm¶2¶Ba¶1¶Cu¶1¶O¶5¶ (SmBC) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19841575A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1445805A1 (de) * | 2003-02-07 | 2004-08-11 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Herstellung eines supraleitenden Bauteils mit hoher kritischer Temperatur |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19708711C1 (de) * | 1997-03-04 | 1998-09-03 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Züchtung von Einkristallen von Hochtemperatursupraleitern aus Seltenerd-Kupraten der Form SE¶1¶¶+¶¶x¶Ba¶2¶¶-¶¶x¶Cu¶3¶0¶7¶¶-¶¶delta¶ und nach dem Verfahren hergestellte Kristalle |
-
1998
- 1998-09-11 DE DE19841575A patent/DE19841575A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19708711C1 (de) * | 1997-03-04 | 1998-09-03 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Züchtung von Einkristallen von Hochtemperatursupraleitern aus Seltenerd-Kupraten der Form SE¶1¶¶+¶¶x¶Ba¶2¶¶-¶¶x¶Cu¶3¶0¶7¶¶-¶¶delta¶ und nach dem Verfahren hergestellte Kristalle |
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|---|
| GB-Z.: Supercond. Sci. Technol., 9 (1996) 694-705 * |
| GB-Z.: Supercond. Sci. Technol., 9 (1996) 869-874 * |
| JP-Z.: Jpn. J. Appl. Phys., Vol.33, 15 May 1994, pp. L715-L717 * |
| NL-Z.: Physica C 272 (1996) 297-300 * |
| NL-Z.: Physica C, Vol.282-287 (1997) 2275-2276 * |
| US-Z.: Appl. Phys. Lett., 68 (14), 1 April 1996, 1993-1995 * |
| US-Z.: Appl. Phys. Lett., 71 (3), 21 July 1997, 413-415 * |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1445805A1 (de) * | 2003-02-07 | 2004-08-11 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Herstellung eines supraleitenden Bauteils mit hoher kritischer Temperatur |
| WO2004070771A3 (en) * | 2003-02-07 | 2005-02-17 | Centre Nat Rech Scient | Manufacture of high critical temperature superconducting part |
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| DE3817693C2 (de) |
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