DE1248735B - - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES 'J//if^ !^lP PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.

HOlh

H 04 m

Deutsche Kl.: 21 a3 - 70/20

Nummer: 1 248 735

Aktenzeichen: G 42604 VIII a/21 a3

Anmeldetag: 20. Januar 1965. j/o S A

Auslegetag: 31. August 1967

Die Patentanmeldung G 41026 VIII a / 21 a³ (deutsche Auslegeschrift 1 240 567) betrifft eine Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des Schaltzustandes eines Relais über eine vorbestimmte Zeit, bei der ein Kondensator über einen Vorwiderstand und die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors entladen wird. Ihr kennzeichnendes Merkmal besteht darin, daß der Widerstand durch einen Transistor ersetzt ist, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines hochohmigen Widerstandes nach'Maßgabe der Empfindlichkeit des Relais und/oder der Verstärkung der nachfolgenden Verstärkerstufe(n) eingestellt ist. Zweck dieser Maßnahme ist, für eine gute Aüsnutzung der im Kondensator gespeicherten Energie zu sorgen, um so mit Kondensatoren kleiner Kapazität große Verzögerungszeiten zu erreichen.

In der Hauptpätentanmeldung findet sich bereits der Vorschlag, die durch die Hochohmigkeit des Widerstandes bedingte Temperaturabhängigkeit des Transistors mit temperaturabhängigen Gliedern auszugleichen.

In weiterer Ausbildung des Gegenstandes der Hauptpätentanmeldung gibt die vorliegende Erfindung Schaltungsmaßnahmen an, welche den Tempe-_ raturgang des ^Transistors selbsttätig zu stabilisieren OcleT^-SOgar .emea_posffiYen~Temperaturgang_ _einzujstellen ,ge.stalien^onne^daß hierzu^NTC-Widerstände erforderlich j&äieji. Zur Lösung dieser Aufgäbe wird nach der Erfindung vorgeschlagen, der Basis des Transistors über einen zusätzlichen Widerstand einen Strom vom Kollektor des die nachfolgende(n) Verstärkerstufe(n) ansteuernden Transistors her — im folgenden als Steuertransistor bezeichnet — zuzuführen, dessen Wert im Verhältnis zu dem über den hochohmigen Widerstand fließenden Strom so gewählt ist, daß der Steuertransistor nicht voll durchgesteuert wird, sondern die Kollektor-Emitter-Spanrung sich auf einen Wert von beispielsweise etwa 1,5 Volt einstellt. Sinkt bei zunehmender Temperatur der Innenwiderstand des ersten Transistors und erhöht sich infolgedessen der Basisstrom des Steuertransistors, so wird die Kollektor-Emitter-Spannung des Steuertransistors ebenfalls kleiner. Damit verringert sich wiederum der Basisstrom des ersten Transistors, so daß auch sein Kollektor-Emitter-Strom abnimmt, sein Innenwiderstand sich also erhöht, d. h. die gewünschte Kompensation des Temperaturganges eintritt.

Falls gewünscht läßt sich sogar eine Überkompensation — ein positiver Temperaturgang — erreichen; denn da der zusätzliche Widerstand gleichfalls hochohmig ist, kann dieser die Funktion des Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des
Schaltzustandes eines Relais über eine
vorbestimmte Zeit

Zusatz zur Anmeldung: G 41026 VIII a/21 a3— Auslegeschrift 1 240 567

Anmelder:

Max Grundig, Fürth (Bay.), Kurgartenstr. 37

Als Erfinder benannt:
Alfred Knappe, Nürnberg

hochohmigen Widerstandes des ersten Transistors mitübernehmen, wobei dann mit zunehmender Temperatur der Kollektorstrom des ersten Transistors kleiner werden würde.

Der zusätzliche Widerstand wird ebenso wie der hochohmige Widerstand gemäß der Schaltungsanordnung des nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung als Potentiometer ausgeführt. Gegebenenfalls können beide Widerstände in einen einzigen Potentiometer zusammengefaßt werden,, dessen Schleifer an die Basis des ersten Transistors angeschlossen wird.

Ebenso besteht die Möglichkeit, den Kollektor^ widerstand des Steuertransistors als Potentiometer auszuführen, dessen Schleifer an den Basiswiderstand des ersten Transistors gelegt wird.

Die Erfindung und weitere Einzelheiten derselben werden im folgenden beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der für gleiche Teile die gleichen Bezugszeichen gewählt sind wie in der Hauptpatentanmeldung, wobei jedoch an Stelle von pnp-Transistoren npn-Transistoren Verwendung finden.

F i g. 1 zeigt eine erste Ausführungsform,
Fig. 2 eine Variante derselben.

In der Fig. 1 ist mit R wiederum das Relais mit der parallelgeschalteten Diode D bezeichnet, dessen Schaltzustand über. eine vorbestimmte Zeit beeinflußt werden soll_und_das Jm KcjJektorkreis Jeines ~ Schmitt-Trigjers^mLL deiiJTram;ijtbreh 7'₃ und. T₄ TlegfT'cTie^von einem Transistor T₂ in der Weise angesteuert werden, daß T₃ leitend und T₄ gesperrt

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Claims (5)

ist, solange kein Strom über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T2 fließt, jjmgekehrt T3 gesperrt und Ti leitend wird, wenn dieser Strom einen bestimmten Wert überschreitet. Wie beim Kauptpatent ist dem Transistor Tt an Stelle des sonst üblichen Widerstandes ein Transistor T1 vorgeschaltet, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines Widerstandes R1 nach Maßgabe der Empfindlichkeit des Relais und/oder der Verstärkung der nachfolgenden Verstärkerstufe(n) einzustellen ist. Abweichend von der Hauptpatentanmeldung erhält die Basis des Transistors T1 ihren Strom aber nicht nur über den Widerstand -R1, sondern auch vom Kollektor des Transistors T2 her über einen Widerstand R., wobei durch einen Widerstand R6 und eine Zenerdiode Z2 die. Restspannung des Transistors T2 abgefangen wird. Die Widerstände/?- und werden so gewählt, daß der Transistor T2 nicht wie in der Hauptpatentanmeldung beschrieben voll durchgesteuert wird, sondern die Kollektor-Emitter-Spannung sich auf einen Wert von z. B. etwa 1,5 Volt einstellt. Sinkt bei zunehmender Temperatur der Innenwiderstand des Transistors T1 und erhöht sich infolgedessen der Basisstrom des Transistors Ts,, so wird die Kollektor-Emitter-Span- as ming des Transistors T2 ebenfalls kleiner. Damit verringert sich wiederum der Basisstrom des Transistors T1 über den Widerstand R., so daß auch sein Kollektor-Emitter-Strom abnimmt, sein Innenwiderstand sich also erhöht, i.h. die gewünschte JKom 30 pensation des Temperaturganges eintritt, ohne daß hierzu NTC-Widerstände erforderlich wären. '" Läßt man den Widerstand R1 fort und benutzt nur i?5 als Basisvorwiderstand für den Transistor T1, was ohne weiteres möglich ist, da für den Widerstand jRä in der Praxis Werte um 1 Megohm in Betracht kommen, so erhält die Schaltung einen positiven Temperaturgang, d. h. mit zunehmender Temperatur wird der Kollektorstrom des Transistors' T1 kleiner, die Zeitverzögerung also größer. Wie bereits eingangs erwähnt, können sowohl der Widerstand R1 wie der Widerstand R5 als Potentiometer ausgeführt oder beide Widerstände in einem einzigen Potentiometer zusammengefaßt werden. Eine ähnliche Variante zeigt die F i g. 2, die sich von der F i g. 1 dadurch unterscheidet, daß der Kollektorwiderstand des Transistors T2 aus einem Potentiometer P3 besteht, dessen Schleifer an einen den Basiswiderstand des Transistors T1 bildenden Wider- 35 40 stand R7 gelegt ist. Durch diese Maßnahme ist es möglich, den Rückwirkungseinfluß von O (Schleifer auf Betriebsspannung) bis zu 100 % (Schleifer an Kollektor des Transistors T2) stufenlos einzustellen. Dabei ist es ratsam, den Widerstand R7 ebenfalls als Potentiometer auszuführen, um den Basisstrom des Transistors T1 dem jeweiligen Spannungsteilerverhältnis anzupassen. Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des Schaltzustandes eines Relais über eine vorbestimmte Zeit, nach Patentanmeldung G 41026 VIIIa/21a³ (deutsche Auslegeschrift 1240 567), bei der ein Kondensator über einen'ersten Transistor, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines hochohmigen Widerstandes eingestellt ist, und die Basis-Emitter-Strecke eines zweiten Transistors (Steuertransistor) entladen wird und Mittel zur Beeinflussung des Temperaturganges des ersten Transistors vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Basis des ersten Transistors (J₁) über einen zusätzlichen Widerstand (RS) ein Strom vom Kollektor des Steuertransistors (T₂) her zugeführt wird, dessen Wert im Verhältnis zu dem über den hochohmigen Widerstand (R₁) fließenden Strom so gewählt ist, daß der Steuertransistor (T₂) nicht, voll durchgesteuert wird.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Arbeitspunkt des ersten Transistors (T₁) allein mit dem Zusatzwiderstand (R.) eingestellt ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatzwiderstand als Potentiometer ausgeführt ist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der hochohmige Widerstand und der Zusatzwiderstand in einem einzigen Potentiometer zusammengefaßt sind, dessen Schleifer an die Basis des ersten Transistors angeschlossen ist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektorwiderstand (P_s) des Steuertransistors als Potentiometer ausgeführt ist, dessen Schleifer an den Basiswiderstand (R₁) des ersten Transistors gelegt ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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