[go: up one dir, main page]

DE1035696B - Zweirichtungsverstaerker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren - Google Patents

Zweirichtungsverstaerker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren

Info

Publication number
DE1035696B
DE1035696B DED24662A DED0024662A DE1035696B DE 1035696 B DE1035696 B DE 1035696B DE D24662 A DED24662 A DE D24662A DE D0024662 A DED0024662 A DE D0024662A DE 1035696 B DE1035696 B DE 1035696B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
bidirectional amplifier
amplifier according
switching
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DED24662A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Helmut Salow
Otto Schulz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Deutsche Telekom AG
Original Assignee
Deutsche Telekom AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche Telekom AG filed Critical Deutsche Telekom AG
Priority to DED24662A priority Critical patent/DE1035696B/de
Publication of DE1035696B publication Critical patent/DE1035696B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/62Two-way amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Zweirichtungsverstärker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren Die Erfindung betrifft Zweirichtungsverstärker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren.
  • Es ist bereits bekannt, unter Verwendung von symmetrisch ausgebildeten Transistoren einen in zwei Richtungen arbeitenden Verstärker dadurch zu verwirklichen, daß die Speisestromversorgung durch eine Wechselspannungsquelle erfolgt, die in periodischer Folge eine Polaritätsumkehr der zwischen den beiden gleichen Elektroden und der Basis stehenden Spannungen, damit eine Umkehr der in den beiden Elektrodenzuleitungen fließenden Speiseströme und letztlich einen Richtungswechsel der Verstärkung bewirkt. Die bei Umkehr der Verstärkungsrichtung notwendigen verschiedenen Anpassungen der Eingangs-und Ausgangsimpedanzen an die jeweiligen Elektroden werden durch Halbleiterdioden in den Stromkreisen der Ein- und Ausgangselektroden erzielt. Bei dieser bekannten Anordnung wird die Speisewechselspannung über einen besonderen Transformator in den Verstärkerkreis eingespeist.
  • Es hat sich gezeigt, daß derartige mit einer Sinusförmigen Wechselspannung gespeiste Anordnungen dann schwierig auszuführen sind, wenn mehrere Transistorverstärkerstufen hintereinandergeschaltet werden sollen. Auch bei der einstufigen Anordnung bedeutet die zusätzliche Induktivität des Einspeisungstransformators in den beiden Elektrodenzuleitungen eine unerwünschte Begrenzung des Frequenzbereiches, ganz abgesehen von den erhöhten Anforderungen an die Symmetrie des Einspeisungstransformators. Bei der Verwendung einer Sinus-Wechselspannung ist außerdem eine gewisse Mindestamplitude in jeder Halbwelle notwendig, ehe eine Verstärkung möglich ist, d. h., von der an sich zur Verfügung stehenden Gesamtzeit wird nur ein Teil für die Übertragung ausgenutzt, die Umschaltzeit ist im Verhältnis zu der für die Verstärkung zur Verfügung stehenden Zeit außerordnetlich lang. Dies stellt den Hauptnachteil der bekannten Anordnung dar.
  • Da man mit Zweirichtungsverstärkern stets nur die hälfte der Umschaltfrequenz als höchste Nutzfrequenz übertragen kann, kommt es außerdem darauf an, eine möglichst hohe Umschaltfrequenz zu erreichen, um z. B. eine trägerfrequente Übertragung zu ermöglichen. Wenn aber, wie bei der bekannten Anordnung, bei jedem Polaritätswechsel eine längere Unterbrechung der Übertragung eintritt, ist eine Erhöhung der sinusförmigen Speisewechselspannung nicht mehr möglich.
  • Die Erfindung stellt sich nun die Aufgabe, einen auf dem Prinzip der Verstärkungsrichtungsumkehr durch Polaritätsumkehr der Betriebsspannung beruhenden Zweirichtungsverstärker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren anzugeben, der eine praktisch vollständige Ausnutzung der für die Verstärkung jeweils zur Verfügung stehenden Zeit, d. h. extrem kurze Umschaltzeiten und hohe Umschaltfrequenzen, ermöglicht. Weiter erlaubt die Anordnung gemäß der Erfindung den einfachen Aufbau auch mehrstufiger Verstärker ohne frequenzeinengende Schaltungselemente und ohne Verwendung eines Wechselspannungsgenerators und Einspeisungstransformators. Erst dadurch wird infolge der hohen Umschaltfrequenz eine trägerfrequente Übertragung möglich.
  • Dies geschieht nach der Erfindung dadurch, daß die Speisestromrichtung eines Verstärkungstransi= stors von der Lage des Arbeitspunktes eines Schalttransistors mit negativer Widerstandskennlinie abhängt. Dieser Schalttransistor liegt in Reihe mit einem ohmschen Widerstand derart an den Polen der Speisestromquelle, daß im hochohmigen Zustand des Schalttransistors der Strom z. B. von dem einen Pol der Stromquelle über den ohmschen Widerstand unmittelbar zu der einen Steuerelektrode des Verstärkungstransistors fließt. Nach Umspringen des Arbeitspunktes des Schalttransistors fließt in dessen niederohmigen Zustand der Strom in umgekehrter Richtung von der gleichen Steuerelektrode über den Schalttransistor unmittelbar zu dem anderen Pol der Stromquelle. Der Schalttransistor öffnet und schließt also durch das Umspringen seines Arbeitspunktes einen zweiten Stromweg für einen in umgekehrter Richtung verlaufenden Speisestrom, der eine Umkehrung der Verstärkungsrichtung mit sich bringt.
  • Nach einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung findet ein Schalttransistor rr.t sperrfreier am Kollektorpotential liegender Hilfselektrode Verwendung, über die ein Strom zur Basis fließt, der etwa das 10- bis 100fache des Sättigungsstroms eines normalen p-n-Übergangs beträgt. Derartige Schalttransistoren lassen Umschaltfrequenzen in der Größenordnung von einigen Megahertz zu, erlauben also eine extrem kurze Umschaltzeit, so daß sich ein praktisch rechteckförmiger Stromverlauf mit vernachiässigbar kleinen Umschaltzeiten ergibt.
  • Die Prinzipien der Erfindung lassen sich jedoch keineswegs nur bei Verwendung eines Flächentransistors mit sperrfrei kontaktierter Hilfselektrode anwenden: als Schalttransistor mit negativer Widerstandskennlinie im Sinne der vorliegenden Erfindung soll vielmehr jedes steuerbare Halbleiterelement mit negativer Widerstandskennlinie verstanden werden.
  • Zweckmäßigerweise wird man das Umspringen des Arbeitspunktes in periodischer Folge selbsttätig eintreten lassen und die Umschaltfrequenz durch die Zeitkonstante eines RC-Gliedes bestimmen.
  • An Stelle einer solchen Betriebsweise des Schalttransistors wird es in manchen Fällen von Vorteil sein, wenn das Umspringen des Arbeitspunktes erst durch ein äußeres Signal ausgelöst wird.
  • Um der Basis des Verstärkungstransistors für den Betrieb in beiden Richtungen jeweils die richtige Vorspannung zu geben, wird sie vorteilhaft an den Mittelpunkt eines aus zwei gegeneinandergeschalteten Dioden bestehenden Spannungsteilers gelegt, der an die beiden Zuleitungen für die Stromversorgung der Transistorstufe angeschlossen ist. Bei der Umkehr des Stromes wird durch die richtungsabhängigen Glieder die richtige Vorspannung der Basis für jede Betriebsrichtung gewährleistet. Zur Erzielung des jeweils günstigsten Arbeitspunktes für beide Betriebszustände des Verstärkungstransistors werden zweckmäßigerweise parallel oder in Serie zu den Dioden noch Symmetrierungswiderstände gelegt. Bei hoher Umschaltfrequenz ist es außerdem in manchen Fällen von Vorteil, parallel zu den Dioden des Spannungsteilers Kondensatoren zu schalten.
  • Gemäß einer weiteren zweckmäßigen Ausbildung der Erfindung werden für den Ein- und Ausgang der in beiden Richtungen steuerbaren Transistorverstärkerstufe jeweils zwei getrennte Übertrager verwendet. Die hochohmige Wicklung des jeweils im Eingangskreis liegenden Ausgangsübertragers wird durch stromrichtungsabhängige Elemente, die für die Sprechwechselströme vorgespannt sind, kurzgeschlossen, so daß die Primärwicklung dieses Übertragers durch die transformatorische Rückwirkung sehr niederohmig wird und sich eine Mithördämpfung ergibt. Dadurch wird die notwendige Anpassung für den jeweiligen Betriebszustand gewährleistet. Für die V orspannung genügt in vielen Fällen bereits der Spannungsabfall an der Übertragerwicklung. Die Vorspannung kann aber auch durch zusätzliche Spanungsteiler eingestellt werden.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung bereitet es keine Schwierigkeiten, mehrere in beiden Richtungen steuerbare Transistorstufen hintereinanderzuschalten. Dabei werden die Stromversorgungszuleitungen der nachfolgenden Stufen an die entsprechenden Stromversorgungspunkte der vorhergehenden Stufe angeschlossen. Die Ankopplung zwischen den Stufen erfolgt transformatorisch, ohne daß sich besondere Schwierigkeiten ergeben.
  • An Hand schematischer Darstellungen werden zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert.
  • In der Abb. 1 wird ein einstufiger Zweirichtungst erstärker, in der Abb. 2 ein zweistufiger Zweirichtungsverstärker als Ausführungsbeispiel angegeben. Beiden Ausführungsbeispielen ist die erfindungsgemäße Art der Stromversorgung gemeinsam. Für Schaltungselemente mit gleichen Aufgaben wurden in beiden Abbildungen gleiche Bezugszeichen gewählt.
  • In den Abbildungen stellt Ti einen Schalttransistor mit negativer Widerstandskennlinie dar, der eine sperrfrei kontaktierte Hilfselektrode H aufweist, die am Kollektorpotential liegt. Die Basis Bi des Schalttransistors wird in bekannter Weise über den Widerstand R2 vorgespannt. Das Umspringen seines Arbeitspunktes wird durch das Zeitkonstantenglied Ri C bestimmt, das in beiden Abbildungen verschieden. aber mit gleicher Wirkung angeschlossen ist. Der Emitter El des Schalttransistors liegt über das Zeitkonstantenglied an dem Minuspol der Batterie Ba. Der Kollektor K1 mit der Hilfselektrode H liegt über den Widerstand R3 am Pluspol der Batterie Ba.. Im gesperrten Zustand ist der Schalttransistor T1 hochohmig gegenüber dem Widerstand R3 im Kollektorkreis. In diesem Fall liegt der Pluspol der Batterie über den Widerstand R3, der Zweitwicklung des Übertragers ü1 und der Diode D3 an der Elektrode a des Verstärkungstransistors T2 (Abb. 1). Für diesen Betriebszustand liegt ferner die Anzapfung O der Batterie Ba als negativer Pol der Stromversorgung über die Zweitwicklungen der Übertrager Ü4 und Ü3 an der Elektrode b des Verstärkungstransistors. Die Diode D4 ist in Sperrichtung vorgespannt, so daß die Übertragerwicklung (%3 die Ausgangsimpedanz erhöht. Die Basis B2 des Transistors T2 ist einerseits über die Diode Dl niederohmig mit dem Pluspol und andererseits über die Diode D2 hochohmig mit der Anzapfung der Batterie verbunden. Es fließt also Strom vom Pluspol der Batterie über den Widerstand R3 und die Zweitwicklung des Übertragers C1 sowie über die in Flußrichtung betriebene und daher die hochohmige Wicklung Ü2 kurzschließende Diode D3 zu der Elektrode a des Transistors T2 und von dort über die Elektrode b und die Wicklungen (Y3 und Ü4 zum Punkt O der Batterie. Die Transistorstufe arbeitet jetzt als Verstärker in Richtung Üi-Ü3.
  • Wird durch Abbau der Ladung am Kondensator C des Zeitkonstantengliedes der Schalttransistor niedernhmig gegenüber dem Widerstand R3, so liegt jetzt der negative Pol der Batterie über Rr und die niederohmige Strecke El-K1 des Schalttransistors sowie über die Zweitwicklungen Ui und Ü2 an der Elektrode a des Verstärkungstransistors. Die Diode D3 ist jetzt in Sperrichtung betrieben, schließt also die hochohmige Wicklung Ü2 nicht kurz, so daß sich eine erhöhte Ausgangsimpedanz ergibt. An der Elektrode b liegt über D4 und die Zweitwicklung von Ü4 die jetzt gegeniil)er dem Minuspol der Batterie positivere Spannung der Anzapfung O. Die Diode D4 ist jetzt leitend und schließt daher die hochohmige Wicklung Ü3 kurz. Der Strom fließt nunmehr in umgekehrten Richtung durch den Transistor T2. Gleichzeitig ist die Basisvorspannung entsprechend geändert. Die Verstärkungsrichtung hat sich also umgekehrt; sie verläuft jetzt von Ü4 nach Ü2.
  • Wie die Abb. 2 zeigt, ist eine Erweiterung des einstufigen Verstärkers durch Hinzufügung weiterer in beiden Richtungen steuerbarer Transistorstufen ohne weiteres möglich, indem einfach die entspechenden Stromanschlußpunkte für die nachfolgende Stufe T3 mit den Speisestromanschlußpunkten der ersten Stufe T2 verbunden werden. Die Kopplung zwischen den beiden Stufen erfolgt in bekannter Weise transformatorisch (%'@, L-'6). R4 und R5 sind Symmetrierungswiderstände im Basisspannungsteiler.
  • Die Ausführungsform mit mehreren in beiden Richtungen steuerbaren Verstärkerstufen bietet ferner die Möglichkeit, einen Zweirichtungsverstärker auch mit nicht in beiden Richtungen gleich verstärkenden, also unsymmetrischen Transistoren aufzubauen. Dies geschieht vorteilhaft in der Weise, daß eine gerade Anzahl von Transistoren mit nicht symmetrischem Elektr odenaufbau derart hintereinandergeschaltet ist, daß auf einen Transistor mit großer Verstärkung ein solcher mit kleiner Verstärkung in derselben Richtung folgt. Bei Transistoren mit Emitter- und Kollektorelektrode wird man also z. B. in der ersten Stufe den Emitter und in der zweiten Stufe den Kollektor als Steuerelektrode verwenden. Der großen Verstärkung der ersten Stufe folgt die kleine Verstärkung der zweiten Stufe. In umgekehrter Richtung wird die zweite Stufe die größere Verstärkung aufweisen, da sie den Emitter als Steuerelektrode verwendet, während die erste Stufe durch die Steuerung über den Kollektor eine kleinere Verstärkung aufweist. Die Asvrmnetrie der verwendeten Transistoren wird also durch diese Hintereinanderschaltung in beiden Richtungen kompensiert.
  • Erfolgt die dauernde Umschaltung des Schalttransistors T1 nicht wie in beiden Abbildungen selbsttätig über ein Zeitkonstantenglied, sondern durch äußere Impulse, so ist es möglich, mittels eines entsprechenden Steuerimpulses den Verstärker jeweils nur in der einen oder anderen Richtung arbeiten zu lassen. Die Fernschaltung kann auch so ausgeführt werden, daß durch entsprechende Wahl der Impulse der Verstärker entweder in beiden Richtungen oder in einer jeweils gewünschten Richtung arbeitet. Diese Möglichkeit der Fernschaltung durch Impulse ist bee%onders bei unbemannten Verstärkerämtern von Vorteil.

Claims (11)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Zweirichtungsverstärker mit mindestens einem in beiden Richtungen steuerbaren Transistor in Basisschaltung, bei dem die Umkehr der Verstärkungsrichtung durch Änderung der Richtung der über die beiden vorzugsweise gleich ausgebildeten Steuerelektroden fließenden Speiseströme erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß die Speisestromrichtung des Verstärkungstransistors (T2, T3) von der Lage des Arbeitspunktes eines Schalttransistors (T1) mit negativer Widerstandskennlinie abhängt, der derart in Reihe mit einem ohmschen Widerstand (R3) an den Polen der Speisestromquelle (Ba) liegt, daß im hochohmigen Zustand des Schalttransistors der Strom z. B. von dem einen (-f-) Pol der Stromquelle über den ohmschen Widerstand (R3) unmittelbar zu der einen Steuerelektrode (a) des Verstärkungstransistors fließt, während nach selbsttätigem oder fremdgesteuertem Umspringen des Arbeitspunktes des Schalttransistors in dessen niederohmigem Zustand der Strom in umgekehrter Richtung von der gleichen Steuerelektrode (a) über den Schalttransistor unmittelbar zu dem anderen (-) Pol der Stromquelle fließt.
  2. 2. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schalttransistor mit sperrfreier am Kollektorpotential liegender Hilfselektrode Verwendung findet, über die ein Strom zur Basis fließt, der etwa das 10- bis 100fache des Sättigungsstroms eines normalen p-n-Übergangs beträgt.
  3. 3. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Umspringen des Arbeitspunktes des Schalttransistors in periodischer Folge selbsttätig eintritt und die Umschaltfrequenz durch die Zeitkonstante eines RC-Gliedes (R1, C) im Emitterkreis bestimmt wird.
  4. 4. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Umspringen des Arbeitspunktes des Schalttransistors durch ein von außen kommendes Signal ausgelöst wird.
  5. 5. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis (B2) des Verstärkungstransistors (T2) an dem Mittelpunkt eines aus zwei gegeneinander geschalteten Dioden (Dl, D2) bestehenden Spannungsteiler liegt, der an die beiden Zuleitungen für die Stromversorgung angeschlossen ist.
  6. 6. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß parallel oder in Serie zu den Dioden (Dl, D2) noch Symmetrierungswiderstände (R4, R5) liegen.
  7. 7. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu den Dioden (Dl, D2) Kondensatoren geschaltet sind. B.
  8. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für den Ein- und Ausgang der Verstärkerstufe (T2) jeweils zwei getrennte Übertrager verwendet sind und die hochohmige Wicklung des jeweils im Eingangskreis liegenden Ausgangsübertragers (Ü2, (13) durch stromrichtungsabhängige, für die Sprechwechselströme vorgespannte Elemente (D3, D4) kurzgeschlossen ist.
  9. 9. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden (D3, D4) über einen Spannungsteiler vorgespannt sind.
  10. 10. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Transistorverstärkerstufen hintereinandergeschaltet sind und die Zuführungen für die Stromversorgung der nachfolgenden Stufen an die der ersten Stufe angeschlossen sind.
  11. 11. Zweirichtungsverstärker nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß bei Transistoren mit nicht symmetrischem Elektrodenaufbau eine gerade Anzahl von Transistorstufen derart hintereinandergeschaltet ist, daß auf einen Transistor mit großer Verstärkung in einer Richtung ein solcher mit kleiner Verstärkung in der gleichen Richtung und umgekehrt folgt.
DED24662A 1957-01-11 1957-01-11 Zweirichtungsverstaerker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren Pending DE1035696B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DED24662A DE1035696B (de) 1957-01-11 1957-01-11 Zweirichtungsverstaerker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DED24662A DE1035696B (de) 1957-01-11 1957-01-11 Zweirichtungsverstaerker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1035696B true DE1035696B (de) 1958-08-07

Family

ID=7038259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DED24662A Pending DE1035696B (de) 1957-01-11 1957-01-11 Zweirichtungsverstaerker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1035696B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1151840B (de) 1961-03-02 1963-07-25 Licentia Gmbh Schutzschaltung fuer einen richtungsabhaengigen Gleichstromverstaerker

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1151840B (de) 1961-03-02 1963-07-25 Licentia Gmbh Schutzschaltung fuer einen richtungsabhaengigen Gleichstromverstaerker

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2338538B2 (de) Schaltungsanordnung zur geregelten Gleichstromversorgung
DE1537185B2 (de) Amplitudenfilter
DE1563200A1 (de) Steuereinrichtung zum An- und Abschalten eines Verbrauchers an eine Wechselstromquelle
DE1035696B (de) Zweirichtungsverstaerker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren
EP0048490B1 (de) Schaltungsanordnung zum Umsetzen eines binären Eingangssignals in ein Telegrafiersignal
DE2726006A1 (de) Hochspannungs-funktionsverstaerker- vorrichtung
DE830358C (de) Einrichtung zum Schutz von parallelgeschalteten Verstaerkerroehren gegen UEberlastung
DE2728945C3 (de) Halbleiter-Schalteinheit mit 4-Elektroden-PNPN-Schaltern
DE2132616B2 (de) Tastschaltung fuer die abgabe von fernschreibzeichen mit konstantem ausgangsstrom
DE2058753C3 (de) Bistabile, die Stromrichtung in einem Verbraucher umschaltende Kippschaltung
DE2647958A1 (de) Schaltungsanordnung fuer einen gegentakt-wechselrichter mit einer regeleinrichtung fuer den gegentakt
DE1513670C (de) Schaltungsanordnung zur Regelung eines durch einen Verbraucher fließenden elektrischen Stromes
DE1164501B (de) Schaltungsanordnung zum Betrieb eines Stellmotors fuer die pilotpegelgesteuerte Pegelregelung in Nachrichtenuebertragungssystemen
DE1563320C (de) Tunneldioden-Wechselrichter
DE1216356B (de) Selbsthaltender Magnetkernschalter
DE1957786C3 (de) Mefigleichrichterschaltung mit wenigstens einem Transistor
DE1931234A1 (de) Schaltungsanordnung zur Umwandlung einer Gleichspannung in eine Wechselspannung mit Transistoren
DE1287142B (de) Verstaerkerstufe mit veraenderbarer Verstaerkung
DE1077706B (de) Einrichtung zum Schalten und Steuern von Starkstromkreisen
DE3227103A1 (de) Chopper mit einer reihenschaltungsanordnung von elektronischen schaltern
DE2115454B1 (de) Schaltungsanordnung zur Steuerung des Ausgangspegels eines Modulators oder Verstärkers
DE2110165A1 (de) Einrichtung zur Umschaltung einer Last von einem Betriebs Tragerfrequenz generator auf einen Ersatz Trager frequenzgenerator
DE1211268B (de) Transistorstufe mit begrenztem Ausgangspegel
DE1052549B (de) Einrichtung zur Erzeugung einer konstanten Wechselspannung
DE1562007B2 (de) Schaltungsanordnung mit wenigstens zwei koppelelementen