DE1265875B - Steuerbarer Halbleitergleichrichter - Google Patents
Steuerbarer HalbleitergleichrichterInfo
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- DE1265875B DE1265875B DEL43826A DEL0043826A DE1265875B DE 1265875 B DE1265875 B DE 1265875B DE L43826 A DEL43826 A DE L43826A DE L0043826 A DEL0043826 A DE L0043826A DE 1265875 B DE1265875 B DE 1265875B
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
Int. CL:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1 265 875
Aktenzeichen: L 43826 VIII c/21 g
Anmeldetag: 5. Januar 1963
Auslegetag: 11. April 1968
Die Erfindung betrifft einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit mindestens vier Zonen abwechselnd
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und mit Steuerelektroden an den den äußeren Zonen benachbarten
inneren Zonen.
Die bekannten Ausführungsformen von steuerbaren Halbleitergleichrichtern mit z.B. vier Zonen
abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und einer Steuerelektrode lassen sich über die Steuerelektrode
ein- aber nicht ausschalten. Dieses Verhalten ist dadurch bedingt, daß der steuerbare Halbleitergleichrichter
zur Verringerung der Steuerverluste geometrisch und in seinen elektrischen Eigenschaften
unsymmetrisch aufgebaut ist. Einen steuerbaren Halbleitergleichrichter kann man sich in zwei Teiltransistoren
zerlegt denken, durch deren Kopplung sich seine Wirkungsweise erklären läßt. Bei den üblichen
Ausführungsformen ist nun der Stromverstärkungsfaktor des Teiltransistors, dessen Basis mit der
Steuerelektrode versehen ist, wesentlich größer als der Stromverstärkungsfaktor des zweiten Teiltransistors.
Das Verhältnis der beiden Stromverstärkungsfaktoren ist beispielsweise 0,9 zu 0,1. Zur Erzielung
eines großen Stromverstärkungsfaktors ist es notwendig, daß die Dicke der mit der Steuerelektrode
versehenen Basiszone wesentlich kleiner ist als die Dicke der zweiten Basiszone. Dadurch tritt ein transversaler
Spannungsabfall auf, der das Schaltverhalten großflächiger Halbleiterbauelemente stark beeinträchtigt.
Die unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften der beiden Teiltransistoren führen schließlich dazu,
daß eine Ausschaltung des Halbleitergleichrichters nicht oder nur mit einem gegenüber dem Einschaltstrom
stark überhöhten Steuerstrom möglich ist. Andererseits wird das Ausschalten dadurch erschwert,
daß der von der Kathodenzone und der mit der Steuerelektrode versehenen Basiszone gebildete pnübergang
nur eine kleine Sperrspannung hat. Zur Verbesserung des Ausschaltverhaltens ist es auch bekanntgeworden,
beide Basiszonen des steuerbaren Halbleitergleichrichters mit Steuerelektroden zu versehen.
Gemäß der Erfindung wird ein günstiges Schaltverhalten des steuerbaren Halbleitergleichrichters dadurch
erzielt, daß die beiden mit Steuerelektroden versehenen inneren Zonen gleiche Schichtdicken,
gleiche Größe der elektrischen Leitfähigkeit und gleiche Lebensdauer der Ladungsträger aufweisen,
und daß die Stromverstärkungsfaktoren der beiden Teiltransistoren, die je eine äußere und zwei benachbarte
innere Zonen umfassen, gleich sind.
Durch den symmetrischen elektrischen Aufbau ge-Steuerbarer Halbleitergleichrichter
Anmelder:
Licentia Patent-Verwaltungs-G. m. b. H.,
6000 Frankfurt, Theodor-Stern-Kai 1
6000 Frankfurt, Theodor-Stern-Kai 1
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Willi Gerlach,
6000 Frankfurt-Eschersheim;
Dr. rer. nat. Günter Kohl, 6240 Königstein;
Dr. phil. nat. Karl-Heinz Ullmer, 6000 Frankfurt
maß der Erfindung ist eine Ein- und Ausschaltung des steuerbaren Halbleitergleichrichters in gleicher
Weise gewährleistet. In den F i g. 1 und 2 sind zwei Ausführugnsbeispiele von Halbleitergleichrichtern
gemäß der Erfindung schematisch dargestellt, wobei ein Aufbau mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyps und demgemäß mit drei pn-Übergängen 1, 2 und 3 angenommen wurde. An
die beiden Basisschichten 4 und 5 sind jeweils die beiden Steuerelektroden 6 und 7 angeschlossen. Die
Kathoden- bzw. Anodenanschlüsse sind mit 8 und 9 bezeichnet. Für die Herstellung der Ausführungsform
nach der F i g. 1 wird vorteilhaft das Epitaxialverf ahren angewendet. In der F i g. 2 ist der Aufbau eines
steuerbaren Halbleitergleichrichters gemäß der Erfindung gezeigt, wie er durch die bekannte Planartechnik
erzielt werden kann. Bei dieser Ausführung können die Steuerelektroden beispielsweise ringförmig
ausgebildet werden. Bei genügender Beachtung der Verfahrensparameter gelingt es, steuerbare Halbleitergleichrichter
herzustellen, deren beide Teiltransistoren die gleichen elektrischen Eigenschaften
aufweisen; ζ. B. erreichen dann die beiden Stromverstärkungsfaktoren in gleicher Weise Werte größer als
0,5, die zur Einschaltung des steuerbaren Gleichrichters notwendig sind. Der weitere Vorteil der steuerbaren
Halbleitergleichrichter nach der Erfindung besteht darin, daß die Sperrspannung der beiden pn-Übergänge
1 und 3 nahezu gleich ist und damit die Steuerkennlinie zwecks Ausschaltung des Elementes
zu genügend hohen Sperrspannungen verwendbar ist. Die Schichtdicken der beiden Zonen 4 und 5 können
größer gewählt werden als bei den bisher bekannten steuerbaren Halbleitergleichrichtern, wodurch der
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transversale Widerstand parallel zu den pn-Übergangsflächen
kleiner ist als bei den bekannten Ausführungsformen.
Steuerbare Halbleitergleichrichter gemäß der Erfindung zeigen gegenüber den bekannten Ausführungen
wesentliche schaltungstechnische Vorteile. Beispielsweise ist es möglich, die beiden Steuerelektroden
6 und 7 über eigene vom Potential der Hauptelektroden, d. h. der Kathode und der Anode unabhängige
Stromkreise zu versorgen. Der steuerbare Halbleitergleichrichter kann auch über die eine der
beiden Steuerelektroden eingeschaltet und über die zweite Steuerelektrode ausgeschaltet werden. Des
weiteren können beide Steuerelektroden derartig mit Steuersignalen beaufschlagt werden, daß über beide
Steuerelektroden der steuerbare Halbleitergleichrichter ein- oder ausgeschaltet wird. Werden an eine oder
beide Steuerelektroden Vorspannungen angelegt, so ist es damit möglich, daß nur bestimmte Signale eine
Ein- oder Ausschaltung bewirken. ao
Weiterhin können steuerbare Halbleitergleichrichter gemäß der Erfindung besonders vorteilhaft in
Koinzidenzschaltungen eingesetzt werden. Da die Wirkungen der beiden Steuerelektroden sich sowohl
kompensieren als auch überlagern können, können steuerbare Halbleitergleichrichter gemäß der Erfindung
sowohl zum konjunktiven als auch disjunktiven Erfassen zweier Signale verwendet werden.
Die gleichen Vorteile werden auch bei einem symmetrisch aufgebauten steuerbaren Halbleitergleichrichter
mit fünf Zonen abwechselnd entgegengeßefeten
Leitfähigkeitstyps erzielt.
Claims (1)
- Patentanspruch:Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit mindestens vier Zonen abwechselnd entgegegesetztea Leitfähigkeitstyps und mit Steuerelektroden an den den äußeren Zonen benachbarten inneren Zonen, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden mit Steuerelektroden versehenen inneren Zonen gleiche Schichtdicken, gleiche Größe der elektrischen Leitfähigkeit und gleiche Lebensdauer der Ladungsträger aufweisen und daß die Stromverstärkungsfaktoren der beiden Teiltransistoren, die je eine äußere Zone und zwei benachbarte innere Zonen umfassen, gleich sind.In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 958 393, 966 276;
französische Patentschrift Nr. 1267 417;
»Elektronische Rundschau«, Bd. 15 (1961), Nr. 2, S. 68.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen809 538/419 4.63 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL43826A DE1265875B (de) | 1963-01-05 | 1963-01-05 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
| FR2472A FR1384940A (fr) | 1963-01-05 | 1963-12-19 | Redresseur commandable à semi-conducteur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL43826A DE1265875B (de) | 1963-01-05 | 1963-01-05 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1265875B true DE1265875B (de) | 1968-04-11 |
Family
ID=7270435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEL43826A Pending DE1265875B (de) | 1963-01-05 | 1963-01-05 | Steuerbarer Halbleitergleichrichter |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1265875B (de) |
| FR (1) | FR1384940A (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3026927A1 (de) * | 1979-07-17 | 1981-02-12 | Thomson Csf | Thyristor fuer integrierten schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
| DE3230721A1 (de) * | 1982-08-18 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit anschaltbaren stromquellen |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE313623B (de) * | 1965-01-30 | 1969-08-18 | Asea Ab | |
| US3638042A (en) * | 1969-07-31 | 1972-01-25 | Borg Warner | Thyristor with added gate and fast turn-off circuit |
| US3996601A (en) * | 1974-07-15 | 1976-12-07 | Hutson Jerald L | Shorting structure for multilayer semiconductor switching devices |
| FR2861228A1 (fr) * | 2003-10-17 | 2005-04-22 | St Microelectronics Sa | Structure de commutateur scr a commande hf |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE958393C (de) * | 1952-07-22 | 1957-02-21 | Western Electric Co | Signaluebertragungsanordnung mit einem Transistor mit vier Zonen verschiedenen Leitfaehigkeitstyps |
| DE966276C (de) * | 1953-03-01 | 1957-07-18 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit wenigstens zwei Steuerelektroden oder Steuerelektrodengruppenfuer elektronische Abtast- oder Schaltanordnungen |
| FR1267417A (fr) * | 1959-09-08 | 1961-07-21 | Thomson Houston Comp Francaise | Dispositif à semi-conducteur et méthode de fabrication |
-
1963
- 1963-01-05 DE DEL43826A patent/DE1265875B/de active Pending
- 1963-12-19 FR FR2472A patent/FR1384940A/fr not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE958393C (de) * | 1952-07-22 | 1957-02-21 | Western Electric Co | Signaluebertragungsanordnung mit einem Transistor mit vier Zonen verschiedenen Leitfaehigkeitstyps |
| DE966276C (de) * | 1953-03-01 | 1957-07-18 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit wenigstens zwei Steuerelektroden oder Steuerelektrodengruppenfuer elektronische Abtast- oder Schaltanordnungen |
| FR1267417A (fr) * | 1959-09-08 | 1961-07-21 | Thomson Houston Comp Francaise | Dispositif à semi-conducteur et méthode de fabrication |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3026927A1 (de) * | 1979-07-17 | 1981-02-12 | Thomson Csf | Thyristor fuer integrierten schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
| DE3230721A1 (de) * | 1982-08-18 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit anschaltbaren stromquellen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1384940A (fr) | 1965-01-08 |
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