DE1508356A1 - Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung - Google Patents
Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zur Herstellung dieser AnordnungInfo
- Publication number
- DE1508356A1 DE1508356A1 DE19661508356 DE1508356A DE1508356A1 DE 1508356 A1 DE1508356 A1 DE 1508356A1 DE 19661508356 DE19661508356 DE 19661508356 DE 1508356 A DE1508356 A DE 1508356A DE 1508356 A1 DE1508356 A1 DE 1508356A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- solder
- thermoelectric
- arrangement according
- thermoelectric arrangement
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12486—Laterally noncoextensive components [e.g., embedded, etc.]
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
V/oütinghouse
Electric Corporation ■ IOUOJOD ι *up
Pittoburgh l AÜG
6G/S015
Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung.
PUr diene Anmeldung nird die Priorität der entsprechenden
UOA-Anraoldung Strinl No. 478 274 vom 9.ü.1965 beansprucht,
Di ο Erfindung bezieht oich auf eine thcrmoeluktrloche Anordnung,
bei der Halbleiterkörper mit metallinchcn Kontakttei-Lcn
durch Lotechichten verbunden nind. Sie bestellt darin, dcß
di.ii IiotHohLchten in wesentlichen auo einen Metp.ll der Gruppe
IUt)L1 Zinn, Wismut und Legierungen auo diesen besteht, den ur
Luülicho Motallteilchen zugesetzt sind, deren Schmelzpunkt
über άςμ Schmelzpunkt des Lotes liegt. Die in der Lot schicht
gleichmäßig verteilten unlöslichen Metallteilchen können aus
Ginom Metall der Gruppe Eisen, Kobalt, Nickel, Vorzug εν/e is c
Eisen, bestehen; ihr Volumanteil an der Lotschicht kann zwischen 2 und 35?6 betragen. Die Lotschicht kann ferner einen Zusatz
von Phosphor enthalten, der das Benetzungsvermögcn des Lotes verbessert.-
Die Erfindung bezieht 3ich ferner auf ein Verfahren zur Herstellung
der genannten thermoclcktrischcn Anordnung, da3 darin
besteht, daß die Teile der Anordnung unter Zwischenlage vorgefertigter
Lotscheiben zusammengesetzt und in einen Ofen in einer Schutzgasatmosphäre auf eine Temperatur zwischen 23!3 und
425° C gebracht werden. AIo Schutzgao wird vorzugsweise strör.cr.-der
trockener Wasserstoff verwendet.
Durch die vorliegende Erfindung wird ein vorteilhaftes, repsduzierbaree
Verfahren zur Herstellung hochcuverlüs3iger thcrrncelektrischer
Anordnungen mit gleichförmiger Qualität geschaffen, wobei die Vereinigung der Komponenten in einen einzigen
Arbeitsgang durchgeführt werden kann.
Die nach der Erfindung horgeotcllten thermoclektriaehcn Anörd^- nungen
besitzen vorzügliche Betriebseigenschaften, und zwar hinsichtlich ihrco Verhaltens sowohl bei zyklischer Tenpcraturlcanspruchung
aln auch bei hoher Betriebstemperatur, die nahe unterhalb
der Schmelztemperatur des thermoelekfcricchen Materials
liegen kann. Diese Betriebseigenschaften werden erreicht, v/cnn
die therDioelektrischcn Anordnungen in einer inerten oder reduiziisrenden
Atmosphäre betrieben werden.
- BAD ORIGINAL
-2-909883/058/»
Me Lote, die im Rahmen der Erfindung verwendet werden, machen eine Voj benetzung der Komponenten überflüssig. So kann s.B. der
Gebrauch von Ultraschall zur Vorbenetsung der Halbleiterkörper entfallen=
Im folgenden werden Ausführungsboicpielc der Erfindung anhand
der Zeichnung erläutert, Ec zeigen:
Figur 1 die Ansicht eines thermoelektrischen Elementes
(zerlegt);
Figur 2 einen Querschnitt durch eine thermoelektrische
Anordnung;
Figur 3 ein Schaltbild, aus den die Verbesserung von
thcrmoelcktri3Chen Anordnungen, die gemäß der Erfindung ausgebildet und hergestellt sind, gegenüber
dem Stand der Technik ersichtlich iüt. ·
In Figur 1 ist ein thermoelektrisches Element 10 dargestellt. Das Clement 10 umfaßt ein Kontaktteil 12 mit einer Stirnfläche
14 und einer Grundfläche 16. Auf der Stirnfläche 14 ist
ein Becher 18 in geeigneter Weise befestigt, z.B. durch Hartlötung
oder Punktschweißung. D3r Becher 18 hat eine innere Bcdenflache
20. Ein im wesentlichen zylindrischer Körper 22 aus thermoolektrischcm Halbleitermaterial mit einer Stirnfläche 24
und einer Grundfläche 26 ist mit der Bodenfliiche 20 durch eine
Weichlotschicht 28 verbunden, die· zt/ischen der Grundfläche 26
des Halbleiterkörpers 22 und der Bodenfläche des Bechers 18 angeordnet ist „
-3- 909883/0684 ßA00RIGINAt
Ein zweites Kontaktteil 30 hat eine Stirnfläche 32 und cine
Grundfläche 34; co weist in der Stirnfläche 32 eine becher-
• ■ -■■■"·.
artige Vertiefung 36 auf. Die Vertiefung 36 hat eine Bodenfläche
38, Das Kontaktteil 30 ißt mit dem Halbleiterkörper 22
durch eine'Weichlotschicht 40 vereinigt, die zwischen der Grundfläche
34 dea Kontakttcileo 30 und der Stirnfläche 24 dea Halbleiterkörper
ο 22 angeordnet iot.
Eine elektrische Zuleitung 42 mit einer unteren Kontaktfläche
44 ist mit dem Kontaktteil 30 durch eine Wcichlotcchicht 46
verbunden, die zwischen den Kontaktoberflächen 38 und 44 angeordnet iot. "
Sämtliche lötverbindungen dea Elementes 10 werden während eines
einzigen Durchganges durch einen Ofen gleichzeitig hergestellt. Geeignet iot ein Hohrofen mit Schutzgasatmosphäre. Es
wurde gefunden, daß eine reduzierende Atmosphäre aus gereinigtem,
trockenen Waeoeretoffgaa für die gleichseitige Herstellung
der Lötverbindungen am booten geeignet iot.
!Der taupunkt der Wasserstoff atmosphäre des Ofens kann etwa
zwischen -20° und -10O0C liegen. Der bevorzugte Taupunkt ist
-5O0G. Die auf diese Weise hergestellten Lötverbindungen sind
den nach bekannttstif Verfahren hergesieilten Lötverbindungen überlegen,*
Die StrömMng des gereinigten trockenen Wasserstoffgases im
Ofen kann einen Durchsatz von etwa 2,8 bis 7 m pro Stunde ha-
-4-
909883/0$$% ORiG[NAL
ben, bei einem Ofen mit einem Querschnitt von etwa 160 cm . Bevorzugt ist ein Durchsatz von etwa 4 η pro Stunde.
Viele Lötverbindungen, die nach diesem Verfahren hergestellt werden, lassen eich mit einer Ofonzeit von weniger als 1 Minute
bei geeigneter Ofentemperatur herstollen. Es wird jedoch
eine Ofonzeit zwischen 10 und 30 Minuten bevorzugt. Die minimale
Ofenzeit bei der Betriebstemperatur de3 Ofens hängt von
der Art des Weichlotes und der Betriebstemperatur des Ofens ab. Die Betriebstemperatur des Ofens kann, abhängig von der
Zusammensetzung des Lotes, zwischen einem Minimum von 235° C
und einem Maximum variieren, das knapp -unterhalb der Schmelztemperatur
des theraoolektrlochen Materials des Körpers 22 liegt. In Abhängigkeit von dom thermoelektrischen Material
und der Zusammensetzung des Lotes liegt die bevorzugte Ofentemperatur
etwa zwischen 300° und 4250C* In diesem Temperaturbereich
sind die Herateilungsbedingungen am besten, insbcsondere
die Benetzung des Halbleiterkörper durch das Lot, das Fließen des Lotes und die äußere Erscheinung der Lötverbindungen.
Höhere Ofentcapcraturen können dazu fuhren,
daß in den Lotschichten Blasen entstehen. Eine zu niedrige
Ofentenporatur führt zu sehr längen Ofenzeiten.
Ein Weichlot ist ein Lot, dessen Schmelzpunkt nicht Über etwa
375° C liegt. So hat sich als vorteilhaft herausgestellt,
die Weichlotschichten 28, 40 und 46 nach Figur alt einer Dicke
von etwa 0\125 tm auszubilden. Die Weichlotoehiehtcn 28, 40
und 46 brauchen nicht sämtlich die gleiche Zusammensetzung su
haben; die Sohmelspunkte der Schichten %°llcn iedoch so nahe
■ .5. BAD ORIGINAL
WE-Casc 36 010
bcieinanderlieg.cn, daß sämtliche Verbindungen während oinea
Ofendurchgangeο hergcotollt werden können.
Das Weichlot kann aua weniatene einem Metall der Gruppe Blei-Zinn,
V/ionut oder Legierungen und Mischungen dieser Metalle
beotehen und bis zu 35 Volumprozent zugemischtc unlösliche Uetalltcile
enthalten. Ein Alkalimetall, v/ic z.D. Lithium, oder
Phosphor, können zur Verbesserung des Benotsungsvomögcns der
Lotlegierung hinzugeführt werden. Weichlote aus diesen Mctal- lan sind mit Erfolg zur Verbindung von Komponenten thermoelektrischor
Elemente verwendet norden. FUr die zugeraischten Metallteilchen
oind Metalle wie z.B. Eisen, Kobalt, Nickel und hochochmclzcndc Metalle geeignet, die in wesentlichen in der
Tfeichlotlcgierung unlöslich sind, jedoch von der Legierung benetzt
werden. Sie sind gleichmäßig in dem Weichlot verteilt.
In jedem Falle muß das verwendete Metall mit dem thernoclektriechen
Material verträglich sein, so daß die Bildung unerwünschter
eutektischcr Legierungen vermieden wird. Sie unlös
lichen Metalltoilchen sollten sämtlich durch ein Sieb von 130 Maschen/cm (Haschenweite 0,5 am) passieren, jedoch nicht mehr
alo 15# sollten durch ein Sieb von 16900 Maschen/cm (Has eher.-wcite
0,044 an) paoeitren. Der Tcilchendurcheescer coil vorzugsweise
nicht größer al« 0,125 bb sein.
Sie Größe der unlöslichen Metalltcilchen bestimmt den Abstand
«wischen den Komponenten dos thermoelektrische^Elementes, die
durch das Weichlot Biteinander verbunden werden. Wenn dieser
JB-
909883/0584
BAD ORIGINAL
AL·* and zu klein int, dringt dao Weichlot nicht in den Zwischenraum
ein, Vffcnn der Abstand zu groß iot, oind die Kapillarkrüfto
nicht' groß genug, un dao Lot in den Zv/iochenraum
hineinzuziehen. Diejenigen Teilchen, die kleiner aind als der Abstand zwischen den zu verbindenden Teilen, wirken alo Füllmaterial
dec Loteo. Mc Dicke der Lotschichten 28, 40 und 4G
oolite nicht kleiner Dein alc 0,025 mn und nicht größer alß
0,125 ran.
Ein bevorzugteo Weichlot zur Herstellung von thcrmoelcktri-6chcn
Elementen bcateht aua einer Legierung bia zu 0,8 Gewichtsprozent
Phosphor, Rcot Zinn, wobei dienes Lot bis zu 35 Volumprozent zugenischto Eiccntcilchcn enthUlt. Ein besonders
gecignctco Lot bcotcht zu 105C dca Volumens auo Eicentcilchen,
die einer Weichlotlcgicrung zugesetzt sind, die auo 0,02 Gewihtoprosent Phocphor, Hcot Zinn, zusammengesetzt ist.
DicGcc Lot bildet eine cchr gute Verbindung zvjiochcn den Kor.-ponentcn
doo thermoclcktriochcn Elementen 10, Die Annccenhcit
von Fhosphor im Lot macht Maßnahnen zur Vorbcnctcung, die bisher
erforderlich waren, Überflüssig.
Andere gceignotc Weichlote, denen Eioontcilchen zugctniecht
oind, bestehen aus reinen Zinn, Zinn-Bloi-Lcgiorungcn und
Zinn-Blei-Wiemut-Lcgierungcn. Auch mit diesen Weichloten v/crdcu
bessere Verbindungen an,«thcrmoolcktriachcn Elencntcn erzielt,
als sie bisher möglich waren.
Lotvorbindungen nach der Erfindung sind nechanioch fco»er
-7- 90Θ883/058Α
als Hartiötungcn. Unter Hartloten werden Lote verstanden, deren
Schmelzpunkt über 375° C liegt.
Das Zinn der Lotschichten 28 und 40 nach Figur 1 Überzieht
Teile der Oberflächen dec Halbleiterkörper 22. Die Anwesenheit
von Zinn auf den Kontaktoberflächen 24 und 26 den Halbleiterkörpern
22 reduziert oder verhindert vollständig die nachteilige Verdampfung von therraoclektriachen Material bei hoher
Betriebstemperatur dec Kontakttcilea 12.
Die in wesentlichen aus Zinn bestehende Lötverbindung läßt
sich leicht ausbessern, falle nach den Vcrlötungcprozcss ein
Kies an thornoclektrischcn Element 10 sichtbar ist. Der Halbleiterkörper
22 kann leicht entfernt und durch einen neuen Halbleiterkörper erbotet werden; durch Wiederholung der Lötung
wird dann ein zufriedenstellenden thermoelcktrischcs Element
10 hergestellt.
Da Zinn der Hauptbestandteil deo Wcichloteo ist, verfestigt
sich die Lötverbindung während deo Botriebco deo fertigen
thcrmoelektriochen Elemcnteo in relativ kurzer Zeit. Es i3t
daher erforderlich, die nötigen Ausbesserungen der Lötverbindungen
durchsufuhren, bevor das Element 10 benutzt wird, z.H.
als Komponente eines thermoelektriochen Generators. Ein hartgelötetes
thermoelektrische^ Element kann demgegenüber überhaupt
nicht repariert werden, ist alco Ausschuß.
Der Halbleiterkörper 22 nach Pigur 1 kann aus einen Körper thermoelektrisch wirksamen Materials bestehen, wie z.B. Blei-
909863/0684 I ~Ö~ BAD ORIGINAL
WE-Caae 36 010
tellurid, Gernanium-Wismut-'fellurid, Oermanium-Tcllurid und
Zink-Antimonid. Allgemein können Metall -Sulfide, -Selenide,
-\ntimonide und-telluride im Rühmen des vorliegenden Verfahrens
zur Herateilung eineo thermoelektrische^ Elementes
verwendet werden.
In ?igur 1 bestehen beide Kontaktteile 12 und 30 aus einem elektrisch und thermisch gut leitenden Metall. Geeignete Metalle
für dicoen Zweck oind Eicon, Kobalt, Nickel, Monelraetall,
Kupfer und rostfreier Stahl.' Beide Kontaktteile 12 und
30 können einon metallischen überzug, z.B. aus Zinn, aufweisen,
zur Verbesserung der Lötverbindungen bei der Herstellung doo thermoelektrischen Elcmontco 10/ Dieser Metallüberzug verbessert
die Benetzbarkeit der Kontaktteile 12 und 30 durch das lot.
Sowohl die mit einem Überzug versehenen Kontaktteile 12 und
30 v/ic auch diesolben Tolle ohne überzug können unterschiedliche Formen haben; si« können z.B. auf beiden Beiten ebene
Oberflächen auftreioon. Die Kontaktteile 12 und 30 können auch
becherförmige Vertiefungen auf einer oder beiden Oberflächen
aufweisen, oder einen Becher, der eur Erleichterung der Montage on einor Oberfläche befostigt lot.
In Figur 2 ist eine thermoelektrische Anordnung 50 dargestellt,
dio nach dor vorliegenden Irfindung hergestellt ist, Bio thermoelektrische Anordnung 50 wird in ihnliohor Woiae hergestellt,
wio dao oben beschriebene thermoelektrische Element 10 nach Figur 1. - q
"*" 90**83/0584
BAD
Ein Körper 52 auo thormocloktriochem Material mit n-Loitfähigkeit, wie z.B. Blei-Tcllurid, ist an einem Ende mit
einem Kontaktteil 54 durch eine Weichlotochicht 56 verbunden. Der Körper 52 iot an anderen finde durch eine V/cichlotcchicht 58 mit einen Ende dca Kontakttoilcc 60 verbunden.
l)ao Kontaktteil 60 iüt ferner mit einen Körper 62 au3 themcclektriechem Material mit p-Loitfähigkoit verbunden. *
Der Körper 62 auo p-Material, wie' z.B. Germanium-'tfisnut-Tellurid, ist mit einem Kontaktteil 64 durch eine Weichlot-Gchicht 66 verbunden. Eine Weichlotochicht 68 .vereinigt das
andere Ende des Körpern 62 mit den Kontaktteil 60.
Die Kontaktteile 54, 60 und 64 bestehen aus dem gleichen Material wie die Kontaktteile 12 und 30 in Figur 1. Die Kontaktteile 54, 60 und 64 können auch dic3Clbo allgemeine Porn haben v/ie die Kontaktteile 12 und 30.
Die Weichlotochichten 56, 56, 60 und 68 können aus einen Metall der Gruppe Blei, Zinn und fficnut odor Legierungen und
Miochungcn auo dioecn bestehen, nobel 35 Volumprozent der
Lotochicht aus zugcmiochtcn ungolöotcn Uetalltcilchen bestehen.
Sämtliche erforderlichen Lötvorbindungen können gleichzeitig
hergestellt werden, nie es bereits in Zusammenhang mit der
beschrieben wurde.
-10-
90988 3/0584
Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung.
Ein thermoeloktrischeo Element wurde in der folgenden Weise
hcrgcotcllt:
Zwei große Weichlotohciben und eine kleine Wcichlotscheibc wur
den auo einer Legierung aus Zinn und Phosphor, der Eisenteilchen
zugemiocht waren, hergeotellt. Da3 Weichlotciaterial dieser
vorgefertigten Scheiben bestand auo einer Legierung aus 0,02 Gewichtsprozent Phosphor, Rest Zinn, der 10 Volumprozent
Eiccntcilchcn zugcmiacht waren. Die Große der Eicentcilchen
lag zwischen 130 und 16900 Manchcn/cm . Kein Teilchen war in
oder in der Breite
Üurchaesscr7größer alo 0,125 nn.
Üurchaesscr7größer alo 0,125 nn.
Eine der großen Woichlotocheibcn wurde in einen verzinnten Eisenbocher
gelegt, der an einen thcralcch und clcktricch leitftihigen
Eisenkontakttcil befootigt war. Ein Körper aua p-leitcndeia
Germanium-Wismut-Tollurid wurde dann in den Becher gesetzt.
Die swcite große Weichlotscheibc wurde dann auf die obere
Kontaktfläche des Halbleiterkörper gelegt. Ein Eiaen-Kontaktteil
mit einer becherförmigen Vertiefung wurde denn auf
die zwoito große Weichlotscheibe gelegt.
Die kleine vorgefertigte Weichlotochcibe wurde dann in die
becherförmige Vertiefung dbo Kontakttoileo gelegt. Eine elek
_n_ 909883/0584
BAD
trische Zuleitung in Form einco Kupferaciles vmrde dann in
die becherförmige Vertiefung eingeführt.
. Die so in einer Halterung zusammengesetzten Teile wurden dann
in einer reduzierenden Atmosphäre von gereinigtem Wasserstoffgas für eine Zeitdauer von 4-5 _ 5 Ilinitcn auf 400 — 10 C erwärmt.-Der
Taupunkt dea \Vasserstoffgaoc3 war -50° C. Die Strömungsgeschwindigkeit
deo Wasserstoffgaceo war 4,2 ra pro Stun-
de bei einem Ofcnqucrachnitt von etwa 160 cn . Das thermoelektrische
Element wurde dann auf 50° G abgekühlt und aus dem Ofen genommen. Der Wacscratoffotroci wurde während der Abkühlung auf
Rauratctjcratur aufrechterhalten.
Die so hergestellten Verbindungen erforderten keine Vorbenetzung, hatten ein befriedigendes Aussehen und waren fester als
nach bekannten Vorfahren hergestellte Verbindungen mit Hartoder Weichloten.
In gleicher Weise wurde ein thermoelektrische Element aus nle^tcndem
Blei-Tollurid hergestellt.
Die- so hergestellten thermoelektriechei Elemente zeigen eine Verbesserung
sowohl der aechanieohen Eigenschaften der Lötverbindungen
als auch der Betriebseigenschaften des go samt on Elemer.-tcs,
verglichen mit ähnlichen, nach bisherigen Verfahren hergestellten Elementen.
_12- BAD ORIGINAL
1 ! 909883/058Ü
Xi
WE-Oaoc 36 010
Eine vollständige thermoelektrioche Anordnung (Thormopaar)
wurde in folgender Wcice hcrgeotellt:
Jc eine vorgefertigte Weichlotscheibe wurde in zwei Eisenbecher eingelegt, die mit einem Eioen-Kontakttoil verbunden waren. Die inneren Bodenflächen der Becher waren verzinnt. Das
Weichlot beotand auo einer Legierung von Zinn und Phosphor mit einer Zunischung von Eiocnteilchen. Die Größe der Eisenteilchen lag zwischen 130 und 16900 Maschcn/cti. . Dao Material
der Weichlotscheiben bestand auo einer Legierung aus 0,02 Gewichtsprozent Phosphor, Rest Zinn, der Eioentcilchen in Höhe
von 10 Volumprozent des Loteo beigemischt waren.
Ein Körper aus p-lcitendem Germanium-Wismut-Tellurid wurde
in den einen Becher oingosetst, ebenso ein Körper aus n-lcitenden Blei-Tellurid in den zweiten Becher.
Jc eine «woite vorgefertigt ffeichlotschoibo von gleicher Form
und Äueammensetsung wit dit eratt wurde dann auf die obere
Kontakt fläche der Kurpor aua thormoolcktriochcn Material gesiegt. Auf dioat foiohlQtscheiben wurde dann Je ein verzinntes
Eiecn-Kontaktteil mit einer becherförmigen Vertiefung auf der
Oborocitc gelegt.
Jo eine vorgefertigte kleine Weichlotacheibc, auo demselben
Material nie die große, wurde dann in die becherförmigen Ver-
BAD ORIGINAL -13- 909883/0584
WE-Case 36
tiefungen der Kontaktteile eingelegt. In die becherförmigen
Vertiefungen wurde dann je eine elektrische Zuleitung in Form eines Kupfor3cilc3 eingeführt.
Die so in einer Halterung zusammengestellten Komponenten der thermoelektrischon Anordnung wurde dann in einen Ofen mit
kontrollierter Atmosphäre auf 400° C - 10° C erwärmt.
Der Ofen hrtteeinc reduzierende Atmosphäre aus gereinigtem
Wa88erctoffgas mit einem Taupunkt nicht Über -50° C. Die Strömungsgeschwindigkeit des gereinigten Wasoerstoffgascs war nicht
Tt.
kleiner ale 4,2 m' pro Stunde bei einem Ofenquerschnitt von
ρ
etwa 160 cm . Die thermoelektrischcn Komponenten verblieben dann 45 — 5 Kinutcn in diesen Ofen, wodurch alle Lötungen gleich zeitig hergestellt wurden. Die thermoelektrische Anordnung wurde dann unter 50° C abgekühlt, wobei der Wasserstoffstrom aufrechterhalten wurde.
etwa 160 cm . Die thermoelektrischcn Komponenten verblieben dann 45 — 5 Kinutcn in diesen Ofen, wodurch alle Lötungen gleich zeitig hergestellt wurden. Die thermoelektrische Anordnung wurde dann unter 50° C abgekühlt, wobei der Wasserstoffstrom aufrechterhalten wurde.
Die fertige thermoelektrische Anordnung wurde der Halterung entnommen und in einer Argonatmosphäre geprüft.
In Figur 3 sind die Ergebnisse von LebensdauerprUfungen von
thcraoclektrischcn Anordnungen dargestellt, die als Thcrmogeneratoren in der Schaltung nach Figur 2 betrieben wurden. In
der Abszisse der Figur 3 lot aie Zeit in Einheiten von je 1000
Stunden, in der Ordinate,±ct die Ausgangsleistung, die an die
Lest 65 in dor Schaltung nach Figur 2 abgegeben"wurde, als Prozentsatz der Anfangs-Ausgangsleistung aufgetragen. Alle thcrmocloktri3chcn Anordnungen wurden im Temperaturbereich von 400
bis 500° C betrieben. -14- 909883/0584
Λ·
Die Kurve Λ ergab sich bei einer thermoelektrische!! Anordnung,
deren Kontaktteile mit Hartlot befestigt waren und deren heiße Lotstelle ira Bereich von 400° C bis 450° C betrieben
wurde. Die thermoelektrische Anordnung enthielt die gleichen Materialien wie die thermoelektrische Anordnung nach Beispiel
II mit der Ausnahme, daß das verwendete Lot eine Hartlotlegierung
aus Gold und Zink war. Es ist zu erkennen, daß nach 8500 Betricbßstunden der Prozentsatz der Anfangc-Ausgangalci-3tung
noch abnimmt und annähernd 8856 beträgt.
Die Kurve B stellt die Daten für eine thermoelektrische Anordnung
dar, deren heiße Lötstelle ununterbrochen in Bereich von 450 bis 550° C betrieben wurde. Bei dor Verlötung der Komponenten
wurde hier ein Hartlot aus Nickelphocphid benutzt. Es ist ersichtlich, daß nach 10.000 Betriobcstunden der Prozentsatz
der Anfangs-Ausgangsleictung noch steil absinkt und unter
50£ gefallen ist.
Die Kurve C stellt dio Betriebsdaten einer thermoelektrische
Anordnung dar, die nach der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde. Es ict 2u ersehen, daß der Prozentsatz der Anfangs-Ausgangsleistung
nach etwa 2500 Stunden Dauerbetrieb einen konstanten Wert von etv/a 94$ erreicht hat und nach 4000 Stunden
keine Absenkung erkennen läßt, obwohl die Betriebstemperatur der heißen Lötstelle zwischen 450 und 500° C lag.
-15-
]
90S883/0584
V/E-Caee 36 010
Ein thermoelektrischeo Element aua Bloi-Tellurid mit n-Leitfähigkoit
wurde in gleicher V/cioe wie daa p-lcitendc thermoelektrische
Element nach Beispiel I hergestellt; dabei bestanden
jedoch die vorgefertigten Lotplättchcn auo reinem Blei mit
einem Zusatz von 10 Volumprozent Eisentcilchcn. Die Größe der
Eisenteilchen lag zwischen 130 und 16900 llaschcn/cm . Kein Teilchcndurchncoscr
lag über 0,125 mm.
In der gleichen Wci3o wurde auch ein thermoelclctriochcs Element
mit p-lcitcndcm Blci-Tollurid hergestellt.
Bei der Herstellung dieser Elemente war eine Vorbenotzung der
zu verlötenden Teile nicht erforderlich. Die Lötverbindungen waren fest und blasonfroi und boten ein gutes Aussehen, im Vergleich
mit ähnlichen thermoelektriochen Elementen, die nach bekannten
Methoden hergestellt waren.
3 Figuren
9 Ansprüche
9 Ansprüche
-16-
BAD ORIGINAL
909883/0584
Claims (9)
1.) Thermoelektrische Anordnung, bei der Halbleiterkörper mit metallischen
Kontaktteilcn durch Lotschichten verbunden oind,
dadurch gekennzeichnet, daß die Lotschichten in wesentlichen aus einem Metall der Gruppe Blei, Zinn, Wiemut und Legierungen
aus (lioa.cn bepteht, den unlösliche Metallteilchcn zugesetzt
sind, deren Schneispunkt über den Schmelzpunkt des Lctco
liegt.
2.) Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die unlöslichen liotallteilchcn auo einen Kotall
der Gruppe Eiocn, Kobalt, Nickel bestehen.
3.) Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Zusatz an unlöslichen lietalltcilchcn 2 bis 35 Volumprozent der Lotschieht beträgt.
4.) Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurh gekennzeichnet,
daß die Korngröße der ttetallteilchen zwischen 0,04
und 0,50 mm liegt.
5.) Thermoelektrische Anordnung nach Anopruch 1, dadurch gekcnnzcichnot,
daß die Lotschichten einen Zusatz von Phosphor enthalten.
-17-
90988 3/058 Λ
BAD ORIGINAL
6.) Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß der Phosphorsusatz bis zu 0,8 Gewichtsprozent des Lotmotalleo beträgt.
7.) Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Lotcchichtcn einen Zucats eines JU.-kalimetallC3
enthalten.
8.) Verfahren zur Herstellung einer thermoelektrischen Anordnung
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Teile der Anordnung unter Zwischenlage vorgefertigter Lotscheiben
zusammengesetzt und in einen Ofen in einer Schutzgasatmosphäre auf eine Temperatur zwischen 235 und 425° C gebracht
werden.
9.) Vorfahren nach Anopruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ala
Schutzgao strömender trockener Waccerstoff verwendet wird.
-18- BAD ORIGINAL
S1088?/C58/.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US47827465A | 1965-08-09 | 1965-08-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1508356A1 true DE1508356A1 (de) | 1970-01-15 |
Family
ID=23899248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661508356 Pending DE1508356A1 (de) | 1965-08-09 | 1966-08-02 | Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3481795A (de) |
| AT (1) | AT264624B (de) |
| CH (1) | CH441454A (de) |
| DE (1) | DE1508356A1 (de) |
| GB (1) | GB1113005A (de) |
| NL (1) | NL6611217A (de) |
| SE (1) | SE325322B (de) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2735638A1 (de) * | 1977-08-08 | 1979-02-15 | Fusion Inc | Lotgemisch mit automatischer loetspalteinregulierung |
| DE4443459A1 (de) * | 1994-12-07 | 1996-06-13 | Wieland Werke Ag | Bleifreies Weichlot und seine Verwendung |
| DE19930190A1 (de) * | 1999-06-30 | 2001-03-15 | Infineon Technologies Ag | Lötmittel zur Verwendung bei Duffusionslötprozessen sowie Verfahren zur Herstellung von Lötverbindungen unter Verwendung des Lötmittels |
| DE10115482A1 (de) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Lotzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US6872464B2 (en) | 2000-09-07 | 2005-03-29 | Infineon Technologies Ag | Soldering agent for use in diffusion soldering processes, and method for producing soldered joints using the soldering agent |
| DE102007053277A1 (de) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Erhöhung der Viskosität einer Schmelze aus einer Metall-Legierung |
| DE102009054068A1 (de) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Epcos Ag | Lotmaterial zur Befestigung einer Außenelektrode bei einem piezoelektrischen Bauelement und piezoelektrisches Bauelement mit einem Lotmaterial |
| DE102009002065B4 (de) * | 2008-03-31 | 2018-12-13 | Infineon Technologies Ag | Lot mit intermetallische Phase aufweisenden Teilchen, Verfahrenzur Herstellung eines solchen Lots, Leistungshalbleitermodulmit stabiler Lötverbindung und Verfahren zur Herstellungeines solchen Leistungshalbleitermoduls |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4705205A (en) * | 1983-06-30 | 1987-11-10 | Raychem Corporation | Chip carrier mounting device |
| US4902648A (en) * | 1988-01-05 | 1990-02-20 | Agency Of Industrial Science And Technology | Process for producing a thermoelectric module |
| DE4443461C1 (de) * | 1994-12-07 | 1996-07-04 | Wieland Werke Ag | Band- bzw. drahtförmiges Verbundmaterial und seine Verwendung |
| DE69918758T2 (de) * | 1998-03-26 | 2004-11-25 | Nihon Superior Sha Co., Ltd., Suita | Bleifreie Lötlegierung |
| US7771547B2 (en) * | 1998-07-13 | 2010-08-10 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Methods for producing lead-free in-situ composite solder alloys |
| US20100068552A1 (en) * | 2008-03-31 | 2010-03-18 | Infineon Technologies Ag | Module including a stable solder joint |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB894976A (en) * | 1959-11-24 | 1962-04-26 | Lazar Solomonovich Steelbans | A method of soldering thermo-elements |
| US3208835A (en) * | 1961-04-27 | 1965-09-28 | Westinghouse Electric Corp | Thermoelectric members |
| US3163500A (en) * | 1962-08-03 | 1964-12-29 | Engelhard Ind Inc | Sandwich composite brazing alloy |
-
1965
- 1965-08-09 US US478274A patent/US3481795A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-07-27 GB GB33711/66A patent/GB1113005A/en not_active Expired
- 1966-08-02 DE DE19661508356 patent/DE1508356A1/de active Pending
- 1966-08-08 AT AT755466A patent/AT264624B/de active
- 1966-08-08 SE SE10707/66A patent/SE325322B/xx unknown
- 1966-08-09 CH CH1145266A patent/CH441454A/de unknown
- 1966-08-09 NL NL6611217A patent/NL6611217A/xx unknown
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2735638A1 (de) * | 1977-08-08 | 1979-02-15 | Fusion Inc | Lotgemisch mit automatischer loetspalteinregulierung |
| DE4443459A1 (de) * | 1994-12-07 | 1996-06-13 | Wieland Werke Ag | Bleifreies Weichlot und seine Verwendung |
| DE19930190A1 (de) * | 1999-06-30 | 2001-03-15 | Infineon Technologies Ag | Lötmittel zur Verwendung bei Duffusionslötprozessen sowie Verfahren zur Herstellung von Lötverbindungen unter Verwendung des Lötmittels |
| DE19930190C2 (de) * | 1999-06-30 | 2001-12-13 | Infineon Technologies Ag | Lötmittel zur Verwendung bei Diffusionslötprozessen |
| US6872464B2 (en) | 2000-09-07 | 2005-03-29 | Infineon Technologies Ag | Soldering agent for use in diffusion soldering processes, and method for producing soldered joints using the soldering agent |
| DE10115482A1 (de) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Lotzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben |
| DE102007053277A1 (de) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Erhöhung der Viskosität einer Schmelze aus einer Metall-Legierung |
| DE102009002065B4 (de) * | 2008-03-31 | 2018-12-13 | Infineon Technologies Ag | Lot mit intermetallische Phase aufweisenden Teilchen, Verfahrenzur Herstellung eines solchen Lots, Leistungshalbleitermodulmit stabiler Lötverbindung und Verfahren zur Herstellungeines solchen Leistungshalbleitermoduls |
| DE102009054068A1 (de) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Epcos Ag | Lotmaterial zur Befestigung einer Außenelektrode bei einem piezoelektrischen Bauelement und piezoelektrisches Bauelement mit einem Lotmaterial |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6611217A (de) | 1967-02-10 |
| CH441454A (de) | 1967-08-15 |
| SE325322B (de) | 1970-06-29 |
| AT264624B (de) | 1968-09-10 |
| US3481795A (en) | 1969-12-02 |
| GB1113005A (en) | 1968-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1508356A1 (de) | Thermoelektrische Anordnung und Verfahren zur Herstellung dieser Anordnung | |
| DE2228703A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer vorgegebenen lotschichtstaerke bei der fertigung von halbleiterbauelementen | |
| DE2710835A1 (de) | Vorrichtung zum anloeten oder anschweissen von anschlussdraehten an anschlusskontakten in halbleitervorrichtungen | |
| DE2526954C2 (de) | Permanentmagnetanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Permanentmagnetanordnung | |
| DE2924238A1 (de) | Elektrisches kontaktmaterial und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE3027732A1 (de) | Kontakt fuer einen vakuumleistungsschalter | |
| DE2747087C2 (de) | Elektrischer Kontakt und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE3740773A1 (de) | Verfahren zum herstellen elektrisch leitender verbindungen | |
| DE2015247B2 (de) | Halbleiter-bauelement | |
| DE1589543B2 (de) | Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner weichlotkontaktierung | |
| DE4331526C3 (de) | Werkstoff für elektrische Kontakte auf der Basis von Silber-Zinnoxid oder Silber-Zinkoxid und Verfahren zur Herstellung eines Verbundpulvers hierfür | |
| DE2824117A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines anisotropen sinterverbundwerkstoffes mit richtgefuege | |
| DE2259792B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines elektrischen mehrschichten-kontaktstuecks | |
| EP0164664A2 (de) | Sinterkontaktwerkstoff für Niederspannungsschaltgeräte der Energietechnik | |
| DE1277967C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere einer thermoelektrischen Halbleiteranordnung | |
| DE4110600C2 (de) | Elektrode für einen Vakuum-Leistungsschalter | |
| DE3116442C2 (de) | Sinterkontaktwerkstoff | |
| DE2530704B2 (de) | Verbundwerkstoff als Halbzeug für elektrische Kontaktstücke und Herstellungsverfahren hierzu | |
| AT216079B (de) | ||
| DE1960769B2 (de) | Vakuumschalter-kontakt und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1483293C (de) | Legierung fur eine Siliziumdiode mit ubersteüer Grenzflache und veränderlicher Kapazität und Verfahren zu ihrer Herstel lung | |
| DE1433158C (de) | Lotpulvergemisch in gepresster Form zum vakuumdichten, mechanisch festen Verbinden schwer benetzbarer Werkstoffe | |
| AT148057B (de) | Trägheitsarmer Widerstand mit fallender Stromspannungskennlinie. | |
| DE1199103B (de) | Verwendung einer Wismut-Tellur-Legierung als Lot und Verfahren zum Herstellen einer Loetverbindung | |
| DE429806C (de) | Verfahren zur Herstellung einer nicht schweissenden, schmelzsicheren Legierung fuer elektrische Kontaktvorrichtungen |