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DE19623826C2 - Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für Halbleiterchips - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für Halbleiterchips

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DE19623826C2 DE19623826A DE19623826A DE19623826C2 DE 19623826 C2 DE19623826 C2 DE 19623826C2 DE 19623826 A DE19623826 A DE 19623826A DE 19623826 A DE19623826 A DE 19623826A DE 19623826 C2 DE19623826 C2 DE 19623826C2
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Description

Bei heutigen Chipkarten werden die Halbleiterchips mittels eines zumeist mit einem nicht-leitenden, flexiblen Substrat gebildeten Trägerelements in die üblicherweise aus Kunststoff bestehende Karte eingebracht. Auf dem Trägerelement ist nicht nur der Halbleiterchip, sondern es sind auch die Kontaktflä­ chen, mit denen der Halbleiterchip von einem Lesegerät kon­ taktiert werden kann, angeordnet. Hierzu wird üblicherweise eine oberflächenveredelte Kupferfolie auf das nicht-leitende Substrat laminiert und beispielsweise durch Ätzen struktu­ riert. In das nicht-leitende Substrat werden vor dem Laminie­ ren Löcher gestanzt, durch die hindurch der Chip beispiels­ weise mittels Drähte in Wire-Bond-Technik mit den Kontaktflä­ chen elektrisch leitend verbunden werden kann. Der Halblei­ terchip und die Drähte werden dann durch eine schützende Ver­ gußmasse abgedeckt.
Die Chipkarten müssen bestimmte, durch die Anwender vorgege­ bene Biegebelastungen bestehen können. Die hierbei auftreten­ den Biegekräfte müssen jedoch vom Chip ferngehalten werden, da dieser wesentlich spröder als das Kartenmaterial ist. Dies trifft insbesondere für Chips zu, die größer als etwa 10 mm2 sind. Aus der EP 0 484 353 B1 ist es bekannt, hierzu auf dem flexiblen Substrat einen Versteifungsrahmen vorzusehen, der eine wesentlich höhere Biegesteifigkeit aufweist als das fle­ xible Trägersubstrat.
Die Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform gemäß der EP 0 484 353 B1. Das nicht-leitende, flexible Trägersubstrat 1 ist mit Ausnehmungen 2 versehen. Eine metallische Folie 3 ist auf das Substrat 1 mittels eines Klebers 4 laminiert. Die metallische Folie 3 ist in durch Rillen 5 voneinander elektrisch isolier­ te Kontaktflächen strukturiert. Ein Halbleiterchip 6 ist auf das Substrat 1 geklebt und mittels Drähte 7 mit den Kontakt­ flächen 3 elektrisch verbunden. Zur Versteifung des flexiblen Substrates 1 ist ein Versteifungsring 8 auf das Substrat 1 geklebt. Das Innere des Versteifungsringes 8 ist mit einer Vergußmasse 9 gefüllt, um den Chip 6 und die Drähte 7 zu schützen.
Das Aufbringen des Versteifungsrings ist problematisch, da relativ hohe Lagetoleranzen vorgegeben sind und außerdem spe­ zielle, aufwendige Werkzeuge hierfür notwendig sind. Insge­ samt ergibt sich eine sehr schwierige und aufwendige Prozeß­ führung. Außerdem wird durch den bekannten Versteifungsring die zur Klebung des Trägerelementes in die Karte nötige Flä­ che eingeschränkt.
Die US 5,147,982 zeigt in ihrer Fig. 6 ein Trägerelement, bei dem auf ein gestanztes, Kontaktflächen bildendes Metall­ gitter eine Kunststoffolie laminiert wird, die einen einstü­ ckig angeformten Verstärkungs- und Schutzrahmen aufweist. Je­ doch benötigt die Folie mit dem einstückig ausgebildeten Verstärkungs- und Schutzrahmen eine zusätzliche Spritzguß­ form, wobei eine sehr dünne Ausbildung des Rahmens nicht mög­ lich ist.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein einfaches Verfahren zur Herstellung eines stabilen Trägerelementes für Halbleiter­ chips eingesetzt insbesondere in Chipkarten anzugeben.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung des Trä­ gerelementes gemäß dem Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Wei­ terbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß dieselben oder ähnliche Verfahrensschritte durchgeführt werden wie bei der Herstellung des Trägersubstrates oder des bekannten Trä­ gerelementes. Dies sind Stanz- bzw. Laminierverfahrensschrit­ te. Da die Versteifungsfolie außerdem dieselbe Außenabmessung hat wie das Trägerelement, können zum Laminieren dieselben Maschinen benutzt werden wie zum Laminieren der die Kontakt­ flächen bildenden Kupferfolie.
Die Trägerelemente werden normalerweise in einem sehr langen Band gefertigt, wobei mehrere Trägerelemente sogar nebenein­ ander liegen können. Das Band weist an seinen Rändern Perfo­ rationen auf, mittels derer es in der Fertigungsmaschine wei­ terbefördert werden kann. Wenn auch die Versteifungsfolie diese Löcher aufweist, kann sie in gleicher Weise wie das flexible Trägersubstrat oder die Kontaktflächenfolie beför­ dert und verarbeitet werden.
Da der durch Tiefziehen und Stanzen entstandene Rahmen ent­ lang des Randes der Ausnehmung in der Versteifungsfolie nur dieselbe Dicke hat wie die Kupferfolie selbst, bleibt im Be­ reich außerhalb dieses Rahmens genügend Platz für einen Kle­ ber, um das Trägerelement in einer Karte befestigen zu kön­ nen. Die Dicke der Versteifungsfolie kann abhängig von der gewünschten Gesamtbiegesteifigkeit sowie den Materialeigen­ schaften der verwendeten Folie gewählt werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbei­ spieles mit Hilfe von Figuren näher erläutert. Dabei zeigen
Fig. 1a-1d das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der Versteifungsfolie sowie eine Draufsicht der ferti­ gen Folie,
Fig. 2a-2c das flexible Trägersubstrat, die Versteifungsfolie sowie die Verbindung dieser beiden Teile,
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein Trägerelement herge­ stellt nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gemäß Fig. 1a-1d
Fig. 4 ein Trägerelement hergestellt nach einem Verfahren gemäß dem Stand der Technik.
In der Fig. 1a ist der Querschnitt durch eine auf die ent­ sprechende Dicke gewalzte metallische Versteifungsfolie dar­ gestellt. In der Fig. 1b sind die durch einen Tiefziehvor­ gang entstandenen Wannen 11 gezeigt. In einem Stanzvorgang werden die Böden der Wannen 11 entfernt, so daß lediglich die Wände der Wannen 11 als Rahmen 12, die einstückig mit der Versteifungsfolie 10 verbunden sind und entlang des Randes der durch die vormaligen Wannen 11 definierten Ausnehmung in der Folie verlaufen.
Die Fig. 1d zeigt eine Draufsicht auf eine Versteifungsfolie 10, die als langes Band ausgebildet ist. Entlang der beiden Ränder des Bandes sind Perforierungen 13 angebracht, die ei­ nen Weitertransport des Bandes mittels Zahnrädern erlauben. Die Folie 10 weist Ausnehmungen 14 auf, entlang deren Ränder die Rahmen 12 verlaufen. Strichliert ist der Schnitt darge­ stellt, der die Darstellung der Fig. 1c bildet.
In Fig. 2b ist die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren her­ gestellte Versteifungsfolie nochmals gezeigt. Die Fig. 2a zeigt das flexible Trägersubstrat 15, das aus einem Kunst­ stoff gebildet sein kann, wobei heutzutage üblicherweise glasfaserverstärktes Epoxidharz verwendet wird. Auch das Trä­ gersubstrat 15 ist als langes Band ausgebildet und weist an seinen Rändern Perforierungen 13 zum Weitertransport und ex­ akten Positionieren bei Weiterverarbeitungen auf. Das Träger­ substrat 15 weist Stanzungen 16 auf, in die ein nicht darge­ stellter Halbleiterchip eingesetzt und durch die hindurch dieser Halbleiterchip mit nicht zu erkennenden Kontaktflächen auf der Rückseite des Trägersubstrates 15 elektrisch verbun­ den werden kann. In der Fig. 2c ist schließlich die mit dem Trägersubstrat 15 verbundene Versteifungsfolie 10 darge­ stellt. Die Stanzungen 16 des Trägersubstrates 15 befinden sich innerhalb des einstückig mit der Versteifungsfolie 10 verbundenen Rahmens 12, so daß ein nicht dargestellter Halb­ leiterchip problemlos in die zentrale Ausnehmung eingesetzt werden kann und durch die peripheren Ausnehmungen im Träger­ substrat 15 mit den auf der Rückseite des Trägersubstrates vorgesehenen, nicht zu sehenden, Kontaktflächen verbunden werden kann.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch ein aus dem Band ausge­ stanztes Trägerelement. Das nicht-leitende, flexible Träger­ substrat 15 weist in diesem Fall nur periphere durch Stanzung entstandene Ausnehmungen 16 auf. Auf seiner Rückseite ist ei­ ne metallische Folie 20, die durch Rillen 22 in Kontaktflä­ chen strukturiert ist mittels eines Klebers 21 laminiert. Auf das Trägersubstrat 15 ist ein Halbleiterchip 23 angeordnet, der mittels Bonddrähte 24 durch die Ausnehmungen 16 des Trä­ gersubstrates 15 mit den Kontaktflächen 20 verbunden ist. Auf der dem Halbleiterchip 23 tragenden Vorderseite des Träger­ substrates 15 ist die Versteifungsfolie 10 mittels eines Kle­ bers auflaminiert. Der Bereich innerhalb des mit der Verstei­ fungsfolie 10 einstückig verbundenen Rahmens 12 ist mit einer Vergußmasse 25 zum Schutz des Halbleiterchips 23 und der Bonddrähte 24 aufgefüllt.
Wie im Vergleich mit der Fig. 4 zu sehen ist, verbleibt beim nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Trägerele­ ment eine größere Fläche im Bereich des Randes des Trägerele­ mentes, um dieses besser in eine Plastikkarte einkleben zu können.
Die Fig. 1 bis 4 zeigen ein nicht-leitendes Trägersubstrat 15 bzw. 1, das eine die Kontaktflächen bildende Metallka­ schierung 20 bzw. 3 aufweist. Prinzipiell ist es jedoch eben­ so möglich, ein leitendes, beispielsweise metallisches, Trä­ gersubstrat zu verwenden.
Außerdem ist es ebenso denkbar, für das Material der Verstei­ fungsfolie 10 Kunststoff zu wählen.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für einen Halbleiterchip (23), insbesondere zum Einbau in eine Chip­ karte, mit den Schritten:
  • - in eine Versteifungsfolie (10) wird durch Tiefziehen eine Wanne (11) geformt,
  • - der Boden der Wanne (11) wird ausgestanzt, so daß eine den Chip (23) und seine Anschlußleitungen (24) aufnehmende Aus­ nehmung (14) entsteht, die somit eine einstückig aus der Versteifungsfolie (10) gebildete Umrahmung (12) aufweist,
  • - die Versteifungsfolie (10) wird auf die den Chip (23) tra­ gende Seite eines Trägersubstrats (15) laminiert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägersubstrat (15) eine nicht-leitende Folie ist, auf die auf der dem Chip (23) gegenüberliegenden Seite eine leitende, in Kontaktflächen strukturierte Folie (20) lami­ niert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägersubstrat (15) eine Metallfolie ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Versteifungsfolie (10) aus Metall ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Versteifungsfolie (10) aus Kunststoff ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (15) eine nicht-leitende Folie ist, auf die auf der der Versteifungsfolie (10) gegenüberliegenden Seite eine leitende, in Kontaktflächen strukturierte Folie (20) la­ miniert wird.
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UA98126594A UA42106C2 (uk) 1996-06-14 1997-06-10 Спосіб виготовлення несучого елемента для напівпровідникового чипа
PCT/DE1997/001170 WO1997048133A1 (de) 1996-06-14 1997-06-10 Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips
KR1019980710238A KR100358579B1 (ko) 1996-06-14 1997-06-10 반도체칩용캐리어엘리먼트제조방법
DE59706247T DE59706247D1 (de) 1996-06-14 1997-06-10 Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips
ES97925908T ES2171948T3 (es) 1996-06-14 1997-06-10 Procedimiento para la fabricacion de un elemento de soporte para chips semiconductores.
BR9709717A BR9709717A (pt) 1996-06-14 1997-06-10 Processo para a fabricação de um elemento portador para para chips semicondutores
CNB971955042A CN1156002C (zh) 1996-06-14 1997-06-10 半导体芯片载体元件制作方法
JP50106598A JP3498800B2 (ja) 1996-06-14 1997-06-10 半導体チップの支持部材の製造方法
AT97925908T ATE212752T1 (de) 1996-06-14 1997-06-10 Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips
RU99100202/28A RU2191446C2 (ru) 1996-06-14 1997-06-10 Способ изготовления несущего элемента для полупроводниковых чипов
EP97925908A EP0904602B1 (de) 1996-06-14 1997-06-10 Verfahren zur herstellung eines trägerelements für halbleiterchips
IN1123CA1997 IN192422B (de) 1996-06-14 1997-06-13

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006044525B3 (de) * 2006-09-21 2008-01-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von gemeinsam bereitstellbaren flexiblen integrierten Schaltkreisen
DE102006060411B3 (de) * 2006-12-20 2008-07-10 Infineon Technologies Ag Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
CN106611212A (zh) * 2015-10-21 2017-05-03 恩智浦有限公司 双接口ic卡

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19818824B4 (de) * 1998-04-27 2008-07-31 Epcos Ag Elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19830540A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-13 Siemens Ag Elektronischer Schaltungsträger
DE10016135A1 (de) * 2000-03-31 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Gehäusebaugruppe für ein elektronisches Bauteil
DE10024336A1 (de) * 2000-05-17 2001-11-22 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung
DE10111028A1 (de) * 2001-03-07 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul
DE10145752B4 (de) * 2001-09-17 2004-09-02 Infineon Technologies Ag Nicht-leitendes, ein Band oder einen Nutzen bildendes Substrat, auf dem eine Vielzahl von Trägerelementen ausgebildet ist
US7173329B2 (en) 2001-09-28 2007-02-06 Intel Corporation Package stiffener
US7045890B2 (en) * 2001-09-28 2006-05-16 Intel Corporation Heat spreader and stiffener having a stiffener extension
DE10200382B4 (de) * 2002-01-08 2006-05-04 Infineon Technologies Ag Chipmodul für Chipkarten
WO2004073013A2 (de) 2003-02-13 2004-08-26 Infineon Technologies Ag Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben
DE102004029584A1 (de) * 2004-06-18 2006-01-12 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Erhöhung der Zuverlässigkeit von substratbasierten BGA-Packages
DE102004029585A1 (de) * 2004-06-18 2006-01-19 Infineon Technologies Ag Chip-Package
KR102439790B1 (ko) * 2015-06-29 2022-09-02 몰렉스 엘엘씨 애플리케이션 특정 전자기기 패키징 시스템, 방법 및 디바이스

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2644630A1 (fr) * 1989-03-20 1990-09-21 Sgs Thomson Microelectronics Procede d'encartage de micromodules et son application a la realisation de cartes a puces
WO1991001533A1 (de) * 1989-07-24 1991-02-07 Edgar Schneider Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten
US5147982A (en) * 1989-04-07 1992-09-15 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Encapsulation of electronic modules

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2644630A1 (fr) * 1989-03-20 1990-09-21 Sgs Thomson Microelectronics Procede d'encartage de micromodules et son application a la realisation de cartes a puces
US5147982A (en) * 1989-04-07 1992-09-15 Sgs-Thomson Microelectronics S.A. Encapsulation of electronic modules
WO1991001533A1 (de) * 1989-07-24 1991-02-07 Edgar Schneider Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten
EP0484353B1 (de) * 1989-07-24 1993-12-29 SCHNEIDER, Edgar Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006044525B3 (de) * 2006-09-21 2008-01-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von gemeinsam bereitstellbaren flexiblen integrierten Schaltkreisen
DE102006060411B3 (de) * 2006-12-20 2008-07-10 Infineon Technologies Ag Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
CN106611212A (zh) * 2015-10-21 2017-05-03 恩智浦有限公司 双接口ic卡
CN106611212B (zh) * 2015-10-21 2021-03-12 恩智浦有限公司 双接口ic卡

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KR100358579B1 (ko) 2002-12-18
DE19623826A1 (de) 1997-12-18
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