DE2931449A1

DE2931449A1 - Leitungsrahmen und denselben verwendende halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE2931449A1
Application number: DE19792931449
Authority: DE
Inventors: Keizo Otsuki
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1978-08-02
Filing date: 1979-08-02
Publication date: 1980-02-21
Also published as: GB2027990B; DE2931449C2; HK53183A; BR7904797A; GB2027990A; MY8400254A; US4301464A; JPS5521128A; JPS639378B2; SG29183G

Description

BESCHREIBUNG

Die Erfindung bezieht sich auf einen Leitungsrahmen und eine den Leitungsrahmen verwendende kunststoffgegossene HaIbleitervorrichtung^ Für den Zusammenbau einer kunststoffgegossenen Halbleitervorrichtung wurde ein Leitungsrahmen aus Metall verwendet. Der Leitungsrahmen wird durch Stanzen oder Ätzen einer dünnen Metallplatte hergestellt. Figur 1 zeigt einen nach diesem Verfahren hergestellten Leitungsrahmen, der für eine Halbleitervorrichtung-hoher Packungsdichte geeignet ist. Dieser Leitungsrahmen umfaßt einen rechtwinkligen Lappen 2 zur Anbringung eines Halbleiterelements 1, den Lappen 2 haltenden Lappen leitungen 3, eine Anzahl von Leitungen ■ -. . 4, die sich" in die Nähe der Umfangskante des Lappens 2 erstrecken, einen rechteckigen Rahmenteil 5, welcher die Leitungen 4 und die Lappenleitungen 3 hält, ein Dammstück 6, welches-den"Rahmenteil 5, die Leitungen 4 und die Lappenleitungen 3 miteinander verbindet und ein Überlaufen des während des Gießvorgangs flüssigen Harzes verhindert. Ferner sind in festen Abständen Führungslöcher 7 an beiden Seitenkanten des Rahmenteils 5 vorgesehen. Für den Zusammenbau oder den Transport, für welche der Leitungsrahmen verwendet wird, werden die Führungslöcher 7 als Festlegungslöcher oder als Eingriffs- und Umsetzlöcher verwendet. :

Beim Zusammenbau einer Halbleitervorrichtung mit einem solchen Leitungsrahmen wird das Halbleiterelement 1 auf dem Lappen 2 angebracht, wonach Elektroden des Halbleiterelements 1 und die entsprechenden Innenenden der Leiter 4 durch Drähte 8 miteinander verbunden werden. Danach wird ein Bereich innerhalb des an dem rechteckigen Rahmenteil 5 angeordneten Dammstücks 6 mit einem Harz so ausgegossen, daß das Halbleiterelement 1 usw. mit einem Gießteil 9 abgedeckt wird. Nach-' folgend werden das Dammstück 6 und der Rahmenteil 5 abgeschnitten, wodurch man eine Halbleitervorrichtung mit flachen

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Zuleitungen erhält. Zur Gewinnung von Dual-in-line leitervorrichtungen v/erden die über das Gießteil 9 hervorstehenden Leitungen 4 nach unten abgebogen.

Bei der einen solchen Leitungsrahmen verv/endenden HaIbleitervorrichtung treten folgende Probleme auf.

Der Lappen hat wegen seines Aufbaus, nach welchem er an seinen beiden Seiten durch zwei feine LappenZuleitungen gehalten wird, geringe Festigkeit. Insbesondere wenn man trotz der jüngsten Zunahme in der Anzahl der Leitungen klein bleiben will/ läßt sich nicht vermeiden, daß die Leitungen (Lappenleitungen) klein werden. Um die Leitungen (auf beispielsweise eine Breite von 0,3 mm) zu verschmälern, wird das Material zurAusbildung des Leitüngsrahmens Unter dem Gesichtspunkt des Stanzens dünner gemacht. Beispielsweise ist die Dicke des Leitungsrahmens ungefähr 0,15 nun. Als Folge davon wird der Lappen schon durch eine geringe äußere-Kraft wie auch ^au^ die Leitungen leicht geneigt oder angehoben, was ein Hindernis für den Zusammenbau darstellt. Beispielsweise wird das Halbleiterelement auf dem Lappen des Leitungsrahmens durch Reiben unter Verwendung einer das Halbleiterelement festhaltenden Aufspannvorrichtung (jig) wie eines Halteringes (collet) angebracht. Aus diesem Grund schwingt der Lappen infolge der Reibschwingungen, und das Halbleiterelement und der Lappen werden nur in unvollkommener Weise miteinander verbunden. Dies führt zu dem Problem, daß das Halbleiterelement springt, wenn es durch das Harz beim Gießvorgang angeströmt wird. Ferner wirkt im Betrieb, der Halbleitervorrichtung wegen der durch das Halbleiterelement erzeugten Wärme eine thermische Spannung zwischen einem Teil, in welchem Halbleiterelement und Lappen vollkommen miteinander verbunden sind, und einem Teil, in welchem diese nur unvollkommen miteinander verbunden sind. Dies führt auch zu dem Problem, daß Risse im Halbleiterelement auftreten. Ferner strömt das Harz in Richtung eines in Figur 1 angegebenen Pfeiles A zum Halbleiterelement 1 ein.

Wenn dabei eine Ecke 2a des Lappens 2 nach oben oder unten geneigt ist, wird durch das Strömen des Harzes die Neigung des Lappens 2 verstärkt. Außerdem wird der Lappen 2 durch

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aus Harz in Richtung eines Pfeiles B geschoben. Dies führt zu dem Problem, daß die Drähte zwischen dem Anschlußbereich des Halbleiterelements und den Leitungen brechen können und außerdem zu dem Problem, daß es zu einer Berührung der Drähte kommen kann. Ferner verbleiben infolge von der Neigung der Lappen zuschreibbaren Wirbeln Luftblasen in oder auf dem Gießteil. Dies führt zu einer Verschlechterung der Feuchtigkeitsbeständigkeit und macht außerdem den optischen Eindruck infolge der Löcher schlecht.

Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung eines Leitungsrahmens mit ausgezeichneter Starrheit, bei welchem ein Halbleiterlernent-Trägerelement (Lappen) bei der Montage nicht bewegungsanfällig ist.

Ferner schafft die Erfindung eine Halbleitervorrichtung mit a\isgezeichneter Feuchtigkeitsbeständigkeit und hoher Zuverlässigkeit hinsichtlich des Boriddns eines Halbleiterelemnts mit Drähten.

Hierzu schlägt die Erfindung vor, daß das Trägerelement für-das"Halbleiterelement durch einen Rahmenteil des Leiterrahmens mittels wenigstens drei sich radial erstreckenden Leitungen gehalten wird.

Äusführungsformen der.Erfindung werden im folgenden in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung beschrieben. Auf dieser ist bzw. sind

Figur 1 eine Draufsicht eines bekannten Leitungsrahmens, Figur 2 eine Draufsicht einer Ausführungsform des Leitüngs-

rahmens gemäß der Erfindung, --,-.:

Figur 3 eine Draufsicht einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung, welche den Leitungsrahmen gemäß der Erfindung verwendet,

Figuren 4 und 5 vergrößerte Teilansichten der Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung, Figur 6 eine Draufsicht einer weiteren Ausführungsform des

Leitungsrahmens gemäß der Erfindung, ; Figur 7 eine vergrößerte perspektivische Teilansicht einer Lappenleitung des in Figur 6 gezeigten Leitungsrahmens, Figuren 8 und 9 sehemätische Ansichten zur Erläuterung der

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■ ■ - . ." Trennung, von einer den in Figur 6 gezeigten LsiLun.; rahmen verwendenden Halbleitervorrichtung und einem Rahmenteil des Leitungsrahmens/

Figur 10 eine vergrößerte Draufsicht eines Harzspritzteils des in Figur 6 gezeigten Leitungsrahmens, und Figur 11 ein Schnitt längs Ebene A-A in Figur 10.

Figur 2 ist eine Draufsicht einer Ausfuhrungsform des Leitungsrahmens gemäß der Erfindung. Der Leitungsrahmen wird durch Stanzen oder Ätzen eines dünnen Blechs aus einer Fe-Ni-Co-Legierung oder einer Fi-Ni-Legierung und einer Stärke von 0,15 mm hergestellt. Die Form des Leitungsrahmens ist derart, daß ein rechteckiger Lappen 12 zur Anbringung eines Halbleiterelements (Pastille) darauf in der Mitte eines Rahmenteils 10 enthalten ist, der insgesamt rechteckig, wenn auch mit 5 unterschiedlichen Breiten an einigen Stellen, ausgebildet ist. Der Lcippen 12 ist an seinen vier Ecken durch vier feine, radial verlaufende Lappenleitungen 13 mit dem Rahmenteil 10 verbunden. Eine Anzahl von Leitungen 14 erstreckt sich zum Rand des Lappens 12, d.h. zu seinen vier Seiten. In Figur 2 sind nur zwei zum Lappen 12 verlaufende Leitungen 14 gezeigt, um die Darstellung übersichtlich zu halten. Die leitungen 14 enden mit ihrem einen Ende in der Umgebung der ümfangskante des Lappens 12. Das andere Ende der Leitungen 14 ist mit. dem Rahmenteil 10 verbunden. Um ein .Überlaufen des während des-FormnngsVorganges flüssigen Harzes zu vermeiden sind Dammstücke 15 zwischen aneinander angrenzenden Leitungen vorgesehen. Ferner ist der Rahmenteil 10 mit Führungslöchern 16 versehen. L-föritiige Löcher L₁, L~ und L₃ sind in Teilen des Rahmenteils 10 vorgesehen, die in der Nähe der Lappenleitungen 13 liegen. Langlöcher M₁, Uj, M3 und M₄ sind in der Nähe der anderen Enden der Leitungen 14 vorgesehen. Die Funktion der Löcher L- bis L^ und M- bis M₄ wird später beschrieben. In Figur 2 ist das Muster eines Leitungsrahmens in einem Bereich für die Ausbildung einer einzigen Halbleitervorrichtung darin dargestellt. Tatsächlich jedoch werden solche Muster kontinuierlich in langer und schmaler Form ausgebildet.

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Die Halbleitervorrichtung, die den beschriebenen LoL-tungsrahmen verwendet, wird in der folgenden Reihenfolge zusammengesetzt.

Zuerst wird, wie in Figur 3 dargestellt, das Halbleiter-element (Pastille) 11 direkt auf den Läppen 12 des Leitungsrahmen gebondet. Dieses Halbleiterelement 11 besteht aus Silizium und enthält eine Reihe von Transistoren. In den Randteile!.! des Halbleiterelements 11 sind Anschlußf lecken■'". P^, P„, .... aus Aluminium zur Verbindung mit den Leitungen 14 des LeitungsrahmensTdurch Goldrähte in im wesentlichen der gleichen Zahl wie die Leitungen 14 vorgesehen.

Zum Bonden des Halbleiterelements 11 auf den Lappen 12 wird folgendes Verfahren verwendet. Die Seite des Halbleiterelements, auf der die Anschlußf.lecken angeordnet sind, wird durch 5 eine das Halbleiterelement adsorbierende bzw. festhaftende Aufspannvorrichtung (jig) ,die im Englischen auch "collet" genannt wird, festgehalten. Während die Aufspannvorrichtung in Schwingungen versetzt ist, wird das Hcilbleiterelenent 11 auf die erwähnte Oberfläche des Lappens 12, auf der eine Goldfolie 30 angeordnet ist, gebondet. Da das' Halbleiterelement aus Silizium besteht, bildet es mit der Goldfolie eine eutektische Legierung aus und wird in perfekter Weise auf die Oberfläche des Lappens 12 gebondet.

Nachfolgend werden die Aluminium-Anschlußflecken P^, P₃...

des Halbleiterelements und die dem Lappen 12- näher liegenden Enden der Leitungen 14 jeweils durch Golddrähte w-> W₂ ... miteinander verbunden. .,--"."

Danach wird Harz, beispielsweise Epoxyharz, in Richtung eines Pfeiles C gegossen. Dadurch werden die Leitungen 14, der Lappen 12, die Lappenleitungen 13, die Golddrähte w-|, W₂,...

und das Halbleiterelement 11, die innerhalb des Dammstückes - 15 vorliegen, durch das Harz vollkommen geschützt. Eine strichpunktierte Linie 17 gibt einen durch das Harz gebildeten^ Formgießteil an. Wie aus Figur 4 deutlich ersichtlich, wird die Ecke des Formgießteils 17, die sich mit der Lappenleitung 13 schneidet, so gegossen, daß sie eine Abschneidfläche 18 aufweist, die die Lappenleitung 13 in rechtem Winkel schneidet. Dies geschieht, um zu verhindern, daß die Eckteile des

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Formgießteils durch einen -Leitungsabschneider mit abgeschnitten werden, wenn später die Lappenleitungen an ihren Fußpunkten abgeschnitten werden.

Entsprechend der Schraffierung in Figur 3 werden die Dammstücke 15 und die entfernt vom Lappen 12 liegenden Endteile 31 der Leitungen 14 abgeschnitten. Da die Lappenleitungen 13 nicht vom Rahmenteil 10 getrennt werden, wird die Halbleitervorrichtung, die den Gießteil 17 und die Anzahl von getrennten Leitungen 14 umfaßt, über die Lappenleitungen 13 durch den Rahmenteil 10 gehalten.

In diesem Zustand der Halbleitervorrichtung werden ihre elektrischen Eigenschaften geprüft und auf der Oberseite des Gießteils 17 Qualitätskennzeichnungen usw. aufgedruckt.

Danach wird die Halbleitervorrichtung vom Rahmenteil 10 des Leitungsrahmen durch Abschneiden der Lappenleitungen 13 an den Ecken 18 des Gießteils getrennt.

Auf diese Weise erhält man eine Halbleitervorrichtung mit flachen Zuleitungen 14 aus dem in Figur 2 gezeigten Leitungsrahmen. Im Falle der Herstellung von Dual-in-line-Halb-0 leitervorrichtungen durch Abbiegen der aus dem Gießteil 17 lang hervorragenden Leitungen 14 nach unten erfolgt das Biegen der Leitungen 14 gleichzeitig mit dem Abschneiden der Lappenleitungen 1 3.

Mit dem Leitungsrahmen obiger Ausfuhrungsform sind fol-5 gende Wirkungen zu erwarten:

(A) Dar rechteckige Lappen 12 zur Anbringungdes Halbleiter elements 11 darauf wird durch die vier Lappenleitungen 13 gehalten, die sich längs der Diagonalen des Lappens 12 erstrecken.Daher ist dieser Lappen 12 nur schwierig zu bewegen oder zu neigen und zeigt eine ausgezeichnete Starrheit. Dementsprechend ergeben sich folgende Vorteile. -

(1) Beim automatischen Anbringen des Halbleiterelements 11 auf dem Lappen 12 läßt sich die gewünschte räumliche Anordnung des Halbleiterelements 11 bezüglich des Lappens 12 zuverlässig durchführen. Deshalb geschieht auch das Bonden der Drähte w.,, w-/... zum Verbinden der Bondflecken P.,, P-/. ·· des

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HaIM fvitereleinents - 11 - mit den Leitungen 1 ^ zuverlässig» Das heißt, selbst in Fällen von Halbleitervorrichtungen, die viele nahe beieinanderliegende Leitungen aufweisen, ist die Automatisierung des Anbringens des Halbleiterelements 11 (das Pastillenbonden) sowie das Drahtbonden mit der erfindungsgemäßen Leitungsrahmenstruktur sehr einfach.

(2) Beim Anbringen des Halbleiterelements 11 am Lappen 12 durch Reiben mit dem das Halbleiterelement adsorbierenden Spannstuck schwingt der Lappen nicht. Infolgedessen erfolgt eine vollkommene Verbindung von Halbleiterelement 11 und Lappen 12. Dies löst das Problem des Auftretens von Rissen im Halbleiterelement.

(3) Da das Harz aus dem Bereich eines der Lappenleitungen 13, wie durch den Pfeil C in Figur 3 angedeutet, gegossen wird, neigt sich der Lappen-12 niemals. Deshalb kommt es nicht vor, daß starke Kräfte auf die Drähte wirken, die zu einem Drahtbruch führen oder "die Drähte miteinander in Berührung bringen könnten.

(4) Während des Harzgießens neigt sich der Lappen nicht unter der Wirkung des einströmenden Harzes, und ebensowenig entstehen Wirbel als Folge eines Strömungsschattens. Deshalb treten weder im Inneren des Gießteils 17 noch an seiner Oberfläche Luftblasen auf. Infolgedessen entsteht selbst bei dünn gehaltenem Harz eine ausgezeichnete Halbleitervorrichtung, bei weicher weder die Feuchtigkeitsbeständigkeit noch der optische Eindruck verschlechtert ist.

(B) Im Bereich der vom Lappen 12 entfernten Enden der Lappenleitungen 13 und Leitungen 14 sind die Löcher L^, L₃, L₃, ML, M₃I- H, und M/ vorgesehen. Dementsprechend ergeben sich die folgenden Vorteile.

Während des Aushärtens des Harzes kann verhindert werden, daß der Rahmenteil 1Q des Leitungsrahmens zum Lappen 12, der im Mittelteil des Leitungsrahmens vorliegt, gezogen wird. Deshalb entstehen keine Verkrümmungen oder Verziehungen des Leitungsrahmens, und das Anordnen oder Umsetzen mit den Fun-

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rnngslöchern 16 des Leitungsrahmens wird nicht erschwert. (C) Nach dem Abschneiden der Danimstücke 15 und der anderen Endteile 31 der Leitungen 14 wird die Halbleitervorrichtung über die Lappenleitungen 13 durch den Rahmenteil 10 gehalten. Dementsprechend ergeben sich die folgenden Vorteile.

(1) Bei der Prüfung der elektrischen Eigenschaften und bei der Markierung der einzelnen Halbleitervorrichtungen ist das Umsetzen mit den Führungslöchern 16 des Leitungsrahmens möglich. Das heißt, das Prüfen und Markieren der Halbleitervorrichtungen kann kontinuierlich geschehen, was die Akkordleistung erheblich erhöht.

(2) Das Umgehen mit den einzelnen Halbleitervorrichtungen geschieht in einem Zustand regelmäßiger Anordnung auf einer einzigen Bahn von Leitungsrahmen. Daher kommt es zu keiner gegenseitigen Verhängung der Halbleitervorrichtungen. Das Brechen von Leitungen usw. tritt ebenfalls nicht auf.

(3) Die einzelnen Halbleitervorrichtungen können durch Tragen am Rahmenteil 10 des Leitungsrahmens transportiert werden. Daher werden die Leitungen nicht direkt berührt.

Infolgedessen tritt ein Brechen der Leitungen usw. nicht auf. Insbesondere wenn das eingegossene Halbleiterelement aus ^; mehreren MOS-Transistoren aufgebaut ist, bei denen die Gefahr eines elektrostatischen Durchbruchs besteht, ist ein solcher vermeidbar. V

Im folgenden werden Abwandlungen der Erfindung beschrieben.

(a) Wie in Figur 4 gezeigt, ist eine V-förmige Nut 20 in der Lapperileitung 13 vorgesehen.

Durch Vorsehen dieser Nut 20 läßt sich die Lappenleitung in dieser Nut im Durchtrennungsschritt leicht abschneiden.

Ferner kann durch diese Nut 20 verhindert werden, daß die Lappenleitung bei ihrem Kappen herauskommt. Das heißt, die Lappenleitung 13 kann an der Nut 20 leicht durchtrennt werden, ohne daß an der Leitung durch den Leitungsabschneider beim Abschneiden stark gezogen wird.

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Frhlt eine s-vlche Nut 20, besteht die Gefahr, daß die Lappenleitung beim Abschneiden abfällt, so daß sich eine Halbleitervorrichtung hoher Zuverlässigkeit wegen einer verschlechterten Feuchtigkeitsbeständigkeit nicht gewinnen läßt. Wie aus Figur 2 ersichtlich, erstreckt sich die Lappenleitung 13 nämlich gerade vom Lappen 12 weg, wobei ihre Breite im Verbindungspunkt zwischen Lappen 12 und Lappenleitung 13 sehr klein ist. Wenn daher beim Abschneiden an der Lappenleitung 13 gezogen wird, besteht die Möglichkeit, daß der Verbindungspunkt aufschnellt, was das Abfallen der Lappenleitung bewirkt und die Feuchtigkeitsbeständigkeit verschlechtert.-Selbst wenn der Verbindungspunkt nicht aufschnellt, wird an der Lappenleitung 13 in erheblichem Maße gezogen, so daß die Möglichkeit der Bildung eines freien Raumes zwischen 5 der Lappenleitung und dem Harz besteht, was die Feuchtigkeitsbeständigkeit verschlechtert.

(b) Wenigstens eine aus der Anzahl der Lappenleitungen kann -als Erdleitung verwendet werden. Wie in Figur 5 dargestellt, set.zt sich eine Lappenleitung 13 parallel zu den Leitungen 14 fort. Diese Lappenleitung 13 wird als Erdleitung verwendet. " - ,

(c) Bei vorstehender Ausführungsform hat die Ecke des Gießteils 17, wie in Figur 4 gezeigt, eine abgeschnittene Fläche 18. Zur Gewinnung einer solchen abgefasten Struktur muß eine entsprechende Form für das Harz verwendet werden. Die Form ist teuer, weil das Ausbilden der Form außerordentlich schwierig ist.

JEs ist wünschenswert, die Gießformung durch Verwendung einer Form zu ermöglichen, die billig ist.

Ein Leitungsrahmen, wie er in Figur 6 gezeigt ist, ist als ein Aufbau geeignet, bei welchem die Ecken des Gießteils nicht abgefast. sind. Diese Abwandlung ist derart, daß jede der Lappenleitungen 13 mit zwei sich im Bereich des Rahmenteils 1O Y-förmig verzweigenden Zweigleitungen 19 versehen ist.

Figur 7 zeigt eine vergrößerte perspektivische Ansicht der Lappenleitung 13, die die zwei Zweigleitungen 19 aufweist. Gemäß den Figuren 6 und 7 in den Zweigleitungen 19 vorgesehene

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V-förmig.l tluten 20 dienen ?,ur Erleichterung der Trennung der Lappenleitung 13 vom Rahmenteil 10 in ähnlicher Weise wie die v/eiter oben erwähnten Nuten.

Bei diesem Leitungsrahmen wird das Gießteil entsprechend der strichpunktierten Linie 17 in Figur 6 ausgebildet. Die Zweigleitungen 19 werden entsprechend den strichpunktierten Linien 32 in Figur 8 abgeschnitten. Das heißt, die Zweigleitungen 19 werden vom Rahmenteil 10 in ihren V-förmigen Nuten 2O abgetrennt. In Figur 6 sind das Halbleiterelement und die Drähte nicht gezeigt, sie sind aber wie in Figur 3 auf dem Leitungsrahmen angeordnet.

Demzufolge werden bei dem Leitungsrahmen mit solchen Lappenleitungen die Eckteile des Gießteils beim Abschneiden der Lappenleitungen durch den Leitungsabschneider nicht abgeschnitten.

Gemäß dieser abgewandelten Ausführungsform der Erfindung mit den Zweigleitungen 19 ist in noch stärkerem Maße zu erwarten, daß ein Abfallen der Lappenleitungen verhindert ist. Wie im einzelnen in Figur 9 gezeigt, liegt zwischen den beiden Zweigleitungen 19 ein Stück 17' des Gießteils 17 vor. Dieses Stück 17' verhindert,daß die Lappenleitungen 13 beim Abschneiden der Zweigleitungen 19 zum Rahmenteil 10 hin (in Richtung des Pfeiles D) gezogen werden. Infolgedessen ist ein Abfallen der Lappenleitungen in vollkommener Weise verhindert. Somit 5 läßt sich eine Halbleitervorrichtung hoher Feuchtigkeitsbeständigkeit herstellen.

Insbesondere ist bei diesem Leitungsrahmen der Abschnitt der Harzgießöffnung verbessert.

Gemäß Figur 6 strömt das Harz durch einen Harzgießabschnitt auf den Lappen 12 zu. Der Raum (das Loch) in dem Harzgießabschnitt 21, das von den Zweigleitungen 19 und dem Rahmenteil 10 umschlossen ist, ist größer ausgebildet als die anderen Räume (Löcher) 40, 41 und 42. Dementsprechend strömt das Harz in ausreichendem Maße zum Lappen 12. Dies löst das Problem einer Freilegung des Halbleiterelements oder der Drähte usw. infolge eines ungenügenden Einströmens des Harzes. Dieser Punkt wird

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nun unter Bezugnahme auf Figur 10, die eine vergrößerte Draufsicht des-Harzgieß abschnitt 21 ist, und auf Figur 11, die ein Schnitt längs A-A in Figur IO ist, erläutert.

" Wie in den Figuren 10 und 11 gezeigt, weisen bei 5o und 50' angegebene Harzgießformen einen Teil 51, der in engem Kontakt "mit dem Leitungsrahmen liegt, und einen Raum 52 auf, der nicht in engem Kontakt mit dem Leitungsrahmen liegt. Das Harz strömt durch den Harzgieß abschnitt 21 in den Raum 52 ein und bildet das Gießteil der Halbleitervorrichtung. Der Grund, warum das Harz in ausreichendem Maße in den Raum 52 einströmt, liegt darin, daß, wie in Figur 11 zu sehen, der Rahmenteil 10 des Leitungsrahmens in einer Harzgießöffnung 54 der Formen 50 und 50' nicht vorhanden ist. Das heißt, der Leitungsrahmen wird zwischen den Formen 50 und 50* so gehalten, daß die Harzgießöffnung 54 am Harzgieß abschnitt (Loch) 21 des Leitungsrahmens liegt.

Wenn der Rahmenteil des Leitungsrahmens an der Harzgießöffnung 54, wie durch gestrichelte; Linien 10' angedeutet, liegt, wird die Breite W₁ der Harzgießöffnung 54 um die Dicke des Leitungsrahmens kleiner, Infolgedessen fließt das Harz (17) nicht in ausreichendem Maße in den Raum 52i Um ein ausreichendes Strömen des Harzes (17) in den Raum 52 zu bewirken, können die Breite w- der Harzgießöffnung 54 im Hinblick auf die Dicke des Leitungsrahmens größer gemacht werden. Dann ist es jedoch schwierig, eine Halbleitervorrichtung mit dünnem Gießteil herzustellen. - . " _r

Ferner ist in einem Angußkanal 22, wie in Figur 11 dargestellt, eine Stufe 60 ausgebildet. Beim Trennen des Gießteils vom Angußkanal wirkt daher ein Zug konzentriert an der Stufe 60. Daher werden das Gießteil und der Angußkanal 22 an der Stufe 60 getrennt. Als Folge davon werden die Formen der Angußnasen bei Gußartikeln gleichförmig, so daß der Nachteil unregelmäßiger Trennteile vermeidbar ist. ■

Bei den oben beschriebenen Ausfuhrungsformen der Erfindung erstrecken sich die vier Lappenleitungen strahlenförmig vom Lappen

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zum Rahmenteil des Leitungsrahmens.- Dies ist so, weil der Lappen viereckig geformt ist. Die technische Grundidee der Vorrichtung beschränkt sich jedoch nicht darauf, sondern besteht darin, daß sich wenigsens drei Lappenleitungen vom Lappen zum Rahmenteil des Leitungsrahmens erstrecken. Beispielsweise kann im Falle eines kreisförmigen Lappens der Lappen durch den Rahmenteil des Leitungsrahmens über drei Lappenleitungen gehalten werden.

Dr.Ki/Ug

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L e e r s e i t e

Claims

29-314*9

PAT£NTANWÄL.r£

SCHIFF- v.FÖNER SJPf^iL - SCHÜBCL-HCPF E8BINGHAUS FINCK

MAR!/ ' 1Ii FPLATZ 2 & 3, MÖNCHEN 9O POSTADRESSE: POSfFACH 95 O16O, D-8OOO MÖNCHEN 95

HITACHI, LTD. . .- - 2. August 1979

DK-A-59-54 - - ■ ' . "

Leitungsrahmen und denselben verwendende Halbleitervorrichtung

PATENTANSPRÜCHE

1 .J Lo ίtungs rahmen !aus dünnem Metall, mit einem Trägerelement für ein. Halbleiterelement, Halteleitungen, von denen jede zum Halten des^ Elements an einem seiner Enden dient, einer Anzahl von Drahtanschlußleitungen, von denen sich jede mit einem Ende zur Unifangskante des Elements erstreckt, und mit einem Rahmenteil, welches die anderen Enden der Halteleitungen und der Anschlußleitungen hält, dadurch g e k e η η — ζ e i c h net, daß die Haiteleitungen (13) in einer Anzahl von wenigstens drei und sich strahlenförmig vom Halteelement (12) weqcrstreckend vorgesehen sind.
2. Leitungsrahmen nach Anspruch T, dadurch gekennzeichnet, daß das Halteelement (12) für ein Halbleiterelement viereckig ist und daß sich vier Halteleitungen (13) längs Diagonalen des Elements erstrecken (Fig* 2, 6).

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3. Leitungsraluiieri nach Anspruch 2., dadurch g e k e η η-zeichnet, daß die Anschlußleitungen (14)

in den Bereich der vier Seiten des viereckigen Elements (12)
verlaufen (Fig. 2, 6).

4. Leitungsrahmen nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die jeder Seite des Elements (12) zugeordnete Anzahl von Verbindungsleitungen (14) durch ein
erstes Band (15) gehalten wird (Fig. 2,6).

5. Leitungsreihmen nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die jeder Seite des Elements (12) zugeordnete Anzahl von Verbindnngsleitungen (14) mit ihren anderen Enden durch das Rahmenteil (10) über ein zweites Band

(31) gehalten wird (Fig. 2,G).

6. Leitungsrahmen nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η zeichne t, daß jede der Halteleitungen (13) an ihrem
anderen Ende eine Nut (20) aufweist (Fig. 4).

7. Leitungsrahmen nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Nut (20) V-förmig ist.

8. Leitungsrahmen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das andere Ende jeder Halteleitung (13) durch das Rahmenteil (10) über zwei Zweigleitungen (19) gehalten wird (Fig. 6, 7, 8, 9, 10).

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9. Leiturgsrahmen nach Anr.oru ch 8, dadurch cj ο k e η η-- _~ zeichnet, daß jede der Zweigleitungen (1-9) eine Nut (20) aufweist (Fig. 6, 7, 8, 9, 10).

to. Leitungsrahmen nach Anspruch 9, dadurch-_ g e k e η η — zeichnet, daß die Nut (20) V-förmig ist (Fig. 6, 7, 8, 9, 10).

11. . Einen Leitungsrahmen nach Anspruch 1 verwendende Halbleitervorrichtung, dadurch g e k en η ζ ei c hn e t ,daß sie ein Halbleiterelement (i 1 ) , welches eine Anzahl von Elektroden (T₁, P₂, P₃) aufweist und auf einer Hauptfläche des Haitee lemerits (12) angebracht ist, Drähte (w. , w~) , die die Elektroden (P.., V-, P^) und die Anschlußleitungen (14) miteinander verbinden,und ein Gießteil (17) welches aus einem das Haiteelement (12) , das Halbleiterelement (11), die Halteleitungen (13), und die Drähte (w.. , v/2) abdeckenden Harz besteht, umfaßt (Fig. 3, 4, 5, 6, 8, 9).

12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1.1, dadurch g e k e η η ζ e i c h η et , daß sich eine Halteleitung (13) und eine ümfangsfläche (18) des Gießteils (17) im wesentlichen senkrecht schneiden (Fig. 3, 4, 5, 6, 8, 9).

13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 11, dadurch g e k en η ζ eic h η et , daß das Halteelement (12) und das Gießteil (17) viereckig sind, und daß sich die Halteleitungen

(13) von vier Ecken des Elements (12) zu vier Ecken des ISießteils

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(17) erstrecken, wobei sich jede der Halteleitungen zwischen/ ihren Enden verzweigt und sich die Zweigteile (19) jeder Halteleitung so erstrecken, daß sie sich mit Seiten des Gießteils (17) unter rechtem Winkel schneiden (Fig. 6, 8, 9).

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