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DE1298566B - Schieberegister mit Schichtspeicherzellen - Google Patents

Schieberegister mit Schichtspeicherzellen

Info

Publication number
DE1298566B
DE1298566B DE1966S0101388 DES0101388A DE1298566B DE 1298566 B DE1298566 B DE 1298566B DE 1966S0101388 DE1966S0101388 DE 1966S0101388 DE S0101388 A DES0101388 A DE S0101388A DE 1298566 B DE1298566 B DE 1298566B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory cells
memory cell
control lines
coupling loop
main memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1966S0101388
Other languages
English (en)
Inventor
Goser
Dipl-Ing Dr Karl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE1966S0101388 priority Critical patent/DE1298566B/de
Publication of DE1298566B publication Critical patent/DE1298566B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/32Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using super-conductive elements

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Anordnung für ein aus mehreren supraleitenden Speicherzellen gebildetes Register, das mit Mitteln versehen ist, durch die ein in einer Speicherzelle gespeicherter Binärwert mittels eines Schiebeimpulses in Schieberichtung auf die darauffolgende Speicherzelle weitergegeben (»geschoben«) werden kann, wobei zwischen je zwei Hauptspeicherzellen eine Zwischenspeicherzelle vorgesehen ist, denen jeweils zwei Steuerleitungen zugeordnet sind, von denen die eine über alle Hauptspeicherzellen und die andere über alle Zwischenspeicherzellen geführt ist.
  • Derartige Anordnungen sind bereits bekannt (man vergleiche beispielsweise die USA.-Patentschrift 3123 720). Ein derartiges supraleitendes Schichtregister hat jedoch den Nachteil eines sehr komplizierten Aufbaus, was infolge der benötigten Vielzahl von Steuerschleifen außerordentlich schwierig herzustellende und zu handhabende Aufdampfmasken erfordert. Außerdem sind zum Betrieb eines derartigen Schieberegisters jeweils eine große Anzahl von Impulsen erforderlich, mit welchen die verschiedenen Steuerleitungen beaufschlagt werden müssen.
  • Eine einfacher zu betreibende Anordnung ist in der deutschen Auslegeschrift 1039 569 beschrieben, die jedoch wegen ihres Aufbaus aus Magnetkernen und Transistorrichtsstrecken sowohl relativ teuer in der Herstellung ist, als auch einen großen Raumbedarf pro Zelle aufweist.
  • Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, ein aus supraleitenden Schichtspeicherzellen aufgebautes Schieberegister herzustellen, welches neben einem einfachen Aufbau in einfachster Weise durch wenige Impulse pro Schiebevorgang betrieben werden kann.
  • Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einer Anordnung der eingangs erwähnten Art gemäß der Erfindung vorgeschlagen, daß jede Hauptspeicherzelle mit den beiden benachbarten Zwischenspeicherzellen durch je eine auf der den Steuerleitungen abgelegenen Seite einer als Speichermedium dienenden zusammenhängenden supraleitenden Schicht angeordnete Koppelschleife so verbunden ist, daß jede Koppelschleife bei Umschaltung des in einer Speicherzelle gespeicherten Binärwertes diesen Wert induktiv auf die in Schieberichtung folgende Speicherzelle überträgt, indem in jeder Koppelschleife eine vom Schiebeimpuls steuerbare Sperrvorrichtung vorgesehen ist, die beim Schiebeimpuls die Koppelschleife zwischen der vom Schiebeimpuls geschalteten Speicherzelle und der - in Schieberichtung gesehen - davorliegenden Speicherzelle sperrt.
  • An Hand des in den F i g. 1 und 2 der Zeichnung schematisch dargestellten Ausführungsbeispiels soll die Erfindung näher erläutert werden.
  • Jede Hauptspeicherzelle 1 ist mit den unmittelbar vor und hinter ihr liegenden Zwischenspeicherzellen 2 durch Koppelschleifen 3 bzw. 3' mit gemeinsamen Querstegen unter den Zellen verbunden. In den Längsstegen liegen Sperrvorrichtungen 4 und 5, die vorteilhaft insbesondere durch Kryotrons verwirklicht sein können. Bei der weiteren Beschreibung der Erfindung wird daher bei den Sperrvorrichtungen stets von Kryotrons gesprochen, ohne daß damit die Erfindung auf die Verwendung von Kryotrons als Sperrvorrichtungen beschränkt ist. Auf der anderen Seite der supraleitenden Schicht SS, induktiv von der Koppelschleife getrennt, sind zwei Steuerleitungen S1 und S2 angebracht, wobei die Querstege S1 über den HauptspeicherzelleAl, die- Querstege von S2 über den Zwischenspeicherzellen 2 liegen. Längs der Querstege der Steuerleitungen ist in bekannter Weise ein magnetischer Fluß (zugehörige normalleitende Gebiete 6) in die supraleitende Schicht SS eingefroren, dessen Größe oder Richtung einen Binärwert repräsentiert. Die Steuerleitung S1 schaltet nun die Hauptspeicherzellen 1 und die Kryotrons 4, während S2 die Zwischenspeicherzellen 2 und die Kryotrons 5 schaltet.
  • Wird also auf S1 ein Schiebeimpuls gegeben, so schaltet dieser alle Hauptspeicherzellen 1 und die Kryotrons 4. Dann sieht man, daß zwar in allen Koppelschleifen 3 und 3' eine Spannung induziert wird, die Schleifen 3 aber wegen der gesperrten Kryotrons keinen Strom führen können und somit nicht rückwärts geschaltet wird. Die Koppelschleifen 3' führen wegen der nicht gesperrten Kryotrons 5 Ströme, deren Magnetfeld die nächstfolgenden Zwischenspeicherzellen 2 schaltet und in ihnen den Binärwert einspeichert, den die unmittelbar vorhergehenden Hauptspeicherzellen 1 vor dem Schiebeimpuls enthielten.
  • Ein Weiterlaufen des Stromes bis zur nächsten Hauptspeicherzelle 1 und damit die Gefahr, daß die vorhergehende Hauptspeicherzelle 1 ihre Information direkt zur nächstfolgenden Hauptspeicherzelle 1 überträgt, wird durch die gleichen gesperrten Kryotrons 4 verhindert, die schon das Rückwärtsübertragen der Information der Hauptspeicherzellen sperrten.
  • Auf völlig analoge Weise, wobei die Speicherzellen 1 und 2, die Kryotrons 4 und 5 und die Koppelkreise 3 und 3' ihre Funktion nach obiger Beschreibung vertauschen, wird durch einen nachfolgenden Schiebeimpuls auf der Steuerleitung S2 die in die Zwischenspeicher 2 geschobene Information in die darauffolgenden Hauptspeicherzellen 1 gebracht.
  • Durch diese Aufteilung des Schiebevorgangs kann man also Richtleitungsstrecken zwischen den die Information des Registers tragenden Hauptspeicherzellen 1 sparen.
  • Bei der Verwendung von Kryotrons als Sperrvorrichtungen in den Koppelschleifen können diese Kryotrons und ihre Schaltung durch die Schiebeimpulse erfindungsgemäß insbesondere dadurch besonders einfach ausgeführt werden, daß durch Löcher in der supraleitenden Schicht an den Stellen der eingezeichneten Kryotrons Teilstücke der SteuerleitungenSl bzw. S2 und der Koppelschleifen 3 bzw. 3' magnetisch gekoppelt sind und daß diese Teile der Koppelschleifen aus einem insbesondere weichen Supraleiter bestehen, dergestalt, daß das Magnetfeld der Schiebeimpulse in den Steuerleitungen die kritische Feldstärke HI, in diesen Teilen der Koppelschleifen übersteigt und durch den hohen Widerstand, den der damit erzwungene Normalleitungszustand mit sich bringt, die entsprechenden Koppelschleifen sperrt.
  • Diese Anordnung kann auch als Zähler verwendet werden, wobei man insbesondere Anordnungen wählen kann, bei denen je 10 Hauptspeicherzellen 1 und 10 Zwischenspeicherzellen 2 zu einer ringartig geschlossenen Einheit zusammengefaßt werden, die nach jeweils einmaligem Durchlaufen einen Schiebeimpuls auf einen darüberliegenden gleichgebauten Ring abgeben, wodurch Einer-, Zehner- usw. Einheiten vorgebildet werden.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Anordnung für ein aus mehreren supraleitenden Speicherzellen gebildetes Register, das mit Mitteln versehen ist, durch die ein in einer Speicherzelle gespeicherter Binärwert mittels eines Schiebeimpulses in Schieberichtung auf die darauffolgende Speicherzelle weitergegeben (»geschoben«) werden kann, wobei zwischen je zwei Hauptspeicherzellen eine Zwischenspeicherzelle vorgesehen ist, denen jeweils zwei Steuerleitungen zugeordnet sind, von denen die eine über alle Hauptspeicherzellen und die andere über alle Zwischenspeicherzellen geführt ist, d a d u r c h gekennzeichnet, daß jede Hauptspeicherzelle (1) mit den beiden benachbarten Zwischenspeicherzellen (2) durch je eine auf der den Steuerleitungen abgelegenen Seite einer als Speichermedium dienenden zusammenhängenden supraleitenden Schicht (SS) angeordnete Koppelschleife (3, 3') so verbunden ist, daß jede Koppelschleife bei Umschaltung des in einer Speicherzelle (1 bzw. 2) gespeicherten Binärwertes diesen Wert induktiv auf die in Schieberichtung folgende Speicherzelle (2 bzw.1) überträgt, indem in jeder Koppelschleife eine vom Schiebeimpuls steuerbare Sperrvorrichtung (4, 5) vorgesehen ist, die beim Schiebeimpuls die Koppelschleife zwischen der vom Schiebeimpuls geschalteten Speicherzelle (1 bzw. 2) und der -in Schieberichtung gesehen -davorliegenden Speicherzelle (2 bzw.1) sperrt.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrvorrichtung (4, 5) in einer Koppelschleife (3, 3') ein Kryotron ist.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Kryotron und die Vorrichtung zu seiner Steuerung durch den Schiebeimpuls dadurch verwirklicht sind, daß wenigstens ein Teil jeder Koppelschleife (3 bzw. 3') aus einem insbesondere weichen Supraleiter besteht, daß ferner über diesen Teilen der Koppelschleifen Löcher in der supraleitenden Schicht sind, so daß sich hier Koppelschleifen und Steuerleitungen direkt gegenüberliegen.
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerleitungen aus einem insbesondere harten Supraleiter bestehen.
DE1966S0101388 1966-01-11 1966-01-11 Schieberegister mit Schichtspeicherzellen Pending DE1298566B (de)

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Publications (1)

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DE1298566B true DE1298566B (de) 1969-07-03

Family

ID=7523719

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DE1966S0101388 Pending DE1298566B (de) 1966-01-11 1966-01-11 Schieberegister mit Schichtspeicherzellen

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1039569B (de) * 1956-10-25 1958-09-25 Siemens Ag Magnetisches Schieberegister
US3123720A (en) * 1960-08-04 1964-03-03 Cryogenic shift register

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1039569B (de) * 1956-10-25 1958-09-25 Siemens Ag Magnetisches Schieberegister
US3123720A (en) * 1960-08-04 1964-03-03 Cryogenic shift register

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