DE1228309B

DE1228309B - Speichermatrix mit supraleitenden Schalt-elementen zur gleichzeitigen Ein-Aus- und/oder Umspeicherung der Daten paralleler Register

Info

Publication number: DE1228309B
Application number: DEJ19937A
Authority: DE
Inventors: Munro King Haynes
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1960-05-18
Filing date: 1961-05-17
Publication date: 1966-11-10
Also published as: US3170145A; US3149312A; DE1424408A1; GB989947A; NL264882A; US3166739A; DE1424407A1

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

GlIc

Deutsche Kl.: 21 al -37/60

Nummer: 1228 309

Aktenzeichen: J19937IX c/21 al

Anmeldetag: 17. Mai 1961

Auslegetag: 10. November 1966

Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung mit einer Vielzahl von in Form einer Matrix in Zeilen und Spalten angeordneten und zeilenweise in mehreren parallelen Registern zusammengefaßten supraleitenden Schaltelementen, welche einen in seinem Leitfähigkeitszustand umsteuerbaren Teil aufweisen.

Für die Verwendung in den Rechen-, Speicherund Steuereinrichtungen elektronischer Geräte zur automatischen Datenverarbeitung wurden in den letzten Jahren Schaltelemente entwickelt, bei denen die Eigenschaft der bekannten Supraleiter ausgenutzt wird, bei einer Erhöhung ihrer Temperatur, ihrer inneren mechanischen Spannungen oder der auf sie einwirkenden magnetischen Feldstärke von ihrem supraleitenden in den normalleitenden Zustand überzugehen. Diese Schaltelemente ermöglichen es, die genannten Einrichtungen außerordentlich viel kleiner, aber auch einfacher und billiger als mit den herkömmlichen Schaltelementen aufzubauen. Sie lassen sich besonders vorteilhaft bei großen Speichermatrizen anwenden.

Die bisher bekannten Speicheranordnungen der eingangs genannten Art besitzen jedoch den Nachteil, daß in ihnen nicht gleichzeitig gelesen und geschrieben werden kann und daß Übertragungen innerhalb des Speichers über außen angeschlossene Zwischenspeicher erfolgen müssen.

Gegenstand der Erfindung ist nun eine Speicheranordnung der eingangs genannten Art, welche diesen Nachteil nicht mehr aufweist. Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß für jede Spalte der Matrix mindestens eine Eingabeleitung und mindestens eine Entnahmeleitung vorgesehen ist, daß mindestens einer der Entnahmeleitungen eine weitere Leitung parallel geschaltet ist, welche einen in seinem Leitfähigkeitszustand umsteuerbaren Teil zum Rückstellen aufweist, und daß die beiden parallelgeschalteten Leitungen an eine Stromquelle angeschlossen sind, so daß die beiden parallelgeschalteten Leitungen zusammen einen Zwischenspeicher für die einem der Speicherelemente der Spalte entnommene Information bilden.

Im folgenden wird die Erfindung an Hand einiger in den Zeichnungen dargestellter Ausführungsbeispiele näher beschrieben. Hierbei werden als Beispiel für die Speicherelemente geschlossene supraleitende Leiterschleifen verwendet, die jeweils den Torleiter eines Kryotrons aufweist. Die Erfindung soll jedoch nicht auf diese Ausführungsart der Speicherelemente beschränkt sein.

In Fig. 1 und 2 ist eine Speichervorrichtung dargestellt, in der Register 1 bis 3 die Zeilen einer Spei-Speichermatrix mit supraleitenden Schaltelementen zur gleichzeitigen Ein-Aus- und/oder Umspeicherung der Daten paralleler Register

Anmelder:

International Business Machines Corporation, Armonk, N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dipl.-Ing. H. E. Böhmer, Patentanwalt, Böblingen, Sindelfinger Str. 49

Als Erfinder benannt:

Munro King Haynes, Chappaqua, N. Y. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:
ac V. St. v. Amerika vom 18. Mai 1960 (30 019) ~

chermatrix 16 bilden, welche Spalten 1 bis 4 enthält. F i g. 1 und 2 sind gemäß F i g. 3 nebeneinanderzulegen. Die Größe der Matrix kann natürlich verändert werden, und ebenso ' können sowohl die Zahl der Register als auch die Zahl von Speicherstellen in jedem Register beliebig erhöht oder herabgesetzt werden. Informationen werden der Matrix 16 durch eine Eingabevorrichtung 17 zugeführt, und über eine Spaltenabfühlschaltung 18 aus der Matrix 16 zu einer hier nicht gezeigten externen Auswertevorrichtung ausgespeichert.

An die Klemmen 21 bis 24 in der Spaltenabfühlschaltung 18 werden Ströme angelegt, welche über zugeordnete Leitungen der vertikalen Leitungen 31 bis 38 zu Ausgangsklemmen 41 bis 44 an der Unterseite jeder Spalte in der Eingabevorrichtung 17 fließen. Die in den vertikalen Leitungen 31 bis 38 fließenden Ströme werden durch die Eingabevorrichtung 17 gesteuert, wenn Informationen in die Matrix 16 eingespeichert werden, und durch ein ausgewähltes Register, wenn eine Ausspeicherung aus der Matrix 16 erfolgt.

Die Eingabevorrichtung 17 hat eine Mehrzahl von Schaltern 51 bis 54, die an Kontakten 55 bis 58 für die Darstellung einer binären 1 und an Kontakten 59 bis 62 für die Darstellung einer binären 0 geschlossen werden. Mit den Schaltern 51 bis 54 sind Widerstände 71 bis 74 und Batterien 81 bis 84 in Reihe geschaltet, die als Stromquellen dienen. Die Schalter

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51 bis 54 liegen· an Mittelkontakten 86 bis 89, wenn die Eingabevorrichtung 17 sieht benutzt wird,, um der Speichermatrix 16 Informationen zuzuführen. Diese Schalter steuern den an Kryotrons 76 bis 79 und 96 bis 99 angelegten Batteriestrom.

Die SpaltenabfühlschaltuBg 18 enthält Klemmen 91 bis 94, die= bei einer: Ausspeicher.ungsopera.tion durch Ströme erregt, werden. Diese Ströme fließen zu verschiedenen der Ausgangsklemmen 101 bis 108. Von der Klemme. 9t aus. fließt Strom durch den, Torleiter des Kryotrons 111 oder durch den Torleiter des Kryotrons 112 zu zugeordneten Ausgangsklemmen 101 oder 102. Von der Klemme 92 in Spalte 2 aus. fließt Strom, durch, den Torleiter entweder des Kryotrons 113 oder des Kryotrons 114 zu den zugeordneten Ausgangsklemmen 103 bzw. 104. Von der Klemme 93 in Spalte 3 aus fließt Strom durch den Torleiter des Kryotrons 115 oder des. Kryotrons 116 zu den zugeordneten Ausgangsklemmen 105 bzw. 106. Von der Klemme 94 in Spalte 4 aus fließt Strom durch den Torleiter des Kryotrons 117 oder 118 zu den zugeordneten Ausgangsklemmen 107 oder 108.

Das· Register 1 enthält die Speicherschleifen 121 bis 124, denen die Abfühlsehleifen 125 bis 128 zugeordnet sind. Das Register 2 enthält die Speicherschleifen 131 bis 134, denen die Abfühlsehleifen 135 bis 138 zugeordnet sind. Das Register 3 enthält die Speicherschleifen 141 bis 144, denen die Abfühlsehleifen 145 bis 148 zugeordnet sind. Jede der genannten Schleifen wird durch die Punkte a, b, c und d in Verbindung mit der Schleifennummer näher bezeichnet. Die Register 1 bis 3 haben Schreibleitungen 151 bis 153 und Leseleitungen 154 bis 156. Die Abfühlschleifen 125 bis 128 im Register! enthalten Kryatrons 161 bis; 164, Wenn die Schreibleitung 151 des Registers 1 mit. einem Strom erregt wird,, macht sie die Tore der Kryotrons 165 bis 168 normalleitend. Bei Erregung der Leseleitung 154 des Registers 1 mit einem Strom werden die Tore der Kryotrons 171 bis 174 normalleitend.

In den Abfühlsehleifen 135 bis 138 des Registers 2 sind Kryotrons 181 bis 184 enthalten. Bei Erregung der Schreibleitung 152 werden die Tore der Kryotrons 191 bis 194 normalleitend., und bei Erregung der Leseleitung 155 mit einem Strom werden die Tore der Kryotrons 195 bis 198 normalleitend. Die Abfühlsehleifen 145 bis 148 des Registers 3 enthalten Kryotrons 201 bis 204, Bei Erregung der Schreibleitung 153 mit einem Strom werden die- Tore= der Kryotrons 205 bis. 208· normalleitendj und bei Erregung der Leseleitung 156 werden die Tore der Kryotrons 211 bis 214 normalleitend. Eine Rückstelleitung 176 wird mit einem Strom erregt, um eine Rüekstelloperation auszuführen, und dadurch werden die Tore der Kryotrons. 177 bis 180 normalleitend.

In F i g, 4 ist ein Kryotron 216 veranschaulicht, bei dem eine Wicklung 217 ein Torelement 218 umgibt. An Stelle des hier dargestellten aus Draht gewickelten Kryotrons können natürlich auch aus. dünnen Schichten bestehende Kr.-yotr.ons verwendet werden. Das Schaltungsschema des. Kryotrons; 216 von F i g. 4 ist in F i g. 5 vereinfacht dargestellt. In Fig.4 und 5 werden gleiche Bezugsziffern verwendet, um übereinstimmende Teile zu kennzeichnen. Die Wicklung 217 in F i g. 4 ist in F i g. 5 durch den vertikalen Leiter 217 über dem Torelement 218 dargestellt. Die vereinfachte Legende von Fig. 5 wird in. Fig. Ij % und antees· Figuren zur Darstellung eines Kryotrons benutzt,, das der Darstellung von F i g. 4 entspricht.

Die Schaltungen nach der Erfindung werden bei niedriger: Temperatur betrieben·, z. B, durch Eintauchen in flüssiges Helium, Die Schaltung-sleitungen. oder -drähte und die Steuerspulen jedes Kryotrons bestehen aus, einem harten Supraleiter, wie z. B. Niobium, und das Torelement jedes Kryotrons besteht aus einem weichen Supraleiter, wie z. B. Tantal. Die verwendeten Ströme erzeugen ein magnetisches Feld in der Steuerspule, das stärker als das kritische Feld des Tors ist, aber nicht stärker als das kritische Feld der Steuerspule oder der Verbindungsleitungen oder -drähte. Daher wird das Torelement des Kryotrons normalleitend, wenn Strom in der Steuerspule, des Kryotrons fließt, und das Toreleinent ist supraleitend, wenn kein, Strom in der Steuerspuie fließt, oder wenn ein Strom, der kleiner als der kritische Strom des Tors ist," in der Steuerspuie fließt.

Die Wirkungsweise der hier als Speieherelemente verwendeten geschlossenen supraleitenden Leiterschleifen sei an Hand von F i g. 22 beschrieben, Die dort gezeigte. Schleife 2 wird durch die Punkte 2 a₄ Zb,. 2c und Zd. abgegrenzt, Sie wird über die Leitung 3 mit einem Strom/ gespeist. In dem Zweig Zd_x Za befindet sieh ein Kryotron 1, das einen Steuerleiter 4 aufweist.
Bekanntlich kann innerhalb einer geschlossenen supraleitenden; Leitersehleife kein mit dieser Schleife verkettetes Magnetfeld aufgebaut oder ein bereits, be^ stehendes solches. Magnetfeld in keiner Weise verändert werden, da die elektromotorischen Kräfte, die bei einer solchen Magnetfeldänderung auftreten· würden, infolge des Fehlen eines ohmschen Widerstandes, nicht auftreten können.

Wenn also die Schleife 2 in allen ihren Teilen supraleitend ist» teilt sich der Strom / auf die beiden Zweige 24, Zq und Zd, Zc, Zb, Za umgekehrt proportional zu ihren Induktivitäten auf, weil dann die einander entgegengerichteten Magnetfelder beider, Teilströme,, die ja. jeweils gleich dem Produkt aus Teilstrom und Zweiginduktivität sind, einander, gleich werden und sich' somit innerhalb der Schleife gegenseitig aufheben. Diese Aufteilung bleibt erhalten, solange die Schleife vollständig supraleitend ist. Nach Abschalten des Stromes / befindet die Schleife sich wieder in ihrem ursprünglichen Zustand.
Wird jedoch, während der Strom/ auf Leitung3 fließt, ein Stromimpuls, solcher Größe auf Leitung 4 gegeben, daß das Kryotron 1 vorübergehend normalleitend, wird und der gesamte Strom I durch den Zweig 2d, Zc_x Zb_x Za. fließt, so dringt das Magnetfeld dieses Stromes in das Innere der Schleife ein, kann sich, sobald das Kryotron 1 wieder supraleitend ist, innerhalb der nun wieder vollständig supraleitenden Schleifen nicht mehr ändern und bleibt daher beim Abschalten des Stromes / in der Schleife gespeichert.

Das. gespeicherte Magnetfeld wird dabei durch einen in der Schleife ohne weitere Energiezufuhr kreisenden sogenannten Suprastrom aufrecht erhalten, der beim Abschalten des Stromes / entsteht und beim erneuten Einschalten des Stromes / wieder versehwindet, indem er durch den Teilstrom im Zweig Zd, Za kompensiert und durch den Teilstrom im Zweig2^ Zc₁ Zb _y Za auf den Wert I ergänzt wird.

Gemäß F i g. 1 und 2 kann die Speichermatrix 16 betrieben werden, um Informationen aus einem ausgewählten Register in der Speichervorrichtung zu einem beliebigen anderen Register in der Speichervorrichtung, zu allen übrigen Registern in der Speichervorrichtung oder zu einer beliebigen Kombination der übrigen Register in der Speichervorrichtung zu übertragen. Gleichzeitig können bei Ausführung jeder beliebigen der genannten Übertragungen Informationen einer externen Vorrichtung zugeleitet werden. Informationen aus der außerhalb der Speichervorrichtung befindlichen Eingabevorrichtung können in ein ausgewähltes Register im Speicher, in alle Register im Speicher oder in eine beliebige Kombination der Register im Speicher eingespeichert werden.

Zur Veranschaulichung einer Schreiboperation sei angenommen, daß das binäre Wort 11OQ in die Spalten 1 bis 4 des Registers 3 eingeschrieben werden soll. Zunächst werden Ströme den Klemmen 21 bis 24 an der Oberseite der Spalten 1 bis 4 zugeführt. Die Schalter 51 bis 54 werden in die in der Zeichnung dargestellten Positionen umgestellt und stellen so die binäre Zahl 1100 dar. Die Kryotrons 76 bis 79 und 96 bis 99 werden unter der Steuerung der Schalter 51 bis 54 betätigt oder nicht betätigt, um binäre Informationen darzustellen. Für die binäre Zahl 1100 machen Batterieströme die Tore der Kryotrons 76, 78, 97 und 99 normalleitend, während die Tore der Kryotrons 77, 79, 96 und 98 supraleitend bleiben. Daher fließen von den Klemmen 21 bis 24 in den Spalten 1 bis 4 aus Ströme über vertikale Leitungen 32, 34, 35 und 37.

Als nächstes wird die Schreibleitung 153 des Registers 3 mit einem Strom erregt, und dadurch werden die Tore der Kryotrons 205 bis 208 normalleitend. Die Ströme auf den vertikalen Leitungen 32 und 34 in den Spalten 1 bzw. 2 werden durch den Widerstand der Tore der Kryotrons 205 und 206 durch den von den Punkten a, b, c und d mit Schleifennuinmer abgegrenzten Teil der Schleifen 141 bzw. 142 abgelenkt. Die auf den vertikalen Leitungen 35 und 37 vorliegenden Ströme werden durch den Strom auf der Schreibleitung 153 nicht beeinflußt. Sobald die. Ströme so in den Speicherschleifen 141 und 142 abgelenkt worden sind, kann der Strom auf der Schreibleitung 153 beendet werden. Nach Abtrennung des Stromes auf der Schrei'bleitung 153 können die den Klemmen 21 bis 24 an der Oberseite der Spalten 1 bis 4 zugeführten Ströme beendet werden. Außerdem werden vorzugsweise die Schalter 51 bis 54 auf ihre Mittelkontakte 86 bis 89 zurückgestellt, aber es sei darauf hingewiesen, daß die Stellung dieser Schalter nicht kritisch oder bestimmend ist, solange keine Ströme an die Klemmen 21 bis 24 oben an den Spalten 1 bis 4 gelegt werden.

Nach Anlegung von Strömen an die Klemmen 21 bis 24 müssen die Schalter 51 bis 54 auf die unteren oder oberen Kontakte umgestellt werden, um die richtigen binären Informationen darzustellen, bevor die Schreibleitung 153 mit Strom erregt wird. Nach Beendigung der den Klemmen 21 bis 24 zugeleiteten Ströme werden Dauerströme in den Speicherschleifen 141 und 142 in den Spalten 1 bzw. 2 des Registers 3 errichtet, aber keine Dauerströme werden in den Speicherschleifen 143 und 144 in den Spalten 3 bzw, 4 des Registers 3 errichtet. Die Widerstände der Tore 207 und 208 vernichten jegliche Ströme, die etwa vorher in den Speicherschleifen 143 bzw. 144 des Registers 3 im Umlauf waren. Ein Dauerstrom in einer Speicherschleife wird willkürlich als; Darstellung für eine binäre 1 betrachtet, und das Fehlen, eines Dauerstromes stellt eine binäre 0 dar. Die binäre Zahl 1100 wird in den Spalten 1 bis 3 des. Registers 3 durch die Dauerströme in den Speieherschleifen 141 und 142 in den Spalten 1 bzw. 2 und das Fehlen eines Dauerstromes in den Speicher*

ίο schleifen 143 und 144 in den Spalten 3 und 4 dargestellt. Die von der Eingabevorrichtung 17 der Speichermatrix 16 zugeleitete binäre Zahl 1100 ist also jetzt in die Spalten 1 bis 4 des Registers 3 eingeschrieben.

15. Dasselbe binäre Wort 1100 kann gleichzeitig mit der Einspeicherung im Register 3 auch in die Register 1 und 2 eingespeichert worden sein, indem einfach die Schreibleitungen 151 bzw» 152 gleichzeitig mit der Schreibleitung 153 erregt werden. Das binäre Wort 1100 kann also entweder in ein ausgewähltes Register, in alle Register 1 bis 3 oder in eine beliebige Kombination der Register 1 bis 3 eingespeichert werden. Das in die Matrix 16 eingespeicherte binäre Wort 1100 kann einer externen Vorrichtung (nicht gezeigt) zugeführt werden, indem die Klemmen 91 bis 94 der Spaltenabfüblschaltung 18 irgendwann nach Betätigung der Schalter 51 bis. 54 der Eingabevorrichtung, aber vor Beendigung der den Klemmen 21 bis 24 zugeleiteten Ströme, erregt werden. Die den Klemmen 91 bis 94 zugeführten Ströme betätigen die Kryotrons 111 bis 118 zur Darstellung von Informationen in Form von zu den Klemmen 101 bis 108 fließenden Strömen. Das binäre Wort 1100 der vorstehenden Veranschaulichung wird dargestellt durch Ströme an den Ausgangsklemmen 101, 103, 106 und 108. Dieses binäre Wort kann einer Auswertvorrichtung (nicht gezeigt) gleichzeitig mit seiner Einspeicherung in die Speichermatrix 16 zugeleitet werden.

Zur Veranschaulichung einer Ubertragungsoperation, bei der ein Wort aus einem Register im Speicher in ein anderes Register im Speicher übertragen wird, sei angenommen, daß das; binäre Wort1100 im Registers steht und zum Register2 übertragen werden soll. Zunächst werden die Klemmen 21 bis 24 mit Strom erregt. Dann wird die Rückstelleitung 176 mit Strom erregt, und dadurch werden die Tore der Kryotrons 177 bis 180 normalleitend. Daher werden die von den Klemmen 21 bis 24 kommenden Ströme entlang vertikaler Leitungen 31, 33, 35 bzw. 37 der vertikalen Spalten 1 bis 4 abgelenkt. Nach Einführung der Ströme in diese Leitungen endet der der Rückstelleitung 176 zugeführte Strom.

Nach Beendigung des Stromes, auf der Rückstellleitung 176 wird ein Strom an die Leseleitung 156 des Registers 3 gelegt. Dadurch werden die Tore der Kryotrons, 211 bis 214 normalleitend. In Spalte 1 wird das Tor des Kryotrons 201 in der Abfühlschleife 145 des Registers 3 normalleitend durch den in der Speicherschleife 141 umfließenden Dauerstrom. Das Tor des Kryotrons 211 wird durch den Strom auf der Leseleitung 156 normalleitend gemacht. Daher wird der von der Klemme 21 oben in Spalte 1 kommende Strom von der vertikalen Leitung 31 zur vertikalen Leitung 32 umgesteuert. Der Strom auf der vertikalen Leitung 32 fließt durch jede der Speicherschleifen 121, 131, 141 und tritt aus durch die Klemme 41 an der Unterseite der Spalte 1.

Der Strom auf der vertikalen Leitung 32 teilt sich die im Register 3 stehenden Informationen einer

umgekehrt proportional der Induktivität der von außerhalb der Speichermatrix 16 befindlichen Aus-

jeder Speicherschleife in Spalte 1 gebildeten par- Wertvorrichtung zugeführt werden sollen, können zu

allelen Pfade auf. Bei der Speicherschleife 141 im dieser Zeit Ströme den Klemmen 91 bis 94 in der

Register3 teilt sich z.B. der zum Punkt 141a flie- 5 Spaltenabfühlschaltung 18 zugeführt werden, und

ßende Strom an diesem Punkt und fließt durch einen zwar fließen diese Ströme durch die supraleitenden

von den Punkten 141a und 141 d definierten Pfad Tore der Kryotrons 111, 113, 116 und 118 zu den

und einen anderen von den Punkten 141a, 141b, Klemmen 101, 103, 106 bzw. 108. Der diesen Klem-

141c und 14IiZ abgegrenzten Pfad. Der Arm 141a, men zugeleitete Strom stellt die binäre Zahl 1100

141 d ist kleiner als der Arm 141a, 141 b, 141c und io dar.

141 d. Die Induktivität des kürzeren Arms ist; kleiner Die Schreibleitung 152 des Registers wird als als die des längeren, und daher fließt der größte Teil nächste mit einem Strom erregt, wodurch die Tore des Stroms auf der vertikalen Leitung 32 durch der Kryotrons 191 bis 194 normalleitend werden, den Arm 141a, 141 d der Speicherschleife 141, und Der Strom auf der vertikalen Leitung 32 in Spalte 1 ein kleinerer Teil dieses Stroms fließt durch den Arm 15 wird durch den Widerstand des Tors des Kryotrons 141«, 141b, 141c und 141 ö\ Der der Schleife 141 191 durch den von den Punkten 131a, 131&, 131c zugeführte Strom verstärkt den Dauerstrom in die- und 131a" definierten Teil der Speicherschleife 131 sem durch die Punkte 141a, 141 b, 141c und 141 d umgelenkt. Ebenso wird der Strom auf der vertikalen definierten Teil. der. Schleife, aber der angelegte Leitung 34 in Spalte 2 durch den von den Punkten Strom ist dem Dauerstrom im Arm 141a und 141a" 20 132 a, 132 b, 132 c und 132 d abgegrenzten Teil der der Schleife entgegengerichtet. Daher ist der gesamte Speicherschleife 132 im Register 2 abgelenkt. In den im Arm 141a, 141 d fließende Strom gleich Null, vertikalen Leitungen 36 bzw. 38 der Spalten 3 und 4 und der im Arm 141a, 141 b, 141c und 141 d fließt kein Strom, und durch den Widerstand der fließende Gesamtstrom ist gleich dem über die ver- Kryotrons 193 und 194 wird jeder Strom, der etwa tifcale Leitung 32 fließenden angelegten Strom, wobei «5 vorher in den Speicherschleifen 133 bzw. 134 geangenommen wird, daß die Amplitude des angeleg- flössen ist, zerstört.

ten Stroms auf Leitung 32 jetzt gleich dem Wert ist, Nachdem die Ströme so in den Speicherschleifen die er vorher bei Errichtung des Dauerstroms hatte. 131/ 132 in den Spalten 1 bzw. 2 des Registers 2 Bei Spalte 2 wird das Tor des Kryotrons 202 nor- umgelenkt worden sind, kann der Strom auf der malleitend gemacht durch den Dauerstrom in der 30 Schreibleitung 152 beendet werden. Der Strom auf Speicherschleife 142, und das Tor des Kryotrons der Leseleitung 156 im Register 3 kann jetzt beendet 212 wird durch den Strom in der Leseleitung 156 werden, falls er nicht schon vorher beendet worden normalleitend gemacht. Daher wird der Strom, der ist. Bei Beendigung eines Schreibstroms auf der von der Klemme 22 oben in der Spalte 2 aus über Leitung 152 kehren die Tore der Kryotrons 191 und die vertikale Leitung 33 fließt, zu der vertikalen 35 192 in den supraleitenden Zustand zurück, aber die Leitung 34 umgesteuert. Der Strom auf der Leitung Ströme auf den vertikalen Leitungen 32 und 34 in 34 fließt durch die Speicherschleifen 122, 132 und den Spalten 1 bzw. 2 fließen weiter in dem von den 142. Er teilt sich in der Schleife 142 ebenso auf, wie Punkten α, b, c und d mit der betreffenden Schleifensich der Strom in der Speicherschleife 141 in nummer bezeichneten Teil der zugeordneten Schlei-Spalte 1 des Registers 3 teilt. Der um den von den 40 fen 131 und 132. Das ist der Fall, weil der in einem Punkten 142 a, 142 b, 142 c und 142 d abgegrenzten von zwei parallelen supraleitenden Pfaden fließende Teil der Schleife 142 fließende Teil ist also gleich Strom sich nur bei Ausübung von Zwang ändert, dem auf der vertikalen Leitung 34 fließenden ange- Jetzt können die den Klemmen· 21 bis 24 an der legten Strom, während der durch den von den Punk- Oberseite der Spalten 1 bis 4 zugeleiteten Ströme ten 142, 142 d abgegrenzten Teil der Schleife 142 45 beendet werden, und bei ihrer Beendigung werden fließende Strom gleich Null ist. Dauerströme in den Speicherschleifen 131 bzw. 132 In den Spalten 3 und 4 des Registers 3 bleiben der Spalten 1 und 2 des Registers 2, jedoch keine die Tore der Kryotrons 203 und 204 in den Abfühl- Dauerströme in den Speicherschleifen 133 bzw. 134 schleifen 147 bzw. 148 der Spalten 3 bzw. 4 supra- der Spalten 3 und 4 des Registers 2 erreicht. Das leitend, da kein Dauerstrom in den Speicherschleifen 50 binäre Wort 1100 wird also in den Speicherschleifen 143 bzw. 144 fließt. Die Tore der Kryotrons 213 131 bis 134 des Registers 2 dargestellt. Gleichzeitig und 214 werden durch den Strom auf der Lese- mit der Speicherung im Register kann das binäre leitung 156 normalleitend gemacht. Daher werden Wort 1100 im Register 1 gespeichert werden, indem die Ströme auf den vertikalen Leitungen 35 und 37 die Schreibleitung 151 gleichzeitig mit der Schreibder Spalten 3 bzw. 4 durch den Widerstand der 55 leitung 152 im Register 2 erregt wird. Ein in einem Kryotrons 213 bzw. 214 durch den von den Punk- ausgewählten Register gespeichertes Wort kann also ten α, b, c und d mit der entsprechenden Schleifen- innerhalb der Speichervorrichtung entweder zu einem nummer definierten Teil der Abfühlschleifen 203 anderen Register, zu allen anderen Registern oder bzw. 204 abgelenkt. Die Ströme auf den vertikalen zu einer beliebigen Kombination der anderen ReLeitungen 35 und 37 in den Spalten 3 bzw. 4 fließen 60 gister übertragen werden. Außerdem kann ein so weiterhin in diesen Leitungen. Durch die Erregung übertragenes Wort gleichzeitig einer außerhalb des der Leseleitung 156 des Registers 3 mit einem Strom Speichers befindlichen Vorrichtung zugeleitet werden, werden daher die von den Klemmen 21 und 22 am In F i g. 6 bis 9 ist eine Speichermatrix 220 dar-Oberteil der Spalten 1 bzw. 2 kommenden Ströme gestellt, in der ein Schreibvorgang gleichzeitig mit zu den vertikalen Leitungen 32 bzw. 34 umgeleitet, 65 einem oder zwei Lesevorgängen stattfinden kann, aber der von den Klemmen 23 und 24 oben an den Fig. 6 bis 9 sind gemäß Fig. 10 nebeneinander-Spalten 3 bzw.' 4 kommende Strom wird nicht aus zulegen. Die Register 1 bis 3 sind entlang der drei den vertikalen Leitungen 35 und 37 abgelenkt. Wenn Reihen der Speichermatrix 220 angeordnet, die ge-

maß der Darstellung vier Spalten aufweist. Natürlich können beliebig entweder mehr oder weniger Reihen und Spalten vorgesehen werden. Eine Eingabevorrichtung 221 dient zur Zuführung von Informationen darstellenden Signalen zu der Speichermatrix 220. Die Eingabevorrichtung 221 umfaßt Schalter 222 bis 225, die zur Darstellung binärer Einsen geschlossen und zur Darstellung binärer Nullen geöffnet werden. An die Schalter 222 bis leitend, und die Rückstelleitung 569 bringt die Tore der Kryotrons 562, 564, 566 und 568 in den normalleitenden Zustand.

Die Speichervorrichtung in F i g. 6 bis 9 ist insofern flexibler, als die Information aus zwei verschiedenen Registern in dem Speicher gleichzeitig parallel ausgespeichert und zu zwei Lastvorrichtungen übertragen und ein neues Wort in ein weiteres Register des Speichers eingespeichert werden können. Es kön-

225 sind Widerstände 232 bis 235 angeschlossen, die io nen drei externe Vorrichtungen gleichzeitig in Ver-

ihrerseits mit Batterien 242 bis 245 verbunden sind. Den vertikalen Leitungen 252 his 255 werden durch die Batterien 242 bis 245 Ströme zugeführt.

Das Register 1 umfaßt Speicherschleifen 261 bis 264, die mit Abfühlschleifen 271 bis 274 und Abfühlschleifen 281 bis 284 gekoppelt sind. Das Register 2 enthält Speicherschleifen 291 bis 294, die mit Abfühlschleifen 301 bis 304 und Abfühlschleifen 311 bis 314 gekoppelt sind. Das Register 3 besteht aus Speicherschleifen 321 bis 324, die mit Abfühlschleifen 331 bis 334 und Abfühlschleifen 341 bis 344 gekoppelt sind. Die Register 1 bis 3 besitzen Schreibleitungen 351 bis 353, erste Leseleitungen 355 bis 357 und zweite Leseleitungen 361 bis 363. Die Abfühlschleifen 271 bis 274 des Registers 1 umfassen Kryotrons 371 bis 374, und die Abfühlschleifen 281 bis 284 enthalten Kryotrons 381 bis 384. Bei Erregung der Schreibleitung 351 des Registers 1 mit einem Strom werden die Tore der Kryotrons 391 bis 394 normalleitend. Bei Erregung der ersten Leseleitung 355 mit einem Strom werden die Tore der Kryotrons 401 bis 404 normalleitend, und bei Erregung der zweiten Leseleitung 361 mit einem Strom werden die Tore der Kryotrons 411 bis 414 normalleitend.

Die Abfühlschleifen 301 bis 304 des Registers 2 enthalten Kryotrons 421 bis 424, und die Abfühlschleifen 311 bis 314 enthalten Kryotrons 431 bis 434. Bei Erregung der Schreibleitung 352 werden die Tore der Kryotrons 441 bis 444 normalleitend. Bei Erregung der ersten Leseleitung 356 mit einem Strom werden die Tore der Kryotrons 451 bis 454 normalleitend, und bei Erregung der zweiten Leseleitung 362 werden die Tore der Kryotrons 461 bis 464 normalleitend.

Die Abfühlschleifen 331 bis 334 des Registers 3 enthalten Kryotrons 471 bis 494, und die Abfühlschleifen 341 bis 344 enthalten Kryotrons 481 bis 484. Bei Erregung der Schreibleitung 353 des Registers 3 werden die Tore der Kryotrons 491 bis 494 normalleitend. Bei Erregung der ersten Leseleitung 357 werden die Tore der Kryotrons 501 bis 504 normalleitend, und bei Erregung der zweiten Leseleitung 363 werden die Tore der Kryotrons 511 bis 514 normalleitend.

Wenn ein ausgewähltes Register der Register 1 bis 3 einen Lesevorgang durchmacht, weil die zugeordnete erste Leseleitung erregt worden ist, wird bewirkt, daß die den Klemmen 521 bis 524 an der Unterseite der bindung mit der Speichervorrichtung betätigt werden, und drei verschiedene Register in der Speichervorrichtung können gleichzeitig benutzt werden, ems für einen Schreibvorgang und zwei für Lesevorgänge. Verschiedene Kombinationen der erwähnten Vorgänge können entweder zu verschiedenen Zeitpunkten oder gleichzeitig stattfinden.

Zur Veranschaulichung eines Schreibvorganges in der Speichervorrichtung von F i g. 6 bis 9 sei angenommen, daß das binäre Wort 1100 von der Eingabevorrichtung 221 geliefert wird und diese Information m den Spalten 1 bis 4 des Registers 2 gespeichert werden soll. Die Schalter 222 bis 225 bleiben normalerweise in der in den Zeichnungen gezeigten offenen Stellung. Wenn sie offen sind, stellen die Schalter binäre Nullen dar, und wenn sie geschlossen sind, binäre Einsen. Daher werden die Schalter 222 und 223 für die Darstellung der binären 0 offengelassen. Infolgedessen entstehen Ströme auf den vertikalen Leitungen 352 und 353 in den Spalten 1 bzw. 2 und keine Ströme auf den vertikalen Leitungen 254 und 255 in den Spalten 3 bzw. 4.

Nun wird die Schreibleitung 352 mit einem Strom erregt, und dadurch werden die Tore der Kryotrons 441 bis 444 normalleitend. Die in den vertikalen Leitungen 352 und 353 der Spalten 1 und 2 fließenden Ströme werden durch den Punkten d, c, b und a mit der zugehörigen Schleifennummer abgegrenzten Teil der Speicherschleifen 291 bzw. 292 umgeleitet. Diese Umleitung findet in den Schleifen 291 und 292 statt, weil die Tore der Kryotrons 441 bzw. 442 normalleitend sind. In den vertikalen Leitungen 254 und 255 fließt kein Strom, und die normalleitenden Tore der Kryotrons 443 und 444 zerstören jegliche Dauerströme, die etwa in den Speicherschleifen 293 und 294 im Umlauf waren. letzt kann der Strom auf der Schreibleitung 352 beendet werden.

Nach der Beendigung des Stroms auf der Schreibleitung 352 werden die Schalter 222 bis 225 alle geöffnet und bleiben dann offen. Daher entstehen Dauerströme in den Speicherschleifen 291 und 292, aber keine Dauerströme in den Speicherschleifen 293 und 294. Es werden also binäre Einsen in den Speicherschleifen 291 und 292 durch die darin umlaufenden Dauerströme dargestellt, und binäre Nullen werden in den Speicherschleifen 293 und 294 durch darin nicht vorhandene Dauerströme dargestellt. Auf diese Weise wird das binäre Wort 1100 in die Spalten 1 bis 4 des Registers 2 eingeschrieben. Dieses

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Spalten 1 bis 4 zugeführten Ströme entlang verschie- 60 selbe binäre Wort kann natürlich durch Erregung der dener der vertikalen Leitungen 531 bis 538 fließen. Schreibleitungen 351 bzw. 353 in die Register 1 oder 3

Findet ein Lesevorgang infolge der Erregung einer ausgewählten zweiten Leseleitung statt, fließen die Ströme von den Klemmen 541 bis 544 an der Unterseite der Spalten 1 bis 4 aus entlang verschiedener der vertikalen Leitungen 551 bis 558. Durch einen Stromimpuls auf der Rückstelleitung 560 werden die Tore der Kryotrons 561, 563, 565 und 567 normaleingeschrieben werden. Das binäre Wort 1100 kann in alle Register oder eine beliebige Kombination von Registern in der Speichervorrichtung von F i g. 6 bis 9 eingeschrieben werden.

Zur Veranschaulichung eines Lesevorganges aus einem Register in eine externe Vorrichtung und eines Lesevorganges aus einem anderen Register in eine

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it

externe Vorrichtung sei angenommen, daß aus dem Register 2 in eine externe Vorrichtung und aus dem Register 3 in eine andere externe Vorrichtung eine Übertragung statfinden soll. Zur Vereinfachung sei weiter angenommen, daß das binäre Wort 1100 in den Spalten 1 bis 4 beider Register 2 und 3 gespeichert ist. Außerdem sei willkürlich angenommen, daß die vertikalen Leitungen 531 bis 538 zur Übertragung des im Register 2 stehenden Wortes in eine externe Vorrichtung und die vertikalen Leitungen iq 551 bis 558 zur Übertragung des Inhalts des Registers 3 in eine andere externe Vorrichtung benutzt werden sollen. Zunächst werden Ströme den Klemmen 521 bis 524 an der Unterseite der Spalten 1 bis 4 und den Klemmen 541 bis 544 an der Unterseite der Spalten 1 bis 4 zugeleitet. Dann wird die Rückstellleitung 560 erregt, und dadurch werden die Tore der Kryotrons 561 bis 568 normalleitend. Daher werden von den Klemmen 521 bis 524 und 541 bis 544 aus die Ströme über vertikale Leiter 532, 534, 536, 538 bzw. 552, 554, 556, 558 umgeleitet. Nachdem diese Ströme so umgeleitet worden sind, endet der Strom auf der Rückstelleitung 560. Die Ströme auf den Leitungen 532, 534, 536, 538, 552, 554, 556, 558 fließen weiter in diesen Leitungen. Das ist der Fall, weil der in einem von zwei parallel supraleitenden Pfaden fließende Strom weiter in dem betreffenden Pfad fließt, wenn er nicht zwangläufig umgesteuert wird.

Als nächstes werden die erste Leseleitung 356 des Registers 2 und die zweite Leseleitung 363 des Registers 3 mit Strom erregt. Im Register 2 macht der Strom in der ersten Leseleitung 356 die Tore der Kryotrons 451 bis 454 normalleitend. In Spalte 1 des Registers 2 macht der in der Speicherschleife 291 umlaufende Dauerstrom das Tor des Kryotrons 421 normalleitend, und der Strom in der ersten Leseleitung 356 macht das Tor des Kryotrons 451 normalleitend. Daher wird der Strom von Klemme 521 an der Unterseite der Spalte 1 aus von der vertikalen Leitung 532 zur vertikalen Leitung 531 umgeleitet.

In Spalte 2 des Registers 2 befindet sich ein Dauerstrom in der Speicherschleife 292, der das Tor des Kryotrons 422 normalleitend werden läßt, und der Strom in der ersten Leseleitung 356 macht das Tor des Kryotrons 552 normalleitend. Daher wird der Strom von der Klemme 522 aus von der vertikalen Leitung 534 zur vertikalen Leitung 533 umgeleitet.

In der Speicherschleife 293 der Spalte 3 des Registers befindet sich kein Dauerstrom, und das Tor des Kryotrons 423 bleibt supraleitend. Der Strom in der ersten Leseleitung 356 des Registers 2 macht das Tor des Kryotrons 453 normalleitend, und dadurch wird der Strom in der vertikalen Leitung 536 durch den von den Punkten 303 d, 303 c, 303 & und 303 a abgegrenzten Teil der Abfühlschleife 303 umgeleitet. Vom Punkt 303 α aus fließt der Strom auf der vertikalen Leitung 533 aufwärts durch die Abfühlschleife 273 und teilt sich dort auf in umgekehrter Proportion zur Induktivität der beiden parallelen Pfade und fließt dann schließlich zu einer nicht gezeigten Lastvorrichtung. In Spalte 4 des Registers 2 ist in der Speicherschleife 294 kein Daüerstrom enthalten, und das Tor des Kryotrons 424 ist supraleitend. Das Tor des Kryotrons 454 wird durch den Strom auf der ersten Leseleitung 356 normalleitend gemacht, und dadurch wird der Strom auf der vertikalen Leitung 538 durch den von den Punkten 304 d, 304 c, 304 b und 304 a abgegrenzten Teil der Abfühlschleife 304 umgesteuert. Vom Punkt 304 a aus fließt der Strom aufwärts durch die Abfühlschleife 274 und zu einer nicht gezeigten Lastvorrichtung. Die an die vertikalen Leitungen 531 bis 538 angeschlossene Lastvorrichtung empfängt also Strom auf den vertikalen Leitungen 531, 533, 536 und 538. Die Ströme auf diesen Leitungen stellen die binäre Zahl 1100 dar.

■ Im Register 3 macht der Strom auf der zweiten Leseleitung 363 die Tore der Kryotrons 511 bis 514 normalleitend. In Spalte 1 des Registers 3 macht der Dauerstrom in der Speicherschleife 321 das Tor des Kryotrons 481 normalleitend. Das Tor des Kryotrons 511 wird durch den auf der zweiten Leseleitung 363 fließenden Strom normalleitend. Daher wird der Strom von der vertikalen Leitung 551 zur vertikalen Leitung 552 umgesteuert. In Spalte 2 des Registers 3 macht der Dauerstrom in der Speicherschleife 322 das Tor des Kryotrons 482 normalleitend, und der Strom in der zweiten Leseleitung 363 macht das Tor des Kryotrons 512 normalleitend. Daher wird der von der Klemme 542 kommende Strom von der vertikalen Leitung 533 zur vertikalen Leitung 554 umgeleitet.

In Spalte 3 des Registers 3 ist in der Speicherschleife 323 kein Dauerstrom vorhanden, und das Tor des Kryotrons 483 ist supraleitend. Das Tor des Kryotrons 513 wird durch Strom auf der zweiten Leseleitung 363 normalleitend. Der von der Klemme

543 kommende Strom wird also durch den von den Punkten 343 c, 343 d, 343 a und 343 & gekennzeichneten Teil der Abfühlschleife 343 umgeleitet. Vom Punkt 343 b aus fließt der Strom weiterhin aufwärts in der vertikalen Leitung 555 durch die Abfühlschleifen 313 und 283 zu einer nicht gezeigten Lastvorrichtung.

In Spalte 4 des Registers 3 ist das Tor des Kryotrons 484 supraleitend, weil die Speicherschleife 324 keinen Dauerstrom enthält. Das Tor des Kryotrons 514 wird normalleitend, weil Strom in der zweiten Leseleitung 363 fließt. Daher wird der von Klemme

544 kommende Strom durch den von den Punkten 344 c, 344 d, 344 a und 344 & bestimmten Teil der Abfühlschleife 344 umgeleitet. Vom Punkt 344 & aus fließt weiterhin Strom aufwärts in der vertikalen Leitung 557 durch die Abfühlschleifen 314 und 284 zu einer nicht dargestellten Lastvorrichtung. Man sieht also, daß eine an die vertikalen Leitungen 551 bis 558 angeschlossene zweite Lastvorrichtung Strom auf den vertikalen Leitungen 552, 554, 555 und 557 empfängt. Die Ströme auf diesen Leitungen stellen die binäre Zahl 1100 dar.

Das in den Registern 1 und 2 gespeicherte binäre Wort 1100 wird aus diesen Registern gleichzeitig ausgespeichert. Nachdem die Informationen von den beiden Lastvorrichtungen über die vertikalen Leitungen 531 bis 538 und 551 bis 558 empfangen worden sind, können die Ströme auf der ersten Leseleitung 356 im Register 2 und auf der zweiten Leseleitung 363 im Register 3 beendet werden. Auch die den Klemmen 521 bis 524 und 541 bis 544 zugeführten Ströme können beendet werden.· Es können also Informationen aus den Registern 1 und 2 oder aus den Registern 1 und 3 in derselben Weise übertragen werden, in der Informationen aus den Registern 2 und 3 übertragen werden, indem einfach die ausgewählte Kombination von zu diesen Registern führenden Leseleitungen erregt wird.

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Während der parallelen Ausspeicherung aus einem beliebigen Register oder zwei beliebigen Registern im Hauptspeicher von F i g. 6 und 9 kann gleichzeitig ein anderes Register in einer Schreiboperation benutzt werden, wodurch Informationen aus der Eingabevorrichtung 221 in diesem gespeichert werden. Drei Register der Speichervorrichtung können also gleichzeitig mit externen Vorrichtungen in Verbindung stehen, und zwar erfolgen aus zwei Registern eine Ausspeicherung und in ein Register eine Einspeicherung.

Fig. 11, 12 und 13 veranschaulichen eine Speichermatrix 570 mit drei Spalten und drei Reihen. Fig. 11 bis 13 sind gemäß Fig. 14 nebeneinanderzulegen. Die Register 1 bis 3 sind entlang der Reihen angeordnet. Die Speichermatrix 570 kann natürlich beliebig vergrößert oder verkleinert werden. Das Register 1 umfaßt die Speicherschleifen 571 bis 573, das Register 2 die Speicherschleifen 574 bis 576 und das Register 3 die Speicherschleifen 577 bis 579. Die Speicherschleifen 571 bis 579 werden jeweils durch die Punkte α, b, c und d in Verbindung mit der Schleifennummer gekennzeichnet. Strom wird den Speicherschleifen der Register 1 bis 3 über die Klemmen 591 bis 593 an der Oberseite der Spalten 1 bis 3 zugeführt, und diese Ströme treten aus durch entsprechende Klemmen 594 bis 596 am Unterteil der Spalten 1 bis 3. Die den Klemmen 591 bis 593 zugeführten Ströme sind Gleichströme, die eingeschaltet bleiben, solange die Matrix 570 in Betrieb ist.

Während eines Lesevorgangs werden Ströme den Klemmen 601 bis 603 an der Unterseite der Spalten 1 bis 3 zugeführt und fließen über verschiedene der vertikalen Leitungen 611 bis 616. Die Ströme auf den Leitungen 612,614 und 616 stellen binäre Einsen und die Ströme auf den Leitungen 611, 613 und 615 binäre Nullen dar. Die auf den Leitungen 611 bis 616 vorliegenden Ströme werden entsprechenden Klemmen 621 bis 626 zugeführt, die an eine nicht dargestellte Lastvorrichtung angeschlossen sein können. Während eines Schreibvorganges werden Ströme den vertikalen Leitungen 611 bis 616 durch eine nicht gezeigte Eingabevorrichtung zugeführt, die an Klemmen 621 bis 626 angeschlossen sein kann.

Die Register 1 bis 3 haben Schreibleitungen 631 bis 633 und Leseleitungen 634 bis 636. Die Schreibleitung 631 im Register 1 enthält Steuerschleifen 641 bis 643, und die Leseleitung 634 umfaßt Abfühlschleifen 644 bis 646. Die Schreibleitung 632 im Register 2 enthält Steuerschleifen 651 bis 653, und die Leseleitung 635 umfaßt Abfühlschleifen 654 bis 656. Die Schreibleitung 633 des Registers 3 enthält Steuerschleifen 661 bis 663, und die Leseleitung 636 umfaßt Abfühlschleifen 664 bis 666. Die Abfühlschleifen sind jeweils durch die Punkte a, b, c und d mit der zugehörigen Schleifennummer abgegrenzt.

Die Steuerschleife 641 in Spalte 1 des Registers 1 enthält Kryotrons 671 und 672; die Steuerschleif e 642 in Spalte 2 des Registers 2 enthält Kryotrons 673 und 674; die Steuerschleife 643 in Spalte 3 des Registers 3 enthält Kryotrons 675 und 676. Die Speicherschleife 571 in Spalte 1 enthält Kryotrons 681 und 682; die Speicherschleife 572 in Spalte 2 des Registers 2 enthält Kryotrons 683 und 684; die Speicherschleife 573 in Spalte 3 von Register 3 enthält die Kryotrons 685 und 686. Die Abfühlschleife 644 in Spalte 1 des Registers 1 enthält Kryotrons 691 und 692; die Abfühlschleife 645 in Spalte 2 des Registers 2 enthält Kryotrons 693 und 694; die Abfühlschleife 646 in Spalte 3 von Register 1 enthält Kryotrons 695 und 696.

Die Speicherschleife 574 im Register 2 enthält Kryotrons 701 und 702; die Speicherschleife 575 in Spalte 2 des Registers 2 enthält Kryotrons 703 und 704; die Speicherschleife 576 in Spalte 3 von Register 2 enthält Kryotrons 705 und 706. Die Steuerschleife 651 in Spalte 1 von Register 2 enthält Kryo-

IQ trons 711 und 712; die Speicherschleife 652 in Spalte 2 von Register 2 enthält Kryotrons 713 und 714; die Steuerschleife 653 in Spalte 3 von Register^ enthält Kryotrons 715 und 716. Die Abfühlschleife 654 in Spalte 1 von Register 2 enthält Kryotrons 721 und 722; die Abfühlschleife 655 in Spalte 2 von Register 2 enthält Kryotrons 723 und 724; die Abfühlschleife 656 in Spalte 3 von Register 2 enthält Kryotrons 725 und 726.

Die Speicherschleife 577 in Spalte 1 von Regi-

2Q ster 3 enthält Kryotrons 731 und 732; die Speicherschleife 578 in Spalte 2 von Register 3 enthält Kryotrons 733 und 734; die Speicherschleife 579 in Spalte 3 von Register 3 enthält Kryotrons 735 und 736. Die Steuerschleife 661 in Spalte 1 von Register 3 enthält Kryotrons 741 und 742; die Steuerschleife 662 in Spalte 2 von Register 3 enthält Kryotrons 743 und 744; die Steuerscheife 663 in Spalte 3 von Register 3 enthält Kryotrons 745 und 746. Die Abfühlschleife 664 in Spalte 1 von Register 3 enthält Kryotrons 751 und 752; die Abfühlschleife 665 in Spalte 2 von Register 3 enthält Kryotrons 753 und 754; die Abfühlschleife 666 in Spalte 3 von Register 3 enthält Kryotrons 755 und 756.
Die vertikale Leitung 611 in Spalte 1 umfaßt die Kryotrons 761 bis 763 und die vertikale Leitung 612 die Kryotrons 764 bis 766. Die vertikale Leitung 613 in Spalte 2 umfaßt die Kryotrons 771 bis 773 und die vertikale Leitung 614 die Kryotrons 774 bis 776. Die vertikale Leitung 615 in Spalte 3 umfaßt die Kryotrons 781 bis 783 und die vertikale Leitung 616 die Kryotrons 784 bis 786.

Informationen aus einer externen Vorrichtung können in die Speichervorrichtung von Fig. 11 bis 13 eingespeichert werden, oder es können die in der Speichervorrichtung enthaltenen Informationen in eine externe Vorrichtung übertragen werden. Die in einem Register des Speichers enthaltenen Informationen können zu jedem beliebigen der übrigen Register in dem Speicher, zu allen übrigen Registern in dem Speicher oder zu einer beliebigen Kombination der übrigen Register in dem Speicher übertragen werden.

Zur Veranschaulichung eines Schreibvorganges sei angenommen, daß das binäre Wort 110 in die Spalten 1 bis 3 des Registers 2 eingespeichert werden soll. Zunächst wird die Matrix durch Anlegung von Gleichströmen an die Klemmen 591 bis 593 der Spalten 1 bis 3 betriebsbereit gemacht, und diese Ströme bleiben bestehen, solange die Speichervorrichtung im Betrieb ist. Dann werden den vertikalen Leitungen 621 bis 626 Informationssignale zugeführt. Zur Darstellung der binären Information 110 werden die vertikalen Leitungen 622, 624 und 625 mit Strom erregt. In jeder Spalte werden die Informationen durch einen Strom auf einer der beiden vertikalen Leitungen dargestellt, von denen die eine die binäre 0 und die andere die binäre 1 darstellen. Zum Beispiel wird in Spalte 1 eine binäre 1 durch Strom auf der vertikalen

Leitung 612 and eine binäre 0 durch Strom auf der vertikalen Leitung 611 dargestellt. Es wird jeweils nur eine der beiden Leitungen erregt.

Als nächstes wird ein Strom an die Schreibleitung 632 des Registers 2 gelegt. Der Strom auf der vertikalen Leitung 612 macht das Tor des Kryotrons 712 in Spalte 2 des Registers 2 normalleitend. Daher wird der Strom auf der Schreibleitung 632 aus dem von den Punkten«, d, c und b abgegrenzten Teil der Steuerschleife 651 abgeleitet, und der Strom fließt dann in dem durch die Punkte 651a und 651 & der Steuerschleife 651 abgegrenzten Teil. Der in diesem Arm der Steuerschleife 651 fließende Strom macht das Tor des Kryotrons 701 normalleitend, und der von der Klemme 591 an der Oberseite der Spalte 1 kommende Strom wird durch den rechten TeE der Speicherschleife 574, der durch die Punkte 574 b und 574 c abgegrenzt ist, umgesteuert. Der im rechten Teil der Speicherschleife 574 fließende Strom wird willkürlich als Darstellung einer binären 1 angesehen, während der im linken, durch die Punkte 574« und 574 d definierten Teil der Schleife 574 fließende Strom willkürlich als Darstellung für eine binäre 0 angesehen wird. Eine binäre 1 wird also in die Speicherschleife 574 in Spalte 1 des Registers 2 eingeschrieben.

Der Strom .auf der Schreibleitung 632 fließt weiter nach rechts zur Steuerschleife 652 in Spalte 2 des Registers 2. Der in der vertikalen Leitung 614 fließende Strom macht das Tor des Kryotrons 714 in der Steuerschleife 652 normalleitend, und der zum Punkt 652« fließende Strom auf der Schreibleitung 632 wird durch den von den Punkten 652« und 652 & abgegrenzten Teil der Steuerschleife 652 geleitet. Daher wird das Tor des Kryotrons 703 durch den Strom auf der Schreibleitung 632, der im oberen von den Punkten 652a und 652& abgegrenzten Arm der Steuerschleife 652 fließt, normalleitend gemacht. Weil das Tor des Kryotrons 703 normalleitend wird, wird der von der Klemme 592 an der Oberseite der Spalte 2 kommende Strom in der Speicherschleife 575 durch den von den Punkten 575 b und 575 c definierten rechten Teil umgelenkt. Der im rechten Teil der Speicherschleife 575 fließende Strom stellt eine binäre 1 dar.

In Spalte 3 des Registers 2 macht der Strom in der vertikalen Leitung 615 das Tor des Kryotrons 715 normalleitend, und der von links in die Steuerschleife 653 gelangende Ström wird am Punkt 653 α durch den von den Punkten 653 a, 653 d, 653 c und 653 b bezeichneten Teil der Schleife 653 umgelenkt. Vom Punkt 653 b aus tritt der Strom nach rechts auf Leitung 632 aus. Der in dem von den Punkten 653 a, 653 J, 653 c und 6536 abgegrenzten Teil der Steuerschleife 653 fließende Strom macht das Tor des Kryotrons 706 normalleitend und steuert den von der Klemme 593 zur Speicherschleife 576 fließenden Strom durch den von den Punkten 576 a und 576 b dieser Speicherschleife abgegrenzten Teil. Der im linken Teil der. Speicherschleife 576 fließende Strom stellt eine binäre 0 dar.

Die in den rechten Teilen der Speicherschleifen 574 und 575 in den Spalten 1 bzw. 2 des Registers 2 fließenden Ströme stellen also binäre Einsen und der im Unken Teil der Speicherschleife 576 fließende Strom eine binäre 0 dar. Daher wird das binäre Wort 110 in die Spalten 1 bis 3 des Registers 2 eingeschrieben. Jetzt kann der Strom auf der Schreibleitung 632 beendet werden, und auch die von den den Klemmen 621 bis 626 zugeleiteten Strömen dargestellten Informationssignale können beendet werden. Wie man sieht, kann das binäre Wort 110 gleichzeitig mit der Einspeicherung in Register 2, in Register 1 oder Register 3 durch Erregung der Schreibleitung 631 des Registers 1 oder der Schreibleitung 633 des Registers 3 eingespeichert werden. Außerdem kann das binäre Wort 110 in die Register 1 bis 3 eingespeichert

ίο werden durch Erregung der Schreibleitungen aller Register in derselben Weise, wie im vorstehenden Beispiel die Schreibleitung 632 erregt worden ist.

Zur Veranschaulichung einer Übertragung von Informationen aus einem Register in ein anderes Register sei angenommen, daß das binäre Wort 110 im Register 2 gespeichert ist und im Register 1 gespeichert werden soll. Es sei angenommen, daß den Klemmen 591 bis 593 bereits vorher Ströme zugeführt worden sind. Zunächst werden den Klemmen 601 bis 603 an der Unterseite der Spalten 1 bis 3 Ströme zugeleitet. Dann wird der Leseleitung 635 des Registers 2 ein Strom zugeführt. Schließlich empfängt die Schreibleitung 631 des Registers 1 einen Strom. Es ist zulässig, die Klemmen 601 bis 603, die Leseleitung 635 des Registers 2 und die Schreibleitung 631 des Registers 1 gleichzeitig zu erregen.

In Spalte 1 des Registers 2 macht der Strom im rechten Teil der Speicherschleife 574 das Tor des Kryotrons 722 normalleitend, und der Strom auf der Leseleitung 635 wird durch den von den Punkten 654 d und 654 c abgegrenzten Teil der Steuerschleife 654 gesteuert. Durch den Strom in diesem Teil der Steuerschleife 654 wird das Tor des Kryotrons 762 normalleitend und steuert den von der Klemme 601 an der Unterseite von Spalte 1 kommenden Strom zur vertikalen Leitung 612 um. Der Strom auf der vertikalen Leitung 612 macht das Tor des Kryotrons 672 in der Steuerschleife 642 in Spalte 1 von Register 1 normalleitend. Daher fließt nun der Strom auf der Schreibleitung 631 durch den von den Punkten 641« und 641 b gekennzeichneten Teil der Steuerschleife 641. Durch diesen Strom wird das Tor des Kryotrons 681 normalleitend und leitet den Strom von Klemme 591 durch den von den Punkten 571 & und 571c gekennzeichneten rechten Teil der Speicherschleife 571 um. Der in diesem Teil der Speicherschleife 571 fließende Strom stellt eine binäre 1 dar. Die in der Speicherschleife 574 des Registers 2 gespeicherte binäre 1 wird also zur Speicherschleife 571 des Registers 1 übertragen.

Bei Spalte 2 stellt ein in dem von den Punkten 575 & und 575 c gekennzeichneten Teil der Speicherschleife 575 fließende Strom eine binäre 1 dar und macht das Tor des Kryotrons 724 normalleitend. Daher wird der an Punkt 655 d in die Steuerschleife 655 gelangende Strom durch den von den Punkten 655 d und 655 c der Steuerschleife 655 bezeichneten Teil abgeleitet. Dieser Strom macht das Tor des Kryotrons 772 normalleitend und steuert den von der Klemme 602 an der Unterseite von Spalte 2 kommenden Strom zur vertikalen Leitung 614 um. Der Strom auf der vertikalen Leitung 614 macht das Tor des Kryotrons 674 in der Steuerschleife 642 in Spalte 2 des Registers 2 normalleitend. Daher wird der auf der Leitung 631 von links in die Steuerschleife 642 fließende Strom durch deren Teil 642 α und 642 δ gesteuert. Dieser Strom macht das Tor des Kryotrons 683 normalleitend und steuert den von Klemme

kommenden Strom durch den von den Punkten 572 b und 572 c abgegrenzten rechten Teil der Speicherschleife 572. Der in diesem Teil der Schleife 572 fließende Strom stellt eine binäre 1 dar. Damit ist also die in Speicherschleife 575 der Spalte 2 von Register 2 gespeicherte binäre 1 in die Speicherschleife

572 von Spalte 2 des Registers 1 übertragen worden. Der im linken Teil 576« und 576 d der Speicherschleife 576 fließende Strom macht das Tor des Kryotrons 725 normalleitend. Daher wird der von links in die Steuerschleife 656 fließende Strom durch den von den Punkten 656 d, 656 a, 656 b und 656 c definierten Teil der Schleife 656 gesteuert. Dieser Strom macht das Tor des Kryotrons 785 normalleitend und leitet den Strom von der Klemme 603 an der Unterseite von Spalte 3 aus zur vertikalen Leitung 615 um. Der Strom auf Leitung 615 macht das Tor des Kryotrons 675 in der Steuerschleife 643 der Spalte 3 von Register 1 normalleitend. Daher wird der von links zur Steuerschleife 643 fließende Strom durch den von den Punkten 643 a, 643 d, 643 c und 643 b abgegrenzten Teil dieser Schleife umgesteuert. Dieser Strom macht das Tor des Kryotrons 686 normalleitend und leitet den von der Klemme 593 kommenden Strom durch den von den Punkten 573 α und 573 d bezeichneten linken Teil der Speicherschleife 573. Der Strom in diesem Teil der Schleife 573 stellt eine binäre 0 dar. Die vorher in der Speicherschleife 576 des Registers 2 enthaltene binäre ist also zur Speicherschleife

573 des Registers 1 übertragen worden. Damit ist das in den Spalten 1 bis 3 des Registers 2 gespeicherte binäre Wort 110 zu den Spalten 1 bis 3 des Registers 1 übertragen worden.

Die aus dem Register 2 ausgespeicherten und in das Register 1 eingespeicherten Informationen können außerdem über die Leitungen 621 bis 626 einer Lastvorrichtung zugeführt werden. Bekanntlich fließt jetzt der Strom auf den vertikalen Leitungen 612, 614 und 615, und die von diesen Strömen dargestellte Information ist das binäre Wort 110. Daher kann das aus einem Register in der Speichermatrix 570 zu einem anderen Register in der Matrix 570 übertragene Wort gleichzeitig einer nicht gezeigten Lastvorrichtung zugeleitet werden.

Jetzt kann der Strom auf der Schreibleitung 631 des Registers 1 beendet werden, und danach können die Ströme auf der Leseleitung 635 des Registers 2 und an den Klemmen 601 bis 603 unten an den Spalten 1 bis 3 beendet werden. Aber die Ströme auf der Schreibleitung 631 des Registers 1, der Leseleitung 635 des Registers 2 und an den Klemmen 601 bis 603 können auch gleichzeitig beendet werden. Die den Klemmen 591 bis 593 zugeführten Gleichstromsignale werden aufrechterhalten, und damit ist der Übertragungsvorgang abgeschlossen.

Das im vorstehenden Beispiel im Register 2 gespeicherte binäre Wort 110 kann auch zum Register 3 übertragen durch Erregung der Schreibleitung 633 gleichzeitig mit der Erregung der Schreibleitung 631 des Registers 1. Außerdem kann das binäre Wort 110 im Register 2 gleichzeitig zu den Registern 1 und 3 übertragen werden durch gleichzeitige Erregung der Schreibleitung 633 mit der Schreibleitung 631. In einem Register stehende Informationen können also innerhalb der Speichervorrichtung entweder in ein anderes Register, in alle anderen Register oder in eine beliebige Kombination der anderen Register übertragen werden. Außerdem können Informationen aus einem beliebigen Register der in Fig. 11 bis 13 gezeigten Speichervorrichtung zu einer mit den vertikalen Leitungen 611 bis 613 gekoppelten externen Lastvorrichtung übertragen werden durch Erregung der Leseleitung des ausgewählten Registers und gleichzeitige Anlegung von Strömen an die Klemmen 601 bis 603 an der Unterseite der Spalten 1 bis 3.

Fig. 15 bis 17 zeigen eine Speichermatrix801 mit drei Reihen und drei Spalten, aber diese Matrix kann

ίο durch Veränderung der Zahl von Spalten oder Reihen entweder vergrößert oder verkleinert werden. Die Register 1 bis 3 sind entlang der Reihen der Speichermatrix angeordnet. Die Register 1 bis 3 haben Schreibleitungen 802 bis 804 und Leseleitungen 805 bis 807. Das Register 1 umfaßt Speicherschleifen 811 bis 813, das Register 2 Speicherschleifen 814 bis 816 und das Register 3 Speicherschleifen 817 bis 819. Diese Schleifen sind jeweils durch die Punkte a, b, c und d mit der zugehörigen Schleifennummer abgegrenzt. Die Schreibleitung 802 im Register 1 enthält Steuerschleifen 831 bis 833 in den Spalten 1 bis 3, und die Leseleitung 805 im Register 1 enthält Abfühlschleifen 834 bis 836.

Die Schreibleitung 803 im Register 2 enthält Steuerschleifen 841 bis 843 und die Leseleitung 806 im Register 2 Abfühlschleifen 844 bis 846. Die Schreibleitung 804 im Register 3 umfaßt Steuerschleifen 851 bis 853 und die Leseleitung 807 Abfühlschleifen 854 bis 856. Die genannten Steuer- und Abfühlschleifen sind durch die Punkte a, b, c und d mit der zugehörigen Schleifennummer abgegrenzt. Gleichstromsignale werden den Klemmen 861 bis 863 an der Oberseite der Spalten 1 bis 3 zugeführt, und diese Ströme bleiben während der ganzen Zeit, in der die Speichermatrix 801 in Betrieb ist, aufrechterhalten. Sie treten aus an der Unterseite der Spalten 1 bis 3 durch Klemmen 864 bis 866. In die Speichermatrix 801 einzuspeichernde Informationen darstellende Eingangssignale werden den Klemmen 871 bis 876 an der Oberseite der Spalten 1 bis 3 zugeführt, und die diesen Klemmen zugeleiteten Ströme fließen auf vertikalen Leitungen 881 bis 886 zu Ausgangsklemmen 887 bis 889 an der Unterseite der Spalten 1 bis 3.

Während eines Lesevorgangs werden den Klemmen 901 bis 903 oben an den Spalten 1 bis 3 Ströme zugeführt, die über zugeordnete vertikale Leitungen 911 bis 916 fließen. Die Ströme auf den Leitungen 911 bis 916 fließen über Klemmen 921 bis 926 und durch eine nicht gezeigte Lastvorrichtung. Die vertikale Leitung 911 in Spalte 1 enthält Kryotrons 931 bis 933, und die vertikale Leitung 912 enthält Kryotrons 934 bis 936. Die vertikale Leitung 913 in Spalte 2 enthält Kryotrons 941 bis 943 und die vertikale Leitung 914 Kryotrons 944 bis 946. Die vertikale Leitung 915 in Spalte 3 enthält Kryotrons 951 bis 953 und die vertikale Leitung 916 Kryotrons 954 bis 956.

Die Steuerschleife 831 in Spalte 1 des Registers 1 umfaßt Kryotrons 961 und 962, die Steuerschleife 832 in Spalte 2 des Registers 1 umfaßt Kryotrons 963 und 964, und die Steuerschleife 833 in Spalte 3 des Registers 1" umfaßt Kryotrons 965 und 966. Die Abfühlschleife 834 in Spalte 1 des Registers 1 enthält Kryotrons 971 und 972, die Abfühlschleife 835 in Spalte 2 des Registers 1 Kryotrons 973 und 974 und die Abfühlschleife 836 in Spalte 3 des Registers 1 Kryotrons 975 und 976. Die Steuerschleife 841 in

609 710/209

19 20

Spalte 1 des Registers 2 enthält Kryotrons 981 und definierten Arm der Steuerschleife 851 geleitet. Der

982, die Steuerschleife 842 in Spalte 2 des Registers 2 Strom in diesem Arm macht das Tor des Kryotrons

Kryotrons 983 und 984 und die Steuerschleife 843 1023 normalleitend und steuert den abwärts zur

in Spalte 3 des Registers 2 Kryotrons 985 und 986. Speicherschleife 817 fließenden Strom durch den von

Die Abfühlsdhleife 844 in Spalte 1 des Registers 2 5 den Punkten 817 b und 817 c gekennzeichneten rechenthält Kryotrons 991 und 992, die Abfühlschleife ten Teil der Schleife. Der im rechten Teil der Spei- 845 in Spalte 2 des Registers 2 Kryotrons 993 und cherschleife 817 fließende Strom stellt eine binäre 0 994 und die Abfühlschleife 846 in Spalte 3 des Re- dar.

gisters 2 Kryotrons 995 und 996. Die Steuerschleife ' In Spalte 2 des Registers 3 macht der Strom auf

851 in Spalte 1 des Registers 3 umfaßt die Kryotrons io der vertikalen Leitung 883 das Tor des Kryotrons

1001 und 1002, die Steuerschleife 852 in Spalte 2 1003 normalleitend. Dadurch wird der Strom durch

des Registers 3 die Kryotrons 1003 und 1004 und die den von den Punkten 852 a, 852 rf, 852 c und 852 &

Steuerschleife 853 in Spalte 3 des Registers 3 die abgegrenzten Teil der Steuerschleife 852 geleitet. Der

Kryotrons 1005 und 1006. Die Abfühlschleife 854 in Strom in diesem Teil der Steuerschleife 852 macht

Spalte 1 des Registers 3 enthält Kryotrons 1011 und 15 das Tor des Kryotrons 1026 normalleitend und leitet

1012, die Abfühlschleife 855 in Spalte 2 des Regi- den in der Steuerschleife 818 fließenden Strom durch

sters 3 die Kryotrons 1013 und 1014 und die Abfühl- den von den Punkten 818 a und 818 a* gekennzeich-

schleife 856 in Spalte 3 des Registers 3 Kryotrons neten linken Teil. Der Strom in diesem Teil der

1015 und 1016. Steuerschleife 818 stellt eine binäre 1 dar.

Die Speicherschleife 811 in Spalte 1 des Registers 1 20 In Spalte 3 des Registers 3 macht der Strom auf

umfaßt Kryotrons 999 und 1000, die Speicherschleife der vertikalen Leitung 885 das Tor des Kryotrons

812 in Spalte 2 des Registers 1 Kryotrons 1007 und 1005 normalleitend und leitet den in die Schleife 853

1008 und die Speicherschleife 813 Kryotrons 1009 fließenden Strom in den von den Punkten 853 a,

und 1010. Im Register 2 enthält die Speicherschleife 853 d, 853 c und 853 b bezeichneten Teil der Schleife.

814 die Kryotrons 1017 und 1018, die Speicher- 25 Der Strom in diesem Teil der Schleife 853 macht das

schleife 815 die Kryotrons 1019 und 1020 und die Tor des Kryotrons 1028 normalleitend und lenkt den

Speicherschleife 816 die Kryotrons 1021 und 1022. zu der Speicherschleife 819 hinunterfließenden Strom

Im Register 3 enthalten die Speicherschleife 817 die durch den von den Punkten 819 a und 819 d abge-

Kryotrons 1023 und 1024, die Speicherschleife 818 grenzten Teil dieser Schleife. Der Strom in diesem

die Kryotrons 1025 und 1026 und die Speicher- 30 Teil der Speicherschleife 819 stellt eine binäre 1 dar.

schleife 819 die Kryotrons 1027 und 1028. Jetzt kann der Strom auf der Schreibleitung 804 be-

Die Speichervorrichtung von Fig. 15 bis 17 läßt endet werden, und danach können die den vertikalen

sich so betreiben, daß in ein ausgewähltes Register Leitungen 881 und 886 zugeführten Ströme beendet

ein von einer externen Vorrichtung geliefertes binäres werden. Die Ströme auf der Schreibleitung 804 und

Wort eingespeichert und gleichzeitig aus einem an- 35 auf den vertikalen Leitungen 881 bis 886 können

deren Register ein binäres Wort ausgespeichert und aber auch gleichzeitig beendet werden. Das binäre

einer anderen externen Vorrichtung zugeleitet wird. Wort 011 wird in dem Register 3 durch einen Strom

Es ist zulässig, aus einem Register auszuspeichern im linken Teil der Speicherschleife 817 und durch

und die Informationen einer externen Vorrichtung Ströme im rechten Teil der Speicherschleifen 818

zuzuführen und gleichzeitig ein anderes Wort aus 40 und 889 dargestellt. Damit ist der Schreibvorgang

einer externen Vorrichtung zu empfangen und in ein abgeschlossen. Man sieht also, daß das binäre Wort

anderes Register, in alle anderen Register oder eine 011 in das Register 1 oder 2 durch Erregung der

beliebige Kombination der anderen Register in der Schreibleitung 802 bzw. 803 gleichzeitig mit der Er-

Speichervorrichtung einzuspeichern. regung der Schreibleitung 804 im Register 3 einge-

Zur Veranschaulichung eines Schreibvorganges in 45 speichert werden kann. Außerdem kann das binäre

der Speichermatrix von Fig. 15 bis 17 sei angenom- Wort 011 in alle Register 1 bis 3 durch Erregung der

men, daß das binäre Wort 011 in das Register 3 ein- Schreibleitungen 802 und 803 gleichzeitig mit der der

gespeichert und das Wort 011 durch eine externe Schreibleitung 804 des Registers 3 eingespeichert

Vorrichtung (nicht gezeigt) den vertikalen Leitungen werden.

881 bis 886 zugeführt werden sollen. Gleichstrom- 5° Zur Veranschaulichung eines Lesevorganges aus signale werden an die Klemmen 861 bis 863 am der Speichermatrix 801 von Fig. 15 und 17 sei anoberen Ende der Spalten 1 bis 3 gelegt, und diese genommen, daß das binäre Wort 101 im Register 2 Signale bleiben so lange bestehen, wie die Speicher- gespeichert ist und daß das Register 2 für die Ausmatrix 801 in Betrieb ist. Nach Anlegung dieser speicherung und Übertragung zu einer externen Vor-Signale werden Informationen darstellende Signale 55 richtung ausgewählt werden soll. Es wird ferner anauf den Leitungen 881 bis 886 erzeugt. Das binäre genommen, daß bereits Gleichstromsignale an die Wort 011 wird durch Ströme auf den vertikalen Klemmen 861 bis 863 der Spalten 1 bis 3 angelegt Leitungen 882, 883 und 885 der Spalten 1 bis 3 dar- worden sind und daß das binäre Wort 101 im Regigestellt. Nun wird der Schreibleitung 804 des Regi- ster 2 durch einen Strom im linken Teil der Speichersters 3 Strom zugeführt. Statt dessen können auch 60 schleife 814, einen Strom im rechten Teil der Spei-Informationssignale über die Klemmen 871 bis 876 cherschleife 815 und einen Strom im linken Teil der gleichzeitig mit der Anlegung des Schreibstroms an Speicherschleife 816 dargestellt ist. Zunächst werden die Schreibleitung 804 den vertikalen'Leitungen 881 den Klemmen 901 bis 903 am oberen Ende der bis 886 zugeführt werden. Spalten 1 bis 3 Signale zugeleitet, und der Strom

In Spalte 1 macht der Strom in der vertikalen 65 wird der Leseleitung 806 des Registers 2 zugeleitet.

Leitung 882 das Tor des Kryotrons 1002 normal- Die Ströme können auch gleichzeitig den Klemmen

leitend. Dadurch wird der Schreibstrom auf Leitung 901 bis 903 und der Leseleitung 806 zugeführt

804 durch denvon" den Punkten 851 α und 851 & werden.

21 22

In Spalte 1 des Registers 2 macht der Strom in bis 3 haben Schreibleitungen 1031 bis 1033 und

dem durch die Punkte 814 α und 814 d abgegrenzten Leseleitungen 1034 bis 1036. Bei Erregung der

linken Teil der Schleife 814 das Tor des Kryotrons Schreibleitung 1031 im Register 1 werden die Tore

991 normalleitend. Durch den Widerstand dieses der Kryotrons 1041 bis 1044 normalleitend, und bei

Tors wird der Strom auf der Leseleitung 806 durch 5 Erregung der Leseleitung 1034 werden die Tore der

den von den Punkten 844 d, 844 a, 844 & und 844 c Kryotrons 1045 bis 1048 normalleitend. Bei Erregung

abgegrenzten Teil der Steuerschleife 844 gesteuert. der Schreibleitung 1032 des Registers 2 werden die

Dear Strom in diesem Arm der Steuerschleife 844 Tore der Kryotrons 1051 bis 1054 normalleitend,

macht das Tor des Kryotrons 935 normalleitend und und bei Erregung der Leseleitung 1035 werden die

bewirkt die Umleitung des Stroms von der Klemme i° Tore der Kryotrons 1055 bis 1058 normalleitend.

901 am oberen Ende der Spalte 1 aus zu der verti- Bei Erregung der Schreibleitung 1033 werden die

kalen Leitung 911. Auf der Leitung 911 fließt der Tore der Kryotrons 1071 bis 1074 normalleitend,

Strom zur Ausgangsklemme 921 am unteren Ende und bei Erregung der Leseleitung 1036 werden die

der Spalte 1. Der Strom an der Klemme 921 stellt Tore der Kryotrons 1057 bis 1078 normalleitend,

eine binäre 1 dar. i5 Das Register 1 enthält Speicherschleifen 1091 und

In Spalte 2 macht der Strom in dem durch die 1092, das Register 2 Speicherschleifen 1093 und

Punkte 815 & und 815 c definierten Teil der Speicher- 1094 in den Spalten 1 bzw. 2 und das Register 3

schleife 815 im Register 2 das Tor des Kryotrons Speicherschleifen 1095 und 1096 in den Spalten 1

994 normalleitend. Durch den Widerstand dieses bzw. 2. Den Klemmen 1101 und 1102 am oberen

Tors wird der von links in die Steuerschleife 845 2° Ende der Spalten 1 bzw. 2 werden Gleichstromsignale

fließende Strom durch den von den Punkten 845 d zugeführt, die durüh die Speicherschleifen in diesen

und 845 c gekennzeichneten Teil dieser Schleife ge- Spalten fließen und an den Klemmen 1103 und 1104

steuert. Der Strom in diesem Arm der Steuerschleife am unteren Ende der Spalten 1 und 2 austreten. Den

845 macht das Tor des Kryotrons 942 normalleitend Klemmen 1111 und 1112 am oberen Ende der Spal- und leitet den von der Klemme 902 am oberen Ende 25 ten 1 bzw. 2 werden Stromsignale zugeführt, die über der Spalte 2 kommenden Strom durch die vertikale vertikale Leitungen 1113 bis 1116 zu zugeordneten Leitung 914 zur Ausgangsklemme 924, wo er eine Ausgangsklemmen 1117 und 1118 am unteren Ende binäre 0 darstellt. der Spalten 1 bzw. 2 fließen. Die vertikale Leitung

In Spalte 3 macht der in dem zwischen den Punk- 1113 umfaßt Steuerschleifen 1131 bis 1133 und die ten 816 α und 816 d liegenden linken Teil der Spei- 30 vertikale Leitung 1114 Steuerschleifen 1134 bis cherschleife 816 fließende Strom das Tor des Kryo- 1136. Die vertikale Leitung 1115 umfaßt Steuertrons 995 normalleitend. Der Widerstand dieses Tors schleifen 1141 bis 1143 und die vertikale Leitung lenkt den in die Steuerschleife 846 fließenden Strom 1116 Steuerschleifen 1144 bis 1146. Jede dieser durch den von den Punkten 846 d, 846 a, 846 b und Schleifen wird durch die Punkte a, b, c und d mit

846 c abgegrenzten Teil dieser Schleife. Durch den 35 der zugehörigen Schleifennummer abgegrenzt.
Strom in diesem Arm der Schleife 846 wird das Tor Während eines Lesevorgangs werden den Klemmen des Kryotrons 955 normalleitend und wird der Strom 1151 und 1152 am oberen Ende der Spalten 1 bzw. 2 von der Klemme 903 am oberen Ende der Spalte 3 Ströme zugeführt, die über vertikale Leitungen 1153 aus durch die vertikale Leitung 915 zu der Ausgangs- bis 1156 zu zugeordneten Ausgangsklemmen 1157 klemme 925 gesteuert, wo er eine binäre 1 darstellt. 40 und 1158 am unteren Ende der Spalten 1 bzw. 2 Die den Klemmen 921 bis 926 zugeleiteten Ströme fließen. Die vertikale Leitung 1153 enthält Abfühlstellen also das binäre Wort 101 dar. Jetzt können schleifen 1171 bis 1173 und die vertikale Leitung die den Klemmen 901 bis 903 und der Leseleitung 1154 Abfühlsohleifen 1174 bis 1176. Die vertikale 806 des Registers 2 zugeführten Ströme beendet wer- Leitung 1155 umfaßt Abfühlschleifeh 1181 bis 1183 den, und damit ist der Ausspeicherungsvorgang ab- 45 und die vertikale Leitung 1156 Abfühlschleifen 1184 geschlossen. bis 1186. Diese Schleifen werden jeweils durch die

Informationen können aus dem Register 1 oder Punkte a, b, c und d und die zugehörige Schleifendem Register 3 durch Erregung der Klemmen 901 nummer abgegrenzt.

bis 903 mit Strömen und durch Erregung der Lese- Die Speicherschleife 1091 in Spalte 1 des Regi-

leitung 805 oder der Leseleitung 807 mit Strom aus- 50 sters 1 enthält Kryotrons 1191 und 1192, und die

gespeichert werden. Die oben beschriebene Leseope- Speicherschleife 1092 in Spalte 2 des Registers 1 ent-

ration für das Register 2 kann gleichzeitig mit der hält Kryotrons 1193 und 1194. Die Abfühlschleifen

oben in Verbindung mit dem Register 3 beschriebe- 1171 und 1174 in Spalte 1 des Registers 1 umfassen

nen Schreiboperation stattfinden. Aus einem ausge- Kryotrons 1195 bzw. 1196, und die Abfühlschleifen

wählten Register in der Speichermatrix 801 in 55 1181 und 1184 in Spalte 2 des Registers 1 umfassen

Fig. 15 bis 17 kann eine Ausspeicherung und Über- Kryotrons 1197 bzw. 1198.

tragung zu einer externen Vorrichtung gleichzeitig Die Speicherschleife 1093 in Spalte 1 des Regi-

mit der Speicherung von aus einer externen Vorrich- sters 2 enthält Kryotrons 1201 und 1202 und die

tung empfangenen Informationen in einem oder einer Speicherschleife 1094 in Spalte 2 des Registers 1

Kombination der übrigen Register erfolgen. 60 Kryotrons 1203 und 1204. Die Abfühlschleifen 1172

Fig. 19 und 20 veranschaulichen eine andere und 1175 in Spalte 1 des Registers 2 umfassen Kryo-

Speichermatrix 1030. Diese Figuren sind gemäß trons 1205 bzw. 1206 und die Abfühlschleifen 1182

Fig. 21 nebeneinanderzulegen. Die veranschaulichte und 1185 in Spalte 2 des Registers Kryotrons 1207

Speichermatrix 1030 hat zwei Spalten und drei Rei- bzw. 1208.

hen, aber je nach Bedarf kann die Zahl der Reihen 65 Die Speicherschleife 1095 in Spalte 1 des Regi-

und der Spalten auch vergrößert oder verringert sters 3 enthält Kryotrons 1221 und 1222, und die

werden. Die Register 1 bis 3 sind entlang der Reihen Speicherschleife 1096 in Spalte 2 des Registers 3 ent-

der Speichermatrix 1030 angeordnet. Die Register 1 hält Kryotrons 1223 und 1224. Die Abfühlschleifen

1173 und 1176 von Spalte 1 des Registers 3 umfassen Kryotrons 1225 bzw. 1226 und die Abfühlschleifen 1183 und 1186 in Spalte 2 des Registers Kryotrons 1227 bzw. 1228.

Eine Eingabevorrichtung 1240 sendet Informationen darstellende Signale zu der Speichermatrix 1030. Die Eingabevorrichtung 1240 enthält Schalter 1241 und 1242, die an Widerstände 1243 bzw. 1244 angeschlossen sind, welche ihrerseits mit Batterien 1245 bzw. 1246 verbunden sind. Die Schalter 1241 und 1242 werden an Kontakten 1251 bzw. 1252 nach rechts geschlossen, um binäre Einsen darzustellen, und für die Darstellung binärer Nullen werden die Schalter an Kontakten 1253 bzw. 1254 nach links geschlossen. Wenn die Eingabevorrichtung 1240 in einer Schreiboperation nicht verwendet wird, können die Schalter 1241 und 1242 an Kontakten 1255 bzw. 1256 geschlossen werden. Der Schalter 1241 steuert den Batteriestrom, der die Kryotrons 1261 und 1262 betätigt, und der Schalter 1242 steuert den Batteriestrom, der die Kryotrons 1263 und 1264 betreibt.

Eine Spaltenabfühlschaltung 1280 wird während einer Leseoperation betätigt, um einer nicht gezeigten Auswertvorrichtung Informationen darstellende Signale zuzuleiten. Die den Klemmen 1281 und 1282 zugeführten Ströme fließen durch zugeordnete Kryotrons 1283 bis 1286 zu Ausgangsklemmen 1301 bis 1304.

In der Speichervorrichtung 1030 von Fig. 19 und 20 ist es möglich, aus einem Register auszuspeichern und zu einer externen Vorrichtung zu übertragen und gleichzeitig aus einer externen Vorrichtung empfangene Informationen in ein anderes Register einzuspeichern. Die von einer externen Vorrichtung empfangenen Informationen können in ein ausgewähltes Register, in alle Register oder in eine beliebige Kombination von Registern eingespeichert werden. Es ist möglich, eine oder mehrere Stellen eines Wortes bis zu allen Stellen eines Wortes, das von der Eingabevorrichtung der Speichermatrix 1030 zugeleitet wird, abzudecken.

Zur Veranschaulichung eines Schreibvorganges sei angenommen, daß das binäre Wort 10 in das Register 1 eingespeichert werden soll. Zunächst werden den Klemmen 1101 und 1102 am oberen Ende der Spalten 1 bzw. 2 Gleichstromsignale zugeführt. Diese Signale bleiben bestehen, solange die Speichermatrix 1030 in Betrieb ist. Als nächstes werden die Schalter 1241 und 1242 an den Kontakten 1251 bzw. 1254 geschlossen. Der Strom aus der Batterie 1245 macht das Tor des Kryotrons 1262 normalleitend, und der Strom aus der Batterie 1246 macht das Tor des Kryotrons 1263 normalleitend. Jetzt können Ströme an die Klemmen 1111 und 1112 am oberen Ende der Spalten 1 bzw. 2 gelegt werden. Von Klemme 1111 aus wird der Strom durch den Widerstand des Tors des Kryotrons 1262 zu der vertikalen Leitung 1113 geleitet und fließt über diese Leitung zur Ausgangsklemme 1117. Von der Klemme 1112 am oberen Ende der Spalte 2 aus wird der Strom durch den Widerstand des Tors des Kryotrons 1263 zu der vertikalen Leitung 1116 gesteuert und fließt über diese Leitung zur Ausgangsklemme 1118. Der Strom auf der vertikalen Leitung 1113 stellt eine binäre 1 und der Strom auf der vertikalen Leitung 1116 eine binäre 0 dar.

Jetzt wird der Schreibleitung 1031 ein Strom zugeführt, der die Tore der Kryotrons 1041 bis 1044 normalleitend macht. Der Strom in der vertikalen Leitung 1113 wird durch den Widerstand des Tors des Kryotrons 1041 durch den von den Punkten 1131«, 1131 b, 1131c und 1131 d gekennzeichneten Teil der Steuerschleife 1131 geleitet. Durch den in diesem Arm der Steuerschleife 1131 fließenden Strom wird das Tor des Kryotrons 1191 normalleitend, und der von Klemme 1101 kommende Strom wird durch den von den Punkten 1091 b und 1091c definierten Teil der Speicherschleife 1091 gesteuert. Der Strom in diesem rechten Teil der Speicherschleife 1091 stellt eine binäre 1 dar. Der in der vertikalen Leitung 1116 von Spalte 2 fließende Strom wird durch das normalleitende Tor des Kryotrons 1044 in den von den Punkten 11446, 1144 a, 1144 d und 1144 c abgegrenzten Teil der Steuerschleife 1144 gesteuert. Der diesen Arm der Steuerschleife 1144 durchfließende Strom macht das Tor des Kryotrons 1194 normalleitend und lenkt den Strom von der Klemme 1102 aus durch den von den· Punkten 1092« und 1092 d abgegrenzten linken Teil der Speicherschleife 1092. Der Strom im linken Teil der Speicherschleife 1092 stellt eine binäre 0 dar. Damit ist also das binäre Wort 10 in die Spalten 1 und 2 des Registers 2 eingespeichert worden. Die Ströme auf der Schreibleitung 1031 und an den Klemmen 1111 und 1112 können beendet werden. Die Schalter 1241 und 1242 können auf ihre Mittelkontakte 1255 bzw. 1256 zurückgestellt werden, was aber im eigenen Belieben liegt. Daher ist der Schreibvorgang abgeschlossen.

Das im vorstehenden Beispiel benutzte binäre Wort 10 kann in das Register 2 oder 3 durch Erregung der Schreibleitung 1032 bzw. 1033 gleichzeitig mit der der Schreibleitung 1031 eingespeichert werden. Das binäre Wort 10 kann entweder in ein beliebiges der Register 1 bis 3, in alle Register 1 bis 3 oder in eine beliebige Kombination der Register 1 bis 3 durch Erregung einer oder mehrerer der Schreibleitungen der jeweiligen Register 1 bis 3 eingespeichert werden.

Zur Veranschaulichung einer Leseoperation sei angenommen, daß das binäre Wort 10 im Register 1 gespeichert ist und das Register 1 für eine Ausspeicherung ausgewählt wird. Es wird angenommen, daß die Gleichstromsignale an den Klemmen 1101 und 1102 am oberen Ende der Spalten 1 bzw. 2 schon bestanden haben. Nun werden Ströme an die Klemmen 1151 und 1152 am oberen Ende der Spalten 1 bzw. 2 und ein Strom an die Leseleitung 1034 des Registers 2 angelegt. Der Strom auf der Leseleitung 1034 macht die Tore der Kryotrons 1045 bis 1048 normalleitend.

In Spalte 1 macht der im rechten Teil der Speicherschleife 1091 zwischen den Punkten 10916 und 1091c fließende Strom das Tor des Kryotrons 1196 normalleitend, und der Strom auf der Leseleitung 1034 macht das Tor des Kryotrons 1046 normalleitend. Infolgedessen wird der von der Klemme 1151 am oberen Ende der Spalte 1 kommende Strom zur vertikalen Leitung 1153 umgeleitet, und dieser Strom fließt über die Leitung 1153 zur Ausgangsklemme 1157 am unteren Ende der Spalte 1. Der Strom in der vertikalen Leitung 1153 macht das Tor des Kryotrons 1283 in der Spaltenabfühlschaltung 1280 normalleitend. Daher wird der Strom vom Klemme 1281 aus zu der Ausgangsklemme 1302 umgesteuert und stellt dort eine binäre 1 dar.

In Spalte 2 macht der im linken Teil der Speicherschleife 1092 zwischen den Punkten 1092 a und 1092 d fließende Strom das Tor des Kryotrons 1197 normalleitend. Das Tor des Kryotrons 1047 wird durch den Strom auf der Leseleitung 1034 normalleitend. Daher wird der Strom von der Klemme 1152 am oberen Ende der Spalte 2 aus über die vertikale Leitung 1156 zur Ausgangsklemme 1158 am unteren Ende der Spalte 2 gesteuert. Der Strom auf der vertikalen Leitung 1156 macht das Tor des Kryotrons 1286 in der Spaltenabfühlschaltung 1280 normalleitend. Daher wird der Strom von der Klemme 1282 aus zur Ausgangsklemme 1303 geleitet. Der zur Klemme 1303 gelangende Strom stellt eine binäre 0 dar. Die Klemmen 1101 bis 1104 können an eine nicht gezeigte Auswertvorrichtung angeschlossen sein.

Das binäre Wort 10 wird also durch den Klemmen 1302 und 1303 zugeführte Ströme dargestellt. Das im Register 1 gespeicherte binäre Wort 10 wird durch die Spaltenabfühlschaltung zu einer nicht dargestellten Lastvorrichtung übertragen. Jetzt können die den Klemmen 1111 und 1112 und der Leseleitung 1034 des Registers 1 zugeleiteten Ströme beendet werden. In den Registern 2 oder 3 gespeicherte Informationen können durch Erregung der Klemmen 1111 und 1112 am oberen Ende der Spalten 1 bzw. 2 gleichzeitig mit der Erregung der Schreibleitung 1032 oder 1033 ausgespeichert werden. Ein Lesevorgang kann aus einem Register gleichzeitig mit der Ausführung eines Schreibvorganges in einem der übrigen Register, in allen übrigen Registern oder in einer beliebigen Kombination der übrigen Register stattfinden.

In manchen Fällen ist es zweckmäßig, Informationen in bestimmten Teilen eines Registers im Speicher abzudecken oder ungestört zu lassen. Zum Beispiel kann es erwünscht sein, neue Informationen in bestimmte Stellen eines Registers einzuspeichern, aber bestehende Informationen in anderen Stellen eines Registers beizubehalten. Zu diesem Zweck sind in der Eingabevorrichtung 1240 Schalter 1310 und 1311 vorgesehen. Der Schalter 1310 ist an die Ausgangsklemme 1117 und der Schalter 1311 an die Ausgangsklemme 1118 angeschlossen. Beim öffnen eines dieser Schalter während einer Schreiboperation bleiben die Informationen in der zugeordneten Spalte des ausgewählten Registers ungestört, weil durch den offenen Stromkreis das Fließen von Strom auf den vertikalen Leitungen 1113 bis 1116 verhindert wird. Daher können keine neuen Informationen in die Spalte 1 eingespeichert werden, wenn der Schalter 1310 offen ist, und in die Spalte 2 können keine neuen Informationen eingespeichert werden, wenn der Schalter 1311 offen ist. Der Schalter 1113 kann als Dreifachsteuerung für die vertikalen Leitungen 1115 und 1116 betrachtet werden. Die Schalter 1310 und 1311 bleiben während normaler Schreibvorgänge geschlossen.

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Claims

Patentansprüche:

1. Speichermatrix mit supraleitenden Schaltelementen per gleichzeitigen Em-, Aus- und/oder Umspeicherns der Daten paralleler Register, dadurch gekennzeichnet, daß für jede Spalte der Matrix (220) mindestens eine Eingabeleitung (252) und mindestens eine Entnahmeleitung (532) vorgesehen ist, daß mindestens einer (532) der Entnahmeleitungen (532, 551) eine weitere Leitung (531) parallel geschaltet ist, welche einen in seinem Leitfähigkeitszustand umsteuerbaren Teil (561) zum Rückstellen aufweist, und daß die beiden parallelgeschalteten Leitungen (531, 532) an eine Stromquelle (521) angeschlossen sind, so daß die beiden parallelgeschalteten Leitungen (531, 532) zusammen einen Zwischenspeicher für die einem der Speicherelemente (261, 291, 321) der Spalte entnommene Information bilden (Fig. 6).

2. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingabe- und Entnähmeleitungen (252 bzw. 532) jeder Spalte für jedes Speicherelement (291) einen in seinem Leitfähigkeitszustand umsteuerbaren Teil (441 bzw. 451) aufweisen, welcher jeweils von einem supraleitenden Zweig (291 bzw. 301) überbrückt ist, und daß jeder mit einer Entnahmeleitung (532) verbundene Zweig (301) einen Teil (421) aufweist, dessen Leitfähigkeitszustand durch den in dem zugehörigen Speicherelement (291) fließenden Strom umsteuerbar ist (Fig. 6).

3. Speicheranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder mit einer Eingabeleitung (252) verbundene Zweig (291) zusammen mit dem von ihm überbrückten in seinem Leitfähigkeitszustand umsteuerbaren Teil (441) als Speicherelement betrieben wird (Fig. 6).

4. Speicheranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß durch jeden mit einer Eingabeleitung (1113) verbundenen Zweig (1131) ein Teil (1191) einer als Speicherelement dienenden supraleitenden Schleife (1091) in seinem Leitfähigkeitszustand umsteuerbar ist (Fig. 19).

5. Speicheranordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Entnahmeleitung (31) die entsprechende Eingabeleitung (32) als weitere Leitung parallel geschaltet ist (Fig. 1).

6. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entnahmeleitungen (912) jeder Spalte für jedes Speicherelement (814) einen Teil (935) aufweisen, dessen Leitfähigkeitszustand durch den in einem (844 a b) von zwei parallel an die Entnahmeimpulsquelle (806) angeschlossenen Zweigen (844ab, 844de) fließenden Strom umsteuerbar ist, und daß mindestens einer (844 a b) dieser beiden parallel an die Entnahmeimpulsquelle (806) angeschlossenen Zweige (844a b, 844de) einen Teil (992) aufweist, dessen Leitfähigkeitszustand durch den in einer als Speicherelement dienenden supraleitenden Schleife (814) fließenden Strom umsteuerbar ist (Fig. 15).

7. Speicheranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer (814 b c) der beiden die als Speicherelement dienende supraleitende Schleife (814) bildenden Zweige (814fee, 814ad) einen Teil (1018) aufweist, dessen Leitfähigkeitszustand durch den in einem (841 de) von zwei parallel an die Ehl·- gabeimpulsquelle (803) angeschlossenen Zweige (841ab, 841 de) fließenden Strom umsteuerbar ist, und daß mindestens einer (841 de) dieser beiden parallel an die Eingabeimpulsquelle (803) angeschlossenen Zweige (841ab, 841 de) einen

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Teil (982) aufweist, dessen Leitfähigkeitszustand durch den in der Eingabeleitung (882) fließenden Strom umsteuerbar ist (Fig. 15).

8. Speicheranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens für je eine Eingabeleitung und je eine Entnahmeleitung erne gemeinsame Leitung (612) vorgesehen ist (Fig. 11).

In Betracht gezogene Druckschriften:
K. Mendelssohn, Progress in Cryogemics,
Vol. 1, Heywood & Comp. Ltd. London, 1959,
S. 10 bis 12;

Proceedings of the National Electronic Conference, 1957, Vol. 13, S. 574 bis 580;

IRE Standards on Solid-State Devices: Definitions of Superconductive Electronics Terms, 1962.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen