DE112004000192T5

DE112004000192T5 - Hartmaske mit hoher Selektivität für IR-Sperrschichten zur Herstellung eines ferroelektrischen Kondensators

Info

Publication number: DE112004000192T5
Application number: DE112004000192T
Authority: DE
Inventors: Ulrich Egger; Haoren Zhuang; Yoshinori Yokohama Kumura; Kazuhiro Yokohama Tomioka; Hiroyuki Yokohama Kanaya
Original assignee: Infineon Technologies AG; Toshiba Corp
Current assignee: Infineon Technologies AG; Toshiba Corp
Priority date: 2003-01-31
Filing date: 2004-01-19
Publication date: 2005-12-29
Also published as: US7045837B2; TW200424761A; US20040150923A1; TWI284250B; WO2004068540A3; WO2004068540A2

Abstract

Ferroelektrischer Kondensator, umfassend:
eine ferroelektrische Schicht zwischen einer oberen und einer unteren Elektrode;
einen Kontaktstecker, der durch eine Unterstruktur des ferroelektrischen Kondensators läuft und die untere Elektrode mit einer aktiven Schicht elektrisch verbindet;
eine Iridium in ihrer Zusammensetzung einschließende Sperrschicht, die die untere Elektrode von der Unterstruktur und dem Kontaktstecker zum Hemmen der Diffusion von Sauerstoff von der ferroelektrischen Schicht zum Kontaktstecker trennt;
eine erste Hartmaske, die die obere Elektrode zum Schützen von Teilen der oberen Elektrode während eines ersten Ätzschritts zum Mustern der oberen Elektrode bedeckt; und
eine zusätzliche Al₂O₃ in ihrer Zusammensetzung einschließende Hartmaske, die auf den übrigen Teilen der ersten Hartmaske und auf der unteren Elektrode zum Ätzmustern der unteren Elektrode und der Sperrschicht angeordnet ist.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft Hartmasken, die zum Ätzen von in ferroelektrischen Vorrichtungen eingebrachten Sperrschichten verwendet werden.
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
In Wafern des Stands der Technik werden häufig Polysiliziumstecker (Kontaktstecker) als vertikale Verbindungen zwischen Metallleitungen in Schaltbildern mit Mehrpunktverbindungen verwendet. Die ferroelektrischen Materialien in FeRAM (Ferromagnetic Random Access Memory; ferromagnetischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff) und K-Materialien im H-Zustand in DRAM werden im Allgemeinen bei hoher Temperatur (600°C oder darüber) in Sauerstoffumgebung kristallisiert. Eine dicke Sperrschicht gegen Sauerstoffdiffusion ist zum Verhindern der Diffusion von Sauerstoff von einem ferroelektrischen Kondensator zum Kontaktstecker erforderlich. Bei einer Sperrschicht auf der Basis von Ir (Iridium) handelt es sich um ein gutes Material zum effizienten Absperren dieser Sauerstoffdiffusion. Eine typische während des Ätzens dieser Ir-Sperrschicht verwendete Hartmaske ist aus TEOS (Tetraethylorthosilicat) hergestellt. Auf Grund der geringen Ätzselektivität zwischen Ir und TEOS ist die Dicke der Sperrschicht durch die maximal verwendbare Hartmaskendicke beschränkt, und die TEOS-Hartmaske muss verglichen mit dem Kondensatorstapel sehr dick sein, was vor dem Ätzen zu einem steilen Seitenwandwinkel führt.
Die 1–3 zeigen herkömmliche Schritte zum Ätzen einer Hartmaske für ferroelektrische Kondensatoren.
1 zeigt einen Wafer 1 nach Verarbeitungsschritten des Stands der Technik. Nach der Anordnung eines ferroelektrischen Stapels wird eine obere Elektrode (TE) 6 mit einer TEOS-Hartmaske 2 bedeckt und ein Mustern durch Resistablösen der Maske der oberen Elektrode 6 unter Verwendung von chemischen Vorgängen auf Halogen- oder CO-Basis zum Ätzen von Materialien wie Iridium, Platin, Iridiumoxid oder verschiedenen leitenden Oxidfilmen durchgeführt. Ein Teil einer darunterliegenden ferroelektrischen Schicht 8 (z.B. PZT, SBT oder BLT) könnte ebenso während dieses Schritts geätzt werden. Ein ferroelektrischer (FE) Kondensator 5 wird aus Teilen gebildet, die, wie in der vergrößerten Ansicht der Figur dargestellt, die obere Elektrode 6, eine ferroelektrische Schicht 8 und eine untere Elektrode (BE) 3 einschließen.
Eine Ti-Klebstoffschicht 7 dient zum Anhaften der unteren Elektrode 3 auf der Unterstruktur des FE-Kondensators 5. Die Unterstruktur schließt eine obere TEOS-Schicht 15 ein, die eine obere Nitridschicht 9 bedeckt. Zwischen der Ti-Klebstoffschicht 7 und der unteren Elektrode 3 können zum Absperren der Sauerstoffdiffusion Schichten 17 aus Ir (Iridium), IrO₂ (Iridiumoxid) oder anderen Materialien vorliegen. Ein Polysiliziumkontaktstecker 13 läuft unter Bildung einer elektrischen Verbindung zwischen einer aktiven Region und der unteren Elektrode 3 durch den Wafer 1.
Eine andere TEOS-Hartmaske 4 wird bei der Herstellung eines zweiten die untere Elektrode 3 musternden Ätzschritts angeordnet. Während des zweiten Ätzschritts kann die ferroelektrische Schicht 8 entlang der unteren Elektrode 3 weiter geätzt werden. Es liegt eine leichte Überätzung durch die obere TEOS-Schicht 15 zusammen mit jeglichen Zwischenschichtmaterialien wie den Schichten aus Ir (Iridium) und IrO₂ (Iridiumoxid) vor. 2 zeigt den Wafer 1 nach diesem herkömmlichen Mustern der unteren Elektrode 3.
3(a) zeigt die dicke Hartmaske 4 mit steil gewinkelten Seitenwänden 19, die auf Grund der geringen Selektivität zwischen dem Ir der Sperrschicht 17 und dem TEOS der Hartmaske 4 erforderlich ist. Es ist erwünscht, dass zum Absperren der Sauerstoffdiffusion von der ferroelektrischen Schicht 8 zum Polysiliziumkontaktstecker 13 eine dicke Ir-Schicht vorliegt, was jedoch nicht leicht durchgeführt ist, da dafür eine sehr dicke Hartmaske 4 mit den resultierenden steil gewinkelten Seitenwänden 19 erforderlich ist.
3(b) zeigt den Wafer von 3(a) nach dem durch Sputtern geregelten Ätzen der unteren Elektrode 3 und der Sperrschicht 17 unter Verwendung der Hartmaske 4 zum Mustern der unteren Elektrode 3. Auf Grund der steil gewinkelten Hartmaskenseitenwände 19 bleiben Reste des Ätzverfahrens oder Ablagerungen 21 an den Hartmaskenseitenwänden 19 kleben. Diese Ablagerungen 21 sind aus Verbindungen von den Ätzmaterialien zusammengesetzt. Sie weisen eine geringe Dichte auf und sind instabil. Während der Sintervorgänge zeigen sie Volumenänderungen und eine schlechte Haftung an den Seitenwänden. Diese Ablagerungen 21 sind für die anschließenden Einkapselungsverfahren besonders schädlich.
Ein Weg zum Vermeiden dieser Ablagerungen 21 wäre die Verwendung von ausschließlich flüchtige Verbindungen bildenden Ätzgasen. Diese sind jedoch auf Grund der sich widersprechenden Anforderungen wie Kondensatorbeschädigung oder Unterschneidung von darunterliegenden Schichten häufig ausgeschlossen. Folglich verläuft das Ätzen zwangsläufig zumindest teilweise in der durch Sputtern geregelten Ordnung.
Es wäre erwünscht, eine Hartmaske mit hoher Ätzselektivität in Bezug auf die Sperrschicht vorzuweisen. Insbesondere wäre es erwünscht, eine Hartmaske mit hoher Ätzselektivität in Bezug auf eine Sperrschicht auf Ir-Basis vorzuweisen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung stellt eine von Ablagerungen relativ freie ferroelektrische Vorrichtung unter Verwendung einer Hartmaske mit hoher Ätzselektivität in Bezug auf eine darunterliegende Sperrschicht bereit. Die vorliegende Erfindung schließt auch ein Verfahren zum Unterdrücken des Anhaftens von Ablagerungen an den Seitenwänden von ferroelektrischen Vorrichtungen ein.
Allgemein gesagt handelt es sich bei der Erfindung um einen Wafer, der zum Absperren der Diffusion oder von Verunreinigungen von einer Zwischenschicht aus einer Sperrschicht gebildet ist. Der Wafer wird auch mit einer Hartmaske mit einer Ätzselektivität in Bezug auf die Sperrschicht, bei welcher es sich um das mindestens Fünffache der Ätzselektivität von Ir in Bezug auf TEOS handelt, gebildet. Die Hartmaske schützt die Zwischenschicht während der Durchführung des Ätzens der Sperrschicht.
Spezieller handelt es sich bei dem Wafer der vorliegenden Erfindung um einen ferroelektrischen Kondensator mit einer ferroelektrischen Schicht zwischen einer oberen und einer unteren Elektrode. Ein Kontaktstecker läuft durch eine Unterstruktur des ferroelektrischen Kondensators und verbindet die untere Elektrode elektrisch mit einer aktiven Schicht. Eine Iridium in ihrer Zusammensetzung einschließende Sperrschicht trennt die untere Elektrode von der Unterstruktur und dem Kontaktstecker zum Hemmen der Diffusion von Sauerstoff aus der ferroelektrischen Schicht zum Kontaktstecker. Eine erste Hartmaske bedeckt die obere Elektrode zum Schützen von Teilen der oberen Elektrode während eines ersten Schritts des Ätzmusterns der oberen Elektrode. Eine zusätzliche Al₂O₃ in ihrer Zusammensetzung einschließende Hartmaske ist auf den übrigen Teilen der ersten Hartmaske und der unteren Elektrode zum Ätzmustern der unteren Elektrode und der Sperrschicht angeordnet.
Die vorliegende Erfindung schließt auch ein Verfahren zur Herstellung eines ferroelektrischen Kondensators ein, umfassend die Schritte des Bildens einer Unterstruktur des Kondensators, durch welche zum elektrischen Verbinden einer unteren Elektrode des Kondensators mit einer darunterliegenden aktiven Schicht ein Kontaktstecker läuft; Anordnen der unteren Elektrode, die eine Zwichensperrschicht dazwischen mit einer Iridium einschließenden Zusammensetzung einschließt, auf der Unterstruktur; Anordnen einer ferroelektrischen Schicht auf der unteren Elektrode derart, dass die Diffusion von Sauerstoff von der ferroelektrischen Schicht zum Kontaktstecker durch die Zwischensperrschicht gehemmt wird; Anordnen einer oberen Elektrode auf der ferroelektrischen Schicht; Anordnen einer ersten Hartmaske auf der oberen Elektrode, der darunterliegenden ferroelektrischen Schicht und der unteren Elektrode; Ätzen zum Mustern der oberen Elektrode unter Verwendung der ersten Hartmaske; Anordnen einer zusätzlichen aus Al₂O₃ zusammengesetzten Hartmaske auf den übrigen Teilen der ersten Hartmaske und der unteren Elektrode; und Sputterätzen zum Mustern der unteren Elektrode und der Sperrschicht derart, dass das Sputtern im Wesentlichen alle Ablagerungen von den Seitenwänden der zusätzlichen Hartmaske entfernt.
KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
Weitere bevorzugte Merkmale der Erfindung werden nun nur beispielsweise in Bezug auf die folgenden Figuren beschrieben, wobei:
1 einen Wafer 1 nach Verarbeitungsschritten des Stands der Technik zeigt,
2 den Wafer 1 nach herkömmlichem Mustern der unteren Elektrode und der Sperrschicht zeigt,
3(a) eine dicke Hartmaske des Stands der Technik mit steil gewinkelten Seitenwänden zeigt, die auf Grund der geringen Selektivität zwischen dem Ir der Sperrschicht und dem TEOS der Hartmaske erforderlich ist,
3(b) den Wafer des Stands der Technik von 3(a) nach durch Sputtern geregeltem Ätzen der unteren Elektrode und der Sperrschicht zeigt und des Weiteren Ablagerungen veranschaulicht, die an den Seitenwänden der Hartmaske haften,
4(a) einen Wafer der vorliegenden Erfindung unter Verwendung einer dünnen Hartmaske mit hoher Ätzselektivität in Bezug auf die Sperrschicht vor dem Mustern der unteren Elektrode zeigt,
4(b) den Wafer von 4(a) nach dem Ätzen der unteren Elektrode und der Sperrschicht zeigt,
5 die Verarbeitungsschritte der vorliegenden Erfindung zeigt.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die 4(a) und 4(b) zeigen verschiedene Schichten eines Wafers 31 während der Verarbeitungsschritte der vorliegenden Erfindung. 5 zeigt die Verarbeitungsschritte der vorliegenden Erfindung.
Eine erste Hartmaske 33 wird, wie durch Schritt 101 in 5 veranschaulicht, auf einer oberen Elektrode 35 angeordnet. Die obere Elektrode 35 wird dann in einem Ätzschritt 102 in 5 gemustert. Die Hartmaske 33 kann TEOS, Al₂O₃ oder andere geeignete Maskenmaterialien umfassen. Dieser Ätzschritt kann auch zum Ätzen einer darunterliegenden ferroelektrischen Schicht 37 verwendet werden. Alternativ dazu könnte die ferroelektrische Schicht 37 in dieser Stufe nur teilweise oder unter Verwendung eines anderen Ätzschritts getrennt geätzt werden.
Wie in 4(a) und in Schritt 103 von 5 veranschaulicht, wird bei der Vorbereitung für einen zusätzlichen Ätzschritt zum Mustern der unteren Elektrode 41 und einer darunterliegenden Sperrschicht 43 eine zweite Hartmaske 39 mit Seitenwänden 45 auf den übrigen Teilen der ersten Hartmaske 33 und auf einer unteren Elektrode 41 angeordnet. Die darunterliegende Sperrschicht 43 stellt eine Sperrschicht gegen Sauerstoffdiffusion von der den ferroelektrischen Kondensator bildenden ferroelektrischen Schicht 37 zum Kontaktstecker (nicht dargestellt) bereit. Während des in Schritt 104 von 5 veranschaulichten zusätzlichen Ätzschritts werden die untere Elektrode 41 und die Sperrschicht 43 gemustert. Jegliche übrigen Teile der ferroelektrischen Schicht 37 zusammen mit jeglichen anderen Zwischenschichten können zusammen mit der unteren Elektrode 41 und der Sperrschicht 43 ebenso in diesem Schritt geätzt werden. Falls erforderlich, kann auch eine leichte Überätzung durch die darunterliegende Schicht vorliegen.
Die vorliegende Erfindung verwendet Materialien für die Sperrschicht 43 und Hartmaske 39 mit größerer Ätz selektivität als der Stand der Technik. In einer bevorzugten Ausführungsform schließt die Sperrschicht 43 wie in der Sperrschicht 17 des in 3 veranschaulichten Stands der Technik ein Material wie Ir ein. Während jedoch der Stand der Technik eine TEOS-Hartmaske 4 (ebenso in 3 veranschaulicht) verwendet, verwendet die vorliegende Erfindung eine Al₂O₃-Hartmaske 39 (4). Die Selektivität zwischen Ir und Al₂O₃ ist um mehr als das Fünffache höher als die Selektivität zwischen Ir und TEOS. Folglich kann, wie durch einen Vergleich der Hartmasken der 3(a) und 4(a) veranschaulicht, die Al₂O₃-Hartmaske 39 der vorliegenden Erfindung viel dünner als die TEOS-Hartmaske 4 des Stands der Technik sein. Infolgedessen können die Seitenwände 45 einen viel weniger kegelförmig zulaufenden Winkel als die Seitenwände 19 des Stands der Technik aufweisen.
4(b) zeigt den Wafer nach dem zusätzlichen durch Sputtern geregelten Ätzschritt mit chemischen Vorgängen auf CO-Basis 104 der unteren Elektrode 41 und der Sperrschicht 43 unter Verwendung der Hartmaske 45 zum Mustern der unteren Elektrode 41. Auf Grund des weniger kegelförmig zulaufenden Winkels der Hartmaskenseitenwände 45 (4(a)) im Vergleich mit den Hartmaskenseitenwänden 19 (3(a)) werden auf Grund des Sputtereffekts Ablagerungen 21 von den Hartmaskenseitenwänden 45 entfernt. Der Sputtereffekt ist für die Seitenwände mit weniger kegelförmig zulaufendem Winkel leistungsvoller als für die steiler gewinkelten Seitenwände. Auch wenn der Kegelwinkel für die TEOS-Hartmaske 4 und die Al₂O₃-Hartmaske 39 nach dem Ätzschritt 105 der Sperrschicht gleich ist, ist der Kegelwinkel der Al₂O₃-Hartmaske 39 kleiner als zu jedem beliebigen vorgegebenen Zeitpunkt während des Ätzens selbst, wodurch eine wirksamere Ablagerungsverhinderung sowie -entfernung gewährt wird.
Die dünnere Hartmaske 45 weist den zusätzlichen Nutzen auf, dass es leichter wird, gewünschte Konstruktionsziele zu erzielen. Die Größe der erhaltenen FeRAM-Zelle oder einer anderen Vorrichtung kann verglichen mit dem Stand der Technik reduziert werden, da sie ohne die Notwendigkeit eines zusätzlichen Raums zum Beinhalten einer dicken Hartmaske 45 eine dickere Sperrschicht 43 aufweisen kann. Die Sperrschichten können typischerweise eine Dicke zwischen 100–200 nm aufweisen. Jedoch sind unter Verwendung der vorliegenden Erfindung anders als im Stand der Technik Dicken von 200 nm oder darüber erzielbar. Die Erfindung kann auf Grund der dickeren Sperrschicht 43 zum besseren Schutz gegen die Diffusion von Sauerstoff auch zum Herstellen von FeRAM-Zellen mit höherer Qualität verwendet werden.
Die gegenüber der TEOS-Hartmaske 4 des Stands der Technik bevorzugte Verwendung einer Al₂O₃-Hartmaske 39 führt zu zusätzlichen Vorteilen. Sie stellt eine zusätzliche Versiegelung des Kondensators zum Schützen der ferroelektrischen Schicht 37 vor Wasserstoffionen und Elektronen zum Reduzieren des Abbaus von ferroelektrischer Leistungsfähigkeit bereit. Auch bedeutet die gegenüber TEOS bevorzugte Verwendung von Al₂O₃, dass eine TEOS-Region weniger vorliegt, die zur Zerstörung durch Wasserstoff der ferroelektrischen Schicht 37 beiträgt. Auch stellt die zusätzliche Al₂O₃-Hartmaske 39 während der anschließenden CW-Kontaktätzungen einen zusätzlichen Schutz der oberen Elektrode 35 bereit.
Andere Materialien können entweder für die Sperrschicht 43 oder die Hartmaske 39 verwendet werden (z.B. könnte die Hartmaske aus TiN oder TiAlN bestehen, das mit aus Ir oder IrO₂ gebildeten Sperrschichten verwendet wird), sofern sie eine hohe Ätzselektivität dazwischen aufweisen. Zum Beispiel sollten die Materialien eine Ätzselektivität von mindestens dem Fünffachen der Ätz selektivität zwischen Ir und TEOS aufweisen, wenn sie unter Verwendung von chemischen Vorgängen auf Halogen- oder CO-Basis geätzt werden.
Die vorliegende Erfindung zum Reduzieren von Ablagerungen auf Seitenwänden unter Verwendung von Materialien mit relativ hoher Ätzgeschwindigkeit zum Reduzieren des Seitenwandkegels ist auf verschiedene Vorrichtungen breit anwendbar und nicht auf FeRAM, ferroelektrische und Vorrichtungen im H-Zustand beschränkt.
Noch andere Materialien und Verfahrensschritte können Vorstehendem zugefügt oder ersetzt werden. Folglich sind, obwohl die Erfindung vorstehend unter Verwendung von bestimmten Ausführungsformen beschrieben wurde, viele Variationen im Umfang der Ansprüche möglich, wie dem Fachmann verständlich sein wird.
ZUSAMMENFASSUNG
Die vorliegende Erfindung stellt eine von Ablagerungen relativ freie ferroelektrische Vorrichtung unter Verwendung einer Hartmaske mit hoher Ätzselektivität in Bezug auf eine darunterliegende Sperrschicht bereit. Die vorliegende Erfindung schließt auch ein Verfahren zum Unterdrücken des Anhaftens von Ablagerungen an den Seitenwänden von ferroelektrischen Vorrichtungen ein. Zusätzlich stellt die vorliegende Erfindung eine ferroelektrische Vorrichtung mit einer im Vergleich zu einer darunterliegenden Sperrschicht relativ dünnen Hartmaske bereit, im Vergleich zum Stand der Technik.

Claims

Ferroelektrischer Kondensator, umfassend: eine ferroelektrische Schicht zwischen einer oberen und einer unteren Elektrode; einen Kontaktstecker, der durch eine Unterstruktur des ferroelektrischen Kondensators läuft und die untere Elektrode mit einer aktiven Schicht elektrisch verbindet; eine Iridium in ihrer Zusammensetzung einschließende Sperrschicht, die die untere Elektrode von der Unterstruktur und dem Kontaktstecker zum Hemmen der Diffusion von Sauerstoff von der ferroelektrischen Schicht zum Kontaktstecker trennt; eine erste Hartmaske, die die obere Elektrode zum Schützen von Teilen der oberen Elektrode während eines ersten Ätzschritts zum Mustern der oberen Elektrode bedeckt; und eine zusätzliche Al₂O₃ in ihrer Zusammensetzung einschließende Hartmaske, die auf den übrigen Teilen der ersten Hartmaske und auf der unteren Elektrode zum Ätzmustern der unteren Elektrode und der Sperrschicht angeordnet ist.
Kondensator nach Anspruch 1, wobei die Al₂O₃-Hartmaske eine Ätzselektivität in Bezug auf die Sperrschicht aufweist, bei welcher es sich um mindestens das Fünffache der Ätzselektivität von TEOS in Bezug auf dieselbe Sperrschicht handelt.
Vorrichtung, umfassend: eine Sperrschicht zum Absperren der Diffusion von Kontaminanten von einer Zwischenschicht; und eine Hartmaske mit einer Ätzselektivität in Bezug auf die Sperrschicht von mindestens dem Fünffachen der Ätzselektivität von Ir in Bezug auf TEOS, wobei die Hartmaske die Zwischenschicht während des Ätzens der Sperrschicht schützt.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei das die Sperrschicht zusammensetzende Material Ir und das die Hartmaske zusammensetzende Material Al₂O₃ einschließt.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei das die Sperrschicht zusammensetzende Material IrO₂ und das die Hartmaske zusammensetzende Material Al₂O₃ einschließt.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Kontaminanten Sauerstoff einschließen.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Zwischenschicht eine obere Elektrode, eine untere Elektrode und eine ferroelektrische Schicht zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode unter Bildung eines ferroelektrischen Kondensators einschließt.
Vorrichtung nach Anspruch 7, des Weiteren umfassend einen Kontaktstecker zum elektrischen Verbinden der unteren Elektrode mit einer aktiven Region und wobei die Sperrschicht die Menge an aus der ferroelektrischen Schicht zum Kontaktstecker diffundierendem Sauerstoff reduziert.
FeRAM-Zelle unter Verwendung des ferroelektrischen Kondensators nach Anspruch 7 zum Speichern von Daten.
Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Hartmaske den Kondensator zum Schützen der ferroelektrischen Schicht vor Wasserstoffionen und Elektronen zum Reduzieren des Abbaus von ferroelektrischer Leistungsfähigkeit versiegelt.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Hartmaske Seitenwände mit Kegelwinkeln aufweist, die klein genug sind, dass nach dem Sputterätzen der Sperrschichten auf Grund eines Sputtereffekts im Wesentlichen keine Ablagerungen an den Seitenwänden haften bleiben.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Sperrschicht eine Dicke von mehr als 200 nm aufweist.
Verfahren zum Herstellen eines ferroelektrischen Kondensators, umfassend die Schritte: Bilden einer Unterstruktur des Kondensators, durch welche ein Kontaktstecker zum elektrischen Verbinden einer unteren Elektrode des Kondensators mit einer darunterliegenden aktiven Schicht läuft; Anordnen der unteren Elektrode, die eine Zwischensperrschicht mit einer Iridium einschließenden Zusammensetzung einschließt, auf der Unterstruktur; Anordnen einer ferroelektrischen Schicht auf der unteren Elektrode derart, dass die Diffusion von Sauerstoff von der ferroelektrischen Schicht zum Kontaktstecker durch die Zwischensperrschicht gehemmt wird; Anordnen einer oberen Elektrode auf der ferroelektrischen Schicht; Anordnen einer ersten Hartmaske auf der oberen Elektrode, der darunterliegenden ferroelektrischen Schicht und der unteren Elektrode; Ätzen zum Mustern der oberen Elektrode unter Verwendung der ersten Hartmaske; Anordnen einer zusätzlichen aus Al₂O₃ zusammengesetzten Hartmaske auf den übrigen Teilen der ersten Hartmaske und auf der unteren Elektrode; und Sputterätzen zum Mustern der unteren Elektrode und der Sperrschicht derart, dass der Sputtereffekt im Wesentlichen alle Ablagerungen von den Seitenwänden der zusätzlichen Hartmaske entfernt.