[go: up one dir, main page]

DE1023081B - Bistabile Kippschaltung - Google Patents

Bistabile Kippschaltung

Info

Publication number
DE1023081B
DE1023081B DEI7786A DEI0007786A DE1023081B DE 1023081 B DE1023081 B DE 1023081B DE I7786 A DEI7786 A DE I7786A DE I0007786 A DEI0007786 A DE I0007786A DE 1023081 B DE1023081 B DE 1023081B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystal
crystal triode
pulse
potential
triode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI7786A
Other languages
English (en)
Inventor
Frederick Harry Bray
Ronald George
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB25326/52A external-priority patent/GB730892A/en
Priority claimed from GB32603/52A external-priority patent/GB730061A/en
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
Priority claimed from GB3361853A external-priority patent/GB763734A/en
Priority claimed from GB10034/54A external-priority patent/GB740056A/en
Publication of DE1023081B publication Critical patent/DE1023081B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F7/00—Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
    • G06F7/38—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation
    • G06F7/48—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation using non-contact-making devices, e.g. tube, solid state device; using unspecified devices
    • G06F7/50—Adding; Subtracting
    • G06F7/504—Adding; Subtracting in bit-serial fashion, i.e. having a single digit-handling circuit treating all denominations after each other
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F7/00—Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
    • G06F7/38—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation
    • G06F7/383—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation using magnetic or similar elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/411—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only
    • G11C11/4113—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only with at least one cell access to base or collector of at least one of said transistors, e.g. via access diodes, access transistors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
    • H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/64—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors having inductive loads
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K23/00—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
    • H03K23/002—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains using semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/30—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using a transformer for feedback, e.g. blocking oscillator
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L25/00—Baseband systems
    • H04L25/02—Details ; arrangements for supplying electrical power along data transmission lines
    • H04L25/20—Repeater circuits; Relay circuits
    • H04L25/24—Relay circuits using discharge tubes or semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04Q—SELECTING
    • H04Q1/00—Details of selecting apparatus or arrangements
    • H04Q1/18—Electrical details
    • H04Q1/30—Signalling arrangements; Manipulation of signalling currents
    • H04Q1/32—Signalling arrangements; Manipulation of signalling currents using trains of DC pulses
    • H04Q1/36—Pulse-correcting arrangements, e.g. for reducing effects due to interference
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2207/00—Indexing scheme relating to methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
    • G06F2207/38—Indexing scheme relating to groups G06F7/38 - G06F7/575
    • G06F2207/48—Indexing scheme relating to groups G06F7/48 - G06F7/575
    • G06F2207/4802—Special implementations
    • G06F2207/4806—Cascode or current mode logic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Analysis (AREA)
  • Pure & Applied Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Computational Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Mathematical Optimization (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Devices For Supply Of Signal Current (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Toys (AREA)
  • Mobile Radio Communication Systems (AREA)
  • Telephone Function (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung befaßt sich mit bistabilen Kippschaltungen mit zwei Kristalltrioden und mit aus derartigen Kippschaltungen aufgebauten elektrischen Zähleinrichtungen, die derart beschaltet sind, daß sie zwei stabile Zustände, d. h. einen gesperrten und einen leitenden Zustand, aufweisen un-d durch angelegte Impulse vom gesperrten in den leitenden Zustand gekippt werden können.
Bekannt ist eine bistabile Kippschaltung mit aus der Röhrentechnik bekanntem Aufbau, bei dem beispielsweise jeweils der Kollektor einer Triode mit der Basis der anderen Triode verbunden ist. Weiterhin sind Torschaltungen bekannt, die jedoch keine Hintereinanderschaltung zweier Stufen zeigen.
Erfindungsgemäß wird eine bistabile Kippschaltung mit zwei Kristalltrioden vorgeschlagen, die derart beschaltet sind, daß den beiden Kristalltrioden die gleichen Schaltelemente zugeordnet sind und daß eine Elektrode der einen Kristalltriode mit der entsprechenden Elektrode der anderen Kristalltriode derart verbunden ist, daß beim Kippen der einen Kristalltriode in den. leitenden Zustand die andere Kristalltriode, die gerade leitend ist, dadurch in den Sperrzustand zurückgekippt wird.
Eine derart aufgebaute bistabile Kippschaltung hat nun gegenüber den bekannten Anordnungen, einen wesentlichen Vorteil, nämlich den, daß die Kippstufen aus je zwei identisch gleich aufgebauten Kristalltriodenstufen bestehen, die z. B. von Kollektor zu Kollektor über einen Koppelkondensator miteinander verbunden sind.
Dies ergibt einen wesentlich vereinfachten- Aufbau, da die einzelnen Transistorstufen, mit den zugehörigen Schaltelementen vorverdrahtet und vergossen, auf Lager gehalten werden können. Es ergibt sich mit derart aufgebauten bistabilen Transistorkippstufen eine wesentliche Vereinfachung beim Aufbau von Zählketten.
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt das Schaltzeichen für den verwendeten Transistor;
Fig. 2 zeigt eine erste Ausführungsform gemäß der Erfindung;
Fig. 3 zeigt eine zweite Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 4 und 5 sind weitere Ausbildungen der Erfindung, und
Fig. 6 ist eine binäre Zähleinrichtung, die eine Mehrzahl von Kippschaltungen der in Fig. 3 gezeigten Art verwendet.
Zuerst wird dieAnordnung nach Fig. 1 beschrieben. Sie zeigt eine Kristalltriode, die durch ein. rechtwinkliges Dreieck dargestellt ist, dessen Hypotenuse Bistabile Kippschaltung
Anmelder:
International
Standard Electric Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
ίο Vertreter: Dipl.-Ing. H. Ciaessen, Patentanwalt,
Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 9. Oktober 1952
Frederick Harry Bray und Ronald George, Knight,
London,
sind als Erfinder genannt worden
den Kollektor, dessen senkrechte Seite den Emitter und dessen waagerechte Seite die Basis kennzeichnen. Diese drei Elektroden sind in der Fig. 1 mit C1 E und B gezeichnet. Wird eine Kristalltriode mit Stromverstärkung in einer Schaltung nach Fig. 1 benutzt, so treten zwei stabile Zustände auf, wobei, richtige Arbeitsbedingungen vorausgesetzt, der eine ein Zustand mit hohem Strom, der andere ein solcher mit geringem Strom ist.
Ist der Emitter, bezogen auf die Basis, genügend negativ vorgespannt, dann bleibt die Kristalltriode gesperrt. Wird die Emitterspannung jedoch durch eine positive Vorspannung erhöht, so wächst der Emitterbasisstrom an und gleichfalls der Kollektorbasisstrom. Sind die Stromverstärkung (das ist das Verhältnis Änderung des Kollektorbasisstromes zu der Änderung des Emitterbasisstromes) und die Emitter'basisspannung sowie der Emitterbasisstrom genügend groß, so steigt die Emitterbasisspannung weiter an. Dieser Spannungsanstieg entspricht einem positiven Rückkopplungseffekt, dessen Grund darin zu suchen ist, daß der Kollektorbasisstrom den Emitterbasisstrom übersteigt.
Diese positive Rückkopplung verursacht ihrerseits ein Anwachsen des Kollektorstrotnes, der seinerseits die Rückkopplung weiter erhöht; als Folge davon steigt der Kollektorstrom weiter an. Es tritt daher so lange eine wechselseitige Beeinflussung auf, bis der Teil der Triodenkennlinie, der eine Stromverstärkung zuläßt, durchlaufen ist. Wird jetzt das Potential Emitter-Basis an den Eingangsklemmen wieder auf
709 850/160
seinen ursprünglichen Wert gebracht, verbleibt die Kristalltriode in leitendem Zustand, da das effektive EmitterbasispO'tential durch den oben beschriebenen Rückkopplungseffekt groß ist.
Durch einen positiven Spannungsstoß wechselt somit die Kristalltriode von ihrem Sperrzustand in ihren leitenden Zustand. Der hohe Stromfluß durch die Triode hält sogar dann noch an, wenn der positive Spannungsstoß bereits abgeklungen ist, Wird jedoch das Potential an der Emittereingangsklemme vermindert, die Kristalltriode somit wieder in den Bereich der Stromverstärkung gebracht, so fällt der Kollektorstrom ebenfalls, und die Rückkopplung wird vermindert. Dieser Arbeitsvorgang setzt sich, wie für den umgekehrten Fall oben schon beschrieben, ebenfalls so lange fort, bis die Kristalltriode nach Durchlaufen des Stromverstärkungsbereichs den Sperrzustand erreicht hat. Als Folge eines anliegenden negativen Eingangspotentials kippt die Triode also schnell in ihre Sperrstellung um und verbleibt in dieser Stellung, auch wenn das negative Potential bereits abgeklungen ist. Jedesmal, wenn Spannungsstöße die Kristalltriode erreichen, arbeitet sie in einem Teil ihrer Kennlinie, der durch eine sehr geringe oder gar keine Stromverstärkung gekennzeichnet ist. In jedem Fall muß der angelegte Impuls groß genug sein, um die Kristalltriode in den Stromverstärkungsbereich ihrer Kennlinie, der sich zwischen den beiden Bereichen niedriger Verstärkung befindet, hinein zu steuern. In beiden Fällen ändern also Impulse geeigneter Polaritat, die jedoch zu klein sind, die Emitterbasisspannung in den Strombereich der Triodenkennlinie hinein zu steuern, die Arbeitsbedingungen der Kristalltriode nicht.
Der Widerstandswert im Basiskreis der Kristalltriode einschließlich des äußeren Basiswiderstandes ist ebenfalls von Bedeutung, da er innerhalb einer bestimmten Größenordnung für jede einzelne Kristalltriode liegen muß. Da aber die Werte, die ein gutes Arbeiten der Triode sicherstellen, für verschiedene Typen unterschiedlich sind, ist es notwendig, die optimale Dimensionierung des äußeren Basiswiderstandes experimentell zu ermitteln.
Fig. 2 zeigt nun eine bistabile Kippschaltung mit zwei Kristalltrioden CTA und CTB. Diese Trioden sind beide ähnlich, jedoch mit gewissen zusätzlichen Schaltmitteln, wie die Kristalltriode in Fig. 1, angeordnet. Die Verbindungen vom Emitter zu den Vorspannungsquellen enthalten die Begrenzungswiderstände R1 und R2. Diese nicht gezeigten Vorspannungsquellen sind derart, daß die feste Vorspannung, die am Emitter liegt, in der Größenordnung von 3 V negativ gegen Erde ist. Die Kollektoren sind über einen Kondensator Cj verbunden, und über die Kondensatoren C2 und C3 liegen die beiden Impulseingänge P1 und P* an den Basiselektroden der Kristalltrioden CTA 'bzw. CTB.
Angenommen, CTA sei leitend und CTB sei gesperrt. Ein negativer Impuls, der an P2 ankommt, gelangt über C3 an die Basiselektrode von CTB. Das ist in der Tat einem positiven Impuls am Emitter von CTB gleichwertig. Der Impuls erhöht die Emitterbasisspannung auf einen Punkt auf dem Teil der Kennlinie, der einer Stromverstärkung entspricht, so daß CTB in den leitenden Zustand gekippt wird.
Der verstärkte Strom, der durch den Widerstand R3 im Kollektorkreis fließt, erhöht die Kollektorspannung in positiver Richtung. Dadurch gelangt ein positiver Impuls über den Kondensator C1 an den Kollektor von CTA. Dieser Impuls verringert den Kollektorstrom von CTA in der Weise, daß die Kristalltriode CTA rasch gesperrt wird und in ihren nichtleitenden Zustand kippt.
In gleicher Weise wird ein negativer Impuls an P1 den Kreis in seine Ausgangslage zurückbringen, in der CTA leitend und CTB gesperrt ist.
Ist die Dauer des Impulses, der an der Basis der Kristalltriode liegt, ausreichend klein, verglichen mit der Zeit, die der Impuls, der vom Kollektor ausgeht, zu seiner Entstehung benötigt, dann können beide Trioden zusammen angestoßen werden, wenn ein sogenanntes binäres Paar vorliegt. In diesem Fall wird der negative Impuls an der leitenden Triode nur eine geringfügige Veränderung verursachen, während der an der gesperrten Triode anliegende Impuls diese in den leitenden Zustand kippen wird. Weiterhin wird das positive Kollektorimpulspotential, das entsteht, wenn die gesperrte Triode gekippt wird, immer noch vorhanden sein, wenn der Arbeitsimpuls bereits beendet ist, was auf die durch den Zeitkonstantenkreis mit dem Kondensator C1 hervorgerufene Verzögerung zurückzuführen ist. Die ursprünglich leitende Triode wird deshalb gesperrt.
Im Normalbetrieb sind die negativen Impulse am Eingang relativ lang oder von unbestimmter Länge, so daß die Gefahr besteht, daß beide Elemente des binären Paares in die leitende Stellung übergehen. Um diese Schwierigkeit zu beheben, werden die ankommenden Impulse differenziert. Aus der Hinterkante des negativen Eingangsimpulses entsteht durch diese Differentiation ein kurzer positiver Impuls, der unterdrückt wird. Ein binäres Paar dieser Art kann natürlich ebenso durch positive Impulse gekippt werden, wobei der an der Vorderflanke entstehende positive Impuls unterdrückt wird, während der an der Hinterflanke entstehende negative Impuls verwendet wird.
Man könnte ebenso die das Hin- und Herkippen bewirkende Verbindung zwischen den Kristalltrioden dadurch herstellen, daß man einen gemeinsamen Kollektorwiderstand für die Trioden CTA und CTB verwendet.
Fig. 3 zeigt ein binäres Paar, bei dem die Eingangsklemme P an den Basen der Kristalltrioden CTC und CTD über Differenzierkreisen liegt. Jeder dieser Kreise enthält einen Gleichrichter MR1 bzw. MR2, zwei Widerstände R5, R6 bzw. R7 und R8 und einen Kondensator C5 bzw. C6. Angenommen, CTD sei leitend und CTC sei gesperrt. Beim Auftreten des nächsten negativen Impulses gelangt mit der Vorderflanke des Impulses ein negatives Potential über C5, R5 und R6 an die Triode. Daher liegt an der Basis von CTC ein größeres negatives Potential. Der ankommende Impuls lädt den Kondensator C- auf ein Potential auf, das dem ursprünglichen Signalpotential entspricht. Auf diese Weise liegt ein aus der Vorderkante eines Impulses entstandener kurzer negathrer Impuls an der Basis von CTC. Auf gleiche Weise gelangt ein kurzer Impuls an die Basis von CTD, bleibt jedoch so gut wie wirkungslos, da CTD leitend ist. Der an CTC anliegende Impuls kippt diese Triode in ihre leitende Stellung, wodurch ein positiver Impuls über C10 an den Kollektor von CTD gelangt. CTD wird gesperrt, und das am Kollektor von CTD liegende Potential ist, durch die Verzögerung beim Laden des Kondensators C10 verursacht, positiv, nachdem der kurze Impuls, der durch die Differentiation entstanden ist, beendet ist. Am Ende des Arbeitsimpulses würde an sich durch Differentiation ein schmaler positiver Impuls entstehen, was jedoch durch MR1 und MR2 ver-
hindert wird. Während der Impulsdauer entlädt sich der Kondensator C5 über R6. Daher wird jeder Eingangsimpuls differenziert, es entsteht ein kurzer negativer Impuls, gefolgt von einem kurzen positiven Impuls, der unterdrückt wird, während der erstgenannte die Stufe kippt. Wie bereits oben ausgeführt, ist ein positiver Impuls ebenso in der Lage, die Stufen zu kippen.
Die Schaltung nach Fig. 3 verwendet eine Kristalltriode eines speziellen Typs (LS 737 RS), und das negative Potential beträgt 30 V. Die Werte der Schaltelemente, die in der Schaltung tatsächlich verwendet worden sind, werden wie folgt angegeben.
R. = R8 = R9 = R10 = 700 Ohm
R0 = R7 = 47 000 Ohm Rn = R1O = 470 Ohm
^1S = ^14 = 100 Ohm
C- =CR = 0,01 Mikrofarad
10
0,1 Mikrofarad
Da» feste Emitterpotential ist —3,75 V.
Die Schaltung nach Fig. 4 ist der Schaltung nach Fig. 3 ähnlich, jedoch mit der Ausnahme, daß der Koppelkondensator C12 die Basiselektroden der Kristalltrioden CTL und CTM miteinander verbindet. Angenommen, CTL sei leitend, d. h. im Kollektorkreis fließe ein hoher Strom.
Auf die Vorderflanke eines negativen Impulses an P2 hin geht die Kristalltriode CTM in ihren leitenden Zustand über, CTL ist jedoch bis dahin noch unbeeinflußt, so daß jetzt beide Kristalltrioden in ihrem leitenden Zustand sind. Aus der Rüdcflanke des Impulses entsteht unter der gemeinsamen Wirkung von C12 und dem Basiswiderstand von CTL durch Differentiation ein positiver Impuls. Dieser positive Impuls kippt CTL in ihren Sperrzustand. Die Rückflanke des Impulses bleibt ohne Wirkung auf CTM, da ihr Emittefbasispotential, das auf die Rückkopplung zurückgeht, dieses Potential wirkungslos macht. Ein negativer Impuls wird, wenn CTL gesperrt ist, sicher in gleicher Weise die Stufe kippen.
Die Wirkung eines negativen Impulses an der Basiselektrode einer Kristalltriode, die gesperrt ist, ist also derart, daß auf die Vorderflanke eines Impulses hin die Kristalltriode in ihren leitenden Zustand gekippt wird. Das heißt, für die Dauer des Impulses sind beide Kristalltrioden in ihrem leitenden Zustand. Auf die Rückflanke des Impulses hin wird die Kristalltriode, die vor Ankunft des Impulses leitend war, in ihren gesperrten Zustand zurückgekippt.
Diese Ausführungsform einer Flip-Flop-Schaltung ist jedoch als binäres Paar nicht zu verwenden,
Eine andere Möglichkeit, eine basisgekoppelte Kippschaltung aufzubauen, besteht darin, die Basiselektrode durch einen Impulstransformator zu verbinden und positive Impulse an die Emitterelektroden anzulegen.
In der Schaltung nach Fig. 5 ist gezeigt, daß die Emitterelektroden der Kristalltrioden durch einen Kondensator C13 verbunden sind. Die Widerstände A18 und R19 werden etwas größer gewählt, als notwendig wäre, wenn sie lediglich als Strombegrenzer zu arbeiten hätten. Dabei wird die Annahme gemacht, das CTN zu Beginn leitend ist.
Wenn ein negativer Impuls an P2 auftritt, wird, wie üblich, CTO in ihren leitenden Zustand übergeführt. Als Folge davon fließt ein erhöhter Emitterstrom. Daher entsteht jedoch am Widerstand R19 ein verhältnismäßig großer Spannungsabfall, der verursacht, das äußere Emitterpotential mehr ins Negative zu verschieben, da ein Emitterstrom vom Emitter zur Basis fließt. Auf diese Weise entsteht ein negatives Potential, das über den Kondensator C13 an die Emitterelektrode der anderen Kristalltriode angelegt wird, die daraufhin in ihren gesperrten Zustand übergeht.
Die Tatsache, daß der Stromfluß im Emitterkreis benötigt wird, um eine verhältnismäßig große, ins Negative gehende Spanimngsanderung zu bewirken, bedingt, daß R19 und auch R18 höhere Widerstandswerte besitzen müssen, als notwendig wäre, wenn sie nur zur Strombegrenzung verwendet würden. Die Spannungsänderung, die auf diese Weise entsteht, darf nicht mit der Veränderung des effektiven Emitterbasispotentials verwechselt werden, das bereits in Verbindung mit Fig. 1 beschrieben wurde.
Fig. 6 zeigt eine mehrstufige binäre Zähleinrichtung, die drei Stufen, die wie in Fig. 3 geschaltet sind, verwendet. Aufeinanderfolgende Stufen sind dabei durch ein Impulsformnetzwerk verbunden, das aus einem Begrenzerverstärker besteht. Dies ist eine Kristalltriode, deren Emitter an derselben Anzapfung der Vorbelastung R20, R21 der rechten Triode CTF der ersten Stufe angeschlossen ist.
Wird CTF in ihren leitenden Zustand gekippt, wie bereits beschrieben, verursacht die innere positive Rückkopplung ein Ansteigen des Emitterpotentials von CTF. Auf diese Weise wird ein ins Positive anwachsendes Potential an den Emitter von CTCA angelegt, so daß der Strom im Kollektorkreis von CTCA ansteigt. Daher wird die Kollektorspannung von CTCA positiv, so daß ein positives Potential an die nächste Stufe angelegt wird. Dies bleibt jedoch wirkungslos. Wird CTE jedoch wieder betätigt, dann fällt das Emitterpotential von CTF und damit von CTCA, der Stromfluß durch CTCA wird auf seinen ursprünglichen Wert verringert. Somit wird ein negatives Potential an die nächste Stufe angelegt, die darauf kippt. Die normale oder Nullage der Anordnung ist durch den Sperrzustand der links liegenden" Trioden gekennzeichnet. Ein negativer Impuls am Impulseingang P bringt CTF in ihren leitenden Zustand und sperrt CTE,, wie bereits in Fig. 3 beschrieben. Das auf diese Weise am Emitter von CTF erzeugte positive Potential bringt ebenfalls ein Ansteigen des Kollektorstromes von CTCA; ihre Kollektorspannung steigt in positiver Richtung, und ein positives Potential wird, jedoch wirkungslos, in Richtung CTG-CTH angelegt.
Der zweite negative Impuls findet CTF leitend und CTE gesperrt, so daß CTE leitend und CTF gesperrt wird. Das bewirkt, daß die Emitterspannung von CTF und damit von CTCA ihren früheren Wert annimmt. Der Strom im Kollektorkreis von CTCA wird vermindert, ein negativer Impuls entsteht, der an CTG und CTH angelegt wird, CTH leitend macht und CTG sperrt. CTH bringt CTCB dazu, einen vergrößerten Strom zu führen.
Der dritte negative Impuls sperrt CTE, macht CTF leitend und läßt durch CTCA einen vergrößerten Strom fließen, d. h.. er hat die gleiche Wirkung wie der erste Impuls. Der vierte Impuls bringt wieder CTE in den leitenden Zustand und sperrt CTF. Der Stromfluß im Kollektorkreis von CTCA wird vermindert, ein negativer Impuls liegt an CTG-CTH. CTG wird wieder betätigt und CTH gesperrt. Daraufhin gelangt ein negativer Impuls von CTCB an CTJ und CTK und bringt CTK.
Weitere Impulse arbeiten in gleicher Weise. Es muß bemerkt werden, daß der Übergang zwischen den einzelnen Stufen durch positive Impulse erreicht wird, wobei die Rückflanke jedes positiven Impulses dann auftritt, wenn ein Übergang notwendig ist und dann diesen bewirkt. Die hier beschriebenen zwei Kippschaltungen und die binäre Zähleinrichtung können mit besonderen Ruhetastanordnungen versehen werden, um sicherzustellen, daß beim Einschalten die Anordnungen jeweils eine ganz bestimmte Arbeitslage haben. Diese Ruhetasteinrichtung kann ebenso dazu verwendet werden, die Anlage in ihren ursprünglichen Zustand zurückzuführen, nachdem ein normaler Arbeitskreislauf beendet ist. Man kann dies entweder durch negative Impulse an den geeigneten Basiselektroden oder durch positive Impulse an den entsprechenden Emitterelektroden erreichen. Derartige Anordnungen sind einfach vorzusehen und sind deshalb nicht gezeigt.
Das Prinzip der Erfindung wurde zwar in Verbindung mit einigen besonderen Ausführungsformen und Abwandlungen dieser Ausführungsformen beschrieben. Es ist jedoch klar, daß die Beschreibung nur beispielsweise erfolgte und keine Begrenzung des Wesens und der Anwendbarkeit der Erfindung darstellt.

Claims (14)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Bistabile, Kippschaltung mit zwei Kristalltrioden, die derart beschältet sind, daß sie zwei stabile Zustände, d. h. einen gesperrten und einen leitenden Zustand, aufweisen und durch angelegte Impulse vom gesperrten in den leitenden Zustand gekippt werden können, dadurch gekennzeichnet, daß den beiden Kristalltrioden die gleichen Schaltelemente zugeordnet sind und daß eine Elektrode der einen Kr'istalltriode mit der entsprechenden Elektrode der anderen Kristalltriode derart verbunden ist, daß beim Kippen der einen Kristalltriode in den leitenden Zustand die andere Kristalltriode, die gerade leitend ist, dadurch in den Sperrzustand zurückgekippt wird.
2. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die verbindenden Schaltmittel einen Kondensator enthalten, der zwischen den Kollektorelektroden der Kristalltrioden liegt.
3. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die verbindenden Schaltmittel einen Kondensator enthalten, der zwischen den Emitterelektroden der Kristalltrioden liegt.
4. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die verbindenden Schaltmittel einen Kondensator enthalten, der zwischen * den Basiselektroden der Kristalltrioden liegt.
5. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektrode jeder Kristalltriode über einen Widerstand mit einem ersten Potential verbunden ist, daß die Emitterelektrode jeder Kristalltriode mit einem, bezogen auf das erste Potential, etwas negativeren Potential verbunden ist, daß die Kollektorelektrode jeder Kristalltriode mit einem Punkt eines bezüglich des zweiten Potentials negativen Potentials verbunden ist, daß die genannten Potentiale und Widerstände derart gewählt sind, daß jede Kristalltriode normalerweise gesperrt ist und somit wenig oder gar kein Kollektorstrom fließt, und daß, wenn ein Impuls die Emitterelektrode bezüglich der Basiselektrode positiv macht, die Kristalltriode in ihren leitenden Zustand übergeht und damit im Kollektorkreis ein hoher Strom fließt.
6. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Impulseingang mit den Basiselektroden der Kristalltriode verbunden ist, so daß über diese Verbindung negative Impulse angelegt werden können.
7. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Kollektor jeder Kristalltriode und dem Punkt mit einem, bezogen auf das genannte zweite Potential, negativen Potential ein Widerstand liegt, daß zwischen den Kollektorelektroden der einzelnen Kristalltrioden Kondensatoren liegen, daß eine Impulsverbindung zu den Basiselektroden der Kristalltriode vorgesehen ist und die dann wirkenden Widerstände und Potentiale derart gewählt sind, daß jede Kristalltriode bistabil ist, also einen gesperrten Zustand mit geringem oder gar keinem Kollektorstrom und einen leitenden Zustand mit hohem Kollektorstrom aufweist, daß ein negativer Impuls an der Basiselektrode einer gesperrten Kristalltriode diese in den leitenden Zustand kippt und daß die dadurch hervorgerufene Spannungsänderung an der Kollektorelektrode über den genannten Kondensator der Kollektorelektrode der anderen Kristalltriode zugeführt wird, die daraufhin in ihren Sperrzustand übergeht.
8. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung der Emitterelektrode jeder Kristalltriode mit einem zum ersten Potential negativen Potential einen AViderstand enthält, daß die Verbindung der Kollektorelektrode jeder Kristalltriode mit einem, bezogen auf das zweite Potential, negativen Potential einen Widerstand enthält, daß zwischen den Emitterelektroden der Kristalltrioden je ein Kondensator liegt, daß in der Impulsverbindung zu den Basiselektroden der Kristalltrioden die Widerstände und Potentiale derart gewählt sind, daß jede Kristalltriode bistabil ist, also einen gesperrten Zustand mit geringem oder gar keinem Kollektorstrom und einen leitenden Zustand mit hohem Kollektorstrom aufweist, daß ein negativer Impuls an der Basiselektrode einer gesperrten Kristalltriode diese in den leitenden Zustand kippt und daß die dadurch hervorgerufene Spannungsänderung an der Emitterelektrode über den genannten Kondensator der Emitterelektrode der anderen Kristalltriode zugeführt wird, die daraufhin in ihren Sperrzustand übergeht.
9. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung der Basiselektrode jeder Kristalltriode mit dem ersten Potential einen Widerstand enthält, daß der Emitter jeder Kristalltriode mit einem zweiten, bezogen auf das erste Potential, etwas negativeren Potential verbunden ist, daß die Verbindung der Kollektorelektrode jeder Kristalltriode mit einem, bezogen auf das zweite Potential, negativen Potential einen Widerstand enthält, daß in der Impulsverbindung zu den Basiselektroden der Kristalltrioden die Widerstände und Potentiale derart gewählt sind, daß jede Kristalltriode bistabil ist, also einen gesperrten Zustand mit geringem oder gar keinem Kollektorstrom und einen leitenden Zustand mit hohem Kollektorstrom aufweist, daß die Vorderflanke eines negativen Impulses an der Basiselektrode einer gesperrten Kristalltriode
diese in den leitenden Zustand kippt und daß auf die Rückflanke dieses Impulses hin ein positives Potential über den genannten Kondensator an die Basiselektrode der anderen Kristalltriode angelegt wird und diese dadurch in ihren Sperrzustand kippt.
10. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1, 2, 3, 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulseingänge beider Kristalltrioden miteinander und mit einer gemeinsamen Impulsquelle verbunden sind, bei der Impulse kurzer Dauer verwendet werden, so daß auf diese Weise ein binäres Paar entsteht.
11. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 1, 2,
3, 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulseingänge der Kristalltrioden miteinander und mit einer gemeinsamen Impulsquelle verbunden sind, und daß jeder dieser Impulseingänge ein Differenzierglied enthält, das derart aufgebaut ist, daß kurze Arbeitsimpulse aus den von der Impulsquelle gelieferten Impulsen entstehen, die dabei beliebige Breite und beliebige Polarität besitzen können, wobei auf diese Weise ein binäres Paar entsteht.
12. Bistabile Kippschaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Differenzierglied derart aufgebaut ist, daß die durch Differentiation entstehenden positiven Impulse unterdrückt werden.
13. Verwendung einer Mehrzahl von binären Paaren von Kristalltrioden nach Anspruch 10, 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß in einer binären Zähleinrichtung die aufeinanderfolgenden Paare derart miteinander verbunden sind, daß, wenn erforderlich, ein Übergang erreicht wird.
14. Verwendung einer Mehrzahl von binären Paaren von Kristalltrioden nach Anspruch 10, 11 oder 12, in einer binären Zähleinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die den Übergang bewirkenden Schaltmittel eine Kristalltriode enthalten, die dann in ihren leitenden Zustand übergeht, wenn eine normalerweise gesperrte Kristalltriode eines vorherliegenden binären Paares leitend wird und dann in ihren gesperrten Zustand übergeht, wenn die genannte Kristalltriode des vorherliegenden binären Paares in den Sperrzustand zurückgeht, und daß Schaltmittel vorgesehen sind, die auf das Zurückkippen der verbindenden Kristalltriode in den Sperrzustand ansprechen und einen negativen Arbeks impuls an das nächstfolgende binäre Paar abgeben.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschriften Nr. 2 60S 306, 2 594 449.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 709 850/160 1.53
DEI7786A 1952-10-09 1953-10-08 Bistabile Kippschaltung Pending DE1023081B (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB25326/52A GB730892A (en) 1952-12-23 1952-10-09 Improvements in or relating to electrical bistable circuits
GB32603/52A GB730061A (en) 1952-10-09 1952-12-23 Improvements in or relating to electric trigger circuits
GB3271252A GB730907A (de) 1952-10-09 1952-12-24
GB3361853A GB763734A (en) 1953-12-03 1953-12-03 Improvements in or relating to electrical circuits employing transistors
GB10034/54A GB740056A (en) 1952-10-09 1954-04-06 Improvements in or relating to electric trigger circuits employing crystal triodes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1023081B true DE1023081B (de) 1958-01-23

Family

ID=32330108

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1068486D Pending DE1068486B (de) 1952-10-09 Schaltungsanordnung für ein vielfach stabiles Register
DEI7786A Pending DE1023081B (de) 1952-10-09 1953-10-08 Bistabile Kippschaltung
DEI8079A Pending DE1018460B (de) 1952-10-09 1953-12-22 Elektrische Kippanordnung mit Kristalltrioden
DEI8078A Pending DE1007809B (de) 1952-10-09 1953-12-22 Elektrische Kippanordnung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1068486D Pending DE1068486B (de) 1952-10-09 Schaltungsanordnung für ein vielfach stabiles Register

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI8079A Pending DE1018460B (de) 1952-10-09 1953-12-22 Elektrische Kippanordnung mit Kristalltrioden
DEI8078A Pending DE1007809B (de) 1952-10-09 1953-12-22 Elektrische Kippanordnung

Country Status (7)

Country Link
US (5) US2906888A (de)
BE (6) BE523376A (de)
CH (4) CH323960A (de)
DE (4) DE1023081B (de)
FR (7) FR1090165A (de)
GB (3) GB733638A (de)
NL (2) NL192868A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9962622B2 (en) 2013-07-01 2018-05-08 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Evaporator and fuel cell system using the evaporator

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE532053A (de) * 1953-09-24
NL112272C (de) * 1954-12-31
US2967951A (en) * 1955-01-17 1961-01-10 Philco Corp Direct-coupled transistor circuit
NL203732A (de) * 1955-01-18
US2896170A (en) * 1955-01-20 1959-07-21 Int Standard Electric Corp Oscillator circuit for transistors
US2888560A (en) * 1955-03-07 1959-05-26 Sperry Rand Corp Modulator binary counter circuit
US2872596A (en) * 1955-03-31 1959-02-03 Hughes Aircraft Co Transistor voltage comparator
NL202652A (de) * 1955-12-07
US2956176A (en) * 1956-01-25 1960-10-11 Int Standard Electric Corp Pulse producing device
US2908829A (en) * 1956-03-08 1959-10-13 Barber Colman Co Control system with stepped output transistor amplifier
DE1035274B (de) * 1956-03-17 1958-07-31 Pintsch Electro Gmbh Relaisschaltung zur UEberwachung einer Signalspannung
US2946897A (en) * 1956-03-29 1960-07-26 Bell Telephone Labor Inc Direct coupled transistor logic circuits
US2906893A (en) * 1956-07-06 1959-09-29 Bell Telephone Labor Inc Transistor blocking oscillator
US2952772A (en) * 1956-08-20 1960-09-13 Honeywell Regulator Co Electrical pulse shaping and amplifying circuit
US2885573A (en) * 1956-09-04 1959-05-05 Ibm Transistor delay circuit
US3038658A (en) * 1956-09-11 1962-06-12 Robotomics Entpr Inc Electronic counter
US2920216A (en) * 1956-09-18 1960-01-05 Philco Corp Transistor multivibrator
US2967953A (en) * 1956-09-24 1961-01-10 Bendix Corp Inductance controlled multivibrator
DE1047839B (de) * 1956-10-09 1958-12-31 Philips Nv Bistabile Kippschaltung mit zwei Transistoren des stromverstaerkenden Typs
US2947879A (en) * 1956-10-30 1960-08-02 Ibm Transistor power inverter circuit
US2920215A (en) * 1956-10-31 1960-01-05 Rca Corp Switching circuit
US2945964A (en) * 1956-10-31 1960-07-19 Hughes Aircraft Co Pulsed output transistor flip-flop
BE562668A (de) * 1956-11-27
BE562896A (de) * 1956-12-03
US3132303A (en) * 1956-12-11 1964-05-05 Telefunken Gmbh Bistable trigger circuit with feedback amplifier
CA844122A (en) * 1957-02-14 1970-06-09 Honeywell Inc. Excitation control for electric generators
US2916670A (en) * 1957-03-15 1959-12-08 Bill Jack Scient Instr Co Electronic flasher system
US3067336A (en) * 1957-05-03 1962-12-04 Honeywell Regulator Co Bistable electronic switching circuitry for manipulating digital data
US3067410A (en) * 1957-06-05 1962-12-04 Alsacienne De Reglage Thermiqu Automatically controlling electric regulator system of temperature, pressure or moisture
US2957137A (en) * 1957-06-24 1960-10-18 Jr Aaron Z Robinson Polarity coincidence correlator
US2982276A (en) * 1957-08-28 1961-05-02 Bosch Gmbh Robert Pulse generating system for electronic fuel injection control devices and the like
US2988651A (en) * 1957-08-30 1961-06-13 Richard K Richards Regenerative pulse amplifier
US3001087A (en) * 1957-10-04 1961-09-19 Siemens Ag Impulse timing chains
DE1145523B (de) * 1957-12-07 1963-03-14 Westinghouse Electric Corp Signalanlage
US2999172A (en) * 1957-12-20 1961-09-05 Bell Telephone Labor Inc Transistor trigger circuit
US2996685A (en) * 1958-01-31 1961-08-15 Baskin R Lawrence Electronic tone signal generators
US3045127A (en) * 1958-03-28 1962-07-17 Honeywell Regulator Co Electrical counter circuitry
US3066231A (en) * 1958-07-30 1962-11-27 Ibm Flip-flop circuit having pulse-forming networks in the cross-coupling paths
US2977485A (en) * 1958-11-28 1961-03-28 Digital Equipment Corp Diode-transformer gating circuit
US3080486A (en) * 1958-12-22 1963-03-05 Westinghouse Electric Corp Bistable amplifier circuit
USRE29475E (en) * 1959-01-19 1977-11-15 Honeywell Inc. Battery charging circuit responsive to generator output voltage and current
US3149238A (en) * 1959-02-27 1964-09-15 Ericsson Telefon Ab L M Ring-counter circuit system
US3172095A (en) * 1959-03-27 1965-03-02 Beckman Instruments Inc Transistor controlled digital count indicator
US3193706A (en) * 1959-12-02 1965-07-06 Philco Corp Signal responsive load energization system
GB929796A (de) * 1960-02-10
US3106647A (en) * 1960-02-19 1963-10-08 Int Resistance Co Bistable semiconductor circuit responsive to sensing device
US3162790A (en) * 1960-03-10 1964-12-22 Wakamatsu Hisato Transistor relay circuit
US3253261A (en) * 1960-03-24 1966-05-24 Ibm Ring control circuits
US3120618A (en) * 1961-02-06 1964-02-04 Gen Precision Inc Error signal storage system
US3238310A (en) * 1961-02-13 1966-03-01 Rca Corp Bidirectional amplifiers
US3188529A (en) * 1961-07-27 1965-06-08 Cutler Hammer Inc System for controlling electroresponsive means
US3201773A (en) * 1961-08-30 1965-08-17 Leeds & Northrup Co Visual indicator for bistate units
US3233116A (en) * 1961-11-28 1966-02-01 Gen Electric Control rectifiers having timing means energized in response to load effecting commutation
US3185911A (en) * 1961-12-07 1965-05-25 Omnitronics Inc Control circuit for tape drive mechanism
US3205372A (en) * 1962-08-02 1965-09-07 Sperry Rand Corp Schmitt trigger circuit characterized by noise insensitivity
US3214644A (en) * 1962-09-24 1965-10-26 Bunker Ramo Trigger circuit
US3325645A (en) * 1964-08-11 1967-06-13 Picker X Ray Corp Waite Mfg X-ray tube system with voltage and current control means
DE1562287B1 (de) * 1966-06-07 1970-04-02 Patelhold Patentverwertung Schaltungsanordnung zum selektiven Durchschalten einer mit einem Informationssignal modulierten Traeger-Wechselspannung auf einen von mehreren Ausgangskanaelen
US3593034A (en) * 1968-12-24 1971-07-13 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Electrical ring counter circuit
US4414602A (en) * 1981-12-18 1983-11-08 Minnesota Mining And Manufacturing Co. Current director and interface circuit for a transformer relay

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2594449A (en) * 1950-12-30 1952-04-29 Bell Telephone Labor Inc Transistor switching device
US2605306A (en) * 1949-10-15 1952-07-29 Rca Corp Semiconductor multivibrator circuit

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2538515A (en) * 1947-06-25 1951-01-16 Rca Corp Electronic interval timer
NL75792C (de) * 1948-05-19
NL91957C (de) * 1949-03-31
US2533001A (en) * 1949-04-30 1950-12-05 Rca Corp Flip-flop counter circuit
US2620400A (en) * 1949-10-17 1952-12-02 Snijders Antonie Arrangement for comparing voltages
US2531076A (en) * 1949-10-22 1950-11-21 Rca Corp Bistable semiconductor multivibrator circuit
US2569345A (en) * 1950-03-28 1951-09-25 Gen Electric Transistor multivibrator circuit
US2614141A (en) * 1950-05-26 1952-10-14 Bell Telephone Labor Inc Counting circuit
US2627039A (en) * 1950-05-29 1953-01-27 Bell Telephone Labor Inc Gating circuits
US2620448A (en) * 1950-09-12 1952-12-02 Bell Telephone Labor Inc Transistor trigger circuits
US2594336A (en) * 1950-10-17 1952-04-29 Bell Telephone Labor Inc Electrical counter circuit
USB222686I5 (de) * 1950-11-28
US2622211A (en) * 1951-04-28 1952-12-16 Bell Telephone Labor Inc Stabilized transistor trigger circuit
USB164000I5 (de) * 1951-09-15
NL165037B (nl) * 1951-10-30 Kumiai Chemical Industry Co Werkwijze voor het bereiden van een preparaat met herbicide werking.
US2676271A (en) * 1952-01-25 1954-04-20 Bell Telephone Labor Inc Transistor gate
US2644897A (en) * 1952-08-09 1953-07-07 Rca Corp Transistor ring counter
NL180361B (nl) * 1952-09-17 Tdk Electronics Co Ltd Cassette voor een magnetische band.
BE524024A (de) * 1952-11-07
US2714705A (en) * 1953-03-05 1955-08-02 Rca Corp Electronic phase shifting system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2605306A (en) * 1949-10-15 1952-07-29 Rca Corp Semiconductor multivibrator circuit
US2594449A (en) * 1950-12-30 1952-04-29 Bell Telephone Labor Inc Transistor switching device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9962622B2 (en) 2013-07-01 2018-05-08 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Evaporator and fuel cell system using the evaporator

Also Published As

Publication number Publication date
GB794656A (en) 1958-05-07
GB733638A (en) 1955-07-13
FR64712E (fr) 1955-12-01
FR1090165A (fr) 1955-03-28
NL192868A (de)
FR66170E (fr) 1956-05-17
DE1068486B (de) 1959-11-05
FR69860E (fr) 1959-01-09
US2764688A (en) 1956-09-25
CH339948A (de) 1959-07-31
BE550798A (de) 1959-12-18
US2860259A (en) 1958-11-11
CH328585A (fr) 1958-03-15
BE533839A (de) 1958-06-08
CH323960A (fr) 1957-08-31
DE1007809B (de) 1957-05-09
US2832899A (en) 1958-04-29
DE1018460B (de) 1957-10-31
US2906888A (en) 1959-09-29
FR66065E (de) 1956-05-03
FR71313E (fr) 1959-12-22
BE523376A (de) 1956-01-09
US2806153A (en) 1957-09-10
GB730907A (de)
NL191850A (de)
CH331346A (fr) 1958-07-15
BE523378A (de) 1956-01-09
BE523377A (de) 1956-01-06
BE525314A (de) 1956-05-05
FR66169E (fr) 1956-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1023081B (de) Bistabile Kippschaltung
DE2843924C2 (de)
DE3342735C2 (de)
DE3120979A1 (de) Spannungsvergleicher
DE3119923C2 (de) Schaltungsanordnung für einen Bereichskomparator
DE1036421B (de) Bistabile Halbleiterschaltung
DE2811626C2 (de) Filter zur Dämpfung kurzzeitiger Störsignale
DE2010956A1 (de) Aktive Verzögerungsleitung
DE3035304C2 (de) Triggerschaltung
EP0080726A1 (de) Durch einen Übernahmetakt gesteuertes Flipflop in Stromumschaltetechnik
DE2416534A1 (de) Komplementaer-symmetrische verstoerkerschaltung
DE1814213C3 (de) J-K-Master-Slave-Flipflop
DE1053030B (de) Bistabile Kippschaltung mit einer Doppelbasisdiode
DE1512752A1 (de) Schwellwertschaltung
DE1088096B (de) Bistabiler binaerer Transistorschaltkreis
DE3211811C2 (de)
DE69128456T2 (de) Hysterese schaltung
DE1488044A1 (de) Steuerschaltung fuer Elektromotoren
DE2558299C3 (de) Integrationsschaltung
DE1774527C3 (de) Schaltungsanordnung zur Bildung des Betrages einer elektrischen Zeitfunktion
DE1271179B (de) Schaltmatrix, insbesondere zur Verwendung als Koppelnetzwerk in einer Fernsprechvermittlungsanlage
DE2839383A1 (de) Verknuepfungsschaltung
DE2140509B2 (de) Leseverstärker
DE2441033C3 (de) Schaltungsanordnung zur Unterdrückung von Fremd- oder Störimpulsen
DE1290583B (de) Astabiler Multivibrator