DE1190499B - Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernseehempfaengern - Google Patents
Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von FernseehempfaengernInfo
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/04—Synchronising
- H04N5/12—Devices in which the synchronising signals are only operative if a phase difference occurs between synchronising and synchronised scanning devices, e.g. flywheel synchronising
- H04N5/126—Devices in which the synchronising signals are only operative if a phase difference occurs between synchronising and synchronised scanning devices, e.g. flywheel synchronising whereby the synchronisation signal indirectly commands a frequency generator
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Description
- Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernsehempfängern Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernsehempfängern, bei der der Sinusschwingkreis durch eine Transistorblindstufe mittels einer Nachstimmregelspannung nachgestimmt wird.
- In Fernsehempfängern mit Röhrenbestückung verwendet man heute weitgehend zur vollautomatischen Horizontal-Synchronisierung eine sogenannte Phasen-und Frequenz-Vergleichsschaltung. Eine derartige Schaltung erzeugt im synchronisierten Zustand eine Regelspannung, die von der Phasenabweichung zwischen der Oszillatorspannung und der Synchronisierspannung abhängig ist. Im nichtsynchronisierten Zustand erzeugt sie außerdem eine Regelspannung, die von der Frequenzdifferenz der beiden Signale abhängig ist. Diese Phasen- und Frequenz-Vergleichsschaltungen sind im allgemeinen relativ hochohmig, ihr Ausgangswiderstand beträgt beispielsweise etwa 1,5 bis 2,0 MQ.
- Um in transistorisierten bzw. in teilweise transistorisierten Geräten eine solche Schaltung anwenden zu können, wurden bisher zwei hintereinandergeschaltete Impedanzwandler angewendet, um mit dieser hochohmigen Regelspannung eine Blindstufe ansteuern zu können.
- Um den erheblichen Aufwand dieser bekannten Schaltung zu vermeiden, wird bei einer Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernsehempfängern durch eine Transistorblindstufe mittels einer Nachstimmregelspannung erfindungsgemäß vorgeschlagen, in das Netzwerk zur Phasendrehung des Ansteuerstromes der Transistorblindstufe eine Kapazitätsdiode zu legen, der die Nachstimmregelspannung zugeführt wird.
- Eine solche Kapazitätsdiode ist beispielsweise eine Siliziumdiode, die im Sperrbereich betrieben wird. Eine Kapazitätsdiode allein ist jedoch nicht in der Lage, den relativ niederohmigen Schwingkreis eines Zeilenoszillators nachzustimmen. Es wird deshalb vorgesehen, eine solche Siliziumdiode mit einer Blindstufe derart zu verbinden, daß die Nachstimmdiode innerhalb eines Netzwerkes zur Phasendrehung des Basisstromes des Blindstufentransistors Verwendung findet. Auf diese Weise kann die Nachstimmwirkung der Kapazitätsdiode erheblich, z. B. achtzigfach, vergrößert werden.
- Im folgenden sei die Erfindung an Hand der in den Zeichnungen wiedergegebenen Schaltungsbeispiele näher erläutert.
- F i g. 1 zeigt eine erfindungsgemäße Schaltung. Darin ist 1 der Sinusoszillator, 2 der Sinusschwingkreis, 3 der Blindstufentransistor, mit 4 ist die Kapazitätsdiode bezeichnet. Dieser Diode wird über den Widerstand 5 die Regelspannung zugeführt. Das andere Ende der Kapazitätsdiode ist über den Widerstand 6 mit Masse verbunden. über den Koppelkondensator 7 wird der Kapazitätsdiode die Sinusspannung des Schwingkreises 2 zugeführt. Das andere Ende der Kapazitätsdiode ist über den Koppelkondensator 8 mit der Basis des Blindstufentransistors verbunden. Die Kapazitätsdiode bewirkt in Verbindung mit dem Basis-Eingangswiderstand des Blindstufentransistors eine Phasendrehung der Kreis-Sinusspannung um etwa 90°. Der Ableitwiderstand 9 liegt dabei parallel zum Basis-Eingangswiderstand, so daß seine Größe für die Basis-Sinusspannung ebenfalls mitbestimmend ist. Die Basis des Blindstufentransistors liegt an einer einstellbaren Vorspannung. Selbstverständlich kann man auch hier, wie man es oft bei Transistorstufen anwendet, zum Ausgleich von Transistortoleranzen eine relativ große Vorspannung vorsehen und mit einem RC-Glied im Emitterstromkreis eine Arbeitspunktstabilisierung bewirken.
- Die F i g. 2 gibt ein etwas abgeändertes Ausführungsbeispiel der Schaltung der F i g. 1 wieder. Für die gleichen Teile sind die gleichen Bezugszeichen wie in F i g. 1 verwendet. Zur Nachstimmung von Schwingkreisen mit besonders niedriger Impedanz, z. B. bei zusätzlich als Sinusoszillator selbstschwingenden Zeilenendstufen, ist in der Schaltung der F i g. 2 zur weiteren Verstärkung des Blindstromes eine zusätzliche Verstärkerstufe 10 vorgesehen.
Claims (2)
- Patentansprüche: 1. Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernsehempfängern durch eine Transistorblindstufe mittels einer Nachstimmregelspannung, dadurch gekennzeichnet, daß im Netzwerk (7, 6, 4, 8, 9) zur Phasendrehung des Ansteuerstromes der Transistorblindstufe (3) eine Kapazitätsdigde , (4) liegt, der die Nachstimmregelspannung zugeführt wird.
- 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Nachstimmung von Schwingkreisen besonders niedriger Impedanz, z. B. bei zusätzlich als Sinusoszillator selbstschwingenden Zeilenendstufen, zwischen der Transistorblindstufe (3) und dem Sinusschwingkreis (2) eine Verstärkerstufe (10) vorgesehen ist.
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