DE102008026211B4

DE102008026211B4 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Metallleitungen mit einer selektiv gebildeten dielektrischen Deckschicht

Info

Publication number: DE102008026211B4
Application number: DE102008026211A
Authority: DE
Inventors: Michael Grillberger; Matthias Lehr
Original assignee: AMD Fab 36 LLC and Co KG; Advanced Micro Devices Inc
Current assignee: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG; GlobalFoundries Inc
Priority date: 2008-05-30
Filing date: 2008-05-30
Publication date: 2010-07-08
Anticipated expiration: 2028-05-31
Also published as: DE102008026211A1; US20090294921A1

Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst:
Bilden einer dielektrischen Deckschicht auf einer dielektrischen Schicht und auf einem Metallgebiet, das in der dielektrischen Schicht gebildet ist, wobei die dielektrische Deckschicht und das Metallgebiet eine Grenzfläche bilden; und
Entfernen der dielektrischen Deckschicht von zumindest einem Teil der dielektrischen Schicht, wobei die Grenzfläche beibehalten wird;
wobei das Entfernen der dielektrischen Deckschicht von zumindest einem Teil der dielektrischen Schicht ein Bilden einer Maske über der dielektrischen Deckschicht, um zumindest das Metallgebiet abzudecken, und ein Entfernen eines Teils der Deckschicht, der nicht von der Maske abgedeckt ist, umfasst; und
wobei das Bilden der Maske ein Bilden einer Lackschicht über der Deckschicht, ein Bilden einer Maskenöffnung in der Lackschicht, die im wesentlichen dem Metallgebiet entspricht, ein Füllen der Maskenöffnung mit einem Maskenmaterial und ein Entfernen der Lackschicht selektiv zu dem Maskenmaterial umfasst.

Description

Gebiet der vorliegenden Erfindung
Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Offenbarung integrierte Schaltungen und betrifft insbesondere die Metallisierungsschichten mit geringerer Permittivität unter Verwendung von dielektrischen Materialien mit kleinem ε und dielektrischen Deckschichten zum Einschluss einer oberen Fläche von Metallleitungen.
Beschreibung des Stands der Technik
US 6,274,499 B1 offenbart ein Verfahren, bei dem eine elektrisch leitfähige Leitung, die Kupfer enthält, mit Hilfe eines Doppeldamaszenerverfahrens gebildet wird. Über dem Kupfer wird eine dielektrische Deckschicht abgeschieden. Danach wird die dielektrische Deckschicht mit Ausnahme derjenigen Stellen, an denen sie die Kupferschicht bedeckt, entfernt. In einer Ausführungsform wird beim Entfernen der dielektrischen Deckschicht eine Schicht aus einem Lackmaterial über dem Substrat gebildet und bemustert, um eine Photomaske zu bilden. Anschließend wird ein Ätzprozeß durchgeführt.
US 2003/0001240 A1 offenbart ein Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung, die eine diskontinuierliche Deckschicht umfasst, die über einer Menge elektrisch leitfähiger Elemente gebildet ist.
US 2005/0151224 A1 offenbart, auf jeder von mehreren leitfähigen Schichten einer Verdrahtung eine Deckschicht zu bilden.
US 7,378,738 B2 offenbart ein Verfahren zum Bilden eines selbstjustierenden Musters auf einem existierenden Muster auf einem Substrat. Mittels einer Lösung, die ein Maskenmaterial in einem Träger umfasst, wird eine Beschichtung aufgebracht. Das Maskenmaterial ist entweder lichtempfindlich oder wärmeempfindlich. Das gesamte Substrat wird belichtet. Dadurch wird ermöglicht, dass sich zumindest ein Teil des Maskenmaterials derart entwickelt, dass es ein existierendes Muster auf dem Substrat wiedergibt.
In einer integrierten Schaltung wird eine große Anzahl von Schaltungselementen, Transistoren, Kondensatoren, Widerstände und dergleichen in oder auf einem geeigneten Substrat für gewöhnlich einer im Wesentlichen ebenen Konfiguration hergestellt. Auf Grund der großen Anzahl an Schaltungselementen und der erforderlichen komplexen Gestaltung moderner integrierter Schaltungen können die elektrischen Verbindungen der einzelnen Schaltungselemente im Allgemeinen nicht innerhalb der gleichen Ebene hergestellt werden, in der die Schaltungselemente hergestellt sind. Typischerweise werden derartige elektrische Verbindungen in einer oder mehreren zusätzlichen „Verdrahtungsschichten” gebildet, die auch als Metallisierungsschichten bezeichnet werden. Diese Metallisierungsschichten enthalten im Allgemeinen metallenthaltende Leitungen, die die elektrische Verbindung innerhalb der Ebene schaffen, und enthalten auch mehrere Zwischenebenenverbindungen, die auch als Kontaktdurchführungen bezeichnet werden und mit einem geeigneten Metall gefüllt sind. Die Kontaktdurchführungen stellen eine elektrische Verbindung zwischen Metallleitungen zweier benachbarter gestapelter Metallisierungsschichten her, wobei die metallenthaltenden Leitungen und die Kontaktdurchführungen gemeinsam auch als Verbindungsstruktur bezeichnet werden.
Auf Grund der fortschreitenden Forderung nach Verringerung der Strukturgrößen von sehr komplexen Halbleiterbauelementen, werden gut leitende Metalle, etwa Kupfer und Legierungen davon in Verbindung mit dielektrischen Materialien mit kleinem ε häufig als Alternative bei der Herstellung von Metallisierungsschichten eingesetzt. Typischerweise werden mehrere Metallisierungsschichten aufeinander gestapelt, um die Verbindungen zwischen allen inneren Schaltungselementen und von I/O-(Eingabe/Ausgabe)Anschlüssen, Leistungs- und Masseanschlussflächen des betrachteten Schaltungsaufbaus zu realisieren.
Für äußerst größenreduzierte integrierte Schaltungen ist die Signalausbreitungsverzögerung und damit die Arbeitsgeschwindigkeit der integrierten Schaltung nicht mehr durch die Feldeffekttransistoren begrenzt, sondern auf Grund der erhöhten Dichte an Schaltungselementen, die eine noch größere Anzahl an elektrischen Verbindungen erfordert, durch den geringen Abstand der Metallleitungen beschränkt, da die Kapazität zwischen Leitungen erhöht ist, wozu auch noch die Tatsache kommt, dass die Metallleitungen eine beschränkte Leitfähigkeit auf Grund des geringeren Querschnitts besitzen. Aus diesem Grunde werden übliche Dielektrika, etwa Siliziumdioxid (ε > 4) und Siliziumnitrid (ε > 7) durch dielektrische Materialien mit geringerer Permittivität besitzt, die daher auch als Dielektrika mit kleinem ε mit einer relativen Permittivität von drei oder weniger bezeichnet werden. Die geringere Permittivität dieser Materialien mit kleinem ε wird häufig durch das Vorsehen des dielektrischen Materials in einem porösen Zustand erreicht, wodurch ein ε-Wert deutlich unter 3,0 möglich ist, wobei derartige Materialien auch als Materialien mit Ultra-kleinem ε bezeichnet werden. Auf Grund der inhärenten Eigenschaften, etwa einen hohen Maß an Porosität des dielektrischen Materials ist jedoch die Dichte und damit die mechanische Stabilität oder Festigkeit deutlich geringer im Vergleich zu gut bewährten Dielektrika, etwa Siliziumdioxid und Siliziumnitrid.
Auf Grund der Herstellung von kupferbasierten Metallisierungsschichten wird eine sogenannte Damaszener- oder Einlegetechnik häufig eingesetzt auf Grund der Eigenschaften des Kupfers, keine flüchtigen Ätzprodukte zu bilden, wenn dieses mit gut etablierten anisotropen Ätzumgebungen behandelt wird. Des weiteren kann Kupfer auch nicht effizient mit hohen Abscheideraten auf der Grundlage gut etablierter Abscheidetechniken aufgebracht werden, die typischerweise für Aluminium eingesetzt werden, etwa CVD (chemische Dampfabscheidung). Daher wird in der Einlegetechnik das dielektrische Material strukturiert um Gräben und/oder Kontaktöffnungen zu erhalten, die nachfolgend mit dem Metall durch elektrochemische Abscheidetechnikten gefüllt werden.
Bekanntlich diffundiert Kupfer gut in einer Vielzahl von Materialien, etwa Silizium, Siliziumdioxid und auch in vielen dielektrischen Materialien mit kleinem ε, die typischerweise in aufwendigen Metallisierungssystemen verwendet werden. Aus diesem Grunde muss ein direkter Kontakt von kupferbasierten Materialien mit vielen dielektrischen Materialien, Siliziumdioxid und Materialien mit kleinem ε oder sehr kleinem ε vermieden werden, wodurch geeignete Barrierenmaterialien erforderlich sind, die für die gewünschte diffusionsblockierende Wirkung sorgen, um damit eine unerwünschte Diffusion von Kupferatomen zu unterdrücken. Des weiteren sollen die entsprechenden Barrierenmaterialien auch eine Wechselwirkung reaktiver Komponenten, etwa von Sauerstoff, Fluor und dergleichen unterdrücken, die in geringsten Mengen in dem umgebenden Material vorhanden sein können. Aus diesem Grunde werden häufig geeignete leitende Barrierenmaterialien, etwa Tantal, Tantalnitrid und dergleichen, eingesetzt, um in geeigneter Weise das Kupfermetall innerhalb der Kontaktdurchführungen und Metallleitungen einzuschließen, wobei auch für ein gewünschtes mechanisches und elektrisches Verhalten der betrachteten Metallgebiete gesorgt wird. D. h., obwohl Kupfer einen deutlich geringeren Widerstand und ein höheres Widerstandsvermögen gegenüber Elektromigration im Vergleich zu beispielsweise Aluminium in modernen Halbleiterbauelementen aufweist, treten dennoch moderat hohe Stromdichten während des Betriebs des Bauelements auf Grund der hohen Packungsdichte der Bauelement auf, die eine entsprechende Verringerung der Querschnittsflächen der Metallleitungen in dem Metallisierungssystem erfordert. Folglich repräsentiert die Elektromigration, d. h. das Wandern von Kupferatomen in der Richtung des Elektronenstromes, einen der wesentlichen Ausfallmechanismen moderner Halbleiterbauelemente, da eine Zunahme der gerichteten Diffusion von Kupferatomen entlang der Metallleitungen und Kontaktdurchführungen schließlich zu einer Zunahme des Widerstands der entsprechenden Verbindungsstruktur führt und schließlich einen gesamten Ausfall nach sich zieht, da die Elektromigration wesentlich von den Eigenschaften entsprechender Grenzflächen abhängt, die mit Barrierenmaterialien, dieelektrischen Materialien und dergleichen gebildet sind. Somit sorgen gut etablierte leitende Barrierenmaterialien für eine Verstärkung der entsprechenden Bindungen im Grenzflächenbereich, wodurch diese Grenzflächen weniger zu einem vorzeitigen durch Elektromigration hervorgerufenen Ausfall führen. Andererseits wird typischerweise eine dielektrische Barrierenschicht oder Deckschicht auf der Oberseite der fertiggestellten Metallleitung gebildet, die gleichzeitig als eine Ätzstoppschicht zum Strukturieren einer nachfolgenden Metallisierungsschicht dient, wobei ebenfalls für die gewünschten Barrieren- und Elektromigrationseigenschaften zu sorgen ist. Beispielsweise ist Siliziumnitrid ein dielektrisches Material, das in ausreichender Weise die Diffusion von Kupfer unterdrücken kann und auch ein akzeptables Elektromigrationsverhalten aufweist. Andere geeignete Materialien, etwa stickstoffenethaltendes Siliziumkarbid und dergleichen, können ebenfalls als effiziente Deckschichten für Metallleitungen eingesetzt werden.
Bei dem stetig abnehmenden Strukturgrößen in der Bauteilebene müssen jedoch auch geringere Abmessungen für Metallleitungen und Kontaktdurchführungen eingeführt werden, wobei auch die gesamte parasitäre Kapazität zu verringern ist, insbesondere in Metallisierungsschichten, in denen die parasitäre Kapazität zwischen benachbarten Metallleitungen wesentlich zur gesamten Signalausbreitungsverzögerung beiträgt. Die entsprechenden dielektrischen Materialien mit einer deutlich geringeren dielektrischen Konstante von weniger als 3,0 führen jedoch zu einem deutlichen Ausbeuteverlust auf Grund mechanischer Instabilitäten, wie dies mit Bezug zu den 1a bis 1d nachfolgend detaillierter beschrieben ist.
1a zeigt schematisch eine Querschnittsansicht eines Halbleiterbauelements 100, in welchem ein dielektrisches Material mit geringerer Permittivität, beispielsweise mit einem Wert von 3,0 und deutlich weniger, gemäß einer Einlegetechnik strukturiert wird, in der beispielsweise eine Kontaktdurchführung und eine Metallleitung strukturiert und in einer gemeinsamen Prozesssequenz gefüllt werden. Das Halbleiterbauelement 100 umfasst ein Substrat 101, das ein beliebiges geeignetes Trägermaterial repräsentiert, um darauf Schaltungselemente und dergleichen herzustellen, wie dies für den Gesamtaufbau des Halbleiterbauelements 100 erforderlich ist. Der Einfachheit halber sind derartige Schaltungselemente, etwa Transistoren, Kondensatoren, Widerstände und dergleichen nicht gezeigt. Wie zuvor erläutert ist, sind typischerweise eine oder mehrere Metallisierungsschichten erforderlich, um die elektrischen Verbindungen zwischen den diversen Schaltungselementen bereitzustellen, die in und über dem Substrat 101 vorgesehen sind. In dem gezeigten Beispiel ist eine erste Metallisierungsschicht 110, die nicht notwendigerweise die aller erste Metallisierungsebene vorgesehen und enthält eine geeignete dielektrische Schicht 111, beispielsweise in Form eines geeigneten dielektrischen Materials, etwa Siliziumdioxid und dergleichen. Die dielektrische Schicht 111 enthält auch ein dielektrisches Material mit kleinem ε, wobei dies von den gesamten Bauteilerfordernissen abhängt. Beispielsweise repräsentiert in komplexen Metallisierungssystemen die parasitäre Kapazität nicht notwendigerweise eine Beschränkung, so dass die Verwendung mechanisch robusterer dielektrischer Materialien, etwa Siliziumdioxid, als geeignet erachtet wird, während in anderen Metallisierungsebenen, etwa der Metallisierungsschicht 120 ein dielektrisches Material mit kleinem ε vorzusehen ist, um die Erfordernisse im Hinblick auf das elektrische Leistungsverhalten der Metallisierungsschicht 120 zu erfüllen. Die dielektrische Schicht 111 umfasst mehrere Metallgebiete, etwa eine Metallleitung 112, die ein gut leitendes Metall, etwa Kupfer, möglicherweise in Verbindung mit einem geeigneten leitenden Barrierenmaterial 112b aufweist. Beispielsweise ist das Barrierenmaterial 112b aus Tantal und Tantalnitrid aufgebaut, wodurch für die Barriereneigenschaften gesorgt ist, während auch die Haftung des gut leitenden Metallkerns 112a in Bezug auf das umgebende dielektrische Material 111 verbessert ist. Des weiteren ist eine dielektrische Deckschicht 113, die beispielsweise aus Siliziumnitrid, stickstoffenthaltendem Siliziumkarbid und dergleichen aufgebaut ist, auf der dielektrischen Schicht 111 und dem Metallgebiet 112 gebildet, wodurch eine Grenzfläche 113s mit dem Metallgebiet 112 erzeugt wird, deren Eigenschaften einen wesentlichen Einfluss auf das gesamte elektrische Verhalten des Metallgebiets 112 besitzt, wie dies zuvor beschrieben ist.
Das Halbleiterbauelement 100 umfasst ferner ein dielektrisches Material 121 in der zweien Metallisierungsschicht 120, das ein dielektrisches Material mit kleinem ε repräsentiert und das aus einer beliebigen geeigneten Materialzusammensetzung, etwa siliziumbasierten Materialien, Polymermaterialien und dergleichen aufgebaut ist, wobei auch ein gewisser Grad an Porosität zum Erhalten einer geringeren dielektrischen Konstante vorgesehen werden kann, wodurch sich jedoch auch eine geringere mechanische Stabilität ergibt. Es sollte beachtet werden, dass in einigen konventionellen Lösungen die dielektrische Schicht 121 einen Oberflächenbereich mit verbesserten mechanischen Eigenschaften besitzt, um damit Schäden während der nachfolgenden Bearbeitung, beispielsweise im Hinblick auf Ätzprozesse, chemisch-mechanische Polierprozesse und dergleichen, zu verringern. Der Einfachheit halber sind Oberflächenschichten in 1a nicht gezeigt. Ferner ist in dieser Fertigungsphase eine Ätzmaske 102 über der dielektrischen Schicht 121 gebildet und besitzt eine Öffnung 102a, die im Wesentlichen die laterale Größe einer in dem dielektrischen Material 121 zu bildenden Kontaktlochöffnung definiert. Die Ätzmaske 102 umfasst ein Lackmaterial, möglicherweise in Verbindung mit einem ARC-(antireflektierenden Beschichtungs-)Material, das aus etwa Siliziumoxidnitrid und dergleichen aufgebaut ist, das auch als ein Hartmaskenmaterial während des Strukturierens des dielektrischen Materials 121 verwendet werden kann. D. h., in modernsten Bauelementen, etwa dem Bauelement 100, wird typischerweise ein Lithographieprozess mit moderat kurzer Wellenlänge der Belichtungsstrahlung angewendet, wodurch ebenfalls eine angepasste Dicke des Lackmaterials erforderlich ist, die in Form eines positiven Lackmaterials oder negativen Lackmaterials in Abhängigkeit der gesamten Prozessstrategie vorgesehen wird. Eine Dicke des Lackmaterials, das in der Ätzmaske 102 verwendet wird, ist jedoch unter Umständen nicht ausreichend, um dem Ätzangriff während eines nachfolgenden Ätzprozesses zu wiederstehen, wodurch ein zusätzliches Maskenmaterial erforderlich ist, das zuverlässig auf der Grundlage des zuvor belichteten und entwickelten Lackmaterials strukturiert werden kann.
Das in 1a gezeigte Halbleiterbauelement 100 kann auf der Grundlage der folgenden konventionellen Prozesstechniken hergestellt werden. Nach dem Erzeugen von Schaltungselementen in und über dem Substrat 101, das auf Grundlage gut etablierter Prozessstrategien erfolgen kann, werden ein oder mehrere Metallisierungsschichten hergestellt, etwa die Metallisierungsschicht 110. Zu diesem Zweck wird ein geeignetes dielektrisches Material, etwa ein dielektrisches Material mit kleinem ε und dergleichen abgeschieden, beispielsweise durch CVD und dergleichen, woran sich ein Strukturierungsschema anschließt, wie es in ähnlicher Weise zur Herstellung der Äztmaske 102 und zum Strukturieren des dielektrischen Materials 121 angewendet wird. Somit wird die Beschreibung der entsprechenden Strukturierungssequenz weggelassen. Nach dem Strukturieren des dielektrischen Materials 111, um einen geeigneten Graben zu erhalten, wird das Barrierenmaterial 112 abgeschieden, beispielsweise durch Sputter-Abscheidung, woran sich eine elektrochemische Abscheidung des Materials 112a anschließt, was durch eine stromlose Abscheidung, durch Elektroplattieren und dergleichen möglicherweise in Verbindung mit einem vorhergehenden Abscheiden eines Saatmaterials erreicht werden kann. Danach wird überschüssiges Material etwa durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) entfernt. Als nächstes wird die dielektrische Deckschicht 113 gebildet, beispielsweise durch plasmaunterstützte CVD und dergleichen. Es sollte beachtet werden, dass die Deckschicht 113 zwei oder mehr Teilschichten aufweisen kann, wenn dies gewünscht ist. Anschließend wird das dielektrische Material mit kleinem ε 121 abgeschieden, beispielsweise durch CVD, Aufschleudertechniken und dergleichen, wobei dies von der Art des vorzusehenden Materials mit kleinem ε abhängt. Wie zuvor erläutert ist, kann bei Bedarf eine Oberflächenbehandlung ausgeführt werden oder es kann eine Oberflächenschicht aufgebracht werden, um die gesamten mechanischen Eigenschaften der dielektrischen Schicht 121 zu verbessern. Danach werden ARC-Materialien und Hartmaskenmaterialien aufgebracht, woran sich das Abscheiden des Lackmaterials der Ätzmaske 102 anschließt. Daraufhin wird das Lackmaterial belichtet unter Anwendung einer entsprechenden Lithographiemaske, die so gestaltet ist, dass die Öffnung 102a beispielsweise auf der Grundlage eines positiven Lackmaterials bereitgestellt wird. D. h., in diesem Falle werden belichtete Bereiche des Lackmaterials eine photochemische Reaktion zeigen, so dass die belichteten Materialbereiche einen gewissen Schwellwert übersteigen und während eines nachfolgenden Entwicklungsprozesses entfernt werden. Auf der Grundlage des strukturierten Lackmaterials wird die Ätzmaske 102 gebildete und nachfolgend wird eine geeignete Ätzumgebung eingerichtet, um durch das dielektrische Material zu ätzen, während die dielektrische Deckschicht 113 als ein effizientes Ätzstoppmaterial verwendet wird.
1b zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 nach der oben beschriebenen Prozesssequenz und nach dem Entfernen der Ätzmaske 102. Wie gezeigt, ist eine Kontaktlochöffnung 121a in der dielektrischen Schicht 121 gebildet und erstreckt sich in die dielektrische Deckschicht 113.
1c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 in einem weiter fortgeschrittenen Fertigungsstadium. Wie gezeigt, ist die Kontaktlochöffnung 121a mit einem Material 104 gefüllt, das ebenfalls eine geeignete ARC-Schicht über der dielektrischen Schicht 121 bildet. Zu diesem Zweck werden typischerweise geeignete Lackmaterialien, Polymermaterialien und dergleichen eingesetzt. Des weiteren ist eine Ätzmaske 103, beispielsweise in Form einer Lackmaske, auf dem Material 104 gebildet und besitzt eine Öffnung 103a, die der lateralen Größe eines in der dielektrischen Schicht 121 zu bildenden Grabens entspricht, um Metallleitungen für die Metallisierungsschicht 120 zu bilden.
Das in 1c gezeigte Bauelement 100 kann auf der Grundlage gut etablierter Techniken hergestellt werden, etwa dem Abscheiden des Materials 104, etwa durch Aufschleudertechniken und dergleichen, möglicherweise in Verbindung mit einem Einebnungsschritt, woran sich eine Lithographiesequenz anschließt, die das Abscheiden eines Lackmaterials, etwa eines positiven Lackmaterials, und dessen Belichtung auf der Grundlage einer Lithographiemaske beinhaltet, die zum Erzeugen einer Öffnung 103a in dem Lackmaterial nach dessen Entwicklung gestaltet ist. Im Hinblick auf eine geeignete Lackdicke sowie auf die Belichtungswellenlänge gelten die gleichen Kriterien, wie sie zuvor erläutert sind. Danach wird ein anisotroper Ätzprozess auf der Grundlage gut etablierter Techniken ausgeführt, wodurch eine entsprechende Öffnung in der dielektrischen Schicht 121 gebildet wird. Anschließend werden die Lackmaske 103 und das Material 104 entfernt und es werden auch die verbleibenden Bereiche der Schicht 113 in der Öffnung 121a entfernt, um einen Oberflächenbereich des Materials 112a freizulegen.
Es sollte beachtet werden, dass auch andere Strukturierungsschemata eingesetzt werden können, beispielsweise Einzel-Damaszener-Prozesse, in denen die Kontaktlochöffnung 121a gebildet und in einer separaten Prozesstechnik gefüllt wird und danach die Grabenöffnung auf der Grundlage der Lackmaske 103 in der zuvor beschriebenen Weise hergestellt wird. Nach der Strukturierungssequenz werden die resultierenden Öffnungen, d. h. die Kontaktlochöffnung 121a und eine entsprechende Grabenöffnung (nicht gezeigt) mit einem geeigneten Material gefüllt.
1d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 100 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase, in der ein Barrierenmaterial 122b, beispielsweise in Form eines geeigneten leitenden Materials, etwa Tantal, Tantalnitrid, und dergleichen in der Kontaktlochöffnung 121a und einer Grabenöffnung 121b gebildet ist, während auch ein Metall vorgesehen ist, wodurch ein Metallgebiet 121 innerhalb der Öffnungen 121b, 121a gebildet wird. Das leitende Barrierenmaterial 122b kann durch Sputterabscheidung und dergleichen aufgebracht werden, wie dies auch zuvor mit Bezug zu dem Barrierenmaterial 112b erläutert ist, während das Metall für das Metallgebiet 122, beispielsweise Kupfer, auf der Grundlage gut etablierter elektrochemischer Abscheidetechniken gebildet werden kann. Um die Öffnungen 121a, 121b zuverlässig zu füllen, wird typischerweise eine gewisse Menge an Überschussmaterial 121e vorgesehen, das nachfolgend mittels einer geeigneten Einebnungstechnik entfernt wird, die für gewöhnlich einen CMP-Prozess umfasst. Während des CMP-Prozesses 105 werden auch Bereiche des Barrierenmaterials 122b außerhalb des Metallgebiets 122 entfernt, wodurch elektrisch isolierte Metallleitungen entstehen. Jedoch ist auf Grund der geringeren mechanischen Stabilität des dielektrischen Materials 121 mit kleinem ε und insbesondere auf einer geringeren Haftung des Materials 121 an das dielektrische Deckschichtmaterial 113 ggf. eine deutliche Ablösung wahrzunehmen, wie dies zuvor erläutert ist und als 113a gekennzeichnet ist, die zu einer geringeren Zuverlässigkeit und schließlich auch zu einer geringeren Ausbeute führt.
Folglich werden große Anstrengungen unternommen, um neue Materialien für die dielektrische Deckschicht 113 zu entwickeln, um eine erhöhte Haftung zu ermöglichen, wodurch ausgeprägte Modifizierungen an den gesamten Prozesssequenzen erforderlich sind, wodurch auch möglicherweise die Barriereneigenschaften, die Ätzstoppeigenschaften und andere Eigenschaften der dielektrischen Deckschicht 113 negativ beeinflusst werden.
Angesichts der zuvor beschriebenen Situation betrifft die vorliegende Offenbarung Verfahren mit denen eine bessere mechanische Integrität von Metallisierungssystemen in Verbindung, mit dielektrischen Materialien mit kleinem ε erreicht wird, wobei eines oder mehrere der oben erkannten Probleme vermieden oder zumindest reduziert werden.
Überblick über die Offenbarung
Ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die Merkmale des Patentanspruchs 1. Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Weitere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in den angefügten Patentansprüchen definiert und gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung hervor, wenn diese mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen studiert wird, in denen:
1a bis 1d schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements 100 während diverser Fertigungsphasen bei der Herstellung einer Metallisierungsschicht auf der Grundlage einer dielektrischen Deckschicht gemäß konventioneller Strategien zeigen;
2a bis 2d schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements mit diverser Fertigungsphasen zeigen, wenn eine dielektrische Deckschicht hergestellt und diese auf der Grundlage einer Maske strukturiert wird;
2e und 2f schematisch Querschnittsansichten eines Halbleiterbauelements während diverser Fertigungsphasen in einem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen, in denen eine Maske zum Strukturieren der dielektrischen Deckschicht auf Grundlage einer ähnlichen Lithographiesequenz gebildet wird, wie sie zur Herstellung eines darunter liegenden Metallgebiets verwendet wird;
2g bis 2j schematisch Querschnittsansichten des Halbleiterbauelements während diverser Fertigungsphasen zeigen, in denen die dielektrische Deckschicht auf der Grundlage einer selbstjustierten Prozessstrategie strukturiert wird; und
2k und 2l schematisch eine Querschnittsansicht bzw. eine Draufsicht des Halbleiterbauelements zeigen, das Metallleitungen mit einer dielektrischen Deckschicht aufweist, die räumlich so beschränkt sind, dass insgesamt die mechanische Stabilität verbessert wird.
Detaillierte Beschreibung
Im Allgemeinen betrifft die vorliegende Offenbarung Halbleiterbauelemente und Verfahren zu deren Herstellung, in denen eine dielektrische Deckschicht, die zum Einschluss eines Metalls dient, als ein Ätzstoppmaterial und dergleichen während der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme verwendet wird, räumlich so beschränkt wird, dass ein direkter Kontakt des dielektrischen Zwischenschichtmaterials einer tieferliegenden Metallisierungsebene und des dielektrischen Zwischenschichtmaterials der nachfolgenden Metallisierungsebene ermöglicht wird, wodurch die Haftung zwischen den dielektrischen Materialien benachbarter Metallisierungsschichten verbessert wird. Die dielektrische Deckschicht wird in einer räumlich beschränkten Weise mittels Lithographie gebildet, wobei in Ausführungsformen der Erfindung die gleiche Lithographiemaske verwendet wird, wodurch nicht unnötig zur gesamten Prozesskomplexität beigetragen wird. Beispielsweise wird eine Maske auf der Grundlage der Lithographiemaske gebildet, die zuvor zur Erzeugung der Gräben der Metallleitungen der tieferliegenden Metallisierungsschicht verwendet wurde, wobei bei Bedarf Prozessparameter so eingestellt werden, dass größere laterale Abmessungen erreicht werden, um damit eine zuverlässige Abdeckung des Metallgebiets durch die Maske zu ermöglichen. In Beispielen, die nicht Teil der Erfindung sind, wird eine im Wesentlichen selbstjustierte Prozesssequenz eingesetzt, um die dielektrische Deckschicht zu strukturieren, wodurch zusätzliche Lithographieschritte vermieden werden, was insgesamt zu geringeren Herstellungskosten führt.
Mit Bezug zu den 2a bis 2d und 2g bis 2j werden nunmehr Beispiele, die zum Verständnis der vorliegenden Erfindung beitragen, beschreiben. Ausführungsformen der Erfindung werden mit Bezug auf die 2e und 2f beschrieben.
2a zeigt schematisch ein Halbleiterbauelement 200 in einer gewissen Fertigungsphase, in der eine erste Metallisierungsschicht 210 über einem Substrat 201 vorgesehen ist. Das Substrat 201 repräsentiert ein beliebiges geeignetes Trägermaterial, um darüber ein Metallisierungssystem für ein Halbleiterbauelement zu bilden, in welchem dielektrische Materialien mit kleinem ε im Hinblick auf das elektrische Verhalten des betrachteten Metallisierungssystems vorzusehen sind. Beispielsweise repräsentiert das Substrat 201 ein Halbleitersubstrat, ein isolierendes Substrat und dergleichen, in welchem eine Halbleiterschicht (nicht gezeigt) gebildet ist, in und über welcher Schaltungselemente, etwa Transistoren und dergleichen vorzusehen sind. In anderen Fällen sind entsprechende Schaltungselemente nicht in dem Substrat 201 enthalten, wenn beispielsweise das Metallisierungssystem mit der Metallisierungsschicht 210 separat zu einer entsprechenden Bauteilschicht einer Mikrostruktur oder eines Halbleiterbauelements herzustellen ist. Wenn beispielsweise entsprechende Schaltungselemente in und über dem Substrat 201 vorgesehen sind, können kritische Abmessungen davon, etwa eine Gatelänge von Feldeffekttransistoren, ungefähr 50 nm oder weniger betragen, wodurch typischerweise auch anspruchsvolle Strukturierungsschemata und Materialien in der Metallisierungsschichten, etwa der Schicht 210 erforderlich sind. Ferner kann in der gezeigten Fertigungsphase die Metallisierungsschicht 210 ein dielektrisches Material 211 aufweisen, das ein dielektrisches Material mit kleinem ε enthalten kann, etwa ein Material mit einer dielektrischen Konstante von 3,0 oder kleiner. Die dielektrische Schicht 211 wird auch als dielektrisches Zwischenschichtmaterial bezeichnet, da es einen wesentlichen Bereich repräsentiert, der zwischen lateral benachbarten Metallleitungen und Metallgebieten, etwa der Metallleitung 212, der Metallisierungsschicht 210 gebildet ist. Daher können die Metallleitungen 212 als Metallschichten bezeichnet werden, während das dielektrische Material 211 als dessen Zwischenschichtmaterial betrachtet wird. Die Metallleitung 212 enthält ein geeignetes Metall 212a, etwa Kupfer, Kupferlegierungen, Silber, Aluminium und dergleichen, wobei dies von den gesamten Bauteilerfordernissen abhängt. Des weiteren ist ein Barrierenmaterial 212b in der Metallleitung 212 vorgesehen, wobei das Barrierenmaterial 212b ein leitendes Material repräsentiert, das die gewünschten Haftungseigenschaften, Diffusionsblockiereigenschaften, das Elektromigrationsverhalten und dergleichen bereitstellt, wie diese auch zuvor mit Bezug zu dem Halbleiterbauelement 100 erläutert ist. Ferner ist eine dielektrische Deckschicht 213 auf der dielektrischen Schicht 211 und der Metallleitung 212 gebildet, wodurch eine Grenzfläche 213s mit dem Metallgebiet 212 gebildet wird. Es sollte beachtet werden, das das Metallgebiet 212 zusätzlich zu der dielektrischen Deckschicht 213 auch eine leitende Deckschicht, beispielsweise in Form einer Legierung und dergleichen, aufweisen kann, um damit das gesamte Elektromigrationsverhalten an der Grenzfläche 213s weiter zu verbessern. Wie zuvor angegeben ist, wird die dielektrische Deckschicht 213 in Form einer geeigneten Materialzusammensetzung, etwa in Form von Siliziumnitrid, stickstoffenthaltendem Siliziumkarbid, Siliziumkarbid, einer Mischung zweier oder mehrerer dieser Materialien und dergleichen vorgesehen.
Das in 2a gezeigte Halbleiterbauelement 200 kann auf der Grundlage von im Wesentlichen den gleichen Prozesstechniken hergestellt werden, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 100 erläutert sind, wenn Bezug genommen wurde auf die Metallisierungs schichten 110 und 120. Jedoch wird im Gegensatz zu der konventionellen Prozessstrategie die dielektrische Deckschicht 213 strukturiert, um damit wesentliche Bereiche des dielektrischen Materials 211 vor der Herstellung einer weiteren Metallisierungsschicht freizulegen.
2b zeigt schematisch das Bauelement 200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase. Wie gezeigt, ist eine Maskenschicht 214, die beispielsweise aus einem Lackmaterial aufgebaut ist, über der dielektrischen Deckschicht 213 gebildet. Beispielsweise repräsentiert die Maskenschicht 214 ein geeignetes Lackmaterial, das zur Strukturierung der dielektrischen Deckschicht 213 auf der Grundlage einer Ätzmaske, die aus der Schicht 214 gebildet wird, geeignet ist. Zu diesem Zweck wird in einigen anschaulichen Beispielen (nicht gezeigt) eine geeignete Lithographiemaske vorgesehen, die ein belichtendes Lackmaterial 214 derart ermöglicht, dass ein nicht entwickelter Bereich über dem Metallgebiet 212 gebildet wird, möglicherweise mit lateralen Abmessungen, die größer sind als die lateralen Abmessungen des Metallgebiets 212, so dass ein Prozessspielraum im Hinblick auf die Justiergenauigkeit gegeben ist. In anderen anschaulichen Beispielen wird, wie gezeigt ist, das Lackmaterial der Maske 214 mit einem photochemischen Verhalten vorgesehen, das invers zu dem photochemischen Verhalten eines Lackmaterials ist, wie es zum Strukturieren einer Öffnung für das Metallgebiet 212 verwendet wurde. Wie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 100 und auf die Lackschicht 103 (siehe 1c) erläutert ist, kann ein Negativlack oder ein Positivlack in Verbindung mit einer geeigneten Lithographiemaske verwendet werden, um beispielsweise eine gewünschte Öffnung, etwa die Öffnung 103a aus 1c zu erhalten. Folglich kann unter Verwendung eines Lackmaterials mit entgegengesetztem photochemischen Verhalten die gleiche Lithographiemaske während einer Belichtung 215 zum Erzeugen eines latenten Bildes 214l verwendet werden, das einen Teil repräsentiert, der während einer nachfolgenden Entwicklung der belichteten Schicht 214 nicht zu entfernen ist. In einigen anschaulichen Beispielen wird eine Dicke 214t der Lackschicht 214 so gewählt, dass das Gesamtverhalten des Belichtungsprozesses 215 im Vergleich zu den Belichtungsbedingungen während des vorhergehenden Lithographieprozesses zum Bilden einer Ätzmaske für die Öffnung des Metallgebiets 212 verbessert sind, wie dies auch zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 100 erläutert ist, da in dem vorhergehenden Lithographieprozess die entsprechende Lackmaske als eine Ätzmaske zum Ätzen durch eine große Dicke des dielektrischen Materials 211 dienen muss, wodurch eine geeignete Anfangsdicke des Lackmaterials erforderlich war. Andererseits kann während der Belichtung 215 die geringere Dicke 214t verwendet werden, da die entsprechende Ätzmaske, d. h. der nicht ente fernte Bereich des latenten Bild 214l, für einen Ätzprozess zum Ätzen durch die dielektrische Deckschicht 213 verwendet wird, die eine deutlich geringere Dicke im Vergleich zu der dielektrischen Schicht 211 aufweist, wodurch deutlich geringere Gesamtätzzeiten erforderlich sind.
Ferner kann während des Belichtungsprozesses 215 die Belichtungsdosis so gewählt werden, dass ein gewisses Maß an Überbelichtung auftritt, wodurch ebenfalls Energie an Randgebieten 214e des latenten Bildes 214l deponiert wird, obwohl die gleiche Lithographiemaske eingesetzt wird, die ansonsten einer lateralen Größe des Metallgebiets 212 entspricht. Folglich wird auch ein kritischer Schwellwert des Lackmaterials der Schicht 214 überschritten oder wird nicht erreicht, wobei dies von der Art des in den Randgebieten 214 verwendeten Lackmaterials abhängt, wodurch das latente Bild 214l mit größeren latenten Abbildungen bei Bedarf erhalten wird.
2c zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase. Wie gezeigt, ist eine Maske 214m über dem Metallgebiet 212 angeordnet, wobei die laterale Größe der Maske 214m im Wesentlichen dem latenten Bild 214l entspricht. Die Maske 214m wird durch Entwickeln der belichteten Maskenschicht 214 unter Anwendung geeigneter Prozessparameter erhalten, die im Stand der Technik gut bekannt sind.
2d zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 während eines Ätzprozesses 216 zum wirksamen Entfernen eines Teils der dielektrischen Deckschicht 213, der von der Maske 214m bedeckt ist. Somit wird eine räumlich beschränkte Deckschicht 213a vorgesehen, die zumindest das Metallgebiet 212 abdeckt und sich möglicherweise lateral über das Metallgebiet 212 hinaus erstreckt, um damit einen gewissen Prozesstoleranzbedarf zu schaffen. Der Ätzprozess 216 kann auf der Grundlage plasmaunterstützter Ätzrezepte ausgeführt werden, die im Stand der Technik für eine Vielzahl von Deckmaterialien, wie sie zuvor angegeben sind, bekannt sind, während in anderen anschaulichen Beispielen auch nasschemische Ätzrezepte eingesetzt werden, wenn eine ausreichende Ätzselektivität im Hinblick auf das darunter liegende dielektrische Material 211 erreicht wird. Wie zuvor mit Bezug zu dem Bauelemet 100 erläutert ist, wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen auch eine geeignete Oberflächenschicht des Materials 211 vorgesehen, beispielsweise durch Oberflächenbehandlung, Abscheidung und dergleichen, um damit die gesamten Eigen schaften des Materials 211 zu verbessern, ohne jedoch in unerwünschter Weise die gesamten dielektrischen Eigenschaften zu modifizieren. In diesem Falle wird eine gewisse erhöhte Ätzwiderstandsfähigkeit während des Prozesses 216 erreicht, wodurch der Grad an Flexibilität bei der Auswahl eines geeigneten Ätzrezepts erhöht wird. Beispielsweise können siliziumnitridbasierte Materialien effizient mittels einer Vielzahl plasmaunterstützter Chemien selektiv zu siliziumdioxidbasierten Materialien entfernt werden, wobei auch selektive nasschemische Ätzrezepte für diese Materialien verfügbar sind. Danach wird die Maske 214m durch gut etablierte Lackabtragungsprozesse entfernt und die weitere Bearbeitung wird fortgesetzt, indem ein dielektrisches Material mit kleinem ε gebildet und dieses strukturiert wird, um Kontaktlochöffnungen und Grabenöffnungen zu bilden, wie dies auch zuvor mit Bezug zu dem Halbleiterbauelement 100 erläutert ist, wenn auf die Metallisierungsschicht 120 verwiesen wird.
Mit Bezug zu den 2e und 2f werden nunmehr anschauliche Ausführungsformen der Erfindung beschrieben, in denen die Maske 214m auf der Grundlage einer Lithographiesequenz gebildet wird, die sehr ähnlich zur Lithographiesequenz ist, die zum Strukturieren des dielektrischen Materials 211 angewendet wird, um eine Öffnung für das Metallgebiet 212 zu schaffen.
2e zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 mit einer Lackmaske 203, in der eine Öffnung 203d gebildet ist, die im Wesentlichen dem Metallgebiet 212 entspricht. Des weiteren ist die Maskenschicht 214 über der Lackschicht 203 gebildet, um im Wesentlichen vollständig die Öffnung 203a zu füllen. Beispielsweise wird die Maskenschicht 214 in Form eines Lackmaterials oder eines anderen Polymermaterials und dergleichen vorgesehen, das in sehr nicht-konformer Weise aufgebracht werden kann.
Die strukturierte Lackschicht 203 kann durch Abscheiden eines geeigneten Lackmaterials strukturiert werden, das gleiche photochemische Verhalten wie ein Lackmaterial besitzt, das zuvor zum Strukturieren der dielektrischen Schicht 211 verwendet wurde, wie dies auch zuvor erläutert ist. Somit können ähnliche Prozesstechniken eingesetzt werden, wobei auch in diesem Falle eine geringere Schichtdicke für die Schicht 203 verwendet werden kann, um damit das Gesamtverhalten des Lithographieprozesses zu verbessern, wie dies auch zuvor diskutiert ist. Es sollte beachtet werden, dass in einigen anschaulichen Ausführungsformen das Belichten des Lackmaterials 203 auf der Grundlage geeignet ausgewählter Be lichtungsparameter, etwa einer höheren Dosis, ausgeführt wird, um ebenfalls eine größere laterale Größe der Öffnung 203a zu schaffen, wenn eine entsprechende Prozesstoleranz gewünscht ist. Beispielsweise werden geeignete Prozessparameter im Hinblick auf die Belichtungsdosis einfach ermittelt, indem geeignete Testläufe ausgeführt werden, um eine gewünschte laterale Abmessung für eine gegebene Dicke der Lackschicht 203 zu ermitteln. Danach wird das Maskenmaterial 214 abgeschieden und kann nachfolgend eingeebnet werden, um die Schicht 203 freizulegen, die dann selektiv in Bezug auf das verbleibende Material der Maskenschicht 214 auf Grundlage einer geeigneten Ätzrezepts entfernt wird, für das geeignete Prozessparameter für eine Vielzahl von Lackmaterialien, Polymermaterialien und dergleichen verfügbar sind.
2f zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 nach der zuvor beschriebenen Prozesssequenz. Somit ist nach dem selektiven Entfernen der Lackschicht 203 die Maske 214m gemäß den Abmessungen der Öffnung 203a des Metallgebiets 212 gebildet. Anschließend wird der Ätzprozess 216 (siehe 2d) ausgeführt, um die nicht abgedeckten Bereiche der dielektrischen Deckschicht 213 zu entfernen, wie dies zuvor erläutert ist. Anschließend wird die weitere Bearbeitung fortgesetzt, indem die nachfolgende Metallisierungsebene auf der Grundlage eines dielektrischen Materials mit kleinem ε gebildet wird.
Mit Bezug zu den 2g bis 2j werden nunmehr weitere Beispiele, die nicht Teil der Erfindung sind, beschrieben, in denen die dielektrische Deckschicht auf dem Metallgebiet in einer im Wesentlichen selbstjustierten Weise positioniert wird.
2g zeigt schematisch das Halbleiterbauelement 200 in einer Fertigungsphase, in der eine Öffnung 221b, die in der dielektrischen Schicht 211 gebildet ist, mit einem leitenden Barrierenmaterial 212b und dem Metall 222e gefüllt ist, das ebenfalls überschüssiges Material über der Barrierenschicht 212 bereitstellt. Wie zuvor bereits erläutert ist, kann die Öffnung 221b auf der Grundlage von Lithographietechniken hergestellt werden, wie sie zuvor mit Bezug zu dem Bauelement 100 beschrieben sind, wenn die Metallisierungsschicht 120 beschrieben wird. Danach wird das leitende Barrierenmaterial 212b auf der Grundlage einer beliebigen geeigneten Abscheidetechnik, etwa Sputter-Abscheidung, CVD, selbstemitierende CVD-Techniken und dergleichen aufgebracht. Danach wird die Metallschicht 222e durch elektrochemische Abscheidetechniken gebildet.
2h zeigt schematisch das Bauelement 200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase, in der ein Abtragungsprozess 205a ausgeführt wird, um das überschüssige Material 222e zu entfernen und um auch eine Vertiefung 212r in dem Metallgebiet 212 zu erzeugen. Beispielsweise wird während des Entfernungsprozesses 205a ein CMP-Prozess auf der Grundlage eines Rezepts ausgeführt, das vorzugsweise Material der Schicht 222e entfernt, wobei das Barrierenmaterial 212b als eine CMP-Stoppschicht dient. Folglich kann durch Anwenden einer geeigneten Nachpolierzeit die Vertiefung 212r in einem oberen Bereich des Metallgebiets 212 geschaffen werden. In anderen anschaulichen Beispielen werden gut etablierte CMP-Rezepte eingesetzt, in denen auch das Barrierenmaterial 212b als eine Stoppschicht dient, und danach wird ein elektrochemischer Ätzprozess ausgeführt, wodurch in selektiver Weise ein Teil des Materials 212a entfernt wird, um die Vertiefung 212r zu erzeugen.
2i zeigt schematisch das Bauelement 200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase, in der die dielektrische Deckschicht 212 auf der Barrierenschicht 212b und innerhalb der Vertiefung 212r gebildet ist. Zu diesem Zweck wird die dielektrische Deckschicht 213 mit einer ausreichenden Dicke abgeschieden, um die Vertiefung 212r vollständig zu füllen, was durch Vorsehen einer längeren Abscheidezeit möglich ist, wobei gut etablierte Prozessparameter angewendet werden.
2j zeigt schematisch das Bauelement 200 während eines weiteren Abtragungsprozesses 205b, der einen CMP-Prozess umfasst, um überschüssiges Material der dielektrischen Deckschicht 213 zu entfernen, wodurch die räumlich beschränkte Deckschicht 213a entsteht, wobei auch das Barrierenmaterial außerhalb der Metallleitung 212 entfernt wird, wodurch elektrisch isolierte Metallleitungen in der Metallisierungsschicht 210 geschaffen werden. Es sollte beachtet werden, dass der Abtragungsprozess 205b mehrere CMP-Schritte enthalten kann, wenn die Abtragsraten der Materialien 213, 212b nicht kompatibel sind. Beispielsweise wird die Barrierenschicht 212b auf der Grundlage eines geeigneten Prozessrezepts entfernt, das eine erhöhte Abtragsrate für das Barrierenmaterial 212b im Vergleich zur Deckschicht 213a ergibt.
Folglich kann die räumlich beschränkte dielektrische Deckschicht 213a auf der Grundlage einer selbstjustierten Fertigungssequenz bereitgestellt werden, wobei zusätzliche Photoli thographieprozesse vermieden werden, wodurch zu geringeren Herstellungskosten beigetragen wird.
Danach wird die weitere Bearbeitung fortgesetzt, wie dies zuvor beschrieben ist.
2k zeigte schematisch das Halbleiterbauelement 200 in einer weiter fortgeschrittenen Fertigungsphase. Wie gezeigt, ist eine zweite Metallisierungsschicht 220 über der ersten Metallisierungsschicht 210, die das dielektrische Material 211 und die räumlich beschränkte dielektrische Deckschicht 213 aufweist, die zumindest die Metallleitung 212 bedeckt, gebildet. Die zweite Metallisierungsschicht 220 umfasst ein dielektrisches Material 221, beispielsweise ein Material mit kleinem ε oder mit sehr kleinem ε, was auf Grund der räumlich beschränkten dielektrischen Deckschicht 213a Grenzflächenbereiche 221s mit dem Material 211 zwischen den diversen Metallleitungen 212 bildet, die in der ersten Metallleitung 210 ausgebildet sind. Folglich wird eine verbesserte mechanische Integrität des Stapels der Schichten 210, 220 erreicht, da die Haftung des Materials 221 an das Material 211 deutlich größer ist im Vergleich zur Haftung des Materials 221 zu dem Material der dielektrischen Deckschicht 213a, wie dies zuvor erläutert ist. Des weiteren umfasst die zweite Metallisierungsschicht 220 Metallgebiete 222, beispielsweise in Form von Metallleitungen, die eine oder mehrere der Metallleitungen 212 in der Metallisierungsschicht 210 mittels entsprechender Kontaktdurchführungen 222b verbinden. Das Metallgebiet 222 enthält ferner ebenfalls das Barrierenmaterial 212b in Verbindung mit einem gut leitenden Metall, etwa Kupfer und dergleichen, wie dies zuvor mit Bezug zu der Metallleitung 212 erläutert ist. Ferner ist eine dielektrische Deckschicht 222a auf dem Metallgebiet 222 in Form einer räumlich beschränkten Schicht in ähnlicher Weise vorgesehen, wie dies für die Schicht 213a erläutert ist. Des weiteren umfasst das Halbleiterbauelement 200 eine weitere Metallisierungsschicht 230 mit einem dielektrischen Material 231, beispielsweise in Form eines dielektrischen Materials mit kleinem ε, das ebenfalls mit dem Material 221 an Grenzflächen 231s verbunden ist, wobei auch in diesem Falle eine verbesserte Haftung auf Grund der räumlichen Beschränkung der dielektrischen Deckschicht 222a gelingt.
In Bezug auf Prozesstechniken zur Herstellung des Halbleiterbauelements 200, wie es in 2k gezeigt ist, sei auf die Prozesstechniken verwiesen, die mit Bezug zu dem Bauelement 100 beschrieben sind, wenn das Herstellen und Strukturieren von dielektrischen Materialien betroffen sind. Des weiteren kann die räumlich beschränkte Deckschicht 222a ge mäß den gleichen Prozessstrategien hergestellt werden, wie dies mit Bezug zu den 2a bis 2j erläutert ist.
2l zeigt schematisch eine Draufsicht des Halbleiterbauelements 200 in einer Fertigungsphase vor dem Bilden der Metallisierungsschicht 220. Wie gezeigt, umfasst die Metallisierungsschicht 210 das dielektrische Material 211, in der mehrere Metallleitungen 212 gebildet sind, wie dies zuvor beschrieben ist. Des weiteren sind die räumlich beschränkten dielektrischen Deckschichten 213a so vorgesehen, dass zumindest die Metallgebiete 212, wie sie durch gestrichelte Linien dargestellt sind, zuverlässig durch die Deckschichten 213a abgedeckt sind. In dem gezeigten Beispiel erstrecken sich die Deckschichten 213a lateral von den Metallleitungen 212 entsprechend einem Abstand 213d, der kleiner ist als die Hälfte eines Abstands 212d zwischen zwei benachbarten Metallleitungen 212. Auf diese Weise wird sichergestellt, dass das dielektrische Material 211 der Metallisierungsschicht 210 direkt mit dem dielektrischen Material einer nachfolgenden Metallisierungsschicht, etwa der Metallisierungsschicht 220, zwischen benachbarten Metallleitungen 212 direkt in Kontakt kommt. In einem anschaulichen Beispiel ist der Abstand 213d kleiner als eine Breite 212w jeder der Metallleitungen 212.
Es gilt also: Die vorliegende Offenbarung stellt Halbleiterbauelemente und Verfahren zu deren Herstellung bereit, wobei die gesamte mechanische Integrität eines Metallisierungsschichtstapels verbessert wird, indem eine dielektrische Deckschicht in lokal beschränkter Weise so bereitgestellt wird, dass Grenzflächen zwischen den dielektrischen Zwischenschichtmaterialien zweier aufeinanderfolgender Metallisierungsschichten gebildet sind. Die dielektrische Deckschicht kann lokal beschränkt werden, indem eine Maske gebildet wird, was in einigen anschaulichen Ausführungsformen unter Anwendung der gleichen Lithographiemaske bewerkstelligt wird, wie sie zum Strukturieren des darunter liegenden dielektrischen Materials verwendet wird. In Beispielen, die nicht Teil der Erfindung sind, wird eine selbstjustierte Prozesssequenz eingesetzt.

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer dielektrischen Deckschicht auf einer dielektrischen Schicht und auf einem Metallgebiet, das in der dielektrischen Schicht gebildet ist, wobei die dielektrische Deckschicht und das Metallgebiet eine Grenzfläche bilden; und Entfernen der dielektrischen Deckschicht von zumindest einem Teil der dielektrischen Schicht, wobei die Grenzfläche beibehalten wird; wobei das Entfernen der dielektrischen Deckschicht von zumindest einem Teil der dielektrischen Schicht ein Bilden einer Maske über der dielektrischen Deckschicht, um zumindest das Metallgebiet abzudecken, und ein Entfernen eines Teils der Deckschicht, der nicht von der Maske abgedeckt ist, umfasst; und wobei das Bilden der Maske ein Bilden einer Lackschicht über der Deckschicht, ein Bilden einer Maskenöffnung in der Lackschicht, die im wesentlichen dem Metallgebiet entspricht, ein Füllen der Maskenöffnung mit einem Maskenmaterial und ein Entfernen der Lackschicht selektiv zu dem Maskenmaterial umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine Dicke der Lackschicht kleiner ist als eine Dicke des Lackmaterials, das zur Herstellung der Öffnung verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Maskenöffnung durch Anwendung einer lithographischen Maske gebildet wird, die zur Herstellung einer Öffnung für das Metallgebiet, das in der dielektrischen Schicht gebildet ist, verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die dielektrische Schicht Material mit einer Dielektrizitätskonstante von ungefähr 3,0 oder weniger aufweist.