DE19828191C1 - Lateral-Hochspannungstransistor - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Lateral-Hochspannungstransistor mit einem Halbleiterkörper aus einem schwach dotierten Halb­ leitersubstrat des einen Leitungstyps und einer auf dem Halb­ leitersubstrat vorgesehenen epitaktischen Schicht des ande­ ren, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, einer Drainelektrode, einer Sourceelektrode, einer Gateelek­ trode und einer unter der Gateelektrode vorgesehenen und in die epitaktische Schicht eingebetteten Halbleiterzone des ei­ nen Leitungstyps.

Gut leitende Lateral-Hochspannungstransistoren sind bereits in den verschiedensten Ausführungen vorgeschlagen worden (vgl. beispielsweise DE-A-43 09 764, US 4 754 310, US 4 811 075). Diese herkömmlichen Lateral-Hochspannungstransi­ storen sind aber relativ schwierig herzustellen, da die dort vorgesehenen parallelen N-leitenden und P-leitenden Gebiete genau die gleiche Flächendotierung aufweisen müssen.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Late­ ral-Hochspannungstransistor anzugeben, der sich durch eine relativ einfach herstellbare Struktur auszeichnet.

Diese Aufgabe wird bei einem Lateral-Hochspannungstransistor der eingangs genannten Art erfindungsgemäß gelöst durch in Zeilen und Reihen zwischen der Sourceelektrode und der Drain­ elektrode angeordnete Trenche (Gräben) in der epitaktischen Schicht, deren Wände mit Dotierstoff des einen Leitungstyps hochdotiert sind.

Die Trenche sind dabei zeilenweise zwischen Sourceelektrode und Drainelektrode auf der Oberfläche der epitaktischen Schicht mit streifenförmigen, schwach dotierten Gebieten des einen Leitungstyps miteinander verbunden.

Bei einer Schichtdicke der epitaktischen Schicht von bei­ spielsweise etwa 20 µm haben die Trenche eine Tiefe von etwa 18 µm bei einem Durchmesser von etwa 1 µm.

Vorzugsweise ist der Abstand zwischen Reihen der Trenche, al­ so zwischen Trenchen in der Richtung zwischen Sourceelektrode und Drainelektrode, derart bemessen, daß die Ausräumung des Gebietes des anderen Leitungstyps zwischen den Reihen der Trenche eher erfolgt, als die Trenche bzw. deren Wände des einen Leitungstyps zu der epitaktischen Schicht des anderen Leitungstyps die Durchbruchsspannung erreichen.

Bei dem erfindungsgemäßen Lateral-Hochspannungstransistor wächst, wenn an der Drainelektrode eine positive Spannung an­ liegt, während die Sourceelektrode mit Masse verbunden ist, die Raumladungszone von der Seite der Sourceelektrode in Richtung auf die Seite der Drainelektrode bei steigender Spannung an der Drainelektrode an. Die floatenden Trenche des einen Leitungstyps befinden sich dabei reihenweise auf dem Potential, mit dem die Raumladungszone die entsprechende Rei­ he der Trenche erreicht hat. Die Ausräumung an Ladungsträgern der Gebiete des anderen Leitungstyps zwischen den Reihen der Trenche des einen Leitungstyps erfolgt eher, bevor die Tren­ che des einen Leitungstyps die Durchbruchsspannung zu der epitaktischen Schicht des anderen Leitungstyps erreichen.

Vorzugsweise sind, wie bereits erläutert wurde, die Trenche zeilenweise auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers mit schmalen streifenförmigen Gebieten des einen Leitungstyps, die schwach dotiert sind, miteinander verbunden.

Die Trenche können eine Struktur bilden, die ringförmig oder langgezogen ellipsoidartig ausgebildet ist, wobei die Drain­ elektrode im wesentlichen in der Mitte einer derartigen Struktur angeordnet ist.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittdarstellung des erfindungsgemäßen Lateral-Hochspannungstransistors und

Fig. 2 eine Draufsicht auf den Lateral-Hochspan­ nungstransistor von Fig. 1.

Auf einem p^--leitenden Silizium-Halbleitersubstrat 1 ist eine n-leitende epitaktische Schicht 2 vorgesehen, in deren Ober­ fläche ein n⁺-leitendes Drainelektroden-Anschlußgebiet 3, an welchem eine Spannung +U_D anliegt, eine p-leitende Wanne 4 und ein n⁺-leitendes Sourceelektroden-Anschlußgebiet 5 einge­ bracht sind. Die Wanne 4 und das Gebiet 5 sind mit Masse ver­ bunden.

Oberhalb der p-leitenden Wanne ist über einer Gate-Isolier­ schicht 6 aus beispielsweise Siliziumdioxid eine Gateelektro­ de 7 mit einem Kontakt G angeordnet.

Erfindungsgemäß befinden sich zwischen dem Anschlußgebiet 5 für die Sourceelektrode und dem Anschlußgebiet 3 für die Drainelektrode Trenche 8, die beispielsweise durch Ätzen in die epitaktische Schicht 2 eingebracht sind und deren Wände mit p⁺-Dotierstoff, beispielsweise Bor, hochdotiert sind. Dies kann durch Ausdiffusion aus p-dotiertem polykristallinem Silizium oder aus einer entsprechenden Oxidfüllung geschehen. Die Trenche 8 sind dabei in Reihen und Zeilen angeordnet (vgl. Fig. 2), wobei sie zeilenweise auf der Oberfläche mit einem schmalen p^--leitenden Streifen 9 miteinander verbunden sind, wie dies schematisch in der Draufsicht von Fig. 2 ange­ deutet ist. Die Trenche 8 sind "floatend" bzw. potentialfrei und - wie dies erläutert wurde - über die Streifen 9 zeilen­ weise miteinander verbunden.

Bei Anlegung einer steigenden Spannung +U_D an das Anschlußge­ biet 3 wächst die Raumladungszone von der Seite der Source­ elektrode (Anschlußgebiet 5) aus in Richtung zu der Seite der Drainelektrode (Anschlußgebiet 3) an. Die floatenden p⁺-lei­ tenden Trenche 8 sind dabei reihenweise auf dem Potential, mit dem die Raumladungszone die entsprechende Reihe erreicht.

Der Abstand zwischen den Reihen der Trenche 8, also in Fig. 1 zwischen den dort gezeigten Trenchen 8, ist vorzugsweise der­ art bemessen, daß die Ausräumung an Ladungsträgern der epi­ taktischen Schicht 2 zwischen den Reihen eher erfolgt als die Trenche 8 zur n-leitenden epitaktischen Schicht 2 die Durch­ bruchsspannung erreichen.

Die Struktur der Trenche 8 kann ring- oder langgezogen ellip­ soidartig ausgeführt sein, wobei Drain (vgl. das Anschlußge­ biet 3) in der Mitte dieser Struktur angeordnet ist.

Claims (5)

1. Lateral-Hochspannungstransistor mit einem Halbleiterkörper (1, 2) aus einem schwach dotierten Halbleitersubstrat (1) des einen Leitungstyps und einer auf dem Halbleitersubstrat (1) vorgesehenen epitaktischen Schicht (2) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, einer Drainelek­ trode (3), einer Sourceelektrode (5), einer Gateelektrode (7) und einer unter der Gateelektrode (7) vorgesehenen und in die epitaktische Schicht (2) eingebetteten Halbleiterzone (4) des einen Leitungstyps, gekennzeichnet durch in Zeilen und Reihen zwischen der Sourceelektrode (5) und der Drainelektrode (3) angeordnete Trenche (8) in der epitakti­ schen Schicht (2), deren Wände mit Dotierstoff des einen Lei­ tungstyps hochdotiert sind.

2. Lateral-Hochspannungstransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trenche (8) zeilenweise zwischen Sourceelektrode (5) und Drainelektrode (3) auf der Oberfläche der epitaktischen Schicht (2) mit streifenförmigen schwach dotierten Gebieten (9) des einen Leitungstyps verbunden sind.

3. Lateral-Hochspannungstransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Schichtdicke der epitaktischen Schicht (2) von etwa 20 µm die Tiefe der Trenche (8) etwa 18 µm und deren Durchmesser etwa 1 µm betragen.

4. Lateral-Hochspannungstransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen Reihen der Trenche (8) derart bemes­ sen ist, daß die Ausräumung des Gebietes des anderen Leitung­ styps zwischen den Reihen der Trenche (8) erfolgt, bevor die Trenche (8) zu der epitaktischen Schicht die Durchbruchsspan­ nung erreichen.

5. Lateral-Hochspannungstransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Struktur der Trenche (8) ringförmig oder langgezogen ellipsoidartig ausgeführt ist, wobei die Drainelektrode (3) in der Mitte angeordnet ist.