DE1567469C - Verfahren zur gleichzeitigen Abtrennung von Aluminiumchlorid und Titantetrachlorid aus den bei der Chlorierung oder H\dro Chlorierung von Silicium anfallenden Reaktions gasen - Google Patents
Verfahren zur gleichzeitigen Abtrennung von Aluminiumchlorid und Titantetrachlorid aus den bei der Chlorierung oder H\dro Chlorierung von Silicium anfallenden Reaktions gasenInfo
- Publication number
- DE1567469C DE1567469C DE1567469C DE 1567469 C DE1567469 C DE 1567469C DE 1567469 C DE1567469 C DE 1567469C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alcl
- halide
- silicon
- reaction gases
- alkaline earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims description 28
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 title claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 8
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 title claims description 8
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 title claims description 5
- 238000007038 hydrochlorination reaction Methods 0.000 title claims description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 20
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 15
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- -1 silicon alloys Chemical compound 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 2
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 claims 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012803 melt mixture Substances 0.000 claims 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 26
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- 229910016467 AlCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000003842 bromide salts Chemical class 0.000 description 1
- NQOYHMKLWAVZDX-UHFFFAOYSA-N chloro(silyloxy)silane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]Cl NQOYHMKLWAVZDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000000469 dry deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QHAHOIWVGZZELU-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyloxy)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)O[Si](Cl)(Cl)Cl QHAHOIWVGZZELU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Description
1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur gleich- Das Kennzeichnende der Erfindung ist darin zu
zeitigen trockenen Abtrennung von Aluminiumchlorid sehen, daß die Reaktionsgase über einen Reaktionsund
Titantetrachlorid aus den bei der Chlorierung turm mit festem Alkali- oder Erdalkalihalogenid oder
von Silicium und Silicium enthaltenden Stoffen deren Mischungen in Gegenwart geringer Mengen
anfallenden flüchtigen Reaktionsprodukten durch 5 eines metallischen Reduktionsmittels bei Tempera-Überleiten
der Reaktionsprodukte über festes Alkali- türen von mehr als 1000C, vorzugsweise von mehr als
und/oder Erdalkalihalogenid bei erhöhter Temperatur. 1500C, geleitet werden, und: die. gebildete Metall-
Die bei der Hydrochlorierung von handelsüblichem chlorid-Alkalihalogenid- und/oder Erdalkalihalogenid-Ferrösilicium
entstehenden Reaktionsprodukte SiCl4, schmelze vom festen Alkalihalogenid und/oder Erd-SiHCl3
und Wasserstoff, welche unter anderem zur io alkalihalogenid abgezogen wird..
Herstellung von hochdispersem Siliciumdioxid durch Wie überraschenderweise gefunden wurde, reagiert
Herstellung von hochdispersem Siliciumdioxid durch Wie überraschenderweise gefunden wurde, reagiert
Flammenhydrolyse verwendet werden können, ent- dampfförmiges AlCl3 selbst in großer Verdünnung im
halten neben geringen Mengen TiCl4 etwa 2 Gewichts- Chlorsilane enthaltenden Reaktionsgas praktisch vollprozent
AlCl3 als Verunreinigung. Die Abtrennung ständig mit festem, auf über 1000C aufgeheiztem
von AlCl3 aus den Reaktionsprodukten, z.B. durch 15 Alkali- oder Erdalkalihalogenid unter Bildung der
Abkühlung der Gasgemische oder durch eine Naß- oberhalb 1000C schmelzenden komplexen Verbindunwäsche,
z. B. mit flüssigem SiCl4, stellt ein nicht zu gen. Diese Umsetzung kommt erstaunlicherweise
unterschätzendes Problem des Prozesses dar, da es nicht nach oberflächiger Reaktion an den Alkali- oder
sowohl in Gasphase als auch in Lösung sehr stark zur Erdalkalihalogenidstücken zum Erliegen. Die geschmol-Übersättigung
neigt und daher leicht zu Verstopfung 20 zene Komplexverbindung tropft vielmehr ab, und der
Anlaß geben kann. · Umsatz mit weiteren AlCl3 setzt sich auf den Alkali-
Dagegen läßt sich Titantetrachlorid durch eine- 'oder Erdalkalihalogenidstücken fort.
Naßwäsche mit z. B. flüssigem, im Kreislauf geführtem Es wurde ferner gefunden, daß sich auch das
Naßwäsche mit z. B. flüssigem, im Kreislauf geführtem Es wurde ferner gefunden, daß sich auch das
SiCl4 abtrennen. Es darf allerdings der TiCl4-Gehalt Titantetrachlorid gleichzeitig mit dem Aluminiumder-Waschflüssigkeit
im Hinblick auf die Phasen- 25 chlorid aus den Reaktionsgasen entfernen läßt, wenn
gleichgewichtslage eine bestimmte zulässige- Größe die Reaktionsgase über festes Alkali- oder Erdalkalikeinesfalls
überschreiten, so daß eine fortgesetzte halogenid in Gegenwart eines metallischen Reaktions-Entnahme
und Aufbereitung großer Mengen Wasch- mittels, vorzugsweise Aluminiumpulver oderZinkstaub,
flüssigkeit unvermeidbar sind. geleitet werden, wobei das Titantetrachlorid zu
Es ist aus der USA.-Patentschrift 3 038 781 bekannt, 30 Titantrichlorid reduziert wird, das sich unter Bildung
aus Gemischen von Schwermetallchloriden, wie z.B. von komplexen Verbindungen in der AlCl3-Alkali-bzw.
Tantal-, Niobium- und Wolframchlorid das Alu- Erdalkalihalogenidschmelze löst und mit ihr abläuft,
minium- und Eisenchlorid abzutrennen, indem man Die Abscheidung von AlCl3 allein gelingt, wenn die
die Dämpfe dieser Chloride über festes Kochsalz bei gasförmigen Reaktionsprodukte über festes Alkali-Temperaturen
zwischen 250 und 5500C leitet, wobei 35 oder Erdalkalihalogenid, insbesondere Kochsalz, bei
Aluminium- und Eisenchlorid mit Kochsalz eine Temperaturen von mehr als 1000C, vorzugsweise von
Schmelze bilden und abgezogen werden können, mehr als 1500C, geleitet wird. Das Gasgemisch wird
während die übrigen Chloride in der Dampfphase hierzu über einen mit NaCl-Stücken gefüllten, beheizverbleiben,
ten Reaktionsturm geführt und anschließend das
Nach einem arideren bekannten Verfahren gemäß 4° SiCl4 durch Tiefkühlung vollständig auskondensiert,
der belgischen Patentschrift 644 997 kann Aluminium- In den SiCl4-Kondensaten kann man den Gehalt an
chlorid von Verunreinigungen, wie z.B. von Haloge- AlCl3 und in der ablaufenden Schmelze des NaClniden
des Titans, Vanadiums und insbesondere des Turms das Verhältnis NaCI: AlCl3 bestimmen.
Eisens in der Weise abgetrennt werden, indem in Turms das Verhältnis NaCl zu AlCl3 bestimmen. Gegenwart von metallischem Aluminium die Ver- 45 Der AlCl3-Gehalt der SiCl4-Kondensate beträgt unreinigungen durch Reduktion in nicht sublimierbare, gleichbleibend 0,01%. Die vom NaCl-Turm abnicht flüchtige Produkte übergeführt werden und Alu- laufende Salzschmelze hat stets einen Schmelzpunkt miniurhchlorid aus dieser Mischung abgedampft wird. von 150 bis 152°C, das entspricht einer molekularen
Eisens in der Weise abgetrennt werden, indem in Turms das Verhältnis NaCl zu AlCl3 bestimmen. Gegenwart von metallischem Aluminium die Ver- 45 Der AlCl3-Gehalt der SiCl4-Kondensate beträgt unreinigungen durch Reduktion in nicht sublimierbare, gleichbleibend 0,01%. Die vom NaCl-Turm abnicht flüchtige Produkte übergeführt werden und Alu- laufende Salzschmelze hat stets einen Schmelzpunkt miniurhchlorid aus dieser Mischung abgedampft wird. von 150 bis 152°C, das entspricht einer molekularen
Ferner ist es aus der deutschen Auslegeschrift Zusammensetzung von 48 Molprozent NaCl und
1 150 661 bekannt, bei der Gewinnung von Hexa- 50 52 Molprozent AlCl3 und damit weitgehend der bei
chlordisiloxan aus seinen Gemischen mit Titantetra- 155,5°C schmelzenden Komplexverbindung Na(AlCl4).
chlorid letzteres bei erhöhten Drücken und Tempera- Die Vollständigkeit der AlCl3-Abtrennung wurde in
türen in einen Autoklav durch Reduktion mit metal- Abhängigkeit von der Temperatur der NaCl-Charge
Hschen Reduktionsmitteln in TiCl3 zu überführen, im Absorptionsturm geprüft, und zwar im Bereich von
wobei dieses als Schlamm ausfällt und von der flüssigen 55 120 bis 450°C-Hexachlordisiloxanphase
abgetrennt wird. Es konnte festgestellt werden, daß der AlCl3-Gehalt
Der Erfindung lag jedoch die Aufgabenstellung der SiCl4-Kondensate merklich zunimmt, wenn die
zugrunde, ein Verfahren zur gleichzeitigen und Temperatur im NaCI-Turm über 4000C liegt,
trockenen Abscheidung von Aluminiumchlorid und Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, den Erstarrungs-
trockenen Abscheidung von Aluminiumchlorid und Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, den Erstarrungs-
Titantetrachlorid aus den bei der Chlorierung oder 60 punkt der ablaufenden Salzschmelze abzusenken,
Hydrochlorierung von Silicium und Silicium ent- indem statt reinem Kochsalz eine gleichmolare
haltenden Ausgangsmaterialien, wie Siliciumlegierun- homogene Mischung von NaCl und KCl im Absorpgen,
Siliciden, Kieselsäure und ihren Verbindungen tionsturm vorgelegt wurde. Die ablaufende Salzanfallenden
Reaktionsgase durch Überleiten der schmelze hatte in diesem Falle folgende Zusammen-Reaktionsgasc
über festes Alkali- oder Erdalkali- 65 setzung:
halogenid bei erhöhter Temperatur anzugeben, mittels q __ 7·^ 290/ ^l = 15 79°/
welchem die oben beschriebenen Nachteile und x!o ■_ ς.%001' γ -ίαιοι
r, ..... , .... ΓΝα —'■ D, Zo In. Γ^ — - /,Hl /η.
Schwierigkeiten vermieden werden können.
Das Verhältnis NaChKCl im Ablauf betrug 0,825. Ihr Schmelzpunkt lag bei 115°C. Der
Cl3-Gehalt des Siliciumtetrachlorides betrug nach
• Behandlung wie bei Verwendung von reinem
ichsalz 0,01 %■ :
Auch die Bromide der angegebenen Alkalimetalle,
; z. B. .Kaliumbromid, sind zur Abtrennung von Cl3 geeignet. AlCl3 und KBr bilden nämlich ein bei
i°G schmelzendes Eutektikum mit 66 Molprozent Jr. Setzt man AlCl3-Dampf mit festem KBr bei
va 250° C um, so entsteht das Doppelsalz KBr · AlCl3
£ einem Schmelzpunkt von 213 0C.
Ebenso sind zur Abtrennung von AlCI3 auch die logenide des Lithiums geeignet, z. B. bildet Lithiumorid mit AlCl3 ein bei 114° C schmelzendes Eutekum mit 41 Molprozent LiCl, und bei der Umsetzung ,1 AlCl3-Dampf mit festem LiCl läuft bei etwa }°C das bei 143,5°C schmelzende Doppelsalz :i/ÄlCl3ab. .; · . /
Ebenso sind zur Abtrennung von AlCI3 auch die logenide des Lithiums geeignet, z. B. bildet Lithiumorid mit AlCl3 ein bei 114° C schmelzendes Eutekum mit 41 Molprozent LiCl, und bei der Umsetzung ,1 AlCl3-Dampf mit festem LiCl läuft bei etwa }°C das bei 143,5°C schmelzende Doppelsalz :i/ÄlCl3ab. .; · . /
i η gleicher Weise wie mit Alkalihalogeniden gelingt
:h mit Erdalkalihalogeniden, insbesondere MgCl2,
Abscheidung von AlCl3. MgCl2 und AlCl3 bilden
bei 186°C schmelzendes Eutektikum mit 16 MoI-)zent MgCl2. Läßt man jedoch AlCl3-Dampf mit
em MgCl2 reagieren, so bildet sich beiTemperaturen ;r 250° C die Doppelverbindung MgCl2 - 2 AlCl3, die
:n Schmelzpunkt von 228°C besitzt.
is ist nun ein wesentlicher Teil der Erfindung, das aer noch nicht einbezogene Titantetrachlorid aus 1. eingangs erwähnten Reaktionsgasen unter Berückltigung der vorstehenden Ergebnisse gleichzeitig dem AlCl3, durch Zugabe von Metallpulvern, >. Aluminium oder Zink, vorzugsweise jedoch verförmigem Aluminium, zum Alkali- bzw. Erdalihalogenid abzuscheiden.
is ist nun ein wesentlicher Teil der Erfindung, das aer noch nicht einbezogene Titantetrachlorid aus 1. eingangs erwähnten Reaktionsgasen unter Berückltigung der vorstehenden Ergebnisse gleichzeitig dem AlCl3, durch Zugabe von Metallpulvern, >. Aluminium oder Zink, vorzugsweise jedoch verförmigem Aluminium, zum Alkali- bzw. Erdalihalogenid abzuscheiden.
1Cl4 reagiert bei Temperaturen über 1000C,
jesondere bei Anwesenheit von AlCl3, mit dem
miniumpulver unter Bildung von TiCl3, das sich Na3TiCl6 in der Schmelze löst und mit dieser
ezogen werden kann. · lan kann die Abtrennung des TiCl1 in einer von
Abtrennung des AlCl3 getrennten Reaktionsstüfe nehmen, indem man das Aluminiumpulver nicht
NaCl-Charge des Turms, sondern der ablaufenden \ICI4-Schmelze zusetzt und die Al: NaAlCl4-persion
in einem zweiten Reaktionsturm mit dem I4 des Gasgemisches reagieren läßt. Diese Verensweise
hat den Vorteil, daß das metallische luktionsmittel gleichmäßig verteilt zur Reaktion
lmt und von dem Gasstrom auch nicht fortgeblasen Jen kann. ■
erner ist es möglich, das Aluminiumpulver der jlaufenen NaAlCl4-Schmelze zuzumischen, diese
lten und erstarren zu lassen und stückig dem Salz Reaktionsturms beizugeben.
:ne partielle Abscheidung von AlCl3 mit NaCI bei
peraturen zwischen 400 und 5000C ist ebenfalls"
lieh. Bei Temperaturen über 4000C besitzt
vlCl4 nämlich bereits. einen erheblichen AlCl3-ipf
druck, z.B. bei 5000C schon etwa 25 Torr, so
die AlCl3-Abtrennung mit steigender Temperatur er unvollständiger wird, während bei Tempera-1
über 5000C kein AlCl3 auf diesem Wege mehr
schieden werden kann.
is aus dem Reinigungsturm abziehende AlCl3-TiCl4-freie
Gasgemisch aus Siliciumtetrachlorid Wasserstoff kann, falls es für die weitere Verwendes
Gemisches erforderlich sein sollte, einer Anlage zur Trennung der beiden Komponenten
zugeführt werden.
B e i s ρ i e Γ 1
Ein aus dem Si-Chlorierungsprozeß anfallendes Gasgemisch aus 2;6 m3 Wasserstoff und 1,32 m3
SiCl4-Dampf (das sind 10 kg SiCl4) enthält als Verunreinigungen
0,2 kg AlCl3 und 0,010 kg TiCl4, das
entspricht 2% AlCl3 und 0,1 % TiCl4, bezogen auf die
Menge SiCl4;
Zur Abtrennung des AlCl3 leitet man dieses Gasgemisch
durch einen mit NaCl-Stücken gefüllten und auf 1600C geheizten Turm. Dabei reagiert AlCl3 mit
NaCl unter Bildung von 0,3 kg des bei 152°C schmelzenden
Komplexes Na(AlCl4), der abläuft und in einer Vorlage gesammelt wird.
Das TiCl4 wird in einer Stufe mit AlCl3 abgeschieden,
indem man der Kochsalzcharge geringe Mengen Aluminiumpulver zusetzt. Das TiCl1 wird dabei zu
TiCl3 reduziert, das mit NaCI den in der ablaufenden NaAlCl4-Schmelze löslichen Komplex Na3TiCl6 bildet,
zur Reduktion von 0,10 kg TiCl4 werden beispielsweise
5 g Aluminiumpulver benötigt. Es entstehen 0,08 kg TiCl3. Der AlCl3-GehaIt des Gasgemisches
beträgt nach der Behandlung <0,01°/0, bezogen auf
die Menge SiCl4, während TiCl4 nicht mehr nachweisbar
ist.
In gleicher Weise wie im Beispiel 1 werden die AlCl3- und TiCl4-haltigen Gasgemische aus Wasserstoff
und Siliciumtetrachlorid durch eine auf mindestens 1400C heiße feinstückige Schüttung einer
homogenen, äquimolaren Mischung aus NaCl und KCl geführt. Die von der Schüttung ablaufende
Salzschmelze besteht aus 71,3% Cl; 15,8% Al; 5,3% Na und 7,6% K. Ihr Schmelzpunkt liegt bei 1150C.
In einem Teil dieser Schmelze wird so viel Aluminiumpulver
dispergiert, daß der Gehalt an letzterem etwa 1% beträgt. Diese Aluminiumdispersion wird
nach dem Erstarren und Zerkleinern der NaCl: KCl-Schüttung beigefügt, wobei sie bei den herrschenden
Betriebstemperaturen vollständig schmilzt und das Aluminiumpulver auf der NaCl: KCl-Schüttung verteilt,
so daß nun auch das TiCl4 unter Bildung von Na3TiCI6 bzw. K3TiCl6 gleichzeitig mit dem AlCl3 aus
den Gasgemischen abgeschieden wird.
Der Gehalt der Gasgemische nach dieser Behandlung an AlCl3 beträgt
<0,01% und der von TiCl4 <0,005%.
B ei sp i el 3
Entsprechend dem Beispiel 1 werden die mit AICl3
und TiCl4 verunreinigten Reaktionsgase durch einen auf 2800C geheizten und mit Stücken aus völlig
wasserfreiem MgCl2 gefüllten Reaktionsturm geleitet. Der MgCl2-Charge sind 20 g Aluminiumpulver pro
Kilogramm MgCl2 in feinverteilter Form beigegeben.
Es läuft eine von einer geringen Menge TiCI3 leicht
rotgefärbte Schmelze der Zusammensetzung
MgCI2-2 AlCl3 "
ab. Ihr Schmelzpunkt liegt zwischen 220 und 225°C. In den Reaktionsgasen ist nach dieser Behandlung
kein TiCl4 mehr nachweisbar. Der AICl3-Gehalt ist
<0,05%, bezogen auf die Menge SiCl1.
B ei sp i el 4
Die Reaktionsgase werden wie im Beispiel 2 durch einen mit NaCl-Stücken gefüllten und auf mindestens
1400C geheizten Turm geleitet, wobei das AlCl3 unter
Bildung von MaAlQ4 reagiert und abfließt. In dieser
abgelaufenen Schmelze dispergiert man sodann 0,5 Gewichtsprozent Zinkstaub, fördert diese Zn: NaAlCl4-Dispersion
in einen zweiten, ebenfalls mit NaCl-Stücken und auf 1800C geheizten Turm und läßt sie
dort mit dem TiCl4 des Gasgemisches reagieren. Von diesem Turm läuft die NaAlCl4-Schmelze mit nichtumgesetztem
Zinkstaub und einer kleinen Menge Na3TiCl6 ab. Sie kann zur besseren Ausnutzung des
Zinkstaubes mehrfach dem zweiten Turm aufgegeben und anschließend abgelassen werden. Der TiCl4-Gehalt
der Reaktionsgase beträgt nach dieser Behandlung <0,005°/0 und der AlCl3-Gehalt
<0,05°/Oi
Claims (5)
1. Verfahren zur gleichzeitigen und trockenen Abscheidung von Aluminiumchlorid und Titanletrachlorid
aus den bei der Chlorierung oder Hydrochlorierung von Silicium und Silicium enthaltenden
Ausgangsmaterialien, wie Siliciumlegierungen, Siliciden, Kieselsäure und ihre Verbindungen,
anfallenden Reaktionsgase durch Überleiten der Reaktionsgase über festes Alkali- oder Erdalkalihalogenid
bei erhöhter Temperatur, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionsgase
über einen Reaktionsturm mit festem Alkali- oder Erdalkalihalogenid oder deren
Mischungen in Gegenwart geringer Mengen eines metallischen Reduktionsmittels bei Temperaturen
von mehr als ~i00° C5 vorzugsweise von mehr als
1500C, geleitet werden und die gebildete Metallchlorid-Alkalihalogenid-
und/oder Erdalkalihalogenidschmelze vom festen Alkalihajogenid und/oder
Erdalkalihalogenid abgezogen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Alkalihalogenid Natriumchlorid
verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Natrium-Kalium-Halogenidgemisch
verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als metallisches Reduktionsmittel
Aluminiumpulver oder Zinkstaub verwendet wird, das dem festen Alkalihalogenid zugesetzt wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionsgase
zuerst über das feste Alkalihalogenid geleitet werden, dann der ablaufenden Schmelzmischung
das Aluminium- oder Zinkpulver zugesetzt und diese Dispersion anschließend demselben oder
einem weiteren angeschlossenen Reaktionsturm zugeführt wird.
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2655835C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von AICI↓3↓ | |
| DE2439540C2 (de) | Verfahren zur Rückgewinnung von Antimonpentachlorid aus zur Fluorierung von chlorierten Kohlenwasserstoffen eingesetzten Katalysatorlösungen | |
| DE974695C (de) | Verfahren zum Herstellen von Titan | |
| DE1567469B1 (de) | Verfahren zur gleichzeitigen Abtrennung von Aluminiumchlorid und Titantetrachlorid aus den bei der Chlorierung oder Hydrochlorierung von Silicium anfallenden Reaktionsgasen | |
| DE1567469C (de) | Verfahren zur gleichzeitigen Abtrennung von Aluminiumchlorid und Titantetrachlorid aus den bei der Chlorierung oder H\dro Chlorierung von Silicium anfallenden Reaktions gasen | |
| DE2657071A1 (de) | Verfahren zur herstellung von aluminiumchlorid | |
| DE112009001931T5 (de) | Verfahren zur Reinigung eines Materials, das ein Halbmetallelement oder ein Metallelement als Hauptkomponente enthält | |
| DE2834165B2 (de) | Verfahren zur selektiven Gewinnung mehrerer voneinander getrennter reiner Halogenide und/oder Halogenidgemische aus einem Gemisch fester Oxide | |
| DE3031794C2 (de) | Verwendung einer Chrom-Nickel-Legierung bei der Herstellung von Carbonylsulfid | |
| DE2646455A1 (de) | Verfahren zum isolieren von organozinnhalogeniden | |
| DE2636269B2 (de) | Verfahren zur Rückgewinnung von Antimonpentachlorid aus einer verbrauchten Antimon-Halogenid-Katalysatormischung | |
| DE1592960C3 (de) | Verfahren zur Inhibierung der Bildung von Ablagerungen von Metalloxiden bei der Dampfphasenoxidation zur Herstellung von Metalloxidpigmenten | |
| DE2253279A1 (de) | Verfahren zum herstellen von zinn(ii)chlorid | |
| EP1805189B1 (de) | Verfahren zur herstellung von organosilazanen | |
| DE60000897T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Pentafluorethan durch Dismutierung von Tetrafluorchlorethan | |
| AT295171B (de) | Verfahren zur Gewinnung von schwer schmelzbaren Metallen | |
| AT200110B (de) | Verfahren zur Fraktionierung von wasserfrein Halogeniden der Elemente der 5. Gruppe des periodischen Systems | |
| DE628953C (de) | Verfahren zum Zerlegen von Chloridgemischen | |
| DE1175690B (de) | Verfahren zur Herstellung von 4-Chlor-2-methylphenol | |
| DE950092C (de) | Verfahren zur Herstellung oder Reinigung von Titan | |
| DE2525816A1 (de) | Verfahren zur herstellung von aluminium direkt aus al-haltigen materialien | |
| DE949344C (de) | Verfahren zur Herstellung von niedrige Titanchloride enthaltenden Salzschmelzen | |
| DE1194591B (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallen, insbesondere von Titan und Aluminium, durch Schmelzflusselektrolyse | |
| DE1918107A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von schwer schmelzbaren Metallen | |
| DE530892C (de) | Herstellung von reinem, wasserfreiem Aluminiumchlorid |