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DE1170086B - Verfahren zur Herstellung eines mit Halogen dotierten Photohalbleiters mit geringer Alterungsneigung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines mit Halogen dotierten Photohalbleiters mit geringer Alterungsneigung

Info

Publication number
DE1170086B
DE1170086B DED32413A DED0032413A DE1170086B DE 1170086 B DE1170086 B DE 1170086B DE D32413 A DED32413 A DE D32413A DE D0032413 A DED0032413 A DE D0032413A DE 1170086 B DE1170086 B DE 1170086B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
halogen
production
age
semiconductor
doped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DED32413A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Karl-Wolfgang Boeer
Wolfgang Borchardt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Berlin Brandenburg Academy of Sciences and Humanities
Original Assignee
Berlin Brandenburg Academy of Sciences and Humanities
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Berlin Brandenburg Academy of Sciences and Humanities filed Critical Berlin Brandenburg Academy of Sciences and Humanities
Priority to DED32413A priority Critical patent/DE1170086B/de
Publication of DE1170086B publication Critical patent/DE1170086B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung eines mit Halogen dotierten Photohalbleiters mit geringer Alterungsneigung Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mit Halogen dotierten Photohalbleiters mit geringer Alterungsneigung.
  • Es ist bekannt, daß aus photohalbleitenden Substanzen hergestellte Photowiderstände einer Alterung unterliegen, die durch photochemische Reaktionen ausgelöst wird und von Zelle zu Zelle verschieden sein kann. Die Folge ist, daß ein großer Teil der hergestellten Photowiderstände wegen zu hoher Alterung nicht verwendet werden kann bzw. nach einer gewissen Zeit ausgewechselt werden muß, weil die charakteristischen Werte nicht mehr im geforderten Bereich liegen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Photohalbleiter mit geringer Alterungsneigung herzustellen. Erfindungsgemäß werden Photohalbleiter mit geringer Alterungsneigung hergestellt, indem als Dotierungssubstanz elementares Halogen verwendet wird. Dadurch werden die die Alterung bedingenden photochemischen Reaktionen verhindert und die gewünschte Konstanz der Betriebswerte gewährleistet.
  • An Hand eines Ausführungsbeispieles sei das Verfahren nach der Erfindung näher erläutert.
  • Mit Chlor dotierte CdS-Photowiderstände mit geringer Alterungsneigung werden unter Bedingungen bekannter Art mit elementarem Chlor dotiert. Die Kristalle zeigen nach einer derartigen Dotierung bis zu Betriebstemperaturen von 150° C keinerlei und bei höheren Temperaturen nur geringe Alterungserscheinungen. Die maximale Empfindlichkeitsänderung bei Temperaturen oberhalb 150° C überschreitet dabei nicht den Faktor 2,5.
  • Der Vorteil der mit elementaren Halogenatomen dotierten Photowiderstände zeigt sich darin, daß die Lebensdauer nicht mehr durch photochemische Reaktionen im Kristall bestimmt wird, sondern bei guter Kontaktierung praktisch unbegrenzt ist.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: Verfahren zur Herstellung eines mit Halogen dotierten Photohalbleiters mit geringer Alterungsneigung, dadurch gekennzeichnet, daß als Dotierungssubstanz elementares Halogen verwendet wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 868199, 915 718; Chemisches Zentralblatt (1959), S. 13/14; Physikalische Berichte (1958), S. 2250/2251; Physical Review (1958), S. 1040 bis 1049.
DED32413A 1960-01-23 1960-01-23 Verfahren zur Herstellung eines mit Halogen dotierten Photohalbleiters mit geringer Alterungsneigung Pending DE1170086B (de)

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DE1170086B true DE1170086B (de) 1964-05-14

Family

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Country Status (1)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE868199C (de) * 1951-05-05 1953-02-23 Fritz Dr Michelssen Lichtelektrisch empfindlicher Koerper
DE915718C (de) * 1930-11-22 1954-07-26 Siemens Ag Selbststromliefernde Fotozelle, bestehend aus einer zwischen zwei Elektroden angeordneten Halbleiterschicht

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE915718C (de) * 1930-11-22 1954-07-26 Siemens Ag Selbststromliefernde Fotozelle, bestehend aus einer zwischen zwei Elektroden angeordneten Halbleiterschicht
DE868199C (de) * 1951-05-05 1953-02-23 Fritz Dr Michelssen Lichtelektrisch empfindlicher Koerper

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