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DE1248735B - - Google Patents

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Publication number
DE1248735B
DE1248735B DEG42604A DE1248735DA DE1248735B DE 1248735 B DE1248735 B DE 1248735B DE G42604 A DEG42604 A DE G42604A DE 1248735D A DE1248735D A DE 1248735DA DE 1248735 B DE1248735 B DE 1248735B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
resistor
resistance
base
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEG42604A
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German (de)
Publication date
Publication of DE1248735B publication Critical patent/DE1248735B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Relay Circuits (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLANDFEDERAL REPUBLIC OF GERMANY

DEUTSCHES GERMAN 'J//if^ 'J // if ^ !^lP PATENTAMT! ^ lP PATENT OFFICE

AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL

Int. Cl.Int. Cl.

HOlhHOlh

H 04 mH 04 m

Deutsche Kl.: 21 a3 - 70/20 German class: 21 a3 - 70/20

Nummer: 1 248 735Number: 1 248 735

Aktenzeichen: G 42604 VIII a/21 a3File number: G 42604 VIII a / 21 a3

Anmeldetag: 20. Januar 1965. j/o S A Filing date: January 20, 1965. j / o S A

Auslegetag: 31. August 1967Opened on August 31, 1967

Die Patentanmeldung G 41026 VIII a / 21 a3 (deutsche Auslegeschrift 1 240 567) betrifft eine Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des Schaltzustandes eines Relais über eine vorbestimmte Zeit, bei der ein Kondensator über einen Vorwiderstand und die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors entladen wird. Ihr kennzeichnendes Merkmal besteht darin, daß der Widerstand durch einen Transistor ersetzt ist, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines hochohmigen Widerstandes nach'Maßgabe der Empfindlichkeit des Relais und/oder der Verstärkung der nachfolgenden Verstärkerstufe(n) eingestellt ist. Zweck dieser Maßnahme ist, für eine gute Aüsnutzung der im Kondensator gespeicherten Energie zu sorgen, um so mit Kondensatoren kleiner Kapazität große Verzögerungszeiten zu erreichen.The patent application G 41026 VIII a / 21 a 3 (German Auslegeschrift 1 240 567) relates to a circuit arrangement for influencing the switching state of a relay over a predetermined time, in which a capacitor is discharged via a series resistor and the base-emitter path of a transistor. Its distinguishing feature is that the resistor is replaced by a transistor, the operating point of which is set with the aid of a high-resistance resistor according to the sensitivity of the relay and / or the gain of the subsequent amplifier stage (s). The purpose of this measure is to ensure good utilization of the energy stored in the capacitor in order to achieve long delay times with capacitors of small capacities.

In der Hauptpätentanmeldung findet sich bereits der Vorschlag, die durch die Hochohmigkeit des Widerstandes bedingte Temperaturabhängigkeit des Transistors mit temperaturabhängigen Gliedern auszugleichen. The main patent application already contains the proposal, which is due to the high resistance of the Resistance-related temperature dependence of the transistor to compensate with temperature-dependent members.

In weiterer Ausbildung des Gegenstandes der Hauptpätentanmeldung gibt die vorliegende Erfindung Schaltungsmaßnahmen an, welche den Tempe-_ raturgang des ^Transistors selbsttätig zu stabilisieren OcleT-SOgar .emea_posffiYen~Temperaturgang_ _einzujstellen ,ge.stalien^onne^daß hierzu^NTC-Widerstände erforderlich j&äieji. Zur Lösung dieser Aufgäbe wird nach der Erfindung vorgeschlagen, der Basis des Transistors über einen zusätzlichen Widerstand einen Strom vom Kollektor des die nachfolgende(n) Verstärkerstufe(n) ansteuernden Transistors her — im folgenden als Steuertransistor bezeichnet — zuzuführen, dessen Wert im Verhältnis zu dem über den hochohmigen Widerstand fließenden Strom so gewählt ist, daß der Steuertransistor nicht voll durchgesteuert wird, sondern die Kollektor-Emitter-Spanrung sich auf einen Wert von beispielsweise etwa 1,5 Volt einstellt. Sinkt bei zunehmender Temperatur der Innenwiderstand des ersten Transistors und erhöht sich infolgedessen der Basisstrom des Steuertransistors, so wird die Kollektor-Emitter-Spannung des Steuertransistors ebenfalls kleiner. Damit verringert sich wiederum der Basisstrom des ersten Transistors, so daß auch sein Kollektor-Emitter-Strom abnimmt, sein Innenwiderstand sich also erhöht, d. h. die gewünschte Kompensation des Temperaturganges eintritt.In a further embodiment of the object of Hauptpätentanmeldung the present invention provides circuit measures at which the tem-_ raturg ang of ^ Transist ors automatically to stabili Sieren OcleT - _einzujstellen even .emea _posffiYen ~ Temperaturgang_, ge.stalien ^ onne ^ that this ^ NTC -Resistors required j & äieji. To solve this gave up the base of the transistor via an additional resistor is proposed according to the invention, a current from the collector of the subsequent (n) amplifier stage (s) driving transistor ago - ren zuzufüh whose value is in proportion to - hereinafter referred to as control transistor is the current flowing via the high resistance current so-selected, that the control transistor is not fully controlled, but the collector-emitter clamping tion to a value of, for example, about 1.5 volts is established. If the internal resistance of the first transistor decreases with increasing temperature and as a result the base current of the control transistor increases, the collector-emitter voltage of the control transistor is also lower. This in turn reduces the base current of the first transistor, so that its collector-emitter current also decreases, so its internal resistance increases, ie. H. the desired compensation of the temperature curve occurs.

Falls gewünscht läßt sich sogar eine Überkompensation — ein positiver Temperaturgang — erreichen; denn da der zusätzliche Widerstand gleichfalls hochohmig ist, kann dieser die Funktion des Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des
Schaltzustandes eines Relais über eine
vorbestimmte ZeitIf wished can even overcompensation - a positive temperature coefficient - it rich; because since the additional resistor is also high-resistance, it can affect the function of the circuit arrangement
Switching status of a relay via a
predetermined time

Zusatz zur Anmeldung: G 41026 VIII a/21 a3— Auslegeschrift 1 240 567Addition to registration: G 41026 VIII a / 21 a3 - Auslegeschrift 1 240 567

Anmelder:Applicant:

Max Grundig, Fürth (Bay.), Kurgartenstr. 37Max Grundig, Fürth (Bay.), Kurgartenstr. 37

Als Erfinder benannt:
Alfred Knappe, NürnbergNamed as inventor:
Alfred Knappe, Nuremberg

hochohmigen Widerstandes des ersten Transistors mitübernehmen, wobei dann mit zunehmender Temperatur der Kollektorstrom des ersten Transistors kleiner werden würde.take over the high resistance of the first transistor, with increasing temperature the collector current of the first transistor would decrease.

Der zusätzliche Widerstand wird ebenso wie der hochohmige Widerstand gemäß der Schaltungsanordnung des nach einer weiteren Ausbildung der Erfindung als Potentiometer ausgeführt. Gegebenenfalls können beide Widerstände in einen einzigen Potentiometer zusammengefaßt werden,, dessen Schleifer an die Basis des ersten Transistors angeschlossen wird.The additional resistance, like the high-value resistance, is in accordance with the circuit arrangement des executed according to a further embodiment of the invention as a potentiometer. Possibly both resistors can be combined in a single potentiometer, its Wiper is connected to the base of the first transistor.

Ebenso besteht die Möglichkeit, den Kollektor^ widerstand des Steuertransistors als Potentiometer auszuführen, dessen Schleifer an den Basiswiderstand des ersten Transistors gelegt wird.It is also possible to use the collector resistance of the control transistor as a potentiometer run, whose wiper is placed on the base resistance of the first transistor.

Die Erfindung und weitere Einzelheiten derselben werden im folgenden beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der für gleiche Teile die gleichen Bezugszeichen gewählt sind wie in der Hauptpatentanmeldung, wobei jedoch an Stelle von pnp-Transistoren npn-Transistoren Verwendung finden. The invention and further details thereof are described below, for example, with reference to the Drawing explained in more detail, in which the same reference numerals are chosen for the same parts as in FIG Main patent application, although npn transistors are used instead of pnp transistors.

F i g. 1 zeigt eine erste Ausführungsform,
Fig. 2 eine Variante derselben.F i g. 1 shows a first embodiment,
Fig. 2 shows a variant of the same.

In der Fig. 1 ist mit R wiederum das Relais mit der parallelgeschalteten Diode D bezeichnet, dessen Schaltzustand über. eine vorbestimmte Zeit beeinflußt werden soll_und_das Jm KcjJektorkreis Jeines ~ Schmitt-Trigjers^mLL deiiJTram;ijtbreh 7'3 und. T4 TlegfT'cTie^von einem Transistor T2 in der Weise angesteuert werden, daß T3 leitend und T4 gesperrtIn Fig. 1, the relay with the parallel-connected diode D is again denoted by R , the switching state of which is above. a predetermined time is to be influenced_and_the Jm KcjJektorkreis Jeines ~ Schmitt-Trigjers ^ mLL deiiJTram; ijtbreh 7 ' 3 and. T 4 TlegfT'cTie ^ are controlled by a transistor T 2 in such a way that T 3 is conductive and T 4 is blocked

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Claims (5)

ist, solange kein Strom über die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T2 fließt, jjmgekehrt T3 gesperrt und Ti leitend wird, wenn dieser Strom einen bestimmten Wert überschreitet. Wie beim Kauptpatent ist dem Transistor Tt an Stelle des sonst üblichen Widerstandes ein Transistor T1 vorgeschaltet, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines Widerstandes R1 nach Maßgabe der Empfindlichkeit des Relais und/oder der Verstärkung der nachfolgenden Verstärkerstufe(n) einzustellen ist. Abweichend von der Hauptpatentanmeldung erhält die Basis des Transistors T1 ihren Strom aber nicht nur über den Widerstand -R1, sondern auch vom Kollektor des Transistors T2 her über einen Widerstand R., wobei durch einen Widerstand R6 und eine Zenerdiode Z2 die. Restspannung des Transistors T2 abgefangen wird. Die Widerstände/?- und werden so gewählt, daß der Transistor T2 nicht wie in der Hauptpatentanmeldung beschrieben voll durchgesteuert wird, sondern die Kollektor-Emitter-Spannung sich auf einen Wert von z. B. etwa 1,5 Volt einstellt. Sinkt bei zunehmender Temperatur der Innenwiderstand des Transistors T1 und erhöht sich infolgedessen der Basisstrom des Transistors Ts,, so wird die Kollektor-Emitter-Span- as ming des Transistors T2 ebenfalls kleiner. Damit verringert sich wiederum der Basisstrom des Transistors T1 über den Widerstand R., so daß auch sein Kollektor-Emitter-Strom abnimmt, sein Innenwiderstand sich also erhöht, i.h. die gewünschte JKom 30 pensation des Temperaturganges eintritt, ohne daß hierzu NTC-Widerstände erforderlich wären. '" Läßt man den Widerstand R1 fort und benutzt nur i?5 als Basisvorwiderstand für den Transistor T1, was ohne weiteres möglich ist, da für den Widerstand jRä in der Praxis Werte um 1 Megohm in Betracht kommen, so erhält die Schaltung einen positiven Temperaturgang, d. h. mit zunehmender Temperatur wird der Kollektorstrom des Transistors' T1 kleiner, die Zeitverzögerung also größer. Wie bereits eingangs erwähnt, können sowohl der Widerstand R1 wie der Widerstand R5 als Potentiometer ausgeführt oder beide Widerstände in einem einzigen Potentiometer zusammengefaßt werden. Eine ähnliche Variante zeigt die F i g. 2, die sich von der F i g. 1 dadurch unterscheidet, daß der Kollektorwiderstand des Transistors T2 aus einem Potentiometer P3 besteht, dessen Schleifer an einen den Basiswiderstand des Transistors T1 bildenden Wider- 35 40 stand R7 gelegt ist. Durch diese Maßnahme ist es möglich, den Rückwirkungseinfluß von O (Schleifer auf Betriebsspannung) bis zu 100 % (Schleifer an Kollektor des Transistors T2) stufenlos einzustellen. Dabei ist es ratsam, den Widerstand R7 ebenfalls als Potentiometer auszuführen, um den Basisstrom des Transistors T1 dem jeweiligen Spannungsteilerverhältnis anzupassen. Patentansprüche:is, as long as no current flows through the base-emitter path of the transistor T2, in reverse, T3 is blocked and Ti is conductive when this current exceeds a certain value. As in the main patent, the transistor Tt is preceded by a transistor T1 instead of the usual resistor, the operating point of which can be set with the aid of a resistor R1 according to the sensitivity of the relay and / or the gain of the subsequent amplifier stage (s). Notwithstanding the main patent application, the base of the transistor T1 receives its current not only through the resistor -R1, but also from the collector of the transistor T2 through a resistor R., whereby through a resistor R6 and a Zener diode Z2 the. Residual voltage of the transistor T2 is intercepted. The resistors /? - and are chosen so that the transistor T2 is not fully controlled as described in the main patent application, but the collector-emitter voltage to a value of z. B. sets about 1.5 volts. If the internal resistance of the transistor T1 decreases with increasing temperature and consequently the base current of the transistor Ts increases, the collector-emitter voltage of the transistor T2 also becomes smaller. This in turn reduces the base current of the transistor T1 via the resistor R., so that its collector-emitter current also decreases, so its internal resistance increases, i.h. the desired JKom 30 compensation of the temperature response occurs without the need for NTC resistors. If the resistor R1 is omitted and only i? 5 is used as the base series resistor for the transistor T1, which is easily possible, since values around 1 megohm are possible in practice for the resistor jRä, the circuit has a positive temperature response , ie with increasing temperature the collector current of the transistor T1 decreases, the time delay increases. As already mentioned, both the resistor R1 and the resistor R5 can be designed as potentiometers or both resistors can be combined in a single potentiometer. A similar variant is shown Fig. 2, which differs from Fig. 1 in that the collector resistance of the transistor T2 consists of a potentiometer P3, the wiper of which is connected to a resistor R7 forming the base resistance of the transistor T1. This measure makes it possible to reduce the feedback influence of O (wiper on operating voltage) up to 100% (wiper on the collector of the Transistor T2) can be set continuously. It is advisable to use the resistor R7 as a potentiometer in order to adapt the base current of the transistor T1 to the respective voltage divider ratio. Patent claims: 1. Schaltungsanordnung zum Beeinflussen des Schaltzustandes eines Relais über eine vorbestimmte Zeit, nach Patentanmeldung G 41026 VIIIa/21a3 (deutsche Auslegeschrift 1240 567), bei der ein Kondensator über einen'ersten Transistor, dessen Arbeitspunkt mit Hilfe eines hochohmigen Widerstandes eingestellt ist, und die Basis-Emitter-Strecke eines zweiten Transistors (Steuertransistor) entladen wird und Mittel zur Beeinflussung des Temperaturganges des ersten Transistors vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Basis des ersten Transistors (J1) über einen zusätzlichen Widerstand (RS) ein Strom vom Kollektor des Steuertransistors (T2) her zugeführt wird, dessen Wert im Verhältnis zu dem über den hochohmigen Widerstand (R1) fließenden Strom so gewählt ist, daß der Steuertransistor (T2) nicht, voll durchgesteuert wird.1. Circuit arrangement for influencing the switching state of a relay over a predetermined time, according to patent application G 41026 VIIIa / 21a 3 (German Auslegeschrift 1240 567), in which a capacitor via a'ersten transistor, the operating point of which is set with the help of a high-resistance resistor, and the base-emitter path of a second transistor (control transistor) is discharged and means are provided for influencing the temperature response of the first transistor, characterized in that the base of the first transistor (J 1 ) receives a current from the collector via an additional resistor (RS) of the control transistor (T 2 ) is supplied, the value of which is selected in relation to the current flowing through the high-resistance resistor (R 1 ) so that the control transistor (T 2 ) is not fully turned on. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Arbeitspunkt des ersten Transistors (T1) allein mit dem Zusatzwiderstand (R.) eingestellt ist.2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the operating point of the first transistor (T 1 ) is set solely with the additional resistor (R.) . 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatzwiderstand als Potentiometer ausgeführt ist. 3. Circuit arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the additional resistor is designed as a potentiometer. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der hochohmige Widerstand und der Zusatzwiderstand in einem einzigen Potentiometer zusammengefaßt sind, dessen Schleifer an die Basis des ersten Transistors angeschlossen ist.4. Circuit arrangement according to claim 1 or 3, characterized in that the high-resistance Resistance and additional resistance combined in a single potentiometer whose wiper is connected to the base of the first transistor. 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektorwiderstand (Ps) des Steuertransistors als Potentiometer ausgeführt ist, dessen Schleifer an den Basiswiderstand (R1) des ersten Transistors gelegt ist.5. Circuit arrangement according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the collector resistance (P s ) of the control transistor is designed as a potentiometer whose wiper is placed on the base resistance (R 1 ) of the first transistor. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 709 6Ϊ9/88 6.67 © Bundesdruckerei Berlin709 6-9 / 88 6.67 © Bundesdruckerei Berlin
DEG42604A Pending DE1248735B (en)

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