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Die
Erfindung geht aus von einem Verfahren zum Aufschmelzen von Silizium
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie von
einer Anordnung zum Aufschmelzen von Silizium gemäß dem
Oberbegriff des Anspruchs 12.
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Silizium
stellt das Ausgangsmaterial für verschiedenste Halbleiterbauelemente,
insbesondere Mikroprozessoren oder Solarzellen, dar, wobei an das
Material hohe Reinheitsanforderungen gestellt werden. Silizium wird üblicherweise
großtechnisch mittels chemischer Abscheidung aus einer
Dampfphase, so genannten chemical vapour deposition-Prozessen oder
kurz CVD-Prozessen, gewonnen. Hierbei wird üblicherweise
Silizium aus einer Halogensilan-Verbindung, insbesondere Trichlorsilan, chemisch
abgespalten und an der Oberfläche eines erhitzten Keimkörpers
als reines, polykristallines Silizium abgeschieden. Dieses Verfahren
ist im Wesentlichen unter dem Begriff „Siemens-Verfahren” bekannt,
welches häufig in so genannten „Siemens-Reaktoren” durchgeführt
wird (vgl. beispielsweise
DE
26 09 564 C2 oder
EP
1 257 684 B1 ). Als Keimkörper dienen dabei in
der Regel dünne, infolge eines Stromdurchflusses erhitzte
Siliziumstäbe, die durch die Anlagerung des polykristallinen
Siliziums einen Durchmesser- beziehungsweise Volumenzuwachs erfahren.
Derartige dünne Keimstäbe werden häufig U-förmig
angeordnet (vgl. wiederum
DE
26 09 564 C2 ). Mit der Siliziumanlagerung wachsen diese
zu massiven, U-förmigen Siliziumstäben an.
2 illustriert
schematisch einen solchen Siliziumstab nach erfolgter Anlagerung.
Grundsätzlich sind jedoch auch Abscheidungen in anderen
geometrischen Formen, beispielsweise Röhren, möglich
(vgl. beispielsweise
EP
1 257 684 B1 ).
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Das
mittels CVD-Prozessen gewonnene Silizium ist in der Regel sehr rein,
jedoch sind die bei diesen Prozessen gewonnenen Ausgangsmaterialien aufgrund
ihrer Form oder ihrer Kristallinität nicht ohne weiteres
weiterverarbeitbar. Je nach Einsatzzweck kann zudem eine weitergehende
Reinigung oder eine allgemeine Bearbeitung erforderlich sein. In
jedem dieser Fälle müssen die Siliziumausgangsmaterialien
daher zunächst aufgeschmolzen werden. Hierzu werden Siliziumausgangsmaterialien
wie die angesprochenen U-förmigen Siliziumstäbe
oder Siliziumröhren zunächst zerkleinert und nachfolgend
die Siliziumbruchstücke in einem Tiegel aufgeschmolzen.
Silizium ist einerseits sehr spröde, andererseits in massiver
Ausführung vergleichsweise hart. Das Siliziumausgangsmaterial
wird daher meist durch mechanische Krafteinwirkung zertrümmert.
Häufig erfolgt dies in ähnlicher Weise wie die
Zerkleinerung bergmännisch gewonnener Erze.
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Infolge
des Kontaktes mit entsprechenden Zertrümmerungseinrichtungen
werden Verunreinigungen in das Siliziummaterial eingetragen, welche für
Halbleiterbauelemente schädliche Auswirkungen haben können,
sodass diese Verunreinigungen nachfolgend wieder entfernt werden
müssen. Die Bruchstücke des Siliziumausgangsmaterials
werden daher nach dem Zertrümmern nasschemisch überätzt
und aufwendig getrocknet. Infolge der enormen Oberflächenvergrößerung
ist zudem ein großvolumiges Verpacken der gereinigten Bruchstücke
zum Schutz vor erneutem Verunreinigungseintrag erforderlich.
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Zur
Vermeidung der aufwändigen Zertrümmerungs- und
nachfolgender Säuberungsschritte wurde daher versucht,
die Siliziumausgangsmaterialien unter Verzicht auf eine Zertrümmerung
direkt in entsprechenden Tiegeln aufzuschmelzen. Hierbei erweist
sich jedoch die hohe Schmelztemperatur von Silizium jenseits von
1400° Celsius als problematisch. So ist zum Aufschmelzen
der großvolumigen Siliziumstäbe ein Überhitzen
der Tiegel weit über den Schmelzpunkt des Siliziums erforderlich,
wobei im Innern des Tiegels die Tiegelwandungen angegriffen werden
und sich Kristoballite ablösen, welche beim Wiedererstarren
des Siliziums die Kristallisationsfront stören und somit
die Qualität des Siliziums negativ beeinträchtigen.
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Der
vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
sowie eine Anordnung zur Verfügung zu stellen, mittels
welchen das Siliziumausgangsmaterial bei möglichst geringem Verunreinigungseintrag
ohne negative Beeinträchtigung der Tiegelwandungen aufgeschmolzen
werden kann.
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Diese
Aufgabe wird einerseits gelöst durch ein Verfahren mit
den Merkmalen des Anspruchs 1, andererseits durch eine Anordnung
mit den Merkmalen des Anspruchs 12.
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Vorteilhafte
Weiterbildungen sind jeweils Gegenstand abhängiger Unteransprüche.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren sieht vor, dass Siliziumkörper
in einem beheizbaren Tiegel angeordnet werden. Unter einem Siliziumkörper
ist dabei zunächst ein Stück eines Siliziumausgangsmaterials
zu verstehen, das grundsätzlich eine beliebige Geometrie
aufweisen kann. Sofern die Abmessungen des Siliziumausgangsmaterials
es zulassen, kann auch eine vollständige Einheit eines
Siliziumausgangsmaterials, beispielsweise ein kompletter U-förmiger
Siliziumstab, als Siliziumkörper in dem Tiegel angeordnet
werden. Bei der Anordnung von einem oder mehreren Siliziumkörpern
in dem Tiegel entstehen zwischen Tiegelwandungen und Siliziumkörpern
oder zwischen massiven Teilen eines Siliziumkörpers beziehungsweise
verschiedener Siliziumkörper Hohlräume. Wenigstens
ein Teil dieser Hohlräume wird zumindest teilweise mit
Siliziumgranulat aufgefüllt. Unter Si liziumgranulat ist
dabei ein Gemenge von Siliziumkörnern zu verstehen, welche grundsätzlich
eine beliebige Geometrie aufweisen können, jedoch deutlich
kleinere Abmessungen aufweisen als die Siliziumkörper,
sodass die gebildeten Hohlräume zumindest teilweise mit
ihnen aufgefüllt werden können. Insbesondere kann
das Siliziumgranulat so genannten Siliziumfeinbruch aufweisen. Hierunter
werden feine Siliziumbruchstücke, beispielsweise Muschelausbruchstücke,
verstanden. Im Weiteren wird der Tiegel erhitzt.
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Infolge
des beschriebenen, zumindest teilweisen, Auffüllens der
Hohlräume mit Siliziumgranulat stellt sich eine bessere
Wärmeleitfähigkeit zwischen den Tiegelwandungen
und den Siliziumkörpern ein, sodass ein besserer Wärmeübergang
von den Tiegelwandungen auf die Siliziumkörper erfolgen kann.
Im Ergebnis ist ein Überhitzen des Tiegels über die
Schmelztemperatur von Silizium hinaus nicht mehr oder nur in geringem
Maße erforderlich, sodass selbst große oder unförmige
Siliziumkörper auf oder über die Schmelztemperatur
des Siliziums erhitzt werden können, ohne dass der Tiegel
dabei zerstört wird.
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Siliziumausgangsmaterialien
liegen häufig in Abmessungen vor, die eine Anordnung einer
kompletten Einheit eines Siliziumausgangsmaterials in dem Tiegel
nicht zulassen. Eine praktisch besonders relevante Ausführungsvariante
der Erfindung sieht daher vor, dass die Siliziumkörper
von dem Siliziumausgangsmaterial abgetrennt und derart dimensioniert
werden, dass sie in dem beheizbaren Tiegel anordenbar sind. Die
Dimensionierung der Siliziumkörper erfolgt dabei bevorzugt
dadurch, dass Siliziumkörper mit geeigneten Abmessungen
von dem Siliziumausgangsmaterial abgetrennt werden.
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Eine
Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens
sieht vor, dass die Siliziumkörper kontrolliert von dem
Siliziumausgangs material abgetrennt werden. Unter einem kontrollierten
Abtrennen ist dabei zu verstehen, dass der Siliziumkörper
entlang einer bestimmbaren Trennlinie abgetrennt wird und sich die
Trennlinie nicht mehr oder weniger zufällig ergibt, wie
dies beispielsweise bei einem Zertrümmern der Fall ist.
Ein kontrolliertes Abtrennen der Siliziumkörper ist möglich
mittels Lasertrennen, Wasserstrahlschneiden oder Sägen.
Als Sägen können Bandsägen, Innenlochsägen
oder Drahtsägen, wie sie unter anderem beim Sägen
von Siliziumscheiben aus Siliziumblöcken oder -Stäben
eingesetzt werden, Verwendung finden. Auch andere kontrollierte
Abtrennverfahren wie beispielsweise mittels Kreissägen oder
Schleifscheiben sind möglich. Gegenüber dem Lasertrennen,
Wasserstrahlschneiden oder Sägen sind sie jedoch mit einem
erhöhten Verunreinigungseintrag in die Siliziumkörper
verbunden.
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Das
kontrollierte Abtrennen der Siliziumkörper erlaubt die
Bereitstellung großvolumiger Siliziumkörper, die
bevorzugt eine Geometrie aufweisen, welche Platz sparend in dem
Tiegel angeordnet werden kann. Durch die Verwendung großer
Siliziumkörper wird der Verunreinigungseintrag weiter verringert,
sodass gegebenenfalls auf ein Reinigen der Siliziumkörper,
beispielsweise ein Überätzen, verzichtet werden
kann oder dies nur noch lokal an den Trennflächen durchgeführt
zu werden braucht. In der Praxis haben sich Siliziumkörper
bewährt, die in wenigstens einer Ausdehnungsrichtung größer
als 10 cm sind.
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In
einer bevorzugten Ausgestaltungsvariante der Erfindung wird Siliziumgranulat
verwendet, dessen Körner einen ungefähren Durchmesser
von 0,3 bis 10 mm aufweisen. Dies hat den Vorteil, dass die Hohlräume
einfach zu einem großen Teil aufgefüllt werden
können. Eine besonders bevorzugte Ausgestaltungsvariante
sieht die Verwendung von Siliziumgranulat vor, dessen Kör ner
einen ungefähren Durchmesser von 0,3 bis 2 mm aufweisen,
da hiermit die Hohlräume noch besser aufgefüllt
werden können.
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Vorteilhafterweise
werden die Körner des Siliziumgranulats mittels eines so
genannten Wirbelschicht- oder Wirbelbettverfahrens gewonnen. Dies bringt
den Vorteil mit sich, dass die Körner bereits nach Gewinnung
in vergleichsweise reiner Form vorliegen, sodass eine zusätzliche
Reinigung vor der Verwendung in dem Tiegel nicht erforderlich ist. Grundsätzlich
kann jedoch auch zertrümmertes Siliziumausgangsmaterial
oder Siliziumfeinbruch als Siliziumgranulat Verwendung finden. Dieses
ist dann zwar nach wie vor vor dem Einbringen in den Tiegel zu reinigen,
doch fällt der Anteil des zu reinigenden Siliziums geringer
aus, da das gereinigte Siliziumgranulat lediglich zum Auffüllen
von Hohlräumen verwendet wird, der bei weitem größere
Teil des Tiegelvolumens hingegen von Siliziumkörpern eingenommen
wird, die idealer weise nicht oder jedenfalls an wesentlich kleineren
Flächen einer Reinigung bedürfen.
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Wie
eingangs dargelegt, wird mittels des Siemens-Verfahrens Silizium
häufig in Form von Siliziumstäben oder Siliziumröhren
gewonnen, wobei hierunter sämtliche Formen von Siliziumstäben
oder -Röhren zu verstehen sind, insbesondere gerade, gebogene,
abgewinkelte oder auch die bereits genannten U-förmigen
Stäbe oder Röhren. Von Stäben oder Röhren
können einfach Siliziumkörper abgetrennt werden,
insbesondere durch kontrolliertes Abtrennen, indem die Stäbe
beziehungsweise Röhren abgelängt werden. Die beim
Ablängen anfallenden Stücke bilden dabei die Siliziumkörper,
welche aufgrund der regelmäßigen Form vergleichsweise
einfach und Platz sparend in dem Tiegel anordenbar sind. Eine Ausgestaltungsvariante
der Erfindung sieht daher vor, dass als Siliziumsausgangsmaterial Siliziumstäbe
oder Siliziumröhren verwendet werden.
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Eine
vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht zudem vor, dass das
Abtrennen der Siliziumkörper durch Ablängen der
Siliziumstäbe oder Siliziumröhren auf Siliziumkurzstäbe
oder Siliziumkurzröhren realisiert wird, deren Länge
etwa einer Öffnungsbreite des Tiegels entspricht. Auf diese
Weise können die Siliziumkurzröhren beziehungsweise
Siliziumkurzstäbe Platz sparend in dem Tiegel angeordnet
werden, was eine weitestgehende Reduzierung der Trennflächen
und der damit verbundenen Verunreinigungsgefahr mit sich bringt.
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Unter
der Öffnungsbreite ist dabei die Erstreckung der Öffnung
des Tiegels in eine grundsätzlich beliebige Richtung, vorzugsweise
in die Richtung der größten Ausdehnung des Tiegels,
zu verstehen.
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Industriell
werden derzeit großteils Tiegel mit einer quadratischen Öffnung
verwendet, deren Seitenlängen etwa 35 cm, etwa 42 cm, etwa
54 cm oder etwa 69 cm betragen. Die Seitenlänge entspricht
in diesen Fällen der Öffnungsbreite des Tiegels.
In der Praxis hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die Siliziumstäbe
oder Siliziumröhren auf Siliziumkurzstäbe oder
Siliziumkurzröhren mit Längen von etwa 30 bis 35
cm, etwa 37 bis 42 cm, etwa 48 bis 54 cm oder etwa 60 bis 69 cm
abzulängen. Auf diese Weise kann die Generierung von Trennflächen
und die damit verbundene Gefahr des Verunreinigungseintrags verringert
werden. Grundsätzlich können jedoch auch kürzere
Siliziumkurzstäbe oder Siliziumkurzröhren Verwendung
finden.
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Es
hat sich gezeigt, dass die Gefahr der negativen Beeinträchtigung
der Tiegelwandungen deutlich reduziert werden kann, wenn die Hohlräume
zu 60 bis 98% mit Siliziumgranulat aufgefüllt werden. Eine
besonders effiziente Reduktion der Zerstörungsgefahr und
Verringerung des Energieaufwandes wird er reicht bei einem Auffüllen
der Hohlräume mit Siliziumgranulat zu 85 bis 98%.
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Die
erfindungsgemäße Anordnung zum Aufschmelzen von
Silizium weist einen beheizbaren Tiegel auf, in welchem Siliziumkörper
angeordnet sind. Zwischen Tiegelwandungen und Siliziumkörpern oder
zwischen massiven Teilen der Siliziumkörper sind Hohlräume
gebildet, von welchen wenigstens ein Teil zumindest teilweise mit
Siliziumgranulat gefüllt ist.
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Eine
derartige Anordnung ermöglicht die Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens. Um oben beschriebene
Vorteile der Erfindung effizient nutzen zu können, sieht
eine Weiterbildung der Anordnung vor, dass die Siliziumkörper
in zumindest einer Ausdehnungsrichtung größer
als 10 cm sind.
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Eine
bevorzugte Ausgestaltungsvariante der Anordnung sieht vor, dass
das Siliziumgranulat Körner mit einem ungefähren
Durchmesser von 0,3 bis 2 mm aufweist, da diese eine leicht einzubringende und
effiziente Befüllung der Hohlräume darstellen können.
Wie bereits beschrieben ist es zudem vorteilhaft, dass die Hohlräume
zu 60 bis 98%, oder in besonders vorteilhafterweise zu 85 bis 98%,
mit Siliziumgranulat gefüllt sind.
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Bei
einer vorteilhaften Ausgestaltungsvariante der Anordnung sind als
Siliziumkörper Siliziumkurzstäbe oder Siliziumkurzröhren
vorgesehen, vorzugsweise solche mit einer Länge, welche
der Öffnungsbreite des Tiegels entspricht, da dies eine
effiziente Ausnutzung des Tiegels ermöglicht bei verringerter
Gefahr von Verunreinigungseintrag.
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Im
Folgenden wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert.
Es zeigen:
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1:
Schematische Prinzipdarstellung einer Ausgestaltungsvariante des
erfindungsgemäßen Verfahrens.
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2:
Siliziumausgangsmaterial bildender U-förmiger Siliziumstab
gemäß dem Stand der Technik
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3:
Schematische Schnittdarstellung durch ein erstes Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Anordnung
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4:
Schematische Schnittdarstellung durch ein zweites Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Anordnung
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5:
Aufsicht auf ein drittes Beispiel einer erfindungsgemäßen
Anordnung
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6:
Schnittdarstellung durch ein viertes Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Anordnung.
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1 illustriert
den Ablauf einer Ausgestaltungsvariante des erfindungsgemäßen
Verfahrens. Demnach werden zunächst von einem Siliziumausgangsmaterial
Siliziumkörper abgetrennt 40. Als Siliziumausgangsmaterial
kommen dabei unter anderem U-förmige Siliziumstäbe 2 in
Betracht. Ein Beispiel eines solchen U-förmigen Siliziumstabs,
wie er beispielsweise in Siemens-Reaktoren gewonnen werde kann,
ist in 2 wiedergegeben.
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Bei
den abgetrennten Siliziumkörpern kann es sich grundsätzlich
um Siliziumkörper 4 unregelmäßiger
Form handeln, wie sie beispielhaft in 3 wiedergegeben
sind. Bei den Silizium körpern kann es sich andererseits
auch um Siliziumkurzstäbe 14, 14a, 14b, 14bc, 14d und 14e handeln,
wie dies die Ausführungsbeispiele der 4 und 5 illustrieren.
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Bei
dem Verfahren gemäß der Erfindung werden die Siliziumkörper 4; 14 im
Weiteren in einem beheizbaren Tiegel 6 angeordnet 42.
Begleitend zu dem Anordnen 42 der Siliziumkörper 4; 14; 24 im
Tiegel 6 werden die zwischen Tiegelwandungen 7 und den
Siliziumkörpern 4; 14; 24 oder
zwischen massiven Teilen der Siliziumkörper 4; 14; 24 entstehende Hohlräume 10 mit
Siliziumgranulat 8; 18; 28 aufgefüllt 44.
Im Weiteren wird der Tiegel 6 erhitzt 46 und Siliziumkörper 4; 14; 24 wie
auch Siliziumgranulat 8; 18; 28 werden
aufgeschmolzen.
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3 zeigt
ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Anordnung. In dieser sind die Siliziumkörper 4 unregelmäßig
geformt. Beispielsweise kann es sich um große Trümmerstücke
eines zertrümmerten Siliziumausgangsmaterials handeln,
die, wie oben erörtert, in der Regel zuvor einer Reinigung zu
unterziehen sind. Aufgrund der unregelmäßigen Form
der Siliziumkörper 4 ergeben sich vergleichsweise
große Hohlräume 10 zwischen der Tiegelwandung 7 und
den Siliziumkörpern 4, beziehungsweise zwischen
verschiedenen Siliziumkörpern 4. In der Darstellung
der 3 sind alle Hohlräume mit Siliziumgranulat 8 gefüllt.
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In
den in den 4 und 5 wiedergegebenen
Ausführungsbeispielen einer erfindungsgemäßen
Anordnung bilden Siliziumkurzstäbe 14 die Siliziumkörper.
Wie in der Schnittdarstellung der 4 erkennbar
ist, ermöglichen diese kontrolliert abgetrennten Siliziumkurzstäbe 14 eine
anteilsmäßig höhere Befüllung
des Tiegels 6 mit Siliziumkörpern, d. h. Siliziumkurzstäben 14.
Es wird daher eine geringere Menge an Siliziumgranulat 18 benötigt,
um die wiederum entstehenden Hohlräume 10 aufzu füllen.
Dies kann nach Art des verwendeten Siliziumgranulats 18, welches
unter Umständen aufwändig zu reinigen ist, einen
Aufwandsvorteil mit sich bringen.
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Wie 4 entnehmbar
ist, weist das Siliziumgranulat 18 in diesem Ausführungsbeispiel
sowohl große 19a wie auch kleine Körner 19b auf.
Hierbei kann es sich beispielsweise um beim Zertrümmern
von Siliziumausgangsmaterial anfallende Körner handeln,
welche üblicherweise vor dem Einbringen in den Tiegel gereinigt
werden müssen, um einen Verunreinigungseintrag zu verhindern.
Verglichen mit dem Stand der Technik braucht jedoch nur eine geringere
Menge an Silizium aufwändig gereinigt zu werde, da der
Großteil des Tiegelvolumens von Siliziumkurzstäben 14 eingenommen
wird, welche bei entsprechender Handhabung einer Reinigung nicht
oder allenfalls an den Trennflächen bedürfen.
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Dies
zeigt sich noch deutlicher an der Darstellung der 5,
welche eine Aufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Anordnung wiedergibt.
In der gezeigten Ausgestaltungsvariante sind als Siliziumkörper
wiederum Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d, 14e vorgesehen, wobei
die Länge der Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d und 14e etwa
einer Öffnungsbreite 5 des Tiegels 6 entsprechen,
sodass eine regelmäßige Anordnung der Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d und 14e möglich
ist, was eine effiziente Nutzung des Tiegelvolumens ermöglicht.
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Wie
aus der Abwinkelung des Siliziumkurzstabes 14 folgt, wurde
als Siliziumausgangsmaterial ein abgewinkelter oder U-förmiger
Siliziumstab verwendet. Als Siliziumgranulat 20 ist in
diesem Ausführungsbeispiel ein Granulat vorgesehen, dessen
Körner einen Durchmesser von etwa 0,2 bis 3 mm aufweisen.
Hierdurch lassen sich auch kleinere Hohlräume 10 mit
Siliziumgranulat 20 füllen, sodass ein besonders
effizienter Wärmeübergang von den Tiegelwandungen 7 auf
die Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d und 14e bewerkstelligt
werden kann. Der runde Querschnitt der Siliziumstäbe und
somit auch der Siliziumkurzstäbe 14a, 14b, 14c, 14d und 14e hat zur
Folge, dass die in 5 parallel angeordneten Siliziumkurzstäbe
sich nur entlang einer kleinen Fläche berühren.
Unterhalb (in 5 nicht erkennbar) wie auch
oberhalb dieser Berührungsflächen werden die Hohlräume
mit Siliziumsgranulat zumindest teilweise aufgefüllt, sodass
eine effiziente Wärmeleitung auch zwischen den einzelnen
Siliziumkurzstäben 14a, 14b, 14c, 14d und 14e gegeben
ist.
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6 zeigt
in schematischer Darstellung ein viertes Beispiel einer erfindungsgemäßen
Anordnung, in welcher als Siliziumkörper Siliziumkurzröhren 24, 25 vorgesehen
sind. Diese weisen unterschiedliche Durchmesser auf, sodass Siliziumkurzröhren 25 mit
kleinem Durchmesser in Siliziumkurzröhren 24 mit
großem Durchmesser angeordnet werden können. Alternativ
oder ergänzend sind die Innenräume der Siliziumkurzröhren 24, 25,
welche offensichtlich Hohlräume 10 zwischen massiven
Flächen der Siliziumkurzröhren 24, 25 darstellen,
mit Siliziumgranulat 28 gefüllt. Das Siliziumgranulat 28 besteht
in diesem Ausführungsbeispiel vollständig aus kleinen
Körnern 19b, welche vorzugsweise einen ungefähren
Durchmesser von 0,2 bis 3 mm aufweisen.
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Für
den Fachmann ist offensichtlich, dass die verschiedenen Ausgestaltungsvarianten
von Siliziumkörpern wie auch von Siliziumgranulat in den
verschiedenen Ausführungsbeispielen austauschbar sind.
So könnte beispielsweise das Siliziumgranulat 18 aus
dem Ausführungsbeispiel der 4 ebenso
in den Ausführungsbeispielen der 3, 5 und 6 Verwendung
finden. Ebenso könnten Siliziumkurzröhren 24, 25 im
Ausführungsbeispiel der 3 die dortigen
Siliziumkörper 4 ersetzen. Auch Kombinationen
der verschiedenen Siliziumkörperarten 4, 14, 24, 25 beziehungsweise
der unterschiedlichen Arten an Siliziumgranulat 8, 18, 20, 28 sind
möglich. Darüber hinaus existieren offensichtlich
weitere Ausgestaltungsvarianten der Erfindung.
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- 2
- U-förmiger
Siliziumstab
- 4
- Siliziumkörper
- 5
- Öffnungsbreite
Tiegel
- 6
- Tiegel
- 7
- Tiegelwandung
- 8
- Siliziumgranulat
- 10
- Hohlraum
- 14
- Siliziumkurzstab
- 14a
- Siliziumkurzstab
- 14b
- Siliziumkurzstab
- 14c
- Siliziumkurzstab
- 14d
- Siliziumkurzstab
- 14e
- Siliziumkurzstab
- 18
- Siliziumgranulat
- 19a
- grobes
Korn
- 19b
- kleines
Korn
- 20
- Siliziumgranulat
- 24
- Siliziumkurzröhre
mit großem Durchmesser
- 25
- Siliziumkurzröhre
mit kleinem Durchmesser
- 28
- Siliziumgranulat
- 40
- Abtrennen
Siliziumkörper
- 42
- Anordnen
im Tiegel
- 44
- Auffüllen
der Hohlräume
- 46
- Erhitzen
des Tiegels
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - DE 2609564
C2 [0002, 0002]
- - EP 1257684 B1 [0002, 0002]