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DE10313793A1 - Halbleiterbauelement mit MIM-Kondensatorstruktur und Herstellungsverfahren - Google Patents

Halbleiterbauelement mit MIM-Kondensatorstruktur und Herstellungsverfahren

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Publication number
DE10313793A1
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DE
Germany
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layer
dielectric
plate electrode
dielectric layer
electrode
Prior art date
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Ceased
Application number
DE10313793A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Sang-Hoon Park
Ki-Young Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE10313793A1 publication Critical patent/DE10313793A1/de
Ceased legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
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DE10313793A 2002-03-21 2003-03-20 Halbleiterbauelement mit MIM-Kondensatorstruktur und Herstellungsverfahren Ceased DE10313793A1 (de)

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