DE1644709C3 - Verfahren zum Entfernen von Klebstoffresten von Oberflächenbereichen einer Trägerplatte - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Klebstoffresten auf Polyesterbasis von den nicht von einem SchrUtungsmuster überdeckten Oberflächenbereichen einur Trägerplatte aus Polyolefin.

Nach der DT-AS 1182 319 ist ein Schichtgebilde für elektrische Schaltungsplatten bekannt, welche eine teilweise von einem Schaltungsmuster überdeckte Trägerplatte aus Polyolefin umfassen, die durch eine Schicht eines in einem Lösungsmittel löslichen Klebstoffes mit dem im Lösungsmittel unlöslichen metallischen Schaltungsmuster verbunden ist. Zum selektiven Ablösen von Klebstoffresten, die aus Polyesterharzbasis bestehen können, von den nicht seitens des Schaltungsmusters überdeckten frei liegenden Obertlächenteil der Trägerplatte erfolgt eine Behandlung mit einem die Klebstoffreste aufnehmenden Lösungsmittel.

Gemäß der US-PS 32 75 486 ist es bei Schichtgebilden der in Rede stehenden Art auch grundsätzlich bekannt, daß Polyester mit konzentrierter Schwefelsäure aufgelöst werden kann, ohne daß das metallische Schaltungsmuster wesentlich angegriffen wird.

Bei den betrachteten Schichtgebilden ist es wesentlich, daß beim Ablösen der Klebstoffreste die Klebstoffschicht zwischen der Trägerplatte und dem metallischen Schaltungsmuster in keiner Weise angegriffen wird, daß also unterhalb der das Schaltungsmuster bildenden Metallschicht keine Hinterschneidungen in der Klebstoffschicht vorliegen, da diese die elektrischen Kennwerte sehr ungünstig beeinflussen. Bisher ist es indessen mit keinem bekannten Verfahren gelungen, diese ungünstigen Hinterschneidungen zu vermeiden.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines gegenüber dem Stand der Technik verbesserten Verfahrens, welches die Entfernung der Klebstoffschicht zwischen dem Schaltungsmuster und der Trägerplatte aucli an den Randumfangsbereichen des Schaltungsmusters weitgehend vermeidet, so daß keine Hinterschneidungen des Schaltungsmusters entstehen. Erreicht wird dies durch die im Patentanspruch 1 angegebene Erfindung.

Obgleich der beim erfindungsgemäßen Verfahren auftretende Wirkungsmechanismus theoretisch noch nicht völlig geklärt werden konnte, wird angenommen, daß wegen der geringen Schichtdicke des Klebstoffes zwischen den drei verwendeten Stoffen, nämlich der Trägerplatte, der Klebstoffschicht und dem metallischen Schaltungsmuster, elektrostatische Vorgänge bei der Einwirkung des Lösungsmittels auftreten, so daß gerade an dem kritischen Randbeieich des Schaltungsmusters kein Klebstoffabbau stattfin det, während an den frei liegenden Oberflächenbereiche'n der Trägerplatte der Klebstoff abgetragen wird. Gemäß einer bevorzugten Durchführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht das Polyole-

fin der Trägerplatte aus der Gruppe, umfassend Polyäthylen, Polypropylen und Polytetrafluorethylen.

Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens sind Schichtgebilde geeignet, bei denen das Schaltungsmuster aus einem Metall besteht, das

durch eine Behandlung mit konzentrierter Schwefelsäure über kurze Zeiträume bei annähernder Raumtemperatur praktisch nicht angegriffen wird. Insbesondere sind hierfür geeignet Blei, Kupfer, Aluminium, Titan, Nickel, Chrom, Kobalt, Zinn, Beryllium,

ao Zink, Silber, Gold, Platin, rostfreier Stahl sowie Legierungen hiervon.

Der Klebstoff kann beispielsweise aus 50 : 50molaren Gemischen von Phtalinsäure und entweder Adipin- oder Sebazinsäure und aus Äthyienglykol bestehen.

Die Polyesterbasis des Klebstoffs stellt eine Substanz von niedrigem Molekulargewicht dar, wobei die Herstellung aus Glykolen mit 2 bis 6 Kohlenstoffatomen und Terephthalinsäure, Isophtalinsäure oder azyklischen Dikarboxylsäuren mit einer linearen Kette von 6 bis 12 Kohlenstoffatomen erfolgt. Diese Reaktionsprodukte sind gummiartige Festkörper von weißer bis grauer Farbe mit Molekulargewichten von nicht über 10 000. Derartige Klebstoffe sind im Handel erhältlich. Damit eine derartige Substanz durch konzentrierte Schwefelsäure bei Raumtemperatur angegriffen werden kann, ist folgende Bindung erforderlich:

R' —C —OR —

Hierbei sind R und R' Kohlenwasserstoffradikale, welche das Polyestercopolymer bilden. Die gezeigte zusammengesetzte Einheit ist die Wiederholungseinheit des Reaktionsproduktes.

Die zum Ablösen der Klebstoffreste verwendete Schwefelsäure hat eine Konzentration von 93 ⁿ/o oder mehr.

Die Erfindung ist nachstehend an Hand von vier Beispielen näher erläutert.

Beispiel 1

Bei Verwendung von Polypropylen als Material für die Trägerplatte verblieb nach dem Abätzen einer aus Aluminiumfolie bestehenden Metallschicht, deren Restbestandteile nach dem Abätzvorgang das Schaltungsmuster bildeten, eine Klebstoffschicht mit einer Dicke von 2,54 Mikron r.n den niehl vom Schaltungsmuster überdeckten Oberflächenbereich. Die Dicke der Klebstoffschicht wurde durch Absorptionsmessungen im Infrarotbereich nachgewiesen. Alsdann wurde das Schichtgebilde in konzentrierte Schwefelsäure bei Raumtemperatur eingetaucht, durch Abspülen von der Säure und Klebstoffresten befreit und schließlich getrocknet. Danach konnte durch das angewendete Infrarot-Meßverfahren eine Klebstoffschicht auf der Trägerplatte innerhalb der nicht vom

Schaltungsmuster überdeckten Oberflächenbereiche nicht mehr nachgewiesen werden.

ύ ei spie· z.

Bei Verwendung eines Schichtgebildes, bei dem die Trägerplatte aus Polypropylen und das Schaltungsmuster aus Kupferfolie bestand, lag nach den auf die Kupferfolie wirksamen Ätzverfahren innerhalb der nicht vom Schaltungsmuster überdeckten Oberflächenbereiche eine Klebstoffschicht mit einer Dicke von 0,6 · 10~² mm vor. Durch Eintauchen in konzentrierte Schwefelsäure bei Raumtemperatur nebst nachfolgender Wasserspülung entstand eine dünne weiße Klebstoffschicht, welche von der Trägerplatte leicht abgewischt werden konnte. Als Klebstoff wurde hierbei das Reaktionsprodukt einer 50 : 50molaren Mischung von Phtalinsäure und Adipinsäure zusammen mit einem gleichmolaren Teil von Äthylenglykol verwendet. Es ergaben sich sehr gute elektrische Eigenschaften, selbst bei hoher Umgebungsfeuchtiglenfilm von 7,6 · 10~²mm Dicke und das Schaltungsmuster nach dem Abätzvorgang aus Elektrolytkupfer von 305 g/m² bestand. Nach dem auf die Kupferschicht wirksamen Ätzvorgang wies der Klebstoff

£ außerhalb dem vom Schaltungsmuster überdeckten Oberflächenbereich eine Dicke von 0,6 ■ 10~² mm auf. Diese Klebstoffreste wurden durch Eintauchen in konzentrierte Schwefelsäure über 1,5 Minuten bei Raumtemperatur unter leichtem Abwischen entfernt.

Der Oberflächenwiderstand der Probe bei hoher Feuchtigkeit entsprach im wesentlichen demjenigen der verwendeten Trägerplatte, wobei eine Empfindlichkeit des verbliebenen Klebstoffes gegenüber der Feuchtigkeit nicht festgestellt werden konnte.

BeisDiel 3
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Es wurde von einem Schichtgebilde ausgegangen, bei welchem die Trägerplatte aus einem Polypropy-R ■ ' e 1 4

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Es wurde von einem Schichtgebilde ausgegangen, welches eine Trägerplatte aus Polytetrafluorethylen und ein metallisches Schaltungsmuster aus Elektrolytkupfer mit 305 und 610 g/m² umfaßte. Die beiden Proben wurden gemäß dem Beispiel 2 behandelt, wobei die elektrischen Eigenschaften der Trägerplatte in sehr zufriedenstellender Weise beibehalten wurden. Als Klebstoff wurde derjenige gemäß dem Beispiel 2 verwendet.

Claims (2)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Entfernen von Klebstoffresten auf Polyesterbasis von den nicht von einem Schaltungsmuster überdeckten Oberflächenbereichen einer Trägerplatte aus Polyolefin, dadurch gekennzeichnet, daß der Klebstoff das Reaktionsprodukt eines Glykols mit 2 bis 6 Kohlenstoffatomen und einer dibasischen Säure mit 6 bis 12 Kohlenstoffatomen enthält und durch Eintauchen in konzentrierte Schwefelsäure entfernt wird.

2. Gebilde, hergestellt nach dem Verfahren gemäß Ansprui. Ii 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polyolefin der Trägerplatte aus der Gruppe, umfassend Polyäthylen, Polypropylen und PoIytetrafhioräthylen, gewählt ist.