DE1035696B

DE1035696B - Bi-directional amplifier with transistors that can be controlled in both directions

Info

Publication number: DE1035696B
Application number: DED24662A
Authority: DE
Inventors: Dr Helmut Salow; Otto Schulz
Original assignee: Deutsche Telekom AG
Current assignee: Deutsche Telekom AG
Priority date: 1957-01-11
Filing date: 1957-01-11
Publication date: 1958-08-07

Description

Zweirichtungsverstärker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren Die Erfindung betrifft Zweirichtungsverstärker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren.Bidirectional amplifier with transistors that can be controlled in both directions The invention relates to bidirectional amplifiers with controllable in both directions Transistors.

Es ist bereits bekannt, unter Verwendung von symmetrisch ausgebildeten Transistoren einen in zwei Richtungen arbeitenden Verstärker dadurch zu verwirklichen, daß die Speisestromversorgung durch eine Wechselspannungsquelle erfolgt, die in periodischer Folge eine Polaritätsumkehr der zwischen den beiden gleichen Elektroden und der Basis stehenden Spannungen, damit eine Umkehr der in den beiden Elektrodenzuleitungen fließenden Speiseströme und letztlich einen Richtungswechsel der Verstärkung bewirkt. Die bei Umkehr der Verstärkungsrichtung notwendigen verschiedenen Anpassungen der Eingangs-und Ausgangsimpedanzen an die jeweiligen Elektroden werden durch Halbleiterdioden in den Stromkreisen der Ein- und Ausgangselektroden erzielt. Bei dieser bekannten Anordnung wird die Speisewechselspannung über einen besonderen Transformator in den Verstärkerkreis eingespeist.It is already known to use symmetrically designed Transistors to realize an amplifier that works in two directions, that the power supply is carried out by an AC voltage source, which in periodic sequence a polarity reversal between the two same electrodes and the base voltages, thus a reversal of the two electrode leads flowing feed currents and ultimately causes a change in direction of the amplification. The various adjustments necessary when reversing the gain direction Input and output impedances to the respective electrodes are determined by semiconductor diodes achieved in the circuits of the input and output electrodes. With this well-known Arrangement, the AC supply voltage is via a special transformer in fed into the amplifier circuit.

Es hat sich gezeigt, daß derartige mit einer Sinusförmigen Wechselspannung gespeiste Anordnungen dann schwierig auszuführen sind, wenn mehrere Transistorverstärkerstufen hintereinandergeschaltet werden sollen. Auch bei der einstufigen Anordnung bedeutet die zusätzliche Induktivität des Einspeisungstransformators in den beiden Elektrodenzuleitungen eine unerwünschte Begrenzung des Frequenzbereiches, ganz abgesehen von den erhöhten Anforderungen an die Symmetrie des Einspeisungstransformators. Bei der Verwendung einer Sinus-Wechselspannung ist außerdem eine gewisse Mindestamplitude in jeder Halbwelle notwendig, ehe eine Verstärkung möglich ist, d. h., von der an sich zur Verfügung stehenden Gesamtzeit wird nur ein Teil für die Übertragung ausgenutzt, die Umschaltzeit ist im Verhältnis zu der für die Verstärkung zur Verfügung stehenden Zeit außerordnetlich lang. Dies stellt den Hauptnachteil der bekannten Anordnung dar.It has been shown that such with a sinusoidal alternating voltage fed arrangements are difficult to implement when there are several transistor amplifier stages should be connected in series. Also with the single-stage arrangement means the additional inductance of the feed transformer in the two electrode leads an undesirable limitation of the frequency range, quite apart from the increased Requirements for the symmetry of the infeed transformer. When using an alternating sinusoidal voltage is also a certain minimum amplitude in each Half-wave necessary before amplification is possible, d. h., from the per se to Only part of the total time available is used for the transfer, the switching time is in relation to that available for amplification Extraordinarily long time. This represents the main disadvantage of the known arrangement represent.

Da man mit Zweirichtungsverstärkern stets nur die hälfte der Umschaltfrequenz als höchste Nutzfrequenz übertragen kann, kommt es außerdem darauf an, eine möglichst hohe Umschaltfrequenz zu erreichen, um z. B. eine trägerfrequente Übertragung zu ermöglichen. Wenn aber, wie bei der bekannten Anordnung, bei jedem Polaritätswechsel eine längere Unterbrechung der Übertragung eintritt, ist eine Erhöhung der sinusförmigen Speisewechselspannung nicht mehr möglich.Since with bidirectional amplifiers you only ever get half the switching frequency can transmit as the highest useful frequency, it is also important to have a to achieve high switching frequency to z. B. a carrier-frequency transmission enable. But if, as with the known arrangement, with every change of polarity a prolonged interruption of the transmission occurs, is an increase in the sinusoidal AC supply voltage no longer possible.

Die Erfindung stellt sich nun die Aufgabe, einen auf dem Prinzip der Verstärkungsrichtungsumkehr durch Polaritätsumkehr der Betriebsspannung beruhenden Zweirichtungsverstärker mit in beiden Richtungen steuerbaren Transistoren anzugeben, der eine praktisch vollständige Ausnutzung der für die Verstärkung jeweils zur Verfügung stehenden Zeit, d. h. extrem kurze Umschaltzeiten und hohe Umschaltfrequenzen, ermöglicht. Weiter erlaubt die Anordnung gemäß der Erfindung den einfachen Aufbau auch mehrstufiger Verstärker ohne frequenzeinengende Schaltungselemente und ohne Verwendung eines Wechselspannungsgenerators und Einspeisungstransformators. Erst dadurch wird infolge der hohen Umschaltfrequenz eine trägerfrequente Übertragung möglich.The invention now has the task of being based on the principle of Reversal of gain direction based on polarity reversal of the operating voltage Specify bidirectional amplifiers with transistors controllable in both directions, of a practically complete utilization of the available for the amplification in each case standing time, d. H. extremely short switching times and high switching frequencies. Furthermore, the arrangement according to the invention allows the simple structure, even in multiple stages Amplifier without frequency-limiting circuit elements and without using one AC voltage generator and feed transformer. Only then will it result Carrier-frequency transmission is possible due to the high switching frequency.

Dies geschieht nach der Erfindung dadurch, daß die Speisestromrichtung eines Verstärkungstransi= stors von der Lage des Arbeitspunktes eines Schalttransistors mit negativer Widerstandskennlinie abhängt. Dieser Schalttransistor liegt in Reihe mit einem ohmschen Widerstand derart an den Polen der Speisestromquelle, daß im hochohmigen Zustand des Schalttransistors der Strom z. B. von dem einen Pol der Stromquelle über den ohmschen Widerstand unmittelbar zu der einen Steuerelektrode des Verstärkungstransistors fließt. Nach Umspringen des Arbeitspunktes des Schalttransistors fließt in dessen niederohmigen Zustand der Strom in umgekehrter Richtung von der gleichen Steuerelektrode über den Schalttransistor unmittelbar zu dem anderen Pol der Stromquelle. Der Schalttransistor öffnet und schließt also durch das Umspringen seines Arbeitspunktes einen zweiten Stromweg für einen in umgekehrter Richtung verlaufenden Speisestrom, der eine Umkehrung der Verstärkungsrichtung mit sich bringt.This is done according to the invention in that the feed current direction of an amplification transistor from the position of the operating point of a switching transistor with a negative resistance characteristic. This switching transistor is in series with an ohmic resistance at the poles of the supply current source that im high resistance state of the switching transistor the current z. B. from one pole of the Power source via the ohmic resistor directly to the one control electrode of the amplification transistor flows. After changing the operating point of the switching transistor In its low-resistance state, the current flows in the opposite direction from the same control electrode via the switching transistor directly to the other pole the power source. The switching transistor opens and closes by jumping over its working point a second current path for one running in the opposite direction Feed current that reverses the direction of amplification.

Nach einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung findet ein Schalttransistor rr.t sperrfreier am Kollektorpotential liegender Hilfselektrode Verwendung, über die ein Strom zur Basis fließt, der etwa das 10- bis 100fache des Sättigungsstroms eines normalen p-n-Übergangs beträgt. Derartige Schalttransistoren lassen Umschaltfrequenzen in der Größenordnung von einigen Megahertz zu, erlauben also eine extrem kurze Umschaltzeit, so daß sich ein praktisch rechteckförmiger Stromverlauf mit vernachiässigbar kleinen Umschaltzeiten ergibt.According to an expedient embodiment of the invention, there is a switching transistor rr.t non-blocking auxiliary electrode at the collector potential use, over which a current flows to the base, which is about 10 to 100 times the Saturation current of a normal p-n junction is. Such switching transistors allow switching frequencies on the order of a few megahertz so an extremely short switching time, so that a practically rectangular Current curve with negligibly small switching times results.

Die Prinzipien der Erfindung lassen sich jedoch keineswegs nur bei Verwendung eines Flächentransistors mit sperrfrei kontaktierter Hilfselektrode anwenden: als Schalttransistor mit negativer Widerstandskennlinie im Sinne der vorliegenden Erfindung soll vielmehr jedes steuerbare Halbleiterelement mit negativer Widerstandskennlinie verstanden werden.However, the principles of the invention are by no means confined to Use of a flat transistor with an auxiliary electrode with non-blocking contact: as a switching transistor with negative resistance characteristic in the sense of the present Rather, the invention is intended to be any controllable semiconductor element with a negative resistance characteristic be understood.

Zweckmäßigerweise wird man das Umspringen des Arbeitspunktes in periodischer Folge selbsttätig eintreten lassen und die Umschaltfrequenz durch die Zeitkonstante eines RC-Gliedes bestimmen.It is expedient to switch the operating point in a periodic manner Let the sequence occur automatically and the switching frequency through the time constant of an RC element.

An Stelle einer solchen Betriebsweise des Schalttransistors wird es in manchen Fällen von Vorteil sein, wenn das Umspringen des Arbeitspunktes erst durch ein äußeres Signal ausgelöst wird.Instead of such a mode of operation of the switching transistor, it becomes In some cases this can be an advantage if you only need to switch the operating point triggered by an external signal.

Um der Basis des Verstärkungstransistors für den Betrieb in beiden Richtungen jeweils die richtige Vorspannung zu geben, wird sie vorteilhaft an den Mittelpunkt eines aus zwei gegeneinandergeschalteten Dioden bestehenden Spannungsteilers gelegt, der an die beiden Zuleitungen für die Stromversorgung der Transistorstufe angeschlossen ist. Bei der Umkehr des Stromes wird durch die richtungsabhängigen Glieder die richtige Vorspannung der Basis für jede Betriebsrichtung gewährleistet. Zur Erzielung des jeweils günstigsten Arbeitspunktes für beide Betriebszustände des Verstärkungstransistors werden zweckmäßigerweise parallel oder in Serie zu den Dioden noch Symmetrierungswiderstände gelegt. Bei hoher Umschaltfrequenz ist es außerdem in manchen Fällen von Vorteil, parallel zu den Dioden des Spannungsteilers Kondensatoren zu schalten.To be the base of the amplifying transistor for operation in both Giving the correct preload in each direction will be beneficial to the Center point of a voltage divider consisting of two diodes connected against one another placed on the two leads for the power supply of the transistor stage connected. When the current is reversed, the direction-dependent Links ensure the correct pre-tensioning of the base for each operating direction. To achieve the most favorable operating point for both operating states of the amplification transistor are expediently parallel or in series with the Diodes still placed balancing resistors. If the switching frequency is high, it is also in some cases an advantage, parallel to the diodes of the voltage divider To switch capacitors.

Gemäß einer weiteren zweckmäßigen Ausbildung der Erfindung werden für den Ein- und Ausgang der in beiden Richtungen steuerbaren Transistorverstärkerstufe jeweils zwei getrennte Übertrager verwendet. Die hochohmige Wicklung des jeweils im Eingangskreis liegenden Ausgangsübertragers wird durch stromrichtungsabhängige Elemente, die für die Sprechwechselströme vorgespannt sind, kurzgeschlossen, so daß die Primärwicklung dieses Übertragers durch die transformatorische Rückwirkung sehr niederohmig wird und sich eine Mithördämpfung ergibt. Dadurch wird die notwendige Anpassung für den jeweiligen Betriebszustand gewährleistet. Für die V orspannung genügt in vielen Fällen bereits der Spannungsabfall an der Übertragerwicklung. Die Vorspannung kann aber auch durch zusätzliche Spanungsteiler eingestellt werden.According to a further expedient embodiment of the invention for the input and output of the transistor amplifier stage, which can be controlled in both directions two separate transformers are used in each case. The high-resistance winding of each The output transformer located in the input circuit is controlled by the direction of the current Elements that are biased for the alternating speech currents, short-circuited, so that the primary winding of this transformer by the transformer reaction becomes very low resistance and there is a hearing loss. This will make the necessary Adjustment for the respective operating status guaranteed. For the bias In many cases, the voltage drop on the transformer winding is sufficient. the The preload can also be adjusted using additional voltage dividers.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung bereitet es keine Schwierigkeiten, mehrere in beiden Richtungen steuerbare Transistorstufen hintereinanderzuschalten. Dabei werden die Stromversorgungszuleitungen der nachfolgenden Stufen an die entsprechenden Stromversorgungspunkte der vorhergehenden Stufe angeschlossen. Die Ankopplung zwischen den Stufen erfolgt transformatorisch, ohne daß sich besondere Schwierigkeiten ergeben.In a further embodiment of the invention, there are no difficulties to connect several transistor stages controllable in both directions in series. The power supply lines of the following stages are connected to the corresponding Power supply points of the previous stage connected. The coupling between the stages takes place in a transformational manner, without any particular difficulties.

An Hand schematischer Darstellungen werden zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert.Two exemplary embodiments are illustrated using schematic representations the invention explained in more detail.

In der Abb. 1 wird ein einstufiger Zweirichtungst erstärker, in der Abb. 2 ein zweistufiger Zweirichtungsverstärker als Ausführungsbeispiel angegeben. Beiden Ausführungsbeispielen ist die erfindungsgemäße Art der Stromversorgung gemeinsam. Für Schaltungselemente mit gleichen Aufgaben wurden in beiden Abbildungen gleiche Bezugszeichen gewählt.In Fig. 1, a single-stage bidirectional is strengthened in the Fig. 2 shows a two-stage bidirectional amplifier as an exemplary embodiment. The type of power supply according to the invention is common to both exemplary embodiments. For circuit elements with the same tasks, the same in both figures Reference symbol chosen.

In den Abbildungen stellt Ti einen Schalttransistor mit negativer Widerstandskennlinie dar, der eine sperrfrei kontaktierte Hilfselektrode H aufweist, die am Kollektorpotential liegt. Die Basis Bi des Schalttransistors wird in bekannter Weise über den Widerstand R2 vorgespannt. Das Umspringen seines Arbeitspunktes wird durch das Zeitkonstantenglied Ri C bestimmt, das in beiden Abbildungen verschieden. aber mit gleicher Wirkung angeschlossen ist. Der Emitter El des Schalttransistors liegt über das Zeitkonstantenglied an dem Minuspol der Batterie Ba. Der Kollektor K1 mit der Hilfselektrode H liegt über den Widerstand R3 am Pluspol der Batterie Ba.. Im gesperrten Zustand ist der Schalttransistor T1 hochohmig gegenüber dem Widerstand R3 im Kollektorkreis. In diesem Fall liegt der Pluspol der Batterie über den Widerstand R3, der Zweitwicklung des Übertragers ü1 und der Diode D3 an der Elektrode a des Verstärkungstransistors T2 (Abb. 1). Für diesen Betriebszustand liegt ferner die Anzapfung O der Batterie Ba als negativer Pol der Stromversorgung über die Zweitwicklungen der Übertrager Ü4 und Ü3 an der Elektrode b des Verstärkungstransistors. Die Diode D4 ist in Sperrichtung vorgespannt, so daß die Übertragerwicklung (%3 die Ausgangsimpedanz erhöht. Die Basis B2 des Transistors T2 ist einerseits über die Diode Dl niederohmig mit dem Pluspol und andererseits über die Diode D2 hochohmig mit der Anzapfung der Batterie verbunden. Es fließt also Strom vom Pluspol der Batterie über den Widerstand R3 und die Zweitwicklung des Übertragers C1 sowie über die in Flußrichtung betriebene und daher die hochohmige Wicklung Ü2 kurzschließende Diode D3 zu der Elektrode a des Transistors T2 und von dort über die Elektrode b und die Wicklungen (Y3 und Ü4 zum Punkt O der Batterie. Die Transistorstufe arbeitet jetzt als Verstärker in Richtung Üi-Ü3.In the figures, Ti represents a switching transistor with a negative resistance characteristic, which has an auxiliary electrode H with non-blocking contact and which is at the collector potential. The base Bi of the switching transistor is biased in a known manner via the resistor R2. The jump around its working point is determined by the time constant element Ri C, which is different in both figures. but is connected with the same effect. The emitter El of the switching transistor is connected to the negative pole of the battery Ba via the time constant element. The collector K1 with the auxiliary electrode H is connected to the positive pole of the battery Ba via the resistor R3. In the blocked state, the switching transistor T1 has a high resistance to the resistor R3 in the collector circuit. In this case, the positive pole of the battery is connected to the resistor R3, the second winding of the transformer ü1 and the diode D3 at the electrode a of the amplifying transistor T2 (Fig. 1). For this operating state, the tap O of the battery Ba is also located as the negative pole of the power supply via the second windings of the transformers Ü4 and Ü3 at the electrode b of the amplification transistor. The diode D4 is reverse biased so that the transformer winding (% 3 increases the output impedance. The base B2 of the transistor T2 is connected to the positive pole via the diode D1 with low resistance and, via the diode D2, with high resistance to the battery tap. Es So current flows from the positive pole of the battery via the resistor R3 and the second winding of the transformer C1 as well as via the diode D3 operated in the flow direction and therefore short-circuiting the high-resistance winding Ü2 to the electrode a of the transistor T2 and from there via the electrode b and the windings ( Y3 and Ü4 to point O of the battery. The transistor stage now works as an amplifier in the direction of Üi-Ü3.

Wird durch Abbau der Ladung am Kondensator C des Zeitkonstantengliedes der Schalttransistor niedernhmig gegenüber dem Widerstand R3, so liegt jetzt der negative Pol der Batterie über Rr und die niederohmige Strecke El-K1 des Schalttransistors sowie über die Zweitwicklungen Ui und Ü2 an der Elektrode a des Verstärkungstransistors. Die Diode D3 ist jetzt in Sperrichtung betrieben, schließt also die hochohmige Wicklung Ü2 nicht kurz, so daß sich eine erhöhte Ausgangsimpedanz ergibt. An der Elektrode b liegt über D4 und die Zweitwicklung von Ü4 die jetzt gegeniil)er dem Minuspol der Batterie positivere Spannung der Anzapfung O. Die Diode D4 ist jetzt leitend und schließt daher die hochohmige Wicklung Ü3 kurz. Der Strom fließt nunmehr in umgekehrten Richtung durch den Transistor T2. Gleichzeitig ist die Basisvorspannung entsprechend geändert. Die Verstärkungsrichtung hat sich also umgekehrt; sie verläuft jetzt von Ü4 nach Ü2.Is achieved by reducing the charge on capacitor C of the time constant element the switching transistor is low compared to the resistor R3, so is now the negative pole of the battery via Rr and the low-resistance path El-K1 of the switching transistor and via the second windings Ui and Ü2 at the electrode a of the amplification transistor. The diode D3 is now operated in the reverse direction, so it closes the high-resistance winding Ü2 not short, so that there is an increased output impedance. At the electrode b lies across D4 and the secondary winding of Ü4 which is now opposite to the negative pole of the battery, the more positive voltage of the tap O. The diode D4 is now conductive and therefore short-circuits the high-resistance winding Ü3. The current now flows in reverse direction through transistor T2. At the same time is the basic bias changed accordingly. The direction of amplification has thus been reversed; it runs now from Ü4 to Ü2.

Wie die Abb. 2 zeigt, ist eine Erweiterung des einstufigen Verstärkers durch Hinzufügung weiterer in beiden Richtungen steuerbarer Transistorstufen ohne weiteres möglich, indem einfach die entspechenden Stromanschlußpunkte für die nachfolgende Stufe T3 mit den Speisestromanschlußpunkten der ersten Stufe T2 verbunden werden. Die Kopplung zwischen den beiden Stufen erfolgt in bekannter Weise transformatorisch (%'@, L-'6). R4 und R5 sind Symmetrierungswiderstände im Basisspannungsteiler.As Fig. 2 shows, is an extension of the single-stage amplifier by adding further transistor stages controllable in both directions without further possible by simply selecting the appropriate power connection points for the following Stage T3 are connected to the supply current connection points of the first stage T2. The coupling between the two stages takes place in a known manner using a transformer (% '@, L-'6). R4 and R5 are balancing resistors in the base voltage divider.

Die Ausführungsform mit mehreren in beiden Richtungen steuerbaren Verstärkerstufen bietet ferner die Möglichkeit, einen Zweirichtungsverstärker auch mit nicht in beiden Richtungen gleich verstärkenden, also unsymmetrischen Transistoren aufzubauen. Dies geschieht vorteilhaft in der Weise, daß eine gerade Anzahl von Transistoren mit nicht symmetrischem Elektr odenaufbau derart hintereinandergeschaltet ist, daß auf einen Transistor mit großer Verstärkung ein solcher mit kleiner Verstärkung in derselben Richtung folgt. Bei Transistoren mit Emitter- und Kollektorelektrode wird man also z. B. in der ersten Stufe den Emitter und in der zweiten Stufe den Kollektor als Steuerelektrode verwenden. Der großen Verstärkung der ersten Stufe folgt die kleine Verstärkung der zweiten Stufe. In umgekehrter Richtung wird die zweite Stufe die größere Verstärkung aufweisen, da sie den Emitter als Steuerelektrode verwendet, während die erste Stufe durch die Steuerung über den Kollektor eine kleinere Verstärkung aufweist. Die Asvrmnetrie der verwendeten Transistoren wird also durch diese Hintereinanderschaltung in beiden Richtungen kompensiert.The embodiment with several controllable in both directions Amplifier stages also offers the option of a bidirectional amplifier as well with transistors that do not have the same amplification in both directions, that is, asymmetrical transistors build up. This is advantageously done in such a way that an even number of Transistors with non-symmetrical electrodes connected in series in this way is that on a transistor with large gain a transistor with small gain follows in the same direction. For transistors with emitter and collector electrodes will you z. B. in the first stage the emitter and in the second stage the Use the collector as a control electrode. The great reinforcement of the first stage the small gain of the second stage follows. In the opposite direction, the second stage have the greater gain, since they use the emitter as a control electrode used, while the first stage by controlling the collector a smaller one Has reinforcement. The asymmetry of the transistors used is thus through this series connection compensates in both directions.

Erfolgt die dauernde Umschaltung des Schalttransistors T1 nicht wie in beiden Abbildungen selbsttätig über ein Zeitkonstantenglied, sondern durch äußere Impulse, so ist es möglich, mittels eines entsprechenden Steuerimpulses den Verstärker jeweils nur in der einen oder anderen Richtung arbeiten zu lassen. Die Fernschaltung kann auch so ausgeführt werden, daß durch entsprechende Wahl der Impulse der Verstärker entweder in beiden Richtungen oder in einer jeweils gewünschten Richtung arbeitet. Diese Möglichkeit der Fernschaltung durch Impulse ist bee%onders bei unbemannten Verstärkerämtern von Vorteil.If the permanent switching of the switching transistor T1 does not take place as in both figures automatically via a time constant member, but rather through an external one Impulse, it is possible to control the amplifier by means of an appropriate control impulse to let work only in one direction or the other. The remote control can also be carried out in such a way that, by choosing the appropriate pulses, the amplifier works either in both directions or in either direction. This possibility of remote switching by means of impulses is more effective with unmanned vehicles Booster offices an advantage.

Claims

PATENT CLAIMS: 1. Bidirectional amplifier with at least one in both directions controllable transistor in common base, in which the reversal of the amplification direction is carried out by changing the direction of the feed currents flowing over the two preferably identically designed control electrodes, characterized in that the feed current direction of the amplification transistor (T2, T3 ) depends on the position of the operating point of a switching transistor (T1) with a negative resistance characteristic, which is so in series with an ohmic resistor (R3) at the poles of the supply current source (Ba) that in the high-resistance state of the switching transistor, the current z. B. flows from one (-f-) pole of the current source via the ohmic resistor (R3) directly to the one control electrode (a) of the amplification transistor, while after automatic or externally controlled switching of the operating point of the switching transistor in its low-resistance state, the current is reversed Direction flows from the same control electrode (a) via the switching transistor directly to the other (-) pole of the current source.

2. bidirectional amplifier according to claim 1, characterized in that that a switching transistor with non-blocking auxiliary electrode lying at the collector potential Is used, through which a current flows to the base, which is about 10 to 100 times of the saturation current of a normal p-n junction.

3. Bidirectional amplifier according to claims 1 and 2, characterized in that the switching of the operating point of the switching transistor occurs automatically in a periodic sequence and the switching frequency is determined by the time constant of an RC element (R1, C) in the emitter circuit.

4. bidirectional amplifier according to claim 1 and 2, characterized in that the Jump around the operating point of the switching transistor by an external one Signal is triggered.

5. bidirectional amplifier according to claim 1 or the following, characterized in that the base (B2) of the amplifying transistor (T2) on the Center of one of two diodes (Dl, D2) connected against one another Voltage divider is connected to the two supply lines for the power supply is.

6. bidirectional amplifier according to claim 5, characterized in that parallel or in series with the diodes (Dl, D2) there are also balancing resistors (R4, R5).

7. bidirectional amplifier according to claim 5, characterized in that parallel to the diodes (Dl, D2) capacitors are connected. B.

Bidirectional amplifier according to claim 1, characterized in that for the input and output of the amplifier stage (T2) two separate transformers are used and the high-resistance winding of the output transformer (Ü2, (13) located in the input circuit) by current-direction-dependent, for the alternating speech currents biased elements (D3, D4) is short-circuited.

9. bidirectional amplifier according to claim 8, characterized in that the diodes (D3, D4) are biased via a voltage divider.

10. Bidirectional amplifier according to claim 1 or following, characterized in that several transistor amplifier stages are connected in series and the supply lines for the power supply to the following Stages that are connected to the first stage.

11. Bidirectional amplifier after Claim 10, characterized in that in the case of transistors with non-symmetrical Electrode structure an even number of transistor stages connected in series in this way is that on a transistor with a large gain in one direction such a with a small gain in the same direction and vice versa.