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Monolithisch integrierte Gleichrichterschaltung In monolithisch
integrierten Festkörperschaltungen werden Dioden im allgemeinen durch einen der
beiden pn-Übergänge einer Transistorstruktur gebildet. In Fig. 1 sind einige
dieser Möglichkeiten gezeigt, wie sie aus dem Buch von R.M. Warner und J.N. Fordemwalt
'tIntegrated Cireuits" New York 1965, Seiten 195 - 197 bekannt sind.
Der in Fig. 1 gezeigte Ausschnitt aus einer monolithisch integrierten FestkÖrperschaltung
besteht aus einem p-leitenden Substrat p.,
das mit einem Kontaktbelag KS versehen
ist. Am Kontaktbelag befindet sich der äußere Anschluß N. Dieser Punkt ist der negativste
Punkt dieser monolithisch integrierten Festkörperschaltung. Auf der gegenüberliegenden
Substratoberfläche befindet sich eine meist epitaktisch aufgebrachte Zone entgegengesetzten
Leitungstyps. In diese Zone wurden von ihrer freien Oberfläche her Zonen p, eindiffundiert,
die bis zum Substrat pS reichen. Dadurch entstehen voneinander isolierte Gebiete
nC, die durch pn-Übergänge elektrisch voneinander getrennt sind,.nämlich durch die
p,nC-Übergängb. Die 1201olierten Gebiete n C dienen als Kollektorzonen von Transistor-Durch
Eindiffusion der Zone p B vom Substratleititi istyp z' i hi der durch Eindifftision
der Zone- il VOM Basir,-,oric-;, ii u'Its E
Leitungstyp der Kollektorzone
eine Emitterzone gebildet wird. Gleichzeitig mit dieser Emitterdiffusion wird auch
in die Kollektorzone n C eine Zone nEt eindiffundiert, um eine Kontaktzone an der
Kollektorzone zu bilden. An der Oberfläche dieser drei Zonen werden Kontaktbeläge
K B x K C und KE angebracht.
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Die in Fig. 1 rechts liegende Struktur c) stellt lediglich
eine in einer isollei#ten Kollektorzone n C angeordnete Diode dar. Diesewird durch
die oben beschriebene Basisdiffusion PB und das epitak.tische nC-Gebiet gebildete
das durch die Emitterdiffusion eine niederohmige Kontaktierungszone'n
E 1 besitzt. Diese Struktur enthält lediglich den pBnC-Ubergang. Kontaktierungszone
und 'tBasiszonelt sind durch Metallbeläge kontaktiert, und zwar die durch die Basisdiffusion
entstandene Zone PB mittels des Kontaktbelags A und die durch die Emitterdiffusion
entstandene Kontaktierungszone nEt mittels des Kontaktbelags K. Diese beiden Kontaktbeläge
stellen Anode und Kathode dieser Dlode dar.
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Die nicht kontaktierten Oberflächenteile sind mit einer Schutzschicht
Ss bedeckt.
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Soll nun eine der gezeigten Transistorstrukturen als Diode verwendet
werden, so sind, wie schon angedeutete mehrere Möglichkei-. ten vorhanden, von denen
in Fig. 1 die Fälle a) und b) gezeigt sind. -Im Fall a) ist der Kollektorkontakt
mit dem Basiskontakt verbunden. Diese Möglichkeit wird häufig fÜr Kleinsignaldioden
oder -gleichrichter angewendet, d.h. es wird der Einitter-Basis-pn-Über.,ang n EPB
ausgenützt. Diese "El)B- Dioden können zu nahezu allen- bekannten
Diodenschaltungen
(Mittelpunktächaltung, Brückenschaltung, GREINACHER-Verdoppler-Schaltung
für Netz- oder Signalgleichrichterzwecke, sowie Ringmodulatorschaltung u.a.)
zusammenge" schaltet werden; allerdings unter der Voraussetzung, daß das Potential
der jeweiligen Kollektorzonen n der einzelnen Dioden C geeignet festgelegt ist.
Jeder Diode liegt nämlich ein eigener parasitärer 'E pbn.-Transistor parallel. Es-ergibt
sich daher der Nachteil, daß bei der Verwendung dieser n EPB -Dioden die Netz- oder
Signalspitzenspannung je nach Dotierungsprofil der durch die Diffusion entstandenen
Dioden und der gewählten Zusammenschaltung nur einige Volt bis maximal
18 Volt betragen darf, da die Abbruchspannung des nEPB-Übergangs zwischen
etwa 3 Volt und maximal 9 Volt liegt.
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Sollen höhere Spitzenspannungen verarbeitet werden, so läßt sich nur
der Basis-Kollektor-pn-Übergang pBnC verwenden$ dessen Ab-
bruchspannung je
nach Dotierung der Kollektorzone n. bis zu einigen hundert Volt betragen kann. In
Fig. 1 ist diese Schaltungsart durch den Fall b) angegeben. Durch
die gestrichelt eingezeichnete Linie ist angedeutet, daß hier die Kontakte der Emitter-
und Basiszone kurzgeschlossen werden können. Für die Diodenwirkung ist im wesentlichen
der Kollektor-Basis-pn-Übergang pj, maßgebend.
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In diesem Falle ist es jedoch sehr nachteilig, daß nicht mehr alle
beliebigen Diodenschaltungen realisierbar sind, da-die den einzelnen Dioden parallelliegenden
parasitären pjCpS/pI-Transistoren alle einen gemeinsamen Kollektor, nämlich das
Substrat/Isoliermaterial pS/pj besitzen. Das Potential des Kollektors dieses
parasitären
Transistors kann nicht frei gewählt werden, sondern das Substrat p. muß stets
das negativste Potential der Schaltung besitzen.
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Aufgrund der Wirkung dieser parasitären Transistoren mit gemeinsamem-Kollektor
ist es beispielsweise nicht möglich, die beiden interessantesten Netzgleichrichterschaltungen
(Brückenschaltung und GREINACHER-Spannungsverdoppler-Schaltung) als monolithisch
integrierte Festkörperschaltung auszuführen. Diese beiden Schaltungen sind nämlich
schaltungstechnisch deshalb außerordentlich interessant, weil sie nur eine Transformatorwicklung
benötigen, d.h. nicht wie andere Gleichrichterschaltungen Transformatorwicklungen
mit einer oder mehreren Anzapfungen. Außerdem wird diese eine Wicklung während der
beiden Halbwellen der Wechselspannung gleichartig belastet, was eine optimale Ausnutzung
des_ Transformators erlaubt.
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Die Gründe für die Nichtrealisierbarkeit mit Diodenstrukturen, wie
sie in Fig. 1 gezeigt sind, sollen am Beispiel der GREINACHER-Schaltung in
Zusammenhang mit den Fig. 2 und 3 näher erläutert werden. In Fig. 2 ist eine
monolithisch integrierte Diodenanordnung gezeigt, die in der Schaltung nach GREINACHER
betrieben werden soll. In Fig. 3 sind die Strom- und Spannungsverhältnisse
dieser Schaltung angegeben. Die monolithisch integrierte Diodenschaltung nach Fig.
2 besteht im Prinzip aus zwei einzelnen Dioden 1, 2, wie sie im rechten Teil
der Fig. 1 unter c) gezeigt sind. Es sind voneinander durch die Isolierdiffusionen
p, getrennte Gebiete n ci und n C2 gebildet, in die jeweils entsprechende
Basisdiffusionen PB11 PB2 und KontaktierungsdJffusionen n Et13 n E'2 eingebracht
sind. Das Substrat p. ist durch eine in die
Isolierdiffusion
p, eingebrachte Kontaktierdiffusion PBI und einen Kontaktbelag Ks, elektrisch kontaktiert.
Die einzelnen Zonen und Gebiete sind ebenfalls durch Kontaktbeläge elektrisch kontaktiert,
und zwar entsprechen sich: nEt, und K,9 PB1 und Al.
n. t2 und K2 sowie
p B2 und A 2@ Das Substrat-ist über den Kontaktbelag KS, mit dem Anschluß
A2 verbunden.
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An diese monolithisch integrierte Diodenschaltung ist nun ein Netztransformator
Tr mit seiner Sekundärwicklung w 2 angeschlossen. Zur Erläuterung ist angenommen,
daß an der Primärwicklung wi des Transformators 220 Volt Wechselspannung angelegt
sind. In bekannter Weise ist diese Schaltung als GREINACHER-Schaltung aufgebaut.
Dies wird dadurch erreicht, daß die Anschlüsse A 1 und K, miteinander verbunden
und am einen Ende der Sekundärwicklung w 2 liegen. Das andere Ende der Sekundärwicklung
ist mit dem Verbindungspunkt 0 zweier in Serie geschalteter Elektrolytkondensatoren
C 1J C2 verbunden. Das zweite Ende von Kondensator C, ist mit dem
Anschluß Ki verbunden und das zweite Ende von Kondensator C2 mit dem Anschluß A2*
Die gleichgerichtete Spannung tritt nun an diesen Verbindungspunkten auf$ und zwar
an dem Verbindungspunkt von K 1 und C 1 die positive Gleichspannung,
was durch das Pluszeichen angegeben ist$ und am Verbindungspunkt von C2 und
A2 die negative Spannung$ was durchldas Minuszeichen angedeutet ist.
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Es sei nun angenommen$ daß die beiden Kondensatoren Ci und
C 2 bereits aut eine solche Spannung aufgeladen sind$ die nur wenig unter
der sekundären Spitzenspannung des Transformators iiegt. Dann kann während der negativen
Halbwelle der Sekundärepannung nur durch die Diode 2 Strom fließen, und zwar nur
solange,- wie das Potential am Kontakt A2 positiver als das Potential am
Kontakt
K 2 ist. Fließt nun durch die Diode 2 ein Durchlaßstrom, so werden vom PB2-Gebiet
ins n.2-Gebiet Minoritätsladungsträger injiziert. Im Falle der in diesem Beispiel
gewählten Leitungstypen der Zonen und Gebiete werden also Löcher injiziert. Dies
ist In Fig. 2 durch die angegebenen Pfeile angedeutet. Die injizierten Minoritgtsladungsträger
rekombinieren alle"auf ihrem Weg zum n E t 2 -Gebiet mit Majoritätsladungsträgern,
in diesem Falle also Elektronen, die vom n.12-Gebiet zufließen. Außerdem werden
auch aus den p i- und p S -Ggbieten der Isolationsdiffusion-und des
Substrats Löcher ins nC2-Gebiet injiziert, da diese Gebiete dem p B2 -Gebiet
parallelgeschaltet sind. Gleiöhzeitig werden auch Elektronen vom nC2-Gebiet in das
Substratgebiet p. injiziert. Der parasitäre Transistor PB2nC2pS/pl hat keine
Transistorwirkung, sondern verhält sich wie eine Diode. Während des Stromflusses
in der Diode 2 ist das Substratgebiet pS nicht der negativste Pun kt der Schaltung;
das n C2-Gebiet hat nämlich ein um die Durchlaßspannung des PB2nC2-Übergangs negativeres
Potential, Dies hat jedoch keinen Einfluß auf die Wirkungsweise der integrierten
Festkörperschaltung, solange die übrigen nc-Gebiete positiver als das Subs'tratgebiet
p. bleiben. Das nC,.#Gebiet liegt auf einem hohen positiven Potential, so
daß der nclps-übergang stets in Sperrichtung betrieben wird. Es fließt demnach durch
die Diode 2 der Strom 12-4 der in Fig. 3 als impulsförmiger Str
' om am-Kontakt Ki auftritt, und zwar, wie schon oben gesagt, während die
Spannung UA2 am Kontakt A2 positiver ist als die sinusförmig verlaufende
Sekundärepannung UA1K2 ist* Nun sei der Zustand betrachtet$ in weichem durch di#
Diode 1 ein Durchlaßstrom fließt. Dies ist während der positiven Halbwelle
der
Sekundärspannung des Transformators dann der Fall, wenn die Spannung UAIN2 am Kontakt
Aj positiver wird als das Potential am Kontakt K es fließt nun durch die Diode
1 der eingezeichnete impulsförmige Strom Ile Während des Stromflusses werden
vom Gebiet ins n Gebiet wiederum Minoritätsladungsträg'ere also PB1- ci-Löcher,
injiziert$ was wiederum durch die eingezeichneten Pfeile veranschaulicht ist. Diese
Löcher rekombinieren jedoch nicht sämtlich mit Elektronen$ die vom nEtl-Gebiet zufließen,
sondern gelangen zum Teil zur Raumladungszone des gesperrten n C1PS/PI-Übergangs
und von dort in das Substratgebiet p.. Es fließt also aufgrund dieser Transistorwirkung
des parasitären Substrat-Transistors pB,nC,pS/pj ein unerwünschter Substratstrom,
der den Kondensator C 2 entlädt. Dieser Substratstrom ist umso größer.,
je_ höher die Stromverstärkung des Substrattransistors ist. Bei Üblichen monolithisch
integrierten Festkörperschaltungen liegt diese Stromverstärkung zwischen
1 und 10, je nach Dicke und Leitfähigkeit der epitaktisch aufgebrachten
Schicht nco Das bedeutet, daß der Entladestrom des Kondensators C 2 gleichgroß
oder größer als der Ladestrom des Kondensators C 1 ist. Außerdem wird durch
den Substratstrom die Schaltung unzulässig erwärmt. Die -
Anordnung nach Fig.
2 ist also nicht brauchbar. Gleiches läßt sich in ähnlicher Weise auch für die Brückengleichrichterschaltung
nachweisen.
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Die Erfindung betrifft somit eine monolithisch integrierte Gleichrichterschaltung
für Wechselspannungen, deren Amplitude größer ist als die Emitter-Basis-Abbruchspannung
monolithisch integrierter Transistorstrukturen, insbesondere fÜr Netz- und Großsignalgleichrichtung$
wobei auf einem Substrat des einen Leitungstyps durch pn-Übergänge voneinander isolierte
Gebiete
einer Schicht des entgegengesetzten Leitungstyps angeordne.t
sind' und wobei in die isolierten Gebiete-je eine Zone des Substratleitungst#Ps
und je eine Kontaktierungszoneeingelassen sind, die je eine Diodenstruktur ergeben.
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Aus der US-Patentschrift 2 667 607 sind aus einem Halbleiterkörper
bestehende Brückengleichrichterschaltungen bereits bekannt. Diese bestehen aus einem
in Längsrichtung erstreckten Halbleiterkörper, der in seiner Querrdchtung eine npn-Zonenfolge
besitzt, Durch von den beiden Breitseiten aus jeweils bis in die entfernt liegende
n-Zone erfolgende abwechselnde Sägeschnitte werden voneinander getrennte npn-Bezirke
erzeugt. Gleichzeitig werden abwechselnd pn-Übergänge kurzgeschlossen. Diese Art,
eine BrÜckengleichrichterschaltung aus einem Halbleiterkörper herzustellen, wird
von der Erfindung nicht betroffen, da sich die Erfindung auf eine nach der Üblichen
Planartechnik hergestellte Gleichrichterschaltung bezieht.
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Ferner ist aus der deutschen Auslegeschrift 1 229
648 eine integrierte GRAETZ-Gleichrichterschaltung bekannt, die aus einem Halbleiterkörper
besteht$ der aus einem in Sechseckform verlaufenden Ring besteht. In der Mitte des
Ringes verläuft senkrecht zur Ringebene ein pn-Übergang, wobei die n-Zone außerhalb
und die p-Zone innerhalb des pn-Übergangs und somit des Ringes liegen. An den Ecken
des Sechseckes sind abwechselnd von innen und von außen Vertiefungen angebracht$
die sich bis Über den pn-Übergang hinaus erstrecken$ so daß zwischen jedem Sechseökpunkt
der pn-Übergang unterbrochen ist. Die Kontaktierung erfolgt so, daß an zwei gegenüberliegenden
Sechseckseiten einerseits ein Kontakt an der n-Zone und andererseits an der gegenÜberliegenden
Sechseckseite
ein Kontakt an der p-Zone angebracht ist. Ferner sind an zwei weiteren sich gegenüberliegenden
Sech.seckseiten durch eine Kontaktzone die beiden pn-Übergänge kurzgeschlossen.
Diese Anordnung betrifft ebenfalls keine nach der Planartechnik hergestellte Gleichrichterschaltung.
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Die Erfindung hat sich zur Aufgabe gestellt, eine monolithisch integrierte
Gleichrichterschaltung anzugeben, die die oben geschilderten Nachteile einer üblichen
Gleichrichterschaltung vermeidet. Die in Fig. 2 dargestellte Schaltung soll durch
technologische' Maßnahmen so ausgebildet werden., daß sie funktionsfähig wird. Dies
wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß diejenigen Diodenstrukturen
die-im Betrieb mit hoher zwischen Substrat und isolierteni Gebiet anliegender Spannung
beaufschlagt sind$ derart ausgebildet sind, Aaß eine hochdotierte Schicht des entgegengesetzten
Leitungstyps auf dem Substrat angeordnet ist, daß die Zonen von ringförmig geschlossenen
Kontaktierungszonen in möglichst geringem$ von der Abbruchspannung vorgegebenen
Abstand umgeben sind und daß die Breite der Kontaktierungezonen wesentlich größer
als die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger ist.
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Bei monolithisch integrierten Festkörperschaltungen$ in denen Transistoren
verwendet werden$ ist eine auf dem Substrat angeordnete, hochdotierte Zone vom zum
Substratleitungstyp entgegengesetzten Leitungstyp an sich bekannt" vgl. "Scientia
Eleatrica" 1964, Heft 41 Seiten 116 und 117. Diese sogenannte
vergrabene Schicht dient dazu, den infolge des dünnen Kollektorgebiets und der abseits
liegenden Kontaktlerungszone relativ hochohmigen
Kollektorserienwiderstand
zu verringern. Dieser hochohmige Kollektorterienwiderstand hat nämlich zusammen
mit der KollektorkapazItät eine Verringerung der Grenzfrequenz eines solchen integrierten
Transistors zur Folge. Außerdem verschlechtert er den Wirkungsgräd von Leistungsverstärkern
ganz entscheidend, Die hochdotierte Schicht des entgegeng6setzten Leitungstyps nach
der Erfindung ergibt jedoch eine andere und vorteilhafte Wirkung, die aus der an
Hand der Fig. 4 hervorgehenden Beschreibung der Erfindung und der Beschreibung vorteilhafter
W6iterbildungen der-Erfindung ersichtlich werden wird.
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Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß-die an Hand der Fig.
2 und 3 beschriebenen Nachteile dann behoben werden können, wenn es gelingtj
die Stromverstärkung des parasitären Substrattransistors r-,B,nC,pS/pj um Größenordnungen
herabzusetzen. Dann wird nämlich der Substratstrom im Durchlaßfall der Diode
1, bzw. einer-entsprechend angeordneten Diode in einer anderen Dioden. schaltung
vernachlässigbar klein, und die Anordnung Ist monolithisch integrierbar.
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In Fig. 4 ist die Diode 1 von Fig. 2 mit der erfindungsgemäßen
Ausbildung gezeigt. Zum Zweck der Verkleinerung des Stromverstärkungsfaktors des
Substrattransistors befindet sich auf dem Substrat eine hochdotierte Schicht n BL
. Das darüber befindliche Gebiet n ci wird von einer ringförmigen Kontaktierungszone
n Ellr kontaktiert. Auf der Kontaktierungszone ist der ringförmige Kontaktbelag
K lr angebracht. Von der Kontaktierungszone wird die vom Substratleitungstyp umschlossen.
Diese Zone ist Zone PB1 durch den Kontaktbelag A 1 kontaktiert. Wird diese
erfindungsgemäße Diode In Durchlaßrichtung betriebenj so werden von der
Zone
pB, Minoritätsladungsträger, also Löcher, in das n ci-Gebiet inJiziert, was in Fig.
4 durch die ausgezogen gezeichneten Pfeile angedeutet ist. Von der Kontaktierungszone
n., lr fließen andererseits Elektronen zu, was durch die gestrichelt gezeichneten
Pfeile angedeutet ist. Mit diesen Elektronen rekombinieren'die von der Zone PB1
injizierten Löcher.
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Der Abstand der Kontaktierungszone nEllr von der Zone p Bl
wird dabei so gering wie möglich gemacht, um den Minoritätsladungsträgern einen
kurzen Weg zur Kontaktierungszone zu bieten. Der minimale Abstand ist durch die
erforderliche Abbruchspannung der Diode vorgegeben. Der niederohmige Kontaktierungsring
nE'lr besitzt eine solche Breitej daß Minoritätsladungsträger nicht mehr zwischen
ihm und der hochdotierten Schicht nBL zum Isolationsring p, diffundieren können,
sondern vorher abgefangen werden. Der Kontaktierungsring ist erfindungsgemäß wesentlich
breiter als die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger im nci-Gebiet. Eine
vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die Zone p Bl
in Form eines schmalen und langen Streifens ausgebildet ist. Durch diese Maßnahme
wird das Verhältnis der seitlich injizierenden Fläche zur nach unten injizierenden
Fläche möglichst groß, d.h. die Injektion zum nF11r-Kontaktierungsring hin ist um
Größenordnungen größer als die Injektion zur hochdotierten Schicht n BL hin.
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Nach einer anderen vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist die
hochdotierte Schicht mit schnelldiffundierendem Material dotiert. Beim epitaktischen
Aufbringen des nci-Gebietes entsteht somit nämlich durch Ausdiffusion des.Dotierungsmaterials
aus der
-hochdotierten n BL-Schicht in das schwächer dotierte n
ci-Gebiet hinein ein Störstellengradientg der ein Driftfeld zur Folge hat. Dieses
Driftfeld erschwert es den von der Zone p B, injizierten Minoritätsladungsträgern.,
zur Raumladungszone des nBLPS-übergangs Zu gelangen. Als Dotierungsmaterial fÜr
die hochdotierte Schicht 'BL können im Falle der n-Leitung dieser Schicht Phosphor
oder im Falle von p-Leitung dieser Schicht Aluminium oder Gallium dienen.
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Außerdem ist es nach einer anderen Weiterbildung der Erfindung möglich,
dieses Driftfeld mit einer zweiten Schicht nBL2 herzustellen, die mit schnelldiffundierendem
Material dotiert und die über einer ersten hochdotierten Schicht n BL1 angeordnet
ist, die ihrerseits mit langsamer diffundierendem Material dotiert ist, d.h. die
hochdotierte Schicht nBL ist in zwei Teilschichten aufgeteilt. Die Anordnung dieser
beiden Schichten zeigt Fig- 5. Auf diese Weise lassen sich die beiden Funktionen
der vergrabenen Schicht, nämlich die Bereitstellung eines niederohmigen Anschlusses
des nci-Gebietes und die Erzeugung eines Driftfeldes in diesem Gebiet technologisch
getrennt voneinander und optimal einstellen.
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Als Dötierungsmaterialien können beispielsweise im Fall der n-Leitung
der vergrabenen Schichten für die Schicht nBL1 Mit langsam diffundierenden Störstellen
Antimon und für die Schicht nBL2 mit schnell diffundierenden StÖrstellen Phosphor
dienen. .Besonders vorteilhaft und zweckmäßig ist es, wenn man die Breite
der hochdotierten Schicht n BL größer als die Breite der Zone PB1
und
wesentlich größer als die Difrusionslänge der Minoritätsladungsträger macht. Dadurch
erstreckt sich die nBL-Schicht möglichst weit über das aktive p Bl-Gebiet
hinaus$ so daß möglichst viele der injizierten Minoritätsladungsträger daran gehindert
werden" zur Raumladungszone zu gelangen. Die Überlappung der nBL-Gebiete über die
betreffenden P.1-Gebiete ist dann ausreichend, wenn die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger
im nci-Gebiet kleiner ist als diese Überlappung.
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Gelangen trotz des Driftfelds vor der nBr,-Schicht Minoritätsladungsträger
in diese Schicht hinein, so müsse'n sie dort mit Majoritätsladungsträgern, die vom
nE'lr-Kontaktierungsring kommen, rekombinieren, bevor sie Gelegenheit haben, durch
die hochdotierte hBL-Schicht hindurch zur Raumladungszone des gesperrten "BLPS-Übergangs
zu gelangen. Die Dicke der hochdotierten Schicht wird daher in weiterer Ausgestaltung
der Erfindung größer als die Diffusionslänge der in der hochdotierten Schicht vorhandenen
Minoritätsladungsträger gewählt. Aufgrund der hohen Dotierung der nBL-Schicht ist
die Diffusionslänge in dieser Schicht um Größenordnungen kleiner als im darüberliegenden
n.1-Gebiet. Dadurch ergibt sich auch als besonderer Vorteil, daß die hochdotierte
Schicht zu einer Erniedrigung des Bahnwiderstands der Dioden wesentlich beiträgt.
Aus diesem Grunde kann es günstig sein, auch diejenigen Diodenstrukturen der Gleichrichterschaltung
mit einer vergrabenen$ hochdotierten Schicht zu versehen, deren PB-Gebiete über
die Kontaktierdiffusion PBI elektrisch mit dem Substrat pS verbunden werden.
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In besonders gelagerten Fällen kann es möglich sein., daß nacli Ausschöpfung
sämtlicher geschilderter Maßnahmen die Wirkung de3
parasitären
Substrattransistors immer noch stört. Hier kann in weiterer Ausgestaltung der Erfindung
von der Rückseite der integrierten Schaltung her, also von der freien Oberfläche
des Substrats pS aus, Gold in die gesamte Substratoberfläche eindiffundiert
werden. Die Goldkonzentration läßt sich durch plötzliches Abkühlen (Abschrecken)
nach vorgegebener Erwägungszeit bei der Diffusionstemperatur in weiten Grenzen frei
wählen, nachdem zuvor das Gold aufgedampft wurde.