DE10250541B9

DE10250541B9 - Elektronisches Bauteil mit Unterfüllstoffen aus Thermoplasten und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE10250541B9
Application number: DE10250541A
Authority: DE
Inventors: Gerald Ofner; Christian Birzer; Stephan STÖCKL; Michael Bauer
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2002-10-29
Filing date: 2002-10-29
Publication date: 2004-09-16
Anticipated expiration: 2022-10-30
Also published as: WO2004040640A1; DE10250541B3; US20060088954A1; EP1556890A1; CN100449719C; JP4545591B2; KR100789349B1; JP2006504275A; KR20050050679A; CN1751386A

Abstract

Elektronisches Bauteil (1) mit Außenkontakten (10) und mit einem Halbleiterchip (2), der Flip-Chip-Kontakte (3) auf seiner aktiven Oberseite (4) aufweist, die auf Kontaktanschlußflächen (5) eines Umverdrahtungssubstrats (6) fixiert sind, wobei der durch die Flip-Chip-Kontakte (3) auftretende Zwischenraum (7) zwischen dem Umverdrahtungssubstrat (6) und dem Halbleiterchip (2) als einem Unterfüllstoff (9) einen Thermoplast (8) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasübergangstemperatur des Thermoplast (8), unterhalb der Schmelztemperatur eines Lötmaterials der Außenkontakte (10) liegt.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip, der Flip-Chip-Kontakte aufweist und auf einem Umverdrahtungssubstrat fixiert ist sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben.

Aus der US 2002/0027298 A1 ist es bekannt, einen Halbleiterchip auf einer Folie aufzubringen, aus welcher die Umverdrahtung hergestellt wird, wobei der Chip mit einem Thermoplast unterfüllt bzw. eingekapselt wird.

Des weiteren ist aus der US 5,918,113 bekannt, einen thermoplastischen Film auf eine Umverdrahtung aufzubringen, worauf der Chip mit einem erweichten Thermoplast plaziert wird.

Verschiedene Herstellverfahren mit thermoplastischen Unterfüllen sind aus der US 6,171,887 B1 , der EP 0 639 857 A1 sowie der WO 97/17727 bekannt.

Aus der US 2002/0030261 A1 ist es zudem für duroplastische Unterfüller bekannt, die Aufschmelztemperatur der Außen Kontakte geringer als die Chipkontakte zur Umverdrahtung zu halten.

Elektronische Bauteile mit Flip-Chip-Kontakten und einem Umverdrahtungssubstrat sind in einem Kunststoffgehäuse aus Duroplasten verpackt. Beim Anbringen von Außenkontakten auf Außenkontaktflächen des Umverdrahtungssubstrats derartiger elektronischer Bauteile oder beim Anlöten der fertigen Außenkontakte auf einen übergeordneten Schaltungsträger versagen unerwarteterweise einige dieser elektronischen Bauteile, obgleich vorher ihre Funktionstüchtigkeit bei Temperaturzyklen zwischen einer obersten Funktionsprüftemperatur von etwa plus 150°C und einer untersten Funktionsprüftemperatur von etwa minus 50°C erfolgreich getestet wurde.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauteil und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das die Zuverlässigkeit elektronischer Bauteile erhöht.

Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.

Erfindungsgemäß wird ein elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip geschaffen, der Flip-Chip-Kontakte auf seiner aktiven Oberseite aufweist, die auf Kontaktanschlussflächen eines Umverdrahtungssubstrats fixiert sind. Diese Fixierung kann mittels einer Lötverbindung und/oder mittels eines Leitklebers erfolgen. Der durch die Flip-Chip-Kontakte gebildete Zwischenraum zwischen dem Umverdrahtungssubstrat und dem Halbleiterchip weist als Unterfüllstoff einen Thermoplast auf. Die Glasübergangstemperatur dieses als Unterfüllstoff eingesetzten Thermoplasten liegt unterhalb der Schmelztemperatur des Lötmaterials der Außenkontakte des elektronischen Bauteils.

Ein derartiges Bauteil hat den Vorteil, dass beim Anlöten von Außenkontakten auf Außenkontaktflächen und beim Auflöten von Außenkontakten des elektronischen Bauteils auf übergeordnete Schaltungsträger die Ausfälle der elektronischen Bauteile vermindert sind. Mit dem Einfügen eines Thermoplasten, der bei Lötvorgängen im Bereich der Außenkontakte seine Glasübergangstemperatur überschreitet und erweicht und bei erreichen der Löttemperatur in einen schmelzflüssigen Zustand übergeht, wird erreicht, dass Belastungen, wie sie durch Dampfphasenbildungen bei duroplastischen Materialien als Kunststoffgehäusemasse auftreten, abgemildert werden. Der erweichte Thermoplast kann sich plastisch verformen und damit nachgeben ohne das Gefüge zwischen Flip-Chip-Kontakten des Halbleiterchips und Kontaktanschlussflächen auf einem Umverdrahtungssubstrat zu zerstören. Somit wird die Ausfallrate beim Auflöten von Außenkontakten oder beim Auflöten auf übergeordnete Schaltungsträger vermindert.

Die Glasübergangstemperatur und damit der Erweichungspunkt liegt jedoch in jedem Fall über der höchsten Funktionsprüftemperatur für elektronische Bauteile, die je nach Anwendungsgebiet zwischen 70 und 150°C liegen kann. Konsumerbauteile werden nicht so hart und damit bei einer geringeren höchsten Funktionsprüftemperatur getestet als kommerzielle Bauteile, wie elektronische Bauteile für die KFZ-Technik, die mit einer höchsten Funktionsprüftemperatur von 150° zyklisch beim Funktionstest belastet werden. Entsprechend höher ist dann auch die Glasübergangstemperatur für den als Unterfüllstoff vorgesehenen Thermoplast zuwählen.

Ein weiterer Vorteil dieses elektronischen Bauteils ist es, dass das Gehäuse nicht mehr vor jedem Lötprozess vorgetrocknet werden muss, um die Feuchte auszutreiben, da ein höherer Feuchtegrad mit der Verwendung eines Thermoplastes als Unterfüllstoff toleriert werden kann, ohne dass es zur Zerstörung des Gefüges oder der Struktur des Bauteils kommt.

Als Thermoplast kann einer der Stoffe der Gruppe Polyamid, Polyacetal, Polycarbonat, Polyethylen, Polypropylen, Polyethylenterephthalat oder Mischungen derselben eingesetzt werden. Insbesondere durch Mischen dieser Thermoplaste kann der erwünschte Erweichungstemperaturbereich und Schmelztemperaturbereich eingestellt werden. Damit wird sichergestellt, dass bei der höchsten Funktionsprüftemperatur der Thermoplast die gleiche Festigkeit aufweist wie bei Raumtemperatur, zumal erst darüber die die Glasübergangstemperatur für den Thermoplast erreicht wird.

Im Gegensatz zum Löten, bei dem ein elektronisches Bauteil nur partiell erwärmt wird und kritische Temperaturen lediglich partiell erreichen kann, werden die elektronischen Bauteile für den Funktionstest vollständig einer höchsten Funktionsprüftemperatur ausgesetzt, die bei 150°C liegen kann. Bei einer derartigen Temperatur soll der Thermoplast die gleiche Konsistenz und Festigkeit aufweisen wie bei Raumtemperatur. Erst bei der wesentlich höheren Löttemperatur der Außenkontakte, die 250°C erreichen kann, weist der Thermoplast als Unterfüllstoff eine plastische Nachgiebigkeit oder schmelzflüssige Eigenschaften auf, die es verhindern, dass die Komponenten des elektronischen Bauteils, insbesondere der Halbleiterchip, die Flip-Chip-Kontakte und die Kontaktanschlußflächen des Umverdrahtungssubstrat beschädigt oder zerstört oder ihre Verbindungen zueinander unterbrochen werden.

Eine Kunststoffgehäusepackung, in die der Halbleiterchip und die Flip-Chip-Kontakte eingepackt sind, kann einen Thermoplast mit gleicher Glasübergangstemperatur wie der Unterfüllstoff aufweisen. Dieses hat den Vorteil, dass die Kunststoffgehäusepackung und der Unterfüllstoff in einem einzigen Transfermoldschritt eingebracht werden können.

Vor dem Einbringen kann eine sichere Fixierung der Flip-Chip-Kontakte auf entsprechenden Kontaktanschlussflächen des Umverdrahtungssubstrats erfolgen, zumal bei dem erfindungsgemäßen Aufbau des elektronisches Bauteils das Gehäuse hergestellt werden kann, ohne dass der Halbleiterchip vor dem Verpacken mit seinen Flip-Chip-Kontakten durch eine Kunststoff-Folie oder eine Kunststoffschicht auf entsprechende Kontaktanschlussflächen des Umverdrahtungssubstrats gepresst werden muss.

Die Kunststoffgehäusepackung kann auch einen Thermoplast mit einer Glasübergangstemperatur aufweisen, der über der Schmelztemperatur des Lötmaterials der Außenkontakte liegt. In diesem Fall wird bei partieller Erreichung der Löttemperatur nur der bei niedrigerer Temperatur erweichende Thermoplast, der als Unterfüllstoff eingesetzt ist, erweichend oder schmelzflüssig nachgeben. Dieses plastische Nachgeben des Unterfüllstoffes reicht jedoch aus, um eine Beschädigung oder Zerstörung der Verbindungen zwischen Halbleiterchip und Umverdrahtungssubstrat zu verhindern. In diesem Fall sind zwei aufeinanderfolgende Transfermoldprozesse erforderlich, um die beiden unterschiedlichen Thermoplaste zunächst als Unterfüllstoff und dann als Kunststoffgehäusepackung aufzubringen.

Vorteilhafterweise kann der Thermoplast in einem Temperaturbereich zwischen 200°C und 220°C einen schmelzflüssigen Zustand aufweisen. In einem derartigen schmelzflüssigen Zustand ist der Thermoplast derart nachgebend, dass Belastungen durch Wasserdampfbildung ausgeglichen werden können. Darüber hinaus liegt dieser Temperaturbereich deutlich über einer höchsten Funktionsprüftemperatur und unterhalb einer Löttemperatur der Außenkontakte.

Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils weist nachfolgende Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein Umverdrahtungssubstrat mit Kontaktanschlussflächen auf seiner Oberseite und Außenkontaktflächen auf seiner Unterseite hergestellt. In dem Umverdrahtungssubstrat werden die Außenkontaktflächen auf der Unterseite über Durchkontakte und über Umverdrahtungsleitungen mit den Kontaktanschlussflächen auf der Oberseite des Umverdrahtungssubstrats verbunden. Außerdem wird ein Halbleiterchip in Flip-Chip-Technologie mit Flip-Chip-Kontakten auf seiner aktiven Oberseite hergestellt.

Stehen sowohl das Umverdrahtungssubstrat als auch der Halbleiterchip mit Flip-Chip-Kontakten zur Verfügung, so werden die Flip-Chip-Kontakte auf das Umverdrahtungssubstrat aufgebracht und elektrisch mit den Kontaktanschlussflächen verbunden. Abschließend kann der Zwischenraum zwischen der aktiven Oberseite des Halbleiterchips und der Oberseite des Umverdrahtungssubstrats mit einem Unterfüllstoff aus Thermoplast aufgefüllt werden.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass zum Auffüllen des Zwischenraums zwischen dem Halbleiterchip und dem Umverdrahtungssubstrat kein Duroplast eingesetzt wird, der insbesondere beim Auflöten von Außenkontakten oder beim Auflöten der Außenkontakte auf einen übergeordneten Schaltungsträger die Verbindung zwischen Halbleiterchip und Umverdrahtungssubstrat bei Auftreten von Feuchte beschädigen oder zerstören könnte.

Die Flip-Chip-Kontakte können vor dem Einbringen des Thermoplastes als Unterfüllstoff auf die Kontaktanschlussflächen des Umverdrahtungssubstrats gelötet werden oder mit einem Leitkleber fixiert werden. Da dieser Verfahrensschritt noch vor dem Einbringen des Unterfüllstoffes erfolgt, kann eine sichere, zuverlässige elektrische Verbindung über die Flip-Chip-Kontakte zu dem Umverdrahtungssubstrat und damit zu den Außenkontaktflächen des Umverdrahtungssubstrats geschaffen werden.

Der Unterfüllstoff kann bei entsprechender Erwärmung mittels Dispensionstechnik aufgebracht werden, so dass auf eine Hochdruckform verzichtet werden kann. Besteht die Kunststoffgehäusepackung aus dem gleichen Material wie der Unterfüllstoff, so kann gleichzeitig mit dem Unterfüllstoff die Kunststoffgehäusepackung verwirklicht werden. In diesem Fall ist es vorteilhaft, den Thermoplasten mittels Spritzgusstechnik aufzubringen, so dass ein Unterfüllen und ein Formen der Kunststoffgehäusepackung mit einem Schritt ausgeführt werden kann.

Vor dem Einbringen des Thermoplastes auf die Oberseite des Umverdrahtungssubstrats wird dieser auf eine Verarbeitungstemperatur oberhalb der höchsten Funktionsprüftemperatur und unterhalb der Schmelztemperatur des Lötmaterials für Außenkontakte erwärmt. Vorzugsweise ist es vorgesehen, den Thermoplasten vor dem Aufbringen auf die Umverdrahtungsstruktur auf Temperaturen zwischen 200 und 220°C zu erwärmen.

Die Erfindung wird nun mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines elektronischen Bauteils, das auf einem Schaltungsträger aufgebracht ist.

2 zeigt einen schematischen Querschnitt eines kritischen Abschnitts eines elektronischen Bauteils.

3 zeigt einen schematischen Querschnitt eines elektronischen Bauteils mit Kunststoffgehäusepackung, das auf einem Schaltungsträger aufgebracht ist.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines elektronischen Bauteils 1, das mit seinen Außenkontakten 10 auf einem Schaltungsträger 12 einer übergeordneten elektronischen Schaltung aufgebracht ist. Das elektronische Bauteil 1 besteht im wesentlichen aus zwei Hauptkomponenten, nämlich einem Halbleiterchip 2 und einem Umverdrahtungssubstrat 6.

Das Umverdrahtungssubstrat 6 weist im wesentlichen fünf Lagen auf. Ausgehend von seiner Oberseite 13 sind die fünf Lagen zur Unterseite 15 hin wie nachfolgend erläutert gestaffelt. Eine obere Lötstopplage 19, eine obere Umverdrahtungslage 20, eine elektrisch isolierende Kernplatte 21, eine untere Umverdrahtungslage 22 und eine untere Lötstopplage 23. Die untere Lötstopplage 23 bedeckt die Unterseite 15 des Umverdrahtungssubstrats 6 bis auf Außenkontaktflächen 13, auf denen Außenkontakte 10 in Form von Lotbällen aufgelötet sind. Die Außenkontaktflächen 14 gehören zur unteren Umverdrahtungslage 22, die mit der oberen Umverdrahtungslage 20 über Durchkontakte 16 elektrisch verbunden ist. Die obere Lötstopplage 19 lässt von der oberen Umverdrahtungslage 20 nur die Kontaktanschlußflächen 5 frei von Lötstopplack.

Der Halbleiterchip 2 weist eine aktive Oberseite 4 und eine passive Rückseite 24 auf. Auf der aktiven Oberseite 4 sind Kontaktflächen 18 angeordnet, die Flip-Chip-Kontakte 3 in Form von Lötbällen bzw. Bumps tragen. Die beiden Hauptkomponenten des elektronischen Bauteils 1 sind über die Flip-Chip-Kontakte 3 des Halbleiterchips 2 und die Kontaktanschlussflächen 5 der oberen Umverdrahtungslage 20 des Umverdrahtungssubstrats 6 elektrisch miteinander verbunden. Ein sich bildender Zwischenraum 7 zwischen der aktiven Oberseite 4 des Halbleiterchips 2 und der Oberseite 13 des Umverdrahtungssubstrats 6 ist mit einem Thermoplast 8 aufgefüllt.

Dieser Thermoplast 8 oder das Thermoplastgemisch weist eine Glasübergangstemperatur zwischen 155°C und 250°C auf. Die kritische Phase beim Zusammenbau eines derartigen elektronischen Bauteils 1 und beim Anbau eines derartigen elektronischen Bauteils 1 auf die Oberseite eines Schaltungsträgers 12 liegt beim Erwärmen auf Löttemperatur der Außenkontakte 10.

2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen kritischen Abschnitt eines elektronischen Bauteils 1. Dieser kritische Abschnitt ist der Zwischenraum 7 zwischen der akti ven Oberseite 4 des Halbleiterchips 2 und der Oberseite 13 des Umverdrahtungssubstrats 6. Dieser Zwischenraum weist eine feste Verbindung in Form von Flip-Chip-Kontakten 3 zwischen den Kontaktflächen 18 des Halbleiterchips 2 und Kontaktanschlussflächen 5 der oberen Umverdrahtungslage 20 des Umverdrahtungssubstrats 6 auf. Da Kunststoffe hygroskopisch sind, nehmen sie bei Zwischenlagerungen Feuchtigkeit auf.

Es können sich beim Auflöten von in 2 nicht gezeigten Außenkontakten des elektronischen Bauteils Dampfblasen 25 bilden und einen Druck auf die über die Flip-Chip-Kontakte 3 verbundenen Oberseiten von Umverdrahtungssubstrat 6 und Halbleiterchip 2 ausüben. Diesem Druck kann ein Unterfüllstoff 9 aus dem Thermoplast 8, der den Zwischenraum 7 auffüllt, nachgeben, zumal er im Bereich der Löttemperatur plastisch nachgiebig ist oder schmelzflüssig ist und somit die Belastung durch eine derartige Dampfblase 25 abschwächen kann.

Die Gefahr einer Trennung der elektrischen Verbindung der Flip-Chip-Kontakte 3 von den Kontaktanschlußflächen 5 des Umverdrahtungssubstrats 6 ist vermindert. Es bleibt vielmehr die elektrische Verbindung sowohl beim Anlöten der Außenkontakte an die Außenkontaktflächen, wie sie in 1 gezeigt werden, als auch beim Auflöten des elektronischen Bauteils auf einen Schaltungsträger erhalten.

3 zeigt einen schematischen Querschnitt eines elektronischen Bauteils 1 mit Kunststoffgehäusepackung 11, das auf einem Schaltungsträger 12 aufgebracht ist. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.

Der Unterschied dieses elektronischen Bauteils 1 gegenüber dem in 1 gezeigten Bauteil 1 besteht darin, dass die passive Rückseite des Halbleiterchips 2 nicht frei zugänglich ist wie in 1, sondern mit einer Kunststoffgehäusepakkung 11 bedeckt ist. Diese Kunststoffgehäusepackung 11 weist in dieser Ausführungsform der Erfindung nach 3 den gleichen Thermoplast 8 auf, aus dem bereits der Unterfüllstoff 9 gebildet ist. Der Unterfüllstoff 9 und die Kunststoffgehäusepackung 11 wurden in einem einzigen Transfermoldschritt aufgebracht. Um ein mögliches partielles Deformieren oder Anschmelzen der Kunststoffgehäusepackung 11 beim Löten zu vermeiden, kann die Kunststoffgehäusepackung 11 während des Lötvorgangs teilweise gekühlt werden.

1: elektronisches Bauteil
2: Halbleiterchip
3: Flip-Chip-Kontakte
4: aktive Oberseite
5: Kontaktanschlußflächen
6: Umverdrahtungssubstrat
7: Zwischenraum
8: Thermoplast
9: Unterfüllstoff
10: Außenkontakte
11: Kunststoffgehäusepackung
12: Schaltungsträger
13: Oberseite des Umverdrahtungssubstrats
14: Außenkontaktflächen
15: Unterseite des Umverdrahtungssubstrats
16: Durchkontakte
17: Umverdrahtungsleitungen
18: Kontaktflächen
19: obere Lötstopplage
20: obere Umverdrahtungslage
21: Kernplatte
22: untere Umverdrahtungslage
23: untere Lötstopplage
24: passive Rückseite des Halbleiterchips
25: Dampfblase

Claims

Elektronisches Bauteil (1) mit Außenkontakten (10) und mit einem Halbleiterchip (2), der Flip-Chip-Kontakte (3) auf seiner aktiven Oberseite (4) aufweist, die auf Kontaktanschlußflächen (5) eines Umverdrahtungssubstrats (6) fixiert sind, wobei der durch die Flip-Chip-Kontakte (3) auftretende Zwischenraum (7) zwischen dem Umverdrahtungssubstrat (6) und dem Halbleiterchip (2) als einem Unterfüllstoff (9) einen Thermoplast (8) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasübergangstemperatur des Thermoplast (8), unterhalb der Schmelztemperatur eines Lötmaterials der Außenkontakte (10) liegt.
Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Thermoplast (8) mindestens einen Stoff der Gruppe Polyamid, Polyacetal, Polycarbonat, Polyethylen, Polypropylen, Polyethylenterephthalat oder Mischungen derselben aufweist.
Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kunststoffgehäusepackung (11) des elektronischen Bauteils (1) einen Thermoplast (8) mit gleicher Glasübergangstemperatur wie der Unterfüllstoff (9) aufweist.
Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Thermoplast (8) in einem Temperaturbereich zwischen 200°C und 220°C einen schmelzflüssigen Zustand aufweist.
Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils, das folgende Verfahrensschritte aufweist: – Bereitstellen eines Umverdrahtungssubstrats (6) mit Kontaktanschlußflächen (5) auf seiner Oberseite (13) – Bereitstellen eines Halbleiterchips (1) in Flip-Chip-Technologie mit Flip-Chip-Kontakten (3) auf seiner aktiven Oberseite (4), – Aufbringen und elektrisches Verbinden der Flip-Chip-Kontakte (3) auf den Kontaktanschlußflächen (5) des Umverdrahtungssubstrats (6), – Auffüllen eines Zwischenraums (7) zwischen der aktiven Oberseite (4) des Halbleiterchips (2) und der Oberseite (13) des Umverdrahtungssubstrats (6) mit einem Unterfüllstoff (9), der einen Thermoplast (8) aufweist, dessen Glasübergangstemperatur unterhalb der Schmelztemperatur eines Lötmaterials von Außenkontakten (10) des elektronischen Bauteils (1) liegt.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Flip-Chip-Kontakte (3) auf die Kontaktanschlussflächen (5) vor einem Einbringen des Unterfüllstoffes (9) gelötet werden.
Verfahren nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass im wesentlichen gleichzeitig mit dem Einbringen des Unterfüllstoffes (9) eine Kunststoffgehäusepackung (11) aus gleichem Thermoplastmaterial zum Verpacken des Halbleiterchips (2) aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Thermoplast (8) vor dem Aufbringen auf das Umverdrahtungssubstrat (6) auf Temperaturen unterhalb der Schmelztemperatur des Lötmaterials für Außenkontakte (10) erwärmt und in einen schmelzflüssigen Zustand gebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Thermoplast (8) vor dem Aufbringen auf das Umverdrahtungssubstrat (6) auf Temperaturen zwischen 200° C und 220°C erwärmt und in einen schmelzflüssigen Zustand gebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Thermoplast (8) als Unterfüllstoff (9) mittels Dispensionstechnik oder Spritzgußtechnik aufgebracht wird.