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Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zum Aufschmelzen von Silizium gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie von einer Anordnung zum Aufschmelzen von Silizium gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 11.
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Silizium stellt das Ausgangsmaterial für verschiedenste Halbleiterbauelemente, insbesondere Mikroprozessoren oder Solarzellen, dar, wobei an das Material hohe Reinheitsanforderungen gestellt werden. Silizium wird üblicherweise großtechnisch mittels chemischer Abscheidung aus einer Dampfphase, so genannten chemical vapour deposition-Prozessen oder kurz CVD-Prozessen, gewonnen. Hierbei wird üblicherweise Silizium aus einer Halogensilan-Verbindung, insbesondere Trichlorsilan, chemisch abgespalten und an der Oberfläche eines erhitzten Keimkörpers als reines, polykristallines Silizium abgeschieden. Dieses Verfahren ist im Wesentlichen unter dem Begriff „Siemens-Verfahren” bekannt, welches häufig in so genannten „Siemens-Reaktoren” durchgeführt wird (vgl. beispielsweise
DE 26 09 564 C2 oder
EP 1 257 684 B1 ). Als Keimkörper dienen dabei in der Regel dünne, infolge eines Stromdurchflusses erhitzte Siliziumstäbe, die durch die Anlagerung des polykristallinen Siliziums einen Durchmesser- beziehungsweise Volumenzuwachs erfahren. Derartige dünne Keimstäbe werden häufig U-förmig angeordnet (vgl. wiederum
DE 26 09 564 C2 ). Mit der Siliziumanlagerung wachsen diese zu massiven, U-förmigen Siliziumstäben an.
2 illustriert schematisch einen solchen Siliziumstab nach erfolgter Anlagerung. Grundsätzlich sind jedoch auch Abscheidungen in anderen geometrischen Formen, beispielsweise Röhren, möglich (vgl. beispielsweise
EP 1 257 684 B1 ).
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Das mittels CVD-Prozessen gewonnene Silizium ist in der Regel sehr rein, jedoch sind die bei diesen Prozessen gewonnenen Ausgangsmaterialien aufgrund ihrer Form oder ihrer Kristallinität nicht ohne weiteres weiterverarbeitbar. Je nach Einsatzzweck kann zudem eine weitergehende Reinigung oder eine allgemeine Bearbeitung erforderlich sein. In jedem dieser Fälle müssen die Siliziumausgangsmaterialien daher zunächst aufgeschmolzen werden. Hierzu werden Siliziumausgangsmaterialien wie die angesprochenen U-förmigen Siliziumstäbe oder Siliziumröhren zunächst zerkleinert und nachfolgend die Siliziumbruchstücke in einem Tiegel aufgeschmolzen. Silizium ist einerseits sehr spröde, andererseits in massiver Ausführung vergleichsweise hart. Das Siliziumausgangsmaterial wird daher meist durch mechanische Krafteinwirkung zertrümmert. Häufig erfolgt dies in ähnlicher Weise wie die Zerkleinerung bergmännisch gewonnener Erze.
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Infolge des Kontaktes mit entsprechenden Zertrümmerungseinrichtungen werden Verunreinigungen in das Siliziummaterial eingetragen, welche für Halbleiterbauelemente schädliche Auswirkungen haben können, sodass diese Verunreinigungen nachfolgend wieder entfernt werden müssen. Die Bruchstücke des Siliziumausgangsmaterials werden daher nach dem Zertrümmern nasschemisch überätzt und aufwendig getrocknet. Infolge der enormen Oberflächenvergrößerung ist zudem ein großvolumiges Verpacken der gereinigten Bruchstücke zum Schutz vor erneutem Verunreinigungseintrag erforderlich.
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Zur Vermeidung der aufwändigen Zertrümmerungs- und nachfolgender Säuberungsschritte wurde daher versucht, die Siliziumausgangsmaterialien unter Verzicht auf eine Zertrümmerung direkt in entsprechenden Tiegeln aufzuschmelzen. Hierbei erweist sich jedoch die hohe Schmelztemperatur von Silizium jenseits von 1400° Celsius als problematisch. So ist zum Aufschmelzen der großvolumigen Siliziumstäbe ein Überhitzen der Tiegel weit über den Schmelzpunkt des Siliziums erforderlich, wobei im Innern des Tiegels die Tiegelwandungen angegriffen werden und sich Kristoballite ablösen, welche beim Wiedererstarren des Siliziums die Kristallisationsfront stören und somit die Qualität des Siliziums negativ beeinträchtigen.
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Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren sowie eine Anordnung zur Verfügung zu stellen, mittels welchen das Siliziumausgangsmaterial bei möglichst geringem Verunreinigungseintrag ohne negative Beeinträchtigung der Tiegelwandungen aufgeschmolzen werden kann.
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Diese Aufgabe wird einerseits gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1, andererseits durch eine Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 11.
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Vorteilhafte Weiterbildungen sind jeweils Gegenstand abhängiger Unteransprüche.
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Das erfindungsgemäße Verfahren sieht vor, dass Siliziumkörper in einem beheizbaren Tiegel angeordnet werden. Unter einem Siliziumkörper ist dabei zunächst ein Stück eines Siliziumausgangsmaterials zu verstehen, das grundsätzlich eine beliebige Geometrie aufweisen kann. Sofern die Abmessungen des Siliziumausgangsmaterials es zulassen, kann auch eine vollständige Einheit eines Siliziumausgangsmaterials, beispielsweise ein kompletter U-förmiger Siliziumstab, als Siliziumkörper in dem Tiegel angeordnet werden. Bei der Anordnung von einem oder mehreren Siliziumkörpern in dem Tiegel entstehen zwischen Tiegelwandungen und Siliziumkörpern oder zwischen massiven Teilen eines Siliziumkörpers beziehungsweise verschiedener Siliziumkörper Hohlräume. Wenigstens ein Teil dieser Hohlräume wird zumindest teilweise mit Siliziumgranulat aufgefüllt. Unter Siliziumgranulat ist dabei ein Gemenge von Siliziumkörnern zu verstehen, welche grundsätzlich eine beliebige Geometrie aufweisen können, jedoch deutlich kleinere Abmessungen aufweisen als die Siliziumkörper, sodass die gebildeten Hohlräume zumindest teilweise mit ihnen aufgefüllt werden können. Insbesondere kann das Siliziumgranulat so genannten Siliziumfeinbruch aufweisen. Hierunter werden feine Siliziumbruchstücke, beispielsweise Muschelausbruchstücke, verstanden. Im Weiteren wird der Tiegel erhitzt.
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Infolge des beschriebenen, zumindest teilweisen, Auffüllens der Hohlräume mit Siliziumgranulat stellt sich eine bessere Wärmeleitfähigkeit zwischen den Tiegelwandungen und den Siliziumkörpern ein, sodass ein besserer Wärmeübergang von den Tiegelwandungen auf die Siliziumkörper erfolgen kann. Im Ergebnis ist ein Überhitzen des Tiegels über die Schmelztemperatur von Silizium hinaus nicht mehr oder nur in geringem Maße erforderlich, sodass selbst große oder unförmige Siliziumkörper auf oder über die Schmelztemperatur des Siliziums erhitzt werden können, ohne dass der Tiegel dabei zerstört wird.
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Siliziumausgangsmaterialien liegen häufig in Abmessungen vor, die eine Anordnung einer kompletten Einheit eines Siliziumausgangsmaterials in dem Tiegel nicht zulassen. Die Erfindung sieht daher vor, dass die Siliziumkörper von dem Siliziumausgangsmaterial abgetrennt und derart dimensioniert werden, dass sie in dem beheizbaren Tiegel anordenbar sind. Die Dimensionierung der Siliziumkörper erfolgt dabei bevorzugt dadurch, dass Siliziumkörper mit geeigneten Abmessungen von dem Siliziumausgangsmaterial abgetrennt werden.
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Eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, dass die Siliziumkörper kontrolliert von dem Siliziumausgangsmaterial abgetrennt werden. Unter einem kontrollierten Abtrennen ist dabei zu verstehen, dass der Siliziumkörper entlang einer bestimmbaren Trennlinie abgetrennt wird und sich die Trennlinie nicht mehr oder weniger zufällig ergibt, wie dies beispielsweise bei einem Zertrümmern der Fall ist. Ein kontrolliertes Abtrennen der Siliziumkörper ist möglich mittels Lasertrennen, Wasserstrahlschneiden oder Sägen. Als Sägen können Bandsägen, Innenlochsägen oder Drahtsägen, wie sie unter anderem beim Sägen von Siliziumscheiben aus Siliziumblöcken oder -Stäben eingesetzt werden, Verwendung finden. Auch andere kontrollierte Abtrennverfahren wie beispielsweise mittels Kreissägen oder Schleifscheiben sind möglich. Gegenüber dem Lasertrennen, Wasserstrahlschneiden oder Sägen sind sie jedoch mit einem erhöhten Verunreinigungseintrag in die Siliziumkörper verbunden.
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Das kontrollierte Abtrennen der Siliziumkörper erlaubt die Bereitstellung großvolumiger Siliziumkörper, die bevorzugt eine Geometrie aufweisen, welche Platz sparend in dem Tiegel angeordnet werden kann. Durch die Verwendung großer Siliziumkörper wird der Verunreinigungseintrag weiter verringert, sodass gegebenenfalls auf ein Reinigen der Siliziumkörper, beispielsweise ein Überätzen, verzichtet werden kann oder dies nur noch lokal an den Trennflächen durchgeführt zu werden braucht. In der Praxis haben sich Siliziumkörper bewährt, die in wenigstens einer Ausdehnungsrichtung größer als 10 cm sind.
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In einer bevorzugten Ausgestaltungsvariante der Erfindung wird Siliziumgranulat verwendet, dessen Körner einen ungefähren Durchmesser von 0,3 bis 10 mm aufweisen. Dies hat den Vorteil, dass die Hohlräume einfach zu einem großen Teil aufgefüllt werden können. Eine besonders bevorzugte Ausgestaltungsvariante sieht die Verwendung von Siliziumgranulat vor, dessen Körner einen ungefähren Durchmesser von 0,3 bis 2 mm aufweisen, da hiermit die Hohlräume noch besser aufgefüllt werden können.
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Vorteilhafterweise werden die Körner des Siliziumgranulats mittels eines so genannten Wirbelschicht- oder Wirbelbettverfahrens gewonnen. Dies bringt den Vorteil mit sich, dass die Körner bereits nach Gewinnung in vergleichsweise reiner Form vorliegen, sodass eine zusätzliche Reinigung vor der Verwendung in dem Tiegel nicht erforderlich ist. Grundsätzlich kann jedoch auch zertrümmertes Siliziumausgangsmaterial oder Siliziumfeinbruch als Siliziumgranulat Verwendung finden. Dieses ist dann zwar nach wie vor vor dem Einbringen in den Tiegel zu reinigen, doch fällt der Anteil des zu reinigenden Siliziums geringer aus, da das gereinigte Siliziumgranulat lediglich zum Auffüllen von Hohlräumen verwendet wird, der bei weitem größere Teil des Tiegelvolumens hingegen von Siliziumkörpern eingenommen wird, die idealer weise nicht oder jedenfalls an wesentlich kleineren Flächen einer Reinigung bedürfen.
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Wie eingangs dargelegt, wird mittels des Siemens-Verfahrens Silizium häufig in Form von Siliziumstäben oder Siliziumröhren gewonnen, wobei hierunter sämtliche Formen von Siliziumstäben oder -Röhren zu verstehen sind, insbesondere gerade, gebogene, abgewinkelte oder auch die bereits genannten U-förmigen Stäbe oder Röhren. Von Stäben oder Röhren können einfach Siliziumkörper abgetrennt werden, insbesondere durch kontrolliertes Abtrennen, indem die Stäbe beziehungsweise Röhren abgelängt werden. Die beim Ablängen anfallenden Stücke bilden dabei die Siliziumkörper, welche aufgrund der regelmäßigen Form vergleichsweise einfach und Platz sparend in dem Tiegel anordenbar sind. Die Erfindung sieht daher vor, dass als Siliziumsausgangsmaterial Siliziumstäbe oder Siliziumröhren verwendet werden.
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Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht zudem vor, dass das Abtrennen der Siliziumkörper durch Ablängen der Siliziumstäbe oder Siliziumröhren auf Siliziumkurzstäbe oder Siliziumkurzröhren realisiert wird, deren Länge etwa einer Öffnungsbreite des Tiegels entspricht. Auf diese Weise können die Siliziumkurzröhren beziehungsweise Siliziumkurzstäbe Platz sparend in dem Tiegel angeordnet werden, was eine weitestgehende Reduzierung der Trennflächen und der damit verbundenen Verunreinigungsgefahr mit sich bringt.
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Unter der Öffnungsbreite ist dabei die Erstreckung der Öffnung des Tiegels in eine grundsätzlich beliebige Richtung, vorzugsweise in die Richtung der größten Ausdehnung des Tiegels, zu verstehen.
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Industriell werden derzeit großteils Tiegel mit einer quadratischen Öffnung verwendet, deren Seitenlängen etwa 35 cm, etwa 42 cm, etwa 54 cm oder etwa 69 cm betragen. Die Seitenlänge entspricht in diesen Fällen der Öffnungsbreite des Tiegels. In der Praxis hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die Siliziumstäbe oder Siliziumröhren auf Siliziumkurzstäbe oder Siliziumkurzröhren mit Längen von etwa 30 bis 35 cm, etwa 37 bis 42 cm, etwa 48 bis 54 cm oder etwa 60 bis 69 cm abzulängen. Auf diese Weise kann die Generierung von Trennflächen und die damit verbundene Gefahr des Verunreinigungseintrags verringert werden. Grundsätzlich können jedoch auch kürzere Siliziumkurzstäbe oder Siliziumkurzröhren Verwendung finden.
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Es hat sich gezeigt, dass die Gefahr der negativen Beeinträchtigung der Tiegelwandungen deutlich reduziert werden kann, wenn die Hohlräume zu 60 bis 98% mit Siliziumgranulat aufgefüllt werden. Eine besonders effiziente Reduktion der Zerstörungsgefahr und Verringerung des Energieaufwandes wird erreicht bei einem Auffüllen der Hohlräume mit Siliziumgranulat zu 85 bis 98%.
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Die erfindungsgemäße Anordnung zum Aufschmelzen von Silizium weist einen beheizbaren Tiegel auf, in welchem Siliziumkörper angeordnet sind. Zwischen Tiegelwandungen und Siliziumkörpern oder zwischen massiven Teilen der Siliziumkörper sind Hohlräume gebildet, von welchen wenigstens ein Teil zumindest teilweise mit Siliziumgranulat gefüllt ist.
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Eine derartige Anordnung ermöglicht die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Um oben beschriebene Vorteile der Erfindung effizient nutzen zu können, sieht eine Weiterbildung der Anordnung vor, dass die Siliziumkörper in zumindest einer Ausdehnungsrichtung größer als 10 cm sind.
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Eine bevorzugte Ausgestaltungsvariante der Anordnung sieht vor, dass das Siliziumgranulat Körner mit einem ungefähren Durchmesser von 0,3 bis 2 mm aufweist, da diese eine leicht einzubringende und effiziente Befüllung der Hohlräume darstellen können. Wie bereits beschrieben ist es zudem vorteilhaft, dass die Hohlräume zu 60 bis 98%, oder in besonders vorteilhafterweise zu 85 bis 98%, mit Siliziumgranulat gefüllt sind.
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Bei der Anordnung sind als Siliziumkörper Siliziumkurzstäbe oder Siliziumkurzröhren vorgesehen, deren Länge der Öffnungsbreite des Tiegels entspricht, da dies eine effiziente Ausnutzung des Tiegels ermöglicht bei verringerter Gefahr von Verunreinigungseintrag.
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Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert. Es zeigen:
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1: Schematische Prinzipdarstellung einer Ausgestaltungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens.
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2: Siliziumausgangsmaterial bildender U-förmiger Siliziumstab gemäß dem Stand der Technik
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3: Schematische Schnittdarstellung durch ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung
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4: Schematische Schnittdarstellung durch ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung
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5: Aufsicht auf ein drittes Beispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung
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6: Schnittdarstellung durch ein viertes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung.
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1 illustriert den Ablauf einer Ausgestaltungsvariante des erfindungsgemäßen Verfahrens. Demnach werden zunächst von einem Siliziumausgangsmaterial Siliziumkörper abgetrennt 40. Als Siliziumausgangsmaterial kommen dabei unter anderem U-förmige Siliziumstäbe 2 in Betracht. Ein Beispiel eines solchen U-förmigen Siliziumstabs, wie er beispielsweise in Siemens-Reaktoren gewonnen werde kann, ist in 2 wiedergegeben.
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Bei den abgetrennten Siliziumkörpern kann es sich grundsätzlich um Siliziumkörper 4 unregelmäßiger Form handeln, wie sie beispielhaft in 3 wiedergegeben sind. Bei den Siliziumkörpern kann es sich andererseits auch um Siliziumkurzstäbe 14, 14a, 14b, 14bc, 14d und 14e handeln, wie dies die Ausführungsbeispiele der 4 und 5 illustrieren.
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Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung werden die Siliziumkörper 4; 14 im Weiteren in einem beheizbaren Tiegel 6 angeordnet 42. Begleitend zu dem Anordnen 42 der Siliziumkörper 4; 14; 24 im Tiegel 6 werden die zwischen Tiegelwandungen 7 und den Siliziumkörpern 4; 14; 24 oder zwischen massiven Teilen der Siliziumkörper 4; 14; 24 entstehende Hohlräume 10 mit Siliziumgranulat 8; 18; 28 aufgefüllt 44. Im Weiteren wird der Tiegel 6 erhitzt 46 und Siliziumkörper 4; 14; 24 wie auch Siliziumgranulat 8; 18; 28 werden aufgeschmolzen.
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3 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung. In dieser sind die Siliziumkörper 4 unregelmäßig geformt. Beispielsweise kann es sich um große Trümmerstücke eines zertrümmerten Siliziumausgangsmaterials handeln, die, wie oben erörtert, in der Regel zuvor einer Reinigung zu unterziehen sind. Aufgrund der unregelmäßigen Form der Siliziumkörper 4 ergeben sich vergleichsweise große Hohlräume 10 zwischen der Tiegelwandung 7 und den Siliziumkörpern 4, beziehungsweise zwischen verschiedenen Siliziumkörpern 4. In der Darstellung der 3 sind alle Hohlräume mit Siliziumgranulat 8 gefüllt.
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In den in den 4 und 5 wiedergegebenen Ausführungsbeispielen einer erfindungsgemäßen Anordnung bilden Siliziumkurzstäbe 14 die Siliziumkörper. Wie in der Schnittdarstellung der 4 erkennbar ist, ermöglichen diese kontrolliert abgetrennten Siliziumkurzstäbe 14 eine anteilsmäßig höhere Befüllung des Tiegels 6 mit Siliziumkörpern, d. h. Siliziumkurzstäben 14. Es wird daher eine geringere Menge an Siliziumgranulat 18 benötigt, um die wiederum entstehenden Hohlräume 10 aufzufüllen. Dies kann nach Art des verwendeten Siliziumgranulats 18, welches unter Umständen aufwändig zu reinigen ist, einen Aufwandsvorteil mit sich bringen.
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Wie 4 entnehmbar ist, weist das Siliziumgranulat 18 in diesem Ausführungsbeispiel sowohl große 19a wie auch kleine Körner 19b auf. Hierbei kann es sich beispielsweise um beim Zertrümmern von Siliziumausgangsmaterial anfallende Körner handeln, welche üblicherweise vor dem Einbringen in den Tiegel gereinigt werden müssen, um einen Verunreinigungseintrag zu verhindern. Verglichen mit dem Stand der Technik braucht jedoch nur eine geringere Menge an Silizium aufwändig gereinigt zu werde, da der Großteil des Tiegelvolumens von Siliziumkurzstäben 14 eingenommen wird, welche bei entsprechender Handhabung einer Reinigung nicht oder allenfalls an den Trennflächen bedürfen.
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Dies zeigt sich nach deutlicher an der Darstellung der 5, welche eine Aufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung wiedergibt. In der gezeigten Ausgestaltungsvariante sind als Siliziumkörper wiederum Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d, 14e vorgesehen, wobei die Länge der Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d und 14e etwa einer Öffnungsbreite 5 des Tiegels 6 entsprechen, sodass eine regelmäßige Anordnung der Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d und 14e möglich ist, was eine effiziente Nutzung des Tiegelvolumens ermöglicht.
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Wie aus der Abwinkelung des Siliziumkurzstabes 14 folgt, wurde als Siliziumausgangsmaterial ein abgewinkelter oder U-förmiger Siliziumstab verwendet. Als Siliziumgranulat 20 ist in diesem Ausführungsbeispiel ein Granulat vorgesehen, dessen Körner einen Durchmesser von etwa 0,2 bis 3 mm aufweisen. Hierdurch lassen sich auch kleinere Hohlräume 10 mit Siliziumgranulat 20 füllen, sodass ein besonders effizienter Wärmeübergang von den Tiegelwandungen 7 auf die Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d und 14e bewerkstelligt werden kann. Der runde Querschnitt der Siliziumstäbe und somit auch der Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d und 14e hat zur Folge, dass die in 5 parallel angeordneten Siliziumkurzstäbe sich nur entlang einer kleinen Fläche berühren. Unterhalb (in 5 nicht erkennbar) wie auch oberhalb dieser Berührungsflächen werden die Hohlräume mit Siliziumsgranulat zumindest teilweise aufgefüllt, sodass eine effiziente Wärmeleitung auch zwischen den einzelnen Siliziumkurzstäben 14a, 14b, 14c, 14d und 14e gegeben ist.
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6 zeigt in schematischer Darstellung ein viertes Beispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung, in welcher als Siliziumkörper Siliziumkurzröhren 24, 25 vorgesehen sind. Diese weisen unterschiedliche Durchmesser auf, sodass Siliziumkurzröhren 25 mit kleinem Durchmesser in Siliziumkurzröhren 24 mit großem Durchmesser angeordnet werden können. Alternativ oder ergänzend sind die Innenräume der Siliziumkurzröhren 24, 25, welche offensichtlich Hohlräume 10 zwischen massiven Flächen der Siliziumkurzröhren 24, 25 darstellen, mit Siliziumgranulat 28 gefüllt. Das Siliziumgranulat 28 besteht in diesem Ausführungsbeispiel vollständig aus kleinen Körnern 19b, welche vorzugsweise einen ungefähren Durchmesser von 0,2 bis 3 mm aufweisen.
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Für den Fachmann ist offensichtlich, dass die verschiedenen Ausgestaltungsvarianten von Siliziumkörpern wie auch von Siliziumgranulat in den verschiedenen Ausführungsbeispielen austauschbar sind. So könnte beispielsweise das Siliziumgranulat 18 aus dem Ausführungsbeispiel der 4 ebenso in den Ausführungsbeispielen der 3, 5 und 6 Verwendung finden. Ebenso könnten Siliziumkurzröhren 24, 25 im Ausführungsbeispiel der 3 die dortigen Siliziumkörper 4 ersetzen. Auch Kombinationen der verschiedenen Siliziumkörperarten 4, 14, 24, 25 beziehungsweise der unterschiedlichen Arten an Siliziumgranulat 8, 18, 20, 28 sind möglich. Darüber hinaus existieren offensichtlich weitere Ausgestaltungsvarianten der Erfindung.
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Bezugszeichenliste
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- 2
- U-förmiger Siliziumstab
- 4
- Siliziumkörper
- 5
- Öffnungsbreite Tiegel
- 6
- Tiegel
- 7
- Tiegelwandung
- 8
- Siliziumgranulat
- 10
- Hohlraum
- 14
- Siliziumkurzstab
- 14a
- Siliziumkurzstab
- 14b
- Siliziumkurzstab
- 14c
- Siliziumkurzstab
- 14d
- Siliziumkurzstab
- 14e
- Siliziumkurzstab
- 18
- Siliziumgranulat
- 19a
- grobes Korn
- 19b
- kleines Korn
- 20
- Siliziumgranulat
- 24
- Siliziumkurzröhre mit großem Durchmesser
- 25
- Siliziumkurzröhre mit kleinem Durchmesser
- 28
- Siliziumgranulat
- 40
- Abtrennen Siliziumkörper
- 42
- Anordnen im Tiegel
- 44
- Auffüllen der Hohlräume
- 46
- Erhitzen des Tiegels