DE19623826C2 - Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für Halbleiterchips - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für HalbleiterchipsInfo
- Publication number
- DE19623826C2 DE19623826C2 DE19623826A DE19623826A DE19623826C2 DE 19623826 C2 DE19623826 C2 DE 19623826C2 DE 19623826 A DE19623826 A DE 19623826A DE 19623826 A DE19623826 A DE 19623826A DE 19623826 C2 DE19623826 C2 DE 19623826C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- film
- stiffening
- carrier substrate
- chip
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H10W70/699—
-
- H10W70/60—
-
- H10W76/40—
-
- H10W76/47—
-
- H10W72/075—
-
- H10W72/50—
-
- H10W72/884—
-
- H10W72/952—
-
- H10W74/00—
-
- H10W90/734—
-
- H10W90/754—
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Description
Bei heutigen Chipkarten werden die Halbleiterchips mittels
eines zumeist mit einem nicht-leitenden, flexiblen Substrat
gebildeten Trägerelements in die üblicherweise aus Kunststoff
bestehende Karte eingebracht. Auf dem Trägerelement ist nicht
nur der Halbleiterchip, sondern es sind auch die Kontaktflä
chen, mit denen der Halbleiterchip von einem Lesegerät kon
taktiert werden kann, angeordnet. Hierzu wird üblicherweise
eine oberflächenveredelte Kupferfolie auf das nicht-leitende
Substrat laminiert und beispielsweise durch Ätzen struktu
riert. In das nicht-leitende Substrat werden vor dem Laminie
ren Löcher gestanzt, durch die hindurch der Chip beispiels
weise mittels Drähte in Wire-Bond-Technik mit den Kontaktflä
chen elektrisch leitend verbunden werden kann. Der Halblei
terchip und die Drähte werden dann durch eine schützende Ver
gußmasse abgedeckt.
Die Chipkarten müssen bestimmte, durch die Anwender vorgege
bene Biegebelastungen bestehen können. Die hierbei auftreten
den Biegekräfte müssen jedoch vom Chip ferngehalten werden,
da dieser wesentlich spröder als das Kartenmaterial ist. Dies
trifft insbesondere für Chips zu, die größer als etwa 10 mm2
sind. Aus der EP 0 484 353 B1 ist es bekannt, hierzu auf dem
flexiblen Substrat einen Versteifungsrahmen vorzusehen, der
eine wesentlich höhere Biegesteifigkeit aufweist als das fle
xible Trägersubstrat.
Die Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform gemäß der EP 0 484 353 B1.
Das nicht-leitende, flexible Trägersubstrat 1 ist mit
Ausnehmungen 2 versehen. Eine metallische Folie 3 ist auf das
Substrat 1 mittels eines Klebers 4 laminiert. Die metallische
Folie 3 ist in durch Rillen 5 voneinander elektrisch isolier
te Kontaktflächen strukturiert. Ein Halbleiterchip 6 ist auf
das Substrat 1 geklebt und mittels Drähte 7 mit den Kontakt
flächen 3 elektrisch verbunden. Zur Versteifung des flexiblen
Substrates 1 ist ein Versteifungsring 8 auf das Substrat 1
geklebt. Das Innere des Versteifungsringes 8 ist mit einer
Vergußmasse 9 gefüllt, um den Chip 6 und die Drähte 7 zu
schützen.
Das Aufbringen des Versteifungsrings ist problematisch, da
relativ hohe Lagetoleranzen vorgegeben sind und außerdem spe
zielle, aufwendige Werkzeuge hierfür notwendig sind. Insge
samt ergibt sich eine sehr schwierige und aufwendige Prozeß
führung. Außerdem wird durch den bekannten Versteifungsring
die zur Klebung des Trägerelementes in die Karte nötige Flä
che eingeschränkt.
Die US 5,147,982 zeigt in ihrer Fig. 6 ein Trägerelement,
bei dem auf ein gestanztes, Kontaktflächen bildendes Metall
gitter eine Kunststoffolie laminiert wird, die einen einstü
ckig angeformten Verstärkungs- und Schutzrahmen aufweist. Je
doch benötigt die Folie mit dem einstückig ausgebildeten
Verstärkungs- und Schutzrahmen eine zusätzliche Spritzguß
form, wobei eine sehr dünne Ausbildung des Rahmens nicht mög
lich ist.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein einfaches Verfahren zur
Herstellung eines stabilen Trägerelementes für Halbleiter
chips eingesetzt insbesondere in Chipkarten anzugeben.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung des Trä
gerelementes gemäß dem Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Wei
terbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß dieselben
oder ähnliche Verfahrensschritte durchgeführt werden wie bei
der Herstellung des Trägersubstrates oder des bekannten Trä
gerelementes. Dies sind Stanz- bzw. Laminierverfahrensschrit
te. Da die Versteifungsfolie außerdem dieselbe Außenabmessung
hat wie das Trägerelement, können zum Laminieren dieselben
Maschinen benutzt werden wie zum Laminieren der die Kontakt
flächen bildenden Kupferfolie.
Die Trägerelemente werden normalerweise in einem sehr langen
Band gefertigt, wobei mehrere Trägerelemente sogar nebenein
ander liegen können. Das Band weist an seinen Rändern Perfo
rationen auf, mittels derer es in der Fertigungsmaschine wei
terbefördert werden kann. Wenn auch die Versteifungsfolie
diese Löcher aufweist, kann sie in gleicher Weise wie das
flexible Trägersubstrat oder die Kontaktflächenfolie beför
dert und verarbeitet werden.
Da der durch Tiefziehen und Stanzen entstandene Rahmen ent
lang des Randes der Ausnehmung in der Versteifungsfolie nur
dieselbe Dicke hat wie die Kupferfolie selbst, bleibt im Be
reich außerhalb dieses Rahmens genügend Platz für einen Kle
ber, um das Trägerelement in einer Karte befestigen zu kön
nen. Die Dicke der Versteifungsfolie kann abhängig von der
gewünschten Gesamtbiegesteifigkeit sowie den Materialeigen
schaften der verwendeten Folie gewählt werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbei
spieles mit Hilfe von Figuren näher erläutert. Dabei zeigen
Fig. 1a-1d das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der
Versteifungsfolie sowie eine Draufsicht der ferti
gen Folie,
Fig. 2a-2c das flexible Trägersubstrat, die Versteifungsfolie
sowie die Verbindung dieser beiden Teile,
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein Trägerelement herge
stellt nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gemäß
Fig. 1a-1d
Fig. 4 ein Trägerelement hergestellt nach einem Verfahren
gemäß dem Stand der Technik.
In der Fig. 1a ist der Querschnitt durch eine auf die ent
sprechende Dicke gewalzte metallische Versteifungsfolie dar
gestellt. In der Fig. 1b sind die durch einen Tiefziehvor
gang entstandenen Wannen 11 gezeigt. In einem Stanzvorgang
werden die Böden der Wannen 11 entfernt, so daß lediglich die
Wände der Wannen 11 als Rahmen 12, die einstückig mit der
Versteifungsfolie 10 verbunden sind und entlang des Randes
der durch die vormaligen Wannen 11 definierten Ausnehmung in
der Folie verlaufen.
Die Fig. 1d zeigt eine Draufsicht auf eine Versteifungsfolie
10, die als langes Band ausgebildet ist. Entlang der beiden
Ränder des Bandes sind Perforierungen 13 angebracht, die ei
nen Weitertransport des Bandes mittels Zahnrädern erlauben.
Die Folie 10 weist Ausnehmungen 14 auf, entlang deren Ränder
die Rahmen 12 verlaufen. Strichliert ist der Schnitt darge
stellt, der die Darstellung der Fig. 1c bildet.
In Fig. 2b ist die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren her
gestellte Versteifungsfolie nochmals gezeigt. Die Fig. 2a
zeigt das flexible Trägersubstrat 15, das aus einem Kunst
stoff gebildet sein kann, wobei heutzutage üblicherweise
glasfaserverstärktes Epoxidharz verwendet wird. Auch das Trä
gersubstrat 15 ist als langes Band ausgebildet und weist an
seinen Rändern Perforierungen 13 zum Weitertransport und ex
akten Positionieren bei Weiterverarbeitungen auf. Das Träger
substrat 15 weist Stanzungen 16 auf, in die ein nicht darge
stellter Halbleiterchip eingesetzt und durch die hindurch
dieser Halbleiterchip mit nicht zu erkennenden Kontaktflächen
auf der Rückseite des Trägersubstrates 15 elektrisch verbun
den werden kann. In der Fig. 2c ist schließlich die mit dem
Trägersubstrat 15 verbundene Versteifungsfolie 10 darge
stellt. Die Stanzungen 16 des Trägersubstrates 15 befinden
sich innerhalb des einstückig mit der Versteifungsfolie 10
verbundenen Rahmens 12, so daß ein nicht dargestellter Halb
leiterchip problemlos in die zentrale Ausnehmung eingesetzt
werden kann und durch die peripheren Ausnehmungen im Träger
substrat 15 mit den auf der Rückseite des Trägersubstrates
vorgesehenen, nicht zu sehenden, Kontaktflächen verbunden
werden kann.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch ein aus dem Band ausge
stanztes Trägerelement. Das nicht-leitende, flexible Träger
substrat 15 weist in diesem Fall nur periphere durch Stanzung
entstandene Ausnehmungen 16 auf. Auf seiner Rückseite ist ei
ne metallische Folie 20, die durch Rillen 22 in Kontaktflä
chen strukturiert ist mittels eines Klebers 21 laminiert. Auf
das Trägersubstrat 15 ist ein Halbleiterchip 23 angeordnet,
der mittels Bonddrähte 24 durch die Ausnehmungen 16 des Trä
gersubstrates 15 mit den Kontaktflächen 20 verbunden ist. Auf
der dem Halbleiterchip 23 tragenden Vorderseite des Träger
substrates 15 ist die Versteifungsfolie 10 mittels eines Kle
bers auflaminiert. Der Bereich innerhalb des mit der Verstei
fungsfolie 10 einstückig verbundenen Rahmens 12 ist mit einer
Vergußmasse 25 zum Schutz des Halbleiterchips 23 und der
Bonddrähte 24 aufgefüllt.
Wie im Vergleich mit der Fig. 4 zu sehen ist, verbleibt beim
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Trägerele
ment eine größere Fläche im Bereich des Randes des Trägerele
mentes, um dieses besser in eine Plastikkarte einkleben zu
können.
Die Fig. 1 bis 4 zeigen ein nicht-leitendes Trägersubstrat
15 bzw. 1, das eine die Kontaktflächen bildende Metallka
schierung 20 bzw. 3 aufweist. Prinzipiell ist es jedoch eben
so möglich, ein leitendes, beispielsweise metallisches, Trä
gersubstrat zu verwenden.
Außerdem ist es ebenso denkbar, für das Material der Verstei
fungsfolie 10 Kunststoff zu wählen.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen
Halbleiterchip (23), insbesondere zum Einbau in eine Chip
karte, mit den Schritten:
- - in eine Versteifungsfolie (10) wird durch Tiefziehen eine Wanne (11) geformt,
- - der Boden der Wanne (11) wird ausgestanzt, so daß eine den Chip (23) und seine Anschlußleitungen (24) aufnehmende Aus nehmung (14) entsteht, die somit eine einstückig aus der Versteifungsfolie (10) gebildete Umrahmung (12) aufweist,
- - die Versteifungsfolie (10) wird auf die den Chip (23) tra gende Seite eines Trägersubstrats (15) laminiert.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Trägersubstrat (15) eine nicht-leitende Folie ist,
auf die auf der dem Chip (23) gegenüberliegenden Seite eine
leitende, in Kontaktflächen strukturierte Folie (20) lami
niert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Trägersubstrat (15) eine Metallfolie ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Versteifungsfolie (10) aus Metall ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Versteifungsfolie (10) aus Kunststoff ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat (15) eine nicht-leitende Folie ist, auf die
auf der der Versteifungsfolie (10) gegenüberliegenden Seite
eine leitende, in Kontaktflächen strukturierte Folie (20) la
miniert wird.
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19623826A DE19623826C2 (de) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für Halbleiterchips |
| UA98126594A UA42106C2 (uk) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | Спосіб виготовлення несучого елемента для напівпровідникового чипа |
| PCT/DE1997/001170 WO1997048133A1 (de) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips |
| KR1019980710238A KR100358579B1 (ko) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | 반도체칩용캐리어엘리먼트제조방법 |
| DE59706247T DE59706247D1 (de) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips |
| ES97925908T ES2171948T3 (es) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | Procedimiento para la fabricacion de un elemento de soporte para chips semiconductores. |
| BR9709717A BR9709717A (pt) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | Processo para a fabricação de um elemento portador para para chips semicondutores |
| CNB971955042A CN1156002C (zh) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | 半导体芯片载体元件制作方法 |
| JP50106598A JP3498800B2 (ja) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | 半導体チップの支持部材の製造方法 |
| AT97925908T ATE212752T1 (de) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips |
| RU99100202/28A RU2191446C2 (ru) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | Способ изготовления несущего элемента для полупроводниковых чипов |
| EP97925908A EP0904602B1 (de) | 1996-06-14 | 1997-06-10 | Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips |
| IN1123CA1997 IN192422B (de) | 1996-06-14 | 1997-06-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19623826A DE19623826C2 (de) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für Halbleiterchips |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19623826A1 DE19623826A1 (de) | 1997-12-18 |
| DE19623826C2 true DE19623826C2 (de) | 2000-06-15 |
Family
ID=7796985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19623826A Expired - Fee Related DE19623826C2 (de) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für Halbleiterchips |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100358579B1 (de) |
| DE (1) | DE19623826C2 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006044525B3 (de) * | 2006-09-21 | 2008-01-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von gemeinsam bereitstellbaren flexiblen integrierten Schaltkreisen |
| DE102006060411B3 (de) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Infineon Technologies Ag | Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls |
| CN106611212A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-05-03 | 恩智浦有限公司 | 双接口ic卡 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19818824B4 (de) * | 1998-04-27 | 2008-07-31 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE19830540A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-13 | Siemens Ag | Elektronischer Schaltungsträger |
| DE10016135A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Gehäusebaugruppe für ein elektronisches Bauteil |
| DE10024336A1 (de) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung |
| DE10111028A1 (de) * | 2001-03-07 | 2002-09-19 | Infineon Technologies Ag | Chipkartenmodul |
| DE10145752B4 (de) * | 2001-09-17 | 2004-09-02 | Infineon Technologies Ag | Nicht-leitendes, ein Band oder einen Nutzen bildendes Substrat, auf dem eine Vielzahl von Trägerelementen ausgebildet ist |
| US7173329B2 (en) | 2001-09-28 | 2007-02-06 | Intel Corporation | Package stiffener |
| US7045890B2 (en) * | 2001-09-28 | 2006-05-16 | Intel Corporation | Heat spreader and stiffener having a stiffener extension |
| DE10200382B4 (de) * | 2002-01-08 | 2006-05-04 | Infineon Technologies Ag | Chipmodul für Chipkarten |
| WO2004073013A2 (de) | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben |
| DE102004029584A1 (de) * | 2004-06-18 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zur Erhöhung der Zuverlässigkeit von substratbasierten BGA-Packages |
| DE102004029585A1 (de) * | 2004-06-18 | 2006-01-19 | Infineon Technologies Ag | Chip-Package |
| KR102439790B1 (ko) * | 2015-06-29 | 2022-09-02 | 몰렉스 엘엘씨 | 애플리케이션 특정 전자기기 패키징 시스템, 방법 및 디바이스 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2644630A1 (fr) * | 1989-03-20 | 1990-09-21 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede d'encartage de micromodules et son application a la realisation de cartes a puces |
| WO1991001533A1 (de) * | 1989-07-24 | 1991-02-07 | Edgar Schneider | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten |
| US5147982A (en) * | 1989-04-07 | 1992-09-15 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Encapsulation of electronic modules |
-
1996
- 1996-06-14 DE DE19623826A patent/DE19623826C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-10 KR KR1019980710238A patent/KR100358579B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2644630A1 (fr) * | 1989-03-20 | 1990-09-21 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede d'encartage de micromodules et son application a la realisation de cartes a puces |
| US5147982A (en) * | 1989-04-07 | 1992-09-15 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Encapsulation of electronic modules |
| WO1991001533A1 (de) * | 1989-07-24 | 1991-02-07 | Edgar Schneider | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten |
| EP0484353B1 (de) * | 1989-07-24 | 1993-12-29 | SCHNEIDER, Edgar | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006044525B3 (de) * | 2006-09-21 | 2008-01-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von gemeinsam bereitstellbaren flexiblen integrierten Schaltkreisen |
| DE102006060411B3 (de) * | 2006-12-20 | 2008-07-10 | Infineon Technologies Ag | Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls |
| CN106611212A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-05-03 | 恩智浦有限公司 | 双接口ic卡 |
| CN106611212B (zh) * | 2015-10-21 | 2021-03-12 | 恩智浦有限公司 | 双接口ic卡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100358579B1 (ko) | 2002-12-18 |
| DE19623826A1 (de) | 1997-12-18 |
| KR20000016639A (ko) | 2000-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19623826C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für Halbleiterchips | |
| EP0484353B1 (de) | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten | |
| DE3051195C2 (de) | Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten | |
| DE68910385T2 (de) | Herstellungsverfahren einer elektronischen Speicherkarte und elektronische Speicherkarte, die nach diesem Verfahren hergestellt ist. | |
| DE69534483T2 (de) | Leiterrahmen und Halbleiterbauelement | |
| DE102014104399B4 (de) | Halbleiterchipgehäuse umfassend einen Leadframe | |
| DE2931449A1 (de) | Leitungsrahmen und denselben verwendende halbleitervorrichtung | |
| EP0904602B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips | |
| EP0655705A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Ausweiskarten mit elektrischen Modulen | |
| DE4441052A1 (de) | Trägerelement für einen IC-Baustein zum Einsatz in Chipkarten | |
| DE102014108916B4 (de) | Bandförmiges Substrat zur Herstellung von Chipträgern, elektronisches Modul mit einem solchen Chipträger, elektronische Einrichtung mit einem solchen Modul und Verfahren zur Herstellung eines Substrates | |
| DE29621837U1 (de) | Trägerelement für Halbleiterchips | |
| DE60005858T2 (de) | Flip chip montage eines ic-kartenelements | |
| DE10107072B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte | |
| EP0992065B1 (de) | Folie als träger von integrierten schaltungen | |
| EP2529398B1 (de) | Verbesserung der ebenheit durch freischnitte an den prägen | |
| EP1925192B1 (de) | Laminiertes substrat für die montage von elektronischen bauteilen | |
| EP2820673B1 (de) | Substrat mit vergrösserter chipinsel | |
| EP2491582B1 (de) | Verfahren zum herstellen von durchkontaktierungen | |
| DE202012100694U1 (de) | Substrat mit vergrößerter Chipinsel | |
| EP1282067B1 (de) | Einteilige Halterung in dünner Bauweise aus einem Stanz-Biegeteil zur einfachen Aufnahme bzw. Entnahme der SIM-Karte | |
| DE102013204565B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
| DE112019002169B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Chipkarte und eine mit diesem Verfahren hergestellte Chipkarte | |
| DE3303165A1 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
| DE2854272A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines uhrwerks einer elektronischen uhr und nach diesem verfahren hergestelltes uhrwerk einer elektronischen uhr |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 23/12 |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |