DE10258787A1 - Verfahren zum Herstellen eines selbstausgerichteten potenzialfreien Gates in einer Flashspeicherzelle - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines selbstausgerichteten potenzialfreien Gates in einer FlashspeicherzelleInfo
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Abstract
Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines selbstausgerichteten, potenzialfreien Gates in einer Flashspeicherzelle angegeben. Dabei wird auf einem Grabenisolierfilm (24) eine Deckschicht (26) hergestellt. Anschließend wird ein Ätzprozess ausgeführt, um den Grabenisolierfilm auf eine gewünschte Abmessung zu ätzen. Daher wird die Erzeugung einer Mulde im Grabenisolierfilm vermieden. Ferner kann der Abstand eines bei einem folgenden Prozess hergestellten potenzialfreien Gates zu anderen Bauteilen minimiert werden.
Description
- Die Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen eines selbstausgerichteten, potenzialfreien Gates in einer Flashspeicherzelle. Genauer gesagt, betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Grabenisolierfilms, bei dem die Erzeugung einer Mulde verhindert werden kann, wie sie entsteht, wenn ein selbstausgerichtetes, potenzialfreies Gate in einer Flashspeicherzelle hergestellt wird.
- Im Allgemeinen werden Flashspeicherzellen unter Verwendung einer Flachgrabenisolation (STI = Shallow Trench Isolation) als Bauelement-Isolierprozess hergestellt. Während des Isolierprozesses für ein potenzialfreies Gate unter Verwendung eines Maskierungsmusters ist die Wafergleichmäßigkeit wegen Variationen der kritischen Abmessung (CD = Critical Dimension) schlecht. Daher ist es schwierig, ein gleichmäßiges potenzialfreies Gate zu realisieren. Ferner existieren Probleme hinsichtlich Fehlern beim Programmieren und Löschen der Speicherzelle oder dergleichen als Ergebnis von Variationen des Kopplungsverhältnisses. Außerdem ist der Maskierungsprozess erschwert, wenn bei einem Design mit hoher Integration ein Zwischenraum unter 0,13 µm zu realisieren ist. So ist der Herstellprozess für eine Flashspeicherzelle, wobei es sich um einen wichtigen Faktor beim Realisieren eines gleichmäßigen potenzialfreien Gates handelt, erschwert.
- Wegen der obigen Gründe können Unterschiede im Kopplungsverhältnis schwerwiegend sein, wenn das potenzialfreie Gate nicht gleichmäßig hergestellt wird. So besteht beim Programmieren und Löschen einer Speicherzelle die Möglichkeit, dass ein Problem mit übermäßigem Löschen auftritt. Dies beeinflusst die Betriebseigenschaften des Bauteils nachträglich. Auch ist die Ausbeute des Erzeugnisses verringert, und die Kosten sind erhöht, da beim Maskierungsprozess erhöhte Kosten und geringere Ausbeuten auftreten. Außerdem treten Bauteilfehler oder dergleichen durch eine Mulde auf, wie sie bei STI und Tiefgrabenisolierung (DTI = Deep Trench Isolation) oder einem Prozess mit örtlicher Oxidation von Silicium mit Nitrid-Abstandsschicht (NS-LOCOS = Nitride-Spacer Local Oxidation of Silicon) entsteht. Bei einem hoch integrierten Flashbauteil ist es wesentlich, das Kopplungsverhältnis dadurch zu erhöhen, dass für eine Zelle gesorgt wird, in der keine Mulde auftritt.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines selbstausgerichteten, potenzialfreien Gates in einer Flashspeicherzelle zu schaffen, bei dem keine Mulde bei einem Grabenisolationsvorgang erzeugt wird.
- Diese Aufgabe ist durch die Verfahren gemäß den beigefügten unabhängigen Ansprüchen 1 und 6 gelöst.
- Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird auf dem Grabenisolierfilm eine Deckschicht hergestellt, und dann wird ein Reinigungsprozess ausgeführt, um den Grabenisolierfilm auf eine gewünschte Abmessung zu ätzen. Dadurch wird eine Mulde auf dem Grabenisolierfilm verhindert und Zwischenräume betreffend ein in einem anschließenden Prozess herzustellenden potenzialfreien Gates können minimiert werden. Außerdem wird das Kopplungsverhältnis zwischen dem potenzialfreien Gate und einem in einem anschließenden Prozess hergestellten Steuergate dadurch verbessert, dass die Höhe des Grabenisolierfilms dadurch vergrößert ist, dass die genannte Deckschicht auf ihm hergestellt wird.
- Die oben genannten Gesichtspunkte und andere Merkmale der offenbarten Verfahren werden in der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen erläutert.
- Die Fig. 1A bis 1K sind Schnittansichten selbstausgerichteter, potenzialfreier Gates in einer Flashspeicherzelle, und sie dienen zum Beschreiben eines Herstellverfahrens für das potenzialfreie Gate gemäß einer bevorzugten Ausführungsform sowie Variationen derselben.
- Gemäß der Fig. 1A wird ein Halbleitersubstrat 10 durch einen Vorbearbeitungs-Reinigungsprozess gereinigt. Danach werden ein Pufferoxidfilm 12 und ein Puffernitridfilm 14 sequenziell auf dem Halbleitersubstrat 10 hergestellt. Dabei wird der Vorbearbeitungs-Reinigungsprozess unter Verwendung verdünnter HF (DHF, typischerweise eine HF-Lösung, in der H2O mit einem Verhältnis von ungefähr 50 : 1 verdünnt ist) oder eines Pufferoxid-Ätzmittels (BOE = Buffer Oxide Etchant, wobei es sich um eine Lösung handelt, bei der HF und NH4F mit einem Verhältnis im Bereich von ungefähr 100 : 1 bis ungefähr 300 : 1 gemischt sind), ausgeführt.
- Ferner wird der Pufferoxidfilm 12 durch einen Trocken- oder Nassoxidationsprozess bei einer vorgegebenen Temperatur hergestellt, um Kristalldefekte zu beseitigen, oder mittels eines Oberflächenprozesses auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 10. Der Puffernitridfilm 14 wird durch einen Abscheidungsprozess unter Verwendung eines chemischen Dampfabscheideverfahrens bei niedrigem Druck (LP-CVD) mit einer Dicke von mindestens ungefähr 300 nm (1 nm = 10 Å) abgeschieden, um die Höhe eines in einem folgenden Prozessschritt herzustellenden Grabenisolierfilms zu vergrößern.
- Es wird nun auf die Fig. 1B Bezug genommen, gemäß der ein STI-Prozess unter Verwendung einer Isolationsmaske (ISO) an der gesamten Struktur ausgeführt wird, um einen vorgegebenen Teil des Halbleitersubstrats 10 einschließlich des Puffernitridfilms 14 und des Pufferoxidfilms 12 zu ätzen. Daher wird ein Graben 16 ausgebildet, durch den hindurch ein Teil des Halbleitersubstrats 10 freigelegt wird. Als Nächstes wird das Halbleitersubstrat 10 durch den Graben 16 in einen aktiven Bereich und einen inaktiven Bereich (d. h. einen Bereich" in dem der Graben ausgebildet ist) unterteilt. Dabei verfügt der Graben 16 über einen vorgegebenen Neigungswinkel α, und der Puffernitridfilm 14 zeigt ein beinahe vertikales Profil.
- Es wird nun auf die Fig. 1C Bezug genommen, gemäß der ein Trockenoxidationsprozess in Form eines Wandopfer(SAC = Sacrificial)-Oxidationsprozesses ausgeführt wird, um Silicium auf der Innenfläche des Grabens 16 aufzuwachsen, um auf dieser einen Opferoxidfilm 18 herzustellen. Zuvor kann, um den auf der Innenseite des Grabens 16 ausgebildeten natürlichen Oxidfilm zu beseitigen, ein Vorbearbeitungs-Reinigungsprozess unter Verwendung von HF oder BOE vor dem Wand-SAC-Oxidationsprozess ausgeführt werden.
- Es wird nun auf die Fig. 1D Bezug genommen, gemäß der der Opferoxidfilm 13 durch einen Reinigungsprozess unter Verwendung eines Ätzziels entfernt wird, das dieselbe Dicke wie der Opferoxidfilm 18 als Abscheidungsziel hat. Als Nächstes wird ein Wandoxidationsprozess ausgeführt, um den Boden des Grabens 16 abzurunden. So wird auf der Innenseite des Grabens 16 ein Wandoxidfilm 20 ausgebildet.
- Es wird nun auf die Fig. 1E Bezug genommen, gemäß der eine dünne Schicht eines Hochtemperaturoxids (HTO = High Temperature Oxide) 22 mit DCS (SiH2Cl2) als Grundkomponente auf der gesamten Struktur abgeschieden wird. Der HTO-Abscheidungsprozess wird bei hoher Temperatur ausgeführt, um so einen Auskleidungsoxidfilm 22 herzustellen. Dabei macht der HTO- Abscheidungsprozess die Textur des Auskleidungsoxidfilms 22 sehr fein, so dass die Ätzbeständigkeit erhöht ist. Um die Ausbildung einer während des STI-Prozesses erzeugten Mulde und das Auftreten eines Leckstroms zu verhindern, wird der HTO-Abscheidungsprozess bei einer Temperatur von mindestens 1000 °C ausgeführt.
- Nun wird auf die Fig. 1F Bezug genommen, gemäß der auf der gesamten Struktur ein HDP-Oxidfilm für einen Grabenisolierfilm hergestellt wird. Als Nächstes wird ein chemisch-mechanisches Polieren (CMP) ausgeführt, um einen Grabenisolierfilm 24 auszubilden, der den Graben 16 auffüllt. Dabei wird der HDP-Oxidfilm 24 für den Grabenisolierfilm durch einen Spaltfüllprozess hergestellt, so dass innerhalb des Grabens 16 kein Hohlraum erzeugt wird.
- Ferner wird das chemisch-mechanische Polieren (CMP) unter Verwendung des Puffernitridfilms 14 als Ätzstopper ausgeführt, bis dieser freigelegt ist. Danach wird ein Reinigungsprozess unter Verwendung von HF oder BOE ausgeführt, um Teile des Grabenisolierfilms 24 zu entfernen, die möglicherweise auf dem Puffernitridfilm 14 verblieben sind. So wird der Grabenisolierfilm 24 überätzt, so dass sich seine Oberseite unter dem Puffernitridfilm 14 befindet, wie dargestellt.
- Es wird nun auf die Fig. 1 G Bezug genommen, gemäß der ein Ätzprozess unter Verwendung des Pufferoxidfilms 12 als Ätzstopper ausgeführt wird, um den Puffernitridfilm 14 mit Ausnahme des Grabenisolierfilms 24 zu ätzen, bis der Pufferoxidfilm 12 freigelegt ist. Im Ergebnis wird an der Oberseite des Grabenisolierfilms 24 ein erster Überstand ausgebildet. Dabei liegt, obwohl die Abmessung des Grabenisolierfilms 24 mit dem ersten Überstand abhängig vom Integrationsgrad des Bauteils abhängen kann, eine erste Höhe H1 des Grabenisolierfilms 24 im Bereich von ungefähr 30 bis ungefähr 100 nm, und eine erste Weite W1 desselben liegt im Bereich von ungefähr 180 bis ungefähr 210 nm, wenn die 0,18 µm-Technologie angewandt wird.
- Es wird nun auf die Fig. 1H Bezug genommen, gemäß der ein Abscheidungsprozess unter Verwendung eines HDP-Oxidfilms ausgeführt wird, um auf der gesamten Struktur eine Deckschicht 26 herzustellen. Diese Deckschicht 26 wird durch den Abscheidungsprozess hergestellt, der gleichzeitig mit dem Abscheiden und dem Ätzen der Deckschicht erfolgt. Im Ergebnis wird dabei die Deckschicht 26 so hergestellt, dass das Verhältnis aus der Abscheidungsdicke eines ersten Teils A der Deckschicht 26 und der Dicke eines zweiten Teils B derselben im Bereich von ungefähr 3 : 1 bis ungefähr 10 : 1 liegt. Der erste Teil A befindet sich auf dem Pufferoxidfilm 12 und dem ersten Überstand des Grabenisolierfilms 24. Der zweite Teil B befindet sich auf einer äußeren Seitenwand des ersten Überstands des Grabenisolierfilms 24. Die Deckschicht 26wird mit einer Dicke im Bereich von ungefähr 30 bis ungefähr 80 nm, mit Zentrierung auf die Dicke des ersten Teils A hergestellt.
- Der Abscheidungsprozess zum Herstellen der Deckschicht 26 wird unter solchen Bedingungen hergestellt, dass die Temperatur innerhalb der Abscheidungsanlage im Bereich von ungefähr 300 bis ungefähr 450°C liegt, der Druck im Bereich von ungefähr 2,5 × 0,133 bis ungefähr 6,5 × 0,133 Pa (ungefähr 2,5 bis ungefähr 6,5 mTorr) liegt und Silan (SiH4), Sauerstoff und Argon mit Strömungsraten im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 200 sccm, von ungefähr 50 bis ungefähr 300 sccm bzw. von ungefähr 50 bis ungefähr 300 sccm in die Abscheidungsanlage eingeleitet werden. Ferner gehört es zum Abscheidungsprozess, eine Plasmaquelle-Leistung im Bereich von ungefähr 2 bis ungefähr 5 kW zuzuführen und gleichzeitig dem Halbleitersubstrat 10 eine Grundleistung im Bereich von ungefähr 2 bis ungefähr 5 kW zuzuführen, oder eine niedrige Leistung von ungefähr 0 W zuzuführen. Demgemäß kann das Ätzen eines dritten Teils C durch Argongas minimiert werden.
- Es ist bevorzugt, dass die Deckschicht beinahe vertikal ausgebildet wird, um das Ätzen des dritten Teils C zu minimieren. Wenn der dritte Teil während des Prozesses des Abscheidens der Deckschicht 26 überätzt wird, können bei einem anschließenden CMP-Prozess für die erste Polysiliciumschicht Probleme auftreten. Ferner wird durch eine Wechselvorspannung ein vorgegebener Teil des Grabenisolierfilms 24 geätzt. Demgemäß tritt der Effekt auf, dass ein geätzter Abschnitt neu auf dem aktiven Bereich abgeschieden wird. Daher ist es bevorzugt, dass die Wechselvorspannung minimiert wird oder sie während des Abscheideprozesses für die Deckschicht 26 nicht angelegt wird.
- Der Grund, weswegen der erste Teil A der Deckschicht 26mehrfach dicker als der zweite Teil B hergestellt wird, besteht darin, die erste Höhe H1 des ersten Überstands des Grabenisolierfilms 24 im Vergleich mit der Verringerung der ersten Weite W1 gegenüber den Werten bei einem anschließenden Ätzprozess zum Ätzen des Grabenisolierfilms 24 zu minimieren. Daher ist die Ätzrate in einem Abschnitt, in dem eine Mulde erzeugt wird (d. h. eine Grenze zwischen dem Pufferoxidfilm und dem Grabenisolierfilm), und im oberen Teil des Überstands des Grabenisolierfilms 24 minimiert. Demgemäß kann die Erzeugung einer Mulde maximal verhindert werden, und die Höhe der Oberseite des Überstands des Grabenisolierfilms 24 kann gleichzeitig maximal höher gehalten werden. Daher ist die Konaktfläche zwischen dem potenzialfreien Gate und dem Steuergate, das in einem folgenden Prozess hergestellt wird, vergrößert, wodurch das Kopplungsverhältnis verbessert ist. Ferner kann, da die Ätzrate der Seitenwand des Überstands des Grabenisolierfilms 24 auf den Maximalwert erhöht ist, der Abstand des in einem folgenden Prozess herzustellenden potenzialfreien Gates zu anderen Bauelementen verbessert werden.
- Es wird nun auf die Fig. 11 Bezug genommen, gemäß der ein Ätzprozess unter Verwendung von BOE oder HF ausgeführt wird und jedes Ätzziel auf die Abscheidungsdicke der Deckschicht 26 eingestellt wird, um den Pufferoxidfilm 12 und die Deckschicht 26 vollständig zu entfernen. Der erste Überstand des Grabenisolierfilms 24 wird auf eine vorgegebene Dicke abgeätzt, während der Pufferoxidfilm 12 und die Deckschicht 26 entfernt werden. So wird ein nippelformiger Grabenisolierfilm 24 ausgebildet. Dabei liegen eine zweite Höhe H2 und eine zweite Breite W2 des zweiten Überstands mit Nippelform im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 180 nm bzw. von ungefähr 50 bis ungefähr 120 nm.
- Wie oben angegeben, kann der erste Überstand des Grabenisolierfilms 24 dadurch auf eine gewünschte Abmessung geätzt werden, dass die Einstellung für den Ätzprozess betreffend das Ätzziel auf die Dicke der Deckschicht 26 eingestellt wird. Daher kann die Erzeugung einer Mulde im Grabenisolierfilm 24 verhindert werden, und es kann der Abstand zwischen in einem folgenden Prozess hergestellten potenzialfreien Gate minimiert werden.
- Als Nächstes wird ein vorgegebener Nass- oder Trockenoxidationsprozess für denjenigen Teil der Struktur ausgeführt, von dem der Pufferoxidfilm 12 entfernt wurde, um so einen Barriereoxidfilm (nicht dargestellt) herzustellen. Für die gesamte Struktur werden ein Wannen-Ionenimplantationsprozess und ein Schwellenspannungs-Ionenimplantationsprozess ausgeführt, um einen Wannenbereich (nicht dargestellt) und einen Fremdstoffbereich (nicht dargestellt) im aktiven Bereich des Halbleitersubstrats 10 auszubilden.
- Es wird nun auf die Fig. 1J Bezug genommen, gemäß der der Barriereoxidfilm entfernt wird. Es wird ein vorgegebener Abscheidungsprozess ausgeführt, um einen Tunneloxidfilm 28 mit einer Dicke im Bereich von ungefähr 5 bis ungefähr 10 nm herzustellen. Als Nächstes wird auf der gesamten Struktur eine erste Polysiliciumschicht für ein potenzialfreies Gate abgeschieden. Dann wird chemisch-mechanisches Polieren (CMP) unter Verwendung des Grabenisolierfilms 24 als Ätzstopper ausgeführt, um einen vorgegebenen Teil der ersten Polysiliciumschicht zu polieren. So wird ein durch den Grabenisolierfilm 24 isoliertes potenzialfreies Gate 30 erzeugt.
- Es wird nun auf die Fig. 1K Bezug genommen, gemäß der ein Ätzprozess unter Verwendung von HF oder BOE ausgeführt wird, um den zweiten Überstand des Grabenisolierfilms 24 zu entfernen, wie er sich zwischen den potenzialfreien Gates 30 befindet, wobei das Ätzziel im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 200 nm liegt.
- Als Nächstes wird ein dielektrischer Film 32 mit Oxid/Nitrid/Oxid(ONO)-Struktur oder Oxid/Nitrid/Oxid/Nitrid(ONON)- Struktur sowie eine zweite Polysiliciumschicht 34 für ein Steuergate sequenziell auf der gesamten Struktur abgeschieden. Dann werden der dielektrische Film 32 und die zweite Polysiliciumschicht 34 durch einen vorgegebenen Ätzprozess strukturiert, um so das Steuergate (nicht dargestellt) herzustellen.
- Wie oben angegeben, wird gemäß den offenbarten Verfahren auf einem Grabenisolierfilm eine Deckschicht hergestellt, und dann wird ein Ätzprozess ausgeführt, um den Grabenisolierfilm auf eine gewünschte Abmessung zu ätzen. Daher kann das offenbarte Verfahren die Erzeugung einer Mulde im Grabenisolierfilm verhindern und den Abstand eines bei einem folgenden Prozess hergestellten potenzialfreien Gates zu anderen Bauelementen minimieren.
- Ferner können durch das offenbarte Verfahren die Programmier- und Löscheigenschaften verbessert werden, da die Breite des potenzialfreien Gates durch Minimieren des Abstands desselben zu anderen Bauelementen erhöht werden kann. Ferner kann das Kopplungsverhältnis minimiert werden, da Schwankungen im potenzialfreien Gate verringert sind.
- Außerdem kann, gemäß den offenbarten Verfahren, da die Dicke des Grabenisolierfilms entsprechend der Deckschicht erhöht werden kann, während des CMP-Prozesses zum Herstellen des potenzialfreien Gates für CMP-Toleranz gesorgt werden.
Claims (13)
1. Verfahren zum Herstellen eines selbstausgerichteten,
potenzialfreien Gates in einer Flashspeicherzelle, mit den
folgenden Schritten:
1. Herstellen eines Grabens in einem Halbleitersubstrat (10);
2. Herstellen eines Grabenisolierfilms (24) mit einem ersten
Überstand im Graben, wobei der erste Überstand über eine
erste Breite und eine erste Höhe verfügt;
3. Herstellen einer Deckschicht (26) auf der gesamten
Struktur;
4. Herstellen eines zweiten, kleineren Überstands im
Grabenisolierfilm durch Ätzen der Deckschicht und eines Teils des
ersten Überstands, wobei der zweite Überstand über eine
zweite Breite und eine zweite Höhe verfügt, wobei die zweite
Breite kleiner als die erste Breite ist und die zweite Höhe
kleiner als die erste Höhe ist; und
5. Herstellen eines potenzialfreien Gates, das durch den
zweiten Überstand des Grabenisolierfilms isoliert ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
ein Teil der Deckschicht (26), der entsprechend einem
Randabschnitt des ersten Überstands hergestellt wird, im
Wesentlichen vertikal ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
die Dicke der Deckschicht (26) im Bereich von 30 bis
ungefähr 80 nm liegt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
der Ätzvorgang für die Deckschicht (26) und den ersten
Überstand zum Herstellen des zweiten Überstands unter Verwendung
von BOE oder HF ausgeführt wird und dabei ein Ätzziel
eingestellt wird, das die Maximaldicke der Deckschicht aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die
folgenden weiteren Schritte:
1. Herstellen eines Opferoxidfilms (18) auf der Innenseite
des Grabens, nachdem dieser hergestellt wird;
2. Entfernen des Opferoxidfilms;
3. Herstellen eines Wandoxidfilms auf der vom Opferoxidfilm
befreiten Innenseite des Grabens; und
4. Herstellen eines Auskleidungsoxidfilms auf dem
Wandoxidfilm.
6. Verfahren zum Herstellen eines selbstausgerichteten,
potenzialfreien Gates in einer Flashspeicherzelle, mit den
folgenden Verfahren:
1. Herstellen eines Pufferoxidfilms (12) und eines
Puffernitridfilms (14) auf einem Halbleitersubstrat (10);
2. Herstellen eines Grabens im Halbleitersubstrat durch Ätzen
eines Teils desselben, des Puffernitridfilms und des
Pufferoxidfilms;
3. Herstellen eines Opferoxidfilms (18) auf der Innenseite
des Grabens;
4. Entfernen des Opferoxidfilms;
5. Herstellen eines Wandoxidfilms auf der Innenseite des
Grabens;
6. Herstellen eines Auskleidungsoxidfilms auf der gesamten
Struktur;
7. Herstellen eines Grabenisolierfilms (24) auf dem
Auskleidungsoxidfilm;
8. Herstellen eines ersten Überstands des Grabenisolierfilms
durch Ausführen eines Prozesses mit chemisch-mechanischem
Polieren und durch Entfernen des Puffernitridfilms, wobei
der erste Überstand eine erste Breite und eine erste Höhe
aufweist;
9. Herstellen einer Deckschicht (26) auf der gesamten
Struktur;
10. Herstellen eines zweiten Überstands des Grabenisolierfilms
durch Ätzen der Deckschicht und eines Teils des ersten
Überstands, wobei der zweite Überstand eine zweite Breite und
eine zweite Höhe aufweist, wobei die zweite Breite kleiner
als die erste Breite ist und die zweite Höhe kleiner als die
erste Höhe ist;
11. Herstellen eines Tunneloxidfilms und eines durch den
zweiten Überstand des Grabenisolierfilms isolierten
potenzialfreien Gates;
12. Entfernen des zweiten Überstands des Grabenisolierfilms
und
13. Herstellen eines dielektrischen Films und eines
Steuergates.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 6, dadurch
gekennzeichnet, dass die Dicken aller Teile der Deckschicht (26) mit
Ausnahme von Teilen, die auf den beiden Seitenwänden des
ersten Überstands des Grabenisolierfilms (24) hergestellt
werden, im Bereich von ungefähr dem Drei- bis ungefähr dem
Zehnfachen dicker als die Dicke der Deckschicht auf den
beiden Seitenwänden des ersten Überstands des
Grabenisolierfilms ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 6, dadurch
gekennzeichnet, dass die Deckschicht (26) durch einen
Plasmaabscheidungsprozess hergestellt wird, der gleichzeitig während der
Abscheidung und des Ätzens der Deckschicht erfolgt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass
der Plasmaabscheidungsprozess mit einer Temperatur im
Bereich von ungefähr 300 bis ungefähr 450°C und einem Druck im
Bereich von ungefähr 2,5 × 0,133 bis ungefähr 6,5 × 0,133 Pa
(ungefähr 1,5 bis ungefähr 6,5 mTorr) ausgeführt wird,
nachdem Silan, Sauerstoff und Argon mit Strömungsraten im
Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 200 sccm, von ungefähr 50
bis ungefähr 300 sccm bzw. von ungefähr 50 bis ungefähr
300 sccm eingeleitet wurden.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass
es zum Plasmaprozess gehört, eine Grundleistung im Bereich
von ungefähr 0 bis ungefähr 5 kW zuzuführen.
11. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass
die maximale Dicke von Teilen der Deckschicht (26), die
nicht auf den Seitenwänden des ersten Überstands liegen, im
Bereich von ungefähr 30 bis ungefähr 80 nm liegt.
12. Verfahren nach Anspruch 1 oder 6, dadurch
gekennzeichnet, dass die Deckschicht (26) aus einem HDP-Oxidfilm
besteht.
13. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass
der Ätzprozess zum Herstellen des zweiten Überstands unter
Verwendung von BOE oder HF ausgeführt wird und ein Ätzziel
mit derselben Dicke eingestellt wird, wie sie diejenigen
Teile der Deckschicht (26) aufweisen, die sich nicht auf den
Seitenwänden des ersten Überstands befinden.
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