DE19640243A1 - Kondensator mit einer Sauerstoff-Barriereschicht und einer ersten Elektrode aus einem Nichtedelmetall - Google Patents
Kondensator mit einer Sauerstoff-Barriereschicht und einer ersten Elektrode aus einem NichtedelmetallInfo
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
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- H10D1/682—Capacitors having no potential barriers having dielectrics comprising perovskite structures
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Description
Die Erfindung betrifft einen Kondensator in einer integrier
ten Schaltung, insbesondere in einem integrierten Halbleiter
speicher.
In integrierten Halbleiterschaltungen ist die Erhöhung der
Integrationsdichte ein vorrangiges Ziel. Bei Kondensatoren
kann der Platzbedarf dadurch verringert werden, daß als Kon
densatordielektrikum ein Ferroelektrikum oder Hoch-ε-Dielek
trikum verwendet wird, so daß für einen vorgegebenen Kapazi
tätswert eine geringere Kondensatorfläche benötigt wird. Sol
che Kondensatoren werden beispielsweise in integrierten Spei
chern als sogenannte "Stacked"-Kondensatoren (der Kondensator
einer Speicherzelle ist oberhalb eines zugehörigen Auswahl
transistors angeordnet) eingesetzt.
Verschiedene Paraelektrika mit hoher Permittivitat
(Hoch-ε-Dielektrika) und Ferroelektrika sind aus der Literatur be
kannt, Beispiele sind Barium-Strontium-Titanat, (Ba, Sr) TiO₃
(BST), Strontium-Titanat (ST) oder Blei-Zirkonoium-Titanat
(PZT). Die Herstellung dieser Materialien erfolgt durch einen
Sputter-, Spin-on- oder Abscheideprozeß, der hohe Temperatu
ren in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre benötigt. Dies hat
zur Folge, daß die in der Halbleitertechnologie als Elektro
denmaterial verwendeten leitfähigen Materialien (z. B. Poly
silizium, Aluminium oder Wolfram) ungeeignet sind, da sie un
ter diesen Bedingungen oxidieren. Daher wird zumindest die
erste Elektrode üblicherweise im wesentlichen aus einem Edel
metall wie Pt oder Ru hergestellt. Diese neuen Elektrodenma
terialien sind jedoch für die Halbleitertechnologie relativ
unbekannte Substanzen. Sie sind schwierig aufzubringen und
nur bei geringer Schichtdicke befriedigend strukturierbar.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Kondensator
in einer integrierten Halbleiterschaltung anzugeben, bei dem
ein in der Halbleitertechnologie bekanntes Material als erste
Elektrode und ein Hoch-ε-Dielektrikum oder Ferroelektrikum
als Kondensatordielektrikum eingesetzt wird. Diese Aufgabe
wird durch einen Kondensator mit den Merkmalen des Patentan
spruches 1 gelöst. Weiterbildungen sind Gegenstand von Un
teransprüchen.
Bei der Erfindung ist auf der ersten Elektrode eine Barriere
schicht angeordnet, die die Diffusion von Sauerstoff in aus
reichendem Maße unterdrückt und so die erste Elektrode vor
einer Oxidation schützt. Damit kann ein bekanntes Material
wie beispielsweise Polysilizium als untere Elektrode verwen
det werden. Auf diese Barriere wird dann direkt ein Ferro
elektrikum oder ein Hoch-ε-Dielektrikum wie beispielsweise
BST mit einem bekannten Prozeß aufgetragen. Die Barriere
schicht muß dabei alle während des erwähnten Hochtemperatur
prozesses existierenden Diffusionspfade wirksam unterbinden.
Als Sauerstoff-Barriereschicht kann beispielsweise Si₃N₄ ver
wendet werden. Eine weitere Möglichkeit ist die Verwendung
einer TiO₂-Barriereschicht auf einer ersten Elektrode aus
Ti-Six. Eine weitere Möglichkeit ist das Einbinden von Sauer
stoff durch eine begrenzte Oxidation der darunterliegenden
Schicht (z. B. von Polysilizium in einer Dicke von weniger als
5 nm).
Die Barriereschicht kann elektrisch leitend oder isolierend
sein. Im ersten Fall muß sie strukturiert werden, wenn be
nachbarte Kondensatoren voneinander getrennt werden müssen.
Im letzteren Fall ist zu berücksichtigen, daß die Barriere
schicht im allgemeinen eine weit niedrigere Dielektrizitäts
konstante ε als z. B. BST aufweist, so daß der Kondensator
effektiv aus einer Reihenschaltung von zwei Kondensatoren be
steht mit einer Gesamtkapazität, die geringer ist als die des
BST-Kondensators. Dieser Kapazitätsverlust kann durch Verrin
gerung der Barrierenschichtdicke minimiert werden.
Besteht das Kondensatordielektrikum aus einem Ferroelektri
kum, ist der Spannungsabfall an der Barriereschicht zu be
rücksichtigen. Dies bedeutet, daß eine höhere Spannung ange
legt werden muß, um eine vorgegebene Hystereseschleife zu
durchfahren. Die Polarisation pro Fläche im Sättigungsbereich
wird dadurch allerdings nicht beeinträchtigt.
Die Barriereschicht kann insbesondere durch eine Nitridierung
oder eine Oxidierung hergestellt werden. Ferner kann die Bar
riereschicht durch eine Reaktion zwischen dem Kondensatordie
lektrikum und der ersten Elektrode gebildet werden. Diese Re
aktion kann während der Abscheidung des Dielektrikums (oder
Ferroelektrikums) oder einer der darauffolgenden Temperungen
stattfinden. Beispielsweise reagiert WN als Elektrodenmateri
al mit BST an der Grenzfläche zu W(Ba,Sr)Ox, das
nichtstöchiometrisch und leitfähig ist.
Die Erfindung ist auch einsetzbar bei einem in einem Graben
angeordneten Kondensator. Dabei sind beide Kondensatorelek
troden überwiegend innerhalb des Grabens angeordnet, wobei
jede Speicherzelle einen eigenen Graben besitzt oder die Kon
densatoren benachbarter Zellen in einem gemeinsamen Graben
untergebracht sind.
Fig. 1 zeigt als Ausführungsbeispiel eine Speicherzelle ei
ner integrierten Halbleiterschaltung mit einem erfindungsge
mäßen Kondensator. Die Figur zeigt ein Substrat 1 mit einem
darin angeordneten MOS-Transistor, der zwei S/D-Gebiete 3, 4
und ein isoliert auf dem Substrat aufgebracht es Gate 5 um
faßt. Nicht aktive Bereiche der Schaltung sind mit einer Iso
lation 2 bedeckt. Eine Isolationsschicht 6 bedeckt den Tran
sistor und weist Kontaktlöcher zu den zu kontaktierenden
S/D-Gebieten auf. Das Kontaktloch zum S/D-Gebiet 4 liegt dabei
außerhalb der Zeichenebene. Das S/D-Gebiet 3 ist über das
Kontaktloch mit einer ersten Elektrode 7 verbunden. Diese er
ste Elektrode 7 besteht aus einem in der Halbleitertechnolo
gie üblicherweise verwendeten leitfähigen Material, wie bei
spielsweise Wolfram, Silizide, epitaktisch aufgewachsenes Si
lizium, Polysilizium, Nitride (WN; TiN etc.) oder einer Kom
bination derartiger Materialien. Sie kann auch an ihrer Un
terseite (d. h. an der Grenzfläche zum S/D-Gebiet 3) eine Bar
riereschicht aufweisen oder über eine eigens hergestellte An
schlußstruktur (Plug), die evtl. aus einem anderen Material
besteht, mit dem dotierten Gebiet 3 verbunden sein. Diese Ma
terialien bestehen alle nicht im wesentlichen aus einem Edel
metall und werden im folgenden als im wesentlichen edelme
tallfreie leitfähige Materialien bezeichnet. Auf die geeignet
strukturierte erste Elektrode 7 wird dann als Barriereschicht
8 Siliziumnitrid in einer Dicke < 5 nm (bspw. 2 nm) aufge
bracht, so daß alle freiliegenden Oberflächen der ersten
Elektrode von ihr bedeckt sind, dann erfolgt mit einem be
kannten Verfahren die Abscheidung von Barium-Stronti
um-Titanat 9 in einer Schichtdicke von etwa 50 nm. Die Kombina
tion aus 2 nm Si₃N₄ (ε = 8) und 50 nm BST (ε = 300) ergibt
eine Gesamtkapazität, die 40% der reinen BST-Kapazität ent
spricht. Der Vorteil der dünnen dielektrischen Schicht zwi
schen Elektrode 7 und dem Kondensatordielektrikum 9 ist die
Reduzierung des Leckstroms des Kondensators. Die nicht lei
tende Barriereschicht 8 kann ganz flächig auf der integrierten
Schaltung verbleiben. Der Kondensator wird durch eine zweite
Elektrode 10, die auf dem Kondensatordielektrikum 9 herge
stellt wird, vervollständigt.
Claims (5)
1. Kondensator in einer integrierten Halbleiterschaltung
- - mit einer ersten Elektrode (7) die aus einem im wesentli chen edelmetallfreien leitfähigen Material besteht,
- - mit einer zweiten Elektrode (10),
- - mit einem Kondensatordielektrikum (9), daß die erste (7) und zweite Elektrode (10) voneinander isoliert und aus ei nem Hoch-ε-Dielektrikum oder Ferroelektrikum besteht, und
- - mit einer Barriereschicht zur Verringerung der Sauerstoff diffusion, die auf der ersten Elektrode (7) angeordnet ist und die gesamte Grenzfläche zwischen erster Elektrode (7) und Kondensatordielektrikum (9) bedeckt.
2. Kondensator nach Anspruch 1,
bei dem die Barriereschicht (8) eine elektrisch isolierende
Schicht ist.
3. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 2,
bei dem die Barriereschicht (8) aus Siliziumnitrid oder -oxid
besteht.
4. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
bei dem die erste Elektrode (7) im wesentlichen aus Polysili
zium, einem leitfähigen Nitrid, Wolfram oder einem Silizid
besteht.
5. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 2,
bei dem die erste Elektrode (7) im wesentlichen aus Titansi
lizid und die Barriereschicht (8) im wesentlichen aus Ti
tanoxid besteht.
Priority Applications (3)
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| US5406447A (en) * | 1992-01-06 | 1995-04-11 | Nec Corporation | Capacitor used in an integrated circuit and comprising opposing electrodes having barrier metal films in contact with a dielectric film |
Non-Patent Citations (1)
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| KAMIYAMA, S., LESAICHERRE, P.-Y., SUZUKI, H., SAKAI, A., NISHIYAMA, I., ISHITANI, A.: Ultrathin Tantalun Oxide Capacitor Dielectric Layers Fabricated Using Rapid Thermal Nitri- dation prior the Low Pressure Chemical Vapor Deposition, in: J.Electrochem.Soc., Vol. 140, No. 6, 1993, S. 1617-1625 * |
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| TW347541B (en) | 1998-12-11 |
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