DE102007052803A1

DE102007052803A1 - Rauscharmer Mischer

Info

Publication number: DE102007052803A1
Application number: DE102007052803A
Authority: DE
Inventors: Bernhard Dehlink; Saverio Trotta
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2006-11-14
Filing date: 2007-11-06
Publication date: 2008-05-15
Also published as: US20080113644A1

Abstract

Eine Mischervorrichtung hat einen doppelt balancierten oder Gilbert-Zelle-basierten Mischerkern und entsprechende Übertragungsleitungen, insbesondere Induktoren, zwischen dem differenziellen Lokal-Oszillator-(LO)-Transistorpaar und den Radiofrequenz-(RF)-Transistoren, wobei die Übertragungsleitungen so ausgebildet sind, dass sie das Rauschen minimieren und die Gleichtaktstabilität des Lokal-Oszillator-Eingangs-Ports und die Linearität der Mischervorrichtung verbessern.

Description

Die Erfindung betrifft Mischer und insbesondere einen doppelt balancierten Gilbert-Zelle-basierten Mischer mit rauscharmem Verhalten und verbesserter Gleichtaktstabilität und Linearität.
Radioempfänger empfangen normalerweise ein Radiofrequenz-(RE)-Signal und setzen es auf ein Signal mit einer niedrigeren Frequenz herab, das sich einfacher verstärken, filtern und verarbeiten lässt. Dies erfolgt normalerweise in einem Mischer, der das RF-Signal mit einem Lokal-Oszillator-(LO)-Signal mit einer unterschiedlichen Frequenz mischt. Der Mischer gibt anschließend ein Zwischenfrequenz-(IF)-Signal aus, das vom Empfänger weiterverarbeitet wird.
Auf ähnliche Weise empfängt ein Radiosender üblicherweise ein IF-Signal und wandelt es zur Übertragung zu einem Signal mit höherer Radiofrequenz um. Dies erfolgt normalerweise in einem Mischer, der das IF-Signal mit einem LO-Signal mischt, das eine unterschiedliche Frequenz hat. Der Mischer gibt anschließend ein RF-Signal aus.
Ferner wird das Mischen üblicherweise in Kommunikationssystemen genutzt, wie z. B. bei der zellularen Kommunikation und der drahtlosen Telefonie oder dem Fernsehen. Beispielsweise empfängt ein Telefongerät ein RF-Signal und setzt das Signal über einen Mischer zu einem IF-Signal herab. Es ist wichtig, dass der Mischer rauscharm ist, sodass er die im ursprünglichen RF-Signal enthaltenen Informationen nicht wesentlich verschlechtert oder maskiert.
Beispielsweise stellt eine traditionelle Gilbert-Zelle entsprechend der Darstellung in 1 ein IF-Ausgabesignal bereit, das Komponenten mit Frequenzen hat, die gleich der Summe der Eingangssignalfrequenzen an den Eingängen LO und RF sowie gleich der Differenz zwischen diesen Frequenzen sind. Wenn die Anzahl von Mischern auf der Grundlage beispielsweise von traditionellen Gilbert-Zellen zunimmt, gilt dies auch für den Bedarf an Mischern, die gleichzeitig reduziertes Rauschen, verbesserte Gleichtaktstabilität am LO-Port und Linearität aufweisen.
Um die Linearität konventioneller Mischer zu verbessern, wird üblicherweise eine Kombination aus sehr großen Transistoren und resistiver oder induktiver Degenerierung verwendet. Zudem werden die Werte der in 1 dargestellten Lastwiderstände R_L herabgesetzt, um die Verstärkung zu reduzieren und somit die Linearität des Mischers zu verbessern. Allerdings hat die resistive oder induktive Degenerierung keinen Einfluss auf das Verhalten des LO-Ports mit Bezug auf Schaltgeschwindigkeit und Stabilität.
Die Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung und aus den beigefügten 1 bis 6 ersichtlich, die nur zur Veranschaulichung wiedergegeben sind und somit nicht auf die derzeitigen Ausführungsformen der Erfindung beschränkt sind.
1 stellt einen auch als Gilbert-Zelle bekannten, doppelt balancierten Mischer dar;
2 stellt eine erste Ausführungsform dar;
3 und 4 dienen zur Erläuterung von Aspekten bezüglich des Hintergrunds;
5 stellt einen Teil einer Ausführungsform dar, der repräsentative (parasitäre) Kapazitanz aufweist;
6 stellt eine weitere Ausführungsform dar;
7 stellt den Leistungsverlauf der Rauschdarstellung (m12-m3) und der Umsetzungsverstärkung (m11-m2) bei unterschiedlichen Temperaturen eines Mischers ohne Induktoren dar;
8 stellt den Leistungsverlauf der Rauschdarstellung (m12-m3) und der Umsetzungsverstärkung (m11-m2) bei unterschiedlichen Temperaturen eines Mischers mit Induktoren dar;
9 stellt die Gleichtaktstabilität am LO-Port eines Mischers ohne Induktoren dar;
10 stellt die Gleichtaktstabilität am LO-Port eines Mischers mit Induktoren dar;
11 stellt die Linearität (Kompressionspunkt) eines Mischers ohne Induktoren dar; und
12 stellt die Linearität (Kompressionspunkt) eines Mischers mit Induktoren dar.
2 zeigt eine Mischervorrichtung gemäß einer Ausführungsform, wobei die Mischervorrichtung – ein abgeänderter doppelt balancierter Mischer – ein erstes differenzielles Transistorpaar 1 mit einem ersten Transistor Q1 und einem zweiten Transistor Q2 aufweist sowie ein zweites differenzielles Transistorpaar 2 mit einem dritten Transistor Q3 und einem vierten Transistor Q4 und weiter einen fünften Transistor Q5 und einen sechsten Transistor Q6, wobei jeder Transistor einen Basisanschluss 3, einen Kollektoranschluss 4 und einen Emitteranschluss 5 aufweist.
Die Mischervorrichtung weist ferner einen Lokal-Oszillator-Eingangs-Port 6 auf, der mit dem Basisanschluss 3 des ersten Transistors Q1 und des vierten Transistors Q4 verbunden ist, sowie einen umgekehrten Lokal-Oszillator-Eingangs-Port 7, der mit dem Basisanschluss 3 des zweiten Transistors Q2 und des dritten Transistors Q3 verbunden ist.
Wenn in diesen Unterlagen von einem umgekehrten Port gesprochen wird, so ist darunter insbesondere ein Port mit umgekehrter Polarität bzw. reversierender Anschluss zu verstehen.
Die Emitter 5 des ersten Transistors Q1 und des zweiten Transistors Q2 sind miteinander gekoppelt und mit dem Kollektor 4 des fünften Transistors Q5 verbunden, und die Emitter 5 des dritten Transistors Q3 und des vierten Transistors Q4 sind miteinander gekoppelt und mit dem Kollektor 4 des sechsten Transistors Q6 verbunden. Die Kollektoren 4 des ersten Transistors Q1 und des dritten Transistors Q3 sind miteinander gekoppelt und mit einem Zwischenfrequenz-Ausgangs-Port 8 verbunden, und die Kollektoren 4 des zweiten Transistors Q2 und des vierten Transistors Q4 sind miteinander gekoppelt und mit einem umgekehrten Zwischenfrequenz-Ausgangs-Port 9 verbunden, wobei der Kollektor 4 des ersten Transistors Q1 und des vierten Transistors Q4 über einen ersten Widerstand R_L1 bzw. einen zweiten Widerstand R_L2 mit einer positiven Versorgungsspannung Vcc verbunden ist.
Die Mischervorrichtung weist ferner einen Radiofrequenz-Eingangs-Port 10 auf, der mit der Basis 3 des fünften Transistors Q5 verbunden ist, sowie einen umgekehrten Radiofrequenz-Eingangs-Port 11, der mit der Basis 3 des sechsten Transistors Q6 verbunden ist, wobei die Emitter 5 des fünften Transistors Q5 und des sechsten Transistors Q6 miteinander gekoppelt und mit einer negativen Versorgungsspannung Vee verbunden sind.
Gemäß einer Ausführungsform ist eine erste Übertragungsleitung oder ein erster Induktor 12, der als erstes Filter wirkt, zwischen den Emittern 5 des ersten Transistors Q1 und des zweiten Transistors Q2 und dem Kollektor 4 des fünften Transistors Q5 angeschlossen, und eine zweite Übertragungsleitung oder ein zweiter Induktor 13, der als zweites Filter wirkt, ist zwischen den Emittern 5 des dritten Transistors Q3 und des vierten Transistors Q4 und dem Kollektor 4 des sechsten Transistors Q6 angeschlossen. Vorzugsweise sind die ersten und zweiten Übertragungsleitungen 12 und 13 so ausgebildet, dass sie das Rauschen minimieren und die Gleichtaktstabilität des Lokal-Oszillator-Eingangs-Ports sowie die Linearität der Mischervorrichtung der Ausführungsform verbessern. Ferner sind bei einer Ausführungsform der fünfte Transistor Q5 und der sechste Transistor Q6 größer als beliebige der Transistoren Q1 bis Q4.
Vorzugsweise sind die Transistoren Q1 bis Q6 vom npn-Typ, doch sie können prinzipiell durch nMOS-Transistoren ersetzt werden, insbesondere für Hochfrequenzanwendungen. Soweit grundlegende Ideen der Erfindung in eine Schaltungsstruktur umgesetzt werden können, die mit Transistoren des pnp-Typs ausgebildet ist, ist prinzipiell ein Ersatz der letzteren Transistoren durch nMOS-Transistoren möglich. Praktisch muss in einem derartigen Fall die Schaltungstopologie an die spezifischen Anforderungen von unipolaren Transistoren angepasst werden.
Grundlegende Merkmale der vorstehend beschriebenen Ausführungsform sind am besten ersichtlich unter Verwendung einer idealen Umschaltschaltung eines einfach balancierten Mischers entsprechend der detaillierten Darstellung in 3, der repräsentative Kapazitanz C_P und Widerstände r_b, R_S und R_E verwendet.
Hierbei ist jeder der Transistoren Q1 und Q2 über ungefähr die Hälfte der LO-Periode auf "ein" geschaltet. Wegen der parasitären Kapazitanz C_P am Knoten P eindringendes Rauschen ergibt eine finite Impedanz gegen Masse. Somit werden das thermische Basisrauschen und das Kollektorstromrauschen, auch als Schrotrauschen bekannt, über den Schaltvorgang der Transistoren Q1 und Q2 auf die Zwischenfrequenz übertragen.
Zum nicht idealen Schalten sind Q1 und Q2 beide über einen kurzen Zeitraum "ein". Während dieser Zeit verstärken die Transistoren das thermische Rauschen ihres Basiswiderstands r_b, und sie führen ihr Kollektor-Schrotrauschen in die IF-Ausgabe-Ports 8 und 9 ein. Der Rauschbeitrag der Transistoren Q1 und Q2 kann daher unter Verwendung eines großen Lokal-Oszillator-Swings minimiert werden.
Die Kapazitanz C_P kann jedoch nicht einfach reduziert werden, da die Transistoren Q1 und Q2 mit ihrer besten Stromdichte arbeiten und ihre Größe somit fest ist. Das bedeutet, dass die Basis-Emitter-Kapazitanz C_BE ebenfalls fest ist. Ferner müssen die in 2 dargestellten Transistoren Q5 und Q6 größer sein als alle Transistoren Q1 bis Q4, um die Linearität des Mi schers zu verbessern und das thermische Rauschen ihrer Basisanschlüsse 3 zu reduzieren.
Um den Wert der Kollektor-Basis-Kapazitanz C_CB und den Wert der Kollektor-Substrat-Kapazitanz C_CS zu reduzieren, ist daher entsprechend der Darstellung in 5 ein Induktor 12 zwischen dem differenziellen LO-Paar Q1 und Q2 und dem RF-Transistor Q5 angeschlossen.
6 zeigt eine Mischervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform, wobei die Mischervorrichtung ein erstes differenzielles Transistorpaar 14 mit einem ersten Transistor Q1 und einem zweiten Transistor Q2 aufweist sowie ein zweites differenzielles Transistorpaar 15 mit einem dritten Transistor Q3 und einem vierten Transistor Q4 und weiter einen fünften Transistor Q5 und einen sechsten Transistor Q6, wobei jeder Transistor einen Basisanschluss 16, einen Kollektoranschluss 17 und einen Emitteranschluss 18 aufweist. Die Mischervorrichtung weist ferner einen Lokal-Oszillator-Eingangs-Port 19 auf, der mit dem Basisanschluss 16 des ersten Transistors Q1 und des vierten Transistors Q4 verbunden ist, sowie einen umgekehrten Lokal-Oszillator-Eingangs-Port 20, der mit dem Basisanschluss 16 des zweiten Transistors Q2 und des dritten Transistors Q3 verbunden ist.
Die Emitter 18 des ersten Transistors Q1 und des zweiten Transistors Q2 sind miteinander gekoppelt und mit dem Kollektor 17 des fünften Transistors Q5 verbunden, und die Emitter 18 des dritten Transistors Q3 und des vierten Transistors Q4 sind miteinander gekoppelt und mit dem Kollektor 17 des sechsten Transistors Q6 verbunden. Die Kollektoren 17 des ersten Transistors Q1 und des dritten Transistors Q3 sind miteinander gekoppelt und mit einem Zwischenfrequenz-Ausgangs-Port 21 verbunden, und die Kollektoren 17 des zweiten Transistors Q2 und des vierten Transistors Q4 sind miteinander gekoppelt und mit einem umgekehrten Zwischenfrequenz-Ausgangs-Port 22 verbunden, wobei der Kollektor 17 des ersten Transistors Q1 und des vierten Transistors Q4 über einen ersten Widerstand R_L1 bzw. einen zweiten Widerstand R_L2 mit einer positiven Versorgungsspannung Vcc verbunden ist.
Die Mischervorrichtung weist ferner einen Radiofrequenz-Eingangs-Port 23 auf, der mit der Basis 16 des fünften Transistors Q5 verbunden ist, sowie einen umgekehrten Radiofrequenz-Eingangs-Port 24, der mit der Basis 16 des sechsten Transistors Q6 verbunden ist, wobei die Emitter 18 des fünften Transistors Q5 und des sechsten Transistors Q6 miteinander gekoppelt und mit einer negativen Versorgungsspannung Vee verbunden sind.
Gemäß einer Ausführungsform ist eine erste Übertragungsleitung 25 zwischen den Emittern 18 des ersten Transistors Q1 und des zweiten Transistors Q2 und dem Kollektor 17 des fünften Transistors Q5 angeschlossen, und eine zweite Übertragungsleitung 26 ist zwischen den Emittern 18 des dritten Transistors Q3 und des vierten Transistors Q4 und dem Kollektor 17 des sechsten Transistors Q6 angeschlossen, wobei die erste und die zweite Übertragungsleitung 25 und 26 so ausgebildet sind, dass sie das Rauschen reduzieren und die Gleichtaktstabilität des Lokal-Oszillator-Eingangs-Ports 19, 20 sowie die Linearität der Mischervorrichtung verbessern. Weiter sind die Emitter 18 des fünften Transistors Q5 und des sechsten Transistors Q6 mit Emitter-Degenerierungsmitteln 27 bzw. 28 gekoppelt, und sie sind mit einer Stromquelle verbunden, die mit der negativen Versorgungsspannung Vee verbunden ist.
Vorzugsweise sind die erste Übertragungsleitung 25, die zweite Übertragungsleitung 26 und die Emitter-Degenerierungsmittel 27 und 28 jeweils Induktoren. Zudem sind der fünfte Transistor Q5 und der sechste Transistor Q6 größer als alle Transistoren Q1 bis Q4.
7 und 8 zeigen beispielhafte Darstellungen des Effekts der Induktoren 12, 13 einer Ausführungsform auf die Kapazitanz C_P entsprechend der Darstellung in 4. Hierbei zeigt 7 den Leistungsverlauf der Rauschdarstellung m12-m3 und der Umsetzungsverstärkung m11-m2 bei unterschiedlichen Temperaturen eines Mischers ohne Induktoren, und 8 zeigt den Leistungsverlauf der Rauschdarstellung m12-m3 und der Umsetzungsverstärkung m11-m2 bei unterschiedlichen Temperaturen einer Ausführungsform entsprechend der vorstehenden Beschreibung.
Ferner verbessern die Induktoren 12, 13 oder 25, 26 der unterschiedlichen Ausführungsformen die Gleichtaktstabilität der Lokal-Oszillator-Ports 6, 7 oder 19, 20, da die Induktoren 12, 13 oder 25, 26 die Eingangsimpedanz der Transistoren Q1 bis Q4 umwandeln und das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis der differenziellen LO-Paare Q1-Q2 Q3-Q4 verbessern. 9 zeigt Darstellungen mit der Wiedergabe der Gleichtaktstabilität an den Lokal-Oszillator-Ports 6, 7 ohne die Induktoren 12, 13. 10 zeigt Darstellungen mit der Wiedergabe der Gleichtaktstabilität an den Lokal-Oszillator-Ports 6, 7 mit den Induktoren 12, 13 einer Ausführungsform.
Zusätzlich verbessern die in Ausführungsformen verwendeten Induktoren 12, 13 bzw. 25, 26 die Linearität des in 2 und 6 dargestellten Mischers. Der Grund für die Verbesserung ist die durch die Induktoren 12, 13 bzw. 25, 26 bereitgestellte Entkopplung der RF- und der LO-Stufen. Die beiden Basis-Emitter-Kapazitanzen C_BE des differenziellen LO-Paars Q1 und Q2 entsprechend der Darstellung in 5 haben einen Einfluss auf die Ströme im Pfad zwischen den differenziellen LO-Paaren Q1, Q2 und Q3, Q4 und den differenziellen RF-Paaren Q5, Q6. Der Strom in diesem Pfad ist nicht konstant und weist daher einige Spitzen auf, die von der Lastkapazitanz, dem Spannungs-Swing und der Anstiegs- und Abfallzeit des Signals abhängen.
Ferner reduzieren die Induktoren 12, 13 den Effekt der beiden Basis-Emitter-Kapazitanzen C_BE auf den Strom. Somit sind die Stromspitzen geringer, und dadurch wird die Verstärkung reduziert, wodurch sich die Linearität des Mischers einer Ausführungsform verbessert. 11 zeigt eine Darstellung mit der Wiedergabe eines Beispiels der auch als Kompressionspunkt be kannten Linearität ohne Induktoren. 12 zeigt eine Darstellung mit der Wiedergabe eines Beispiels der auch als Kompressionspunkt bekannten Linearität mit Induktoren 12, 13 einer Ausführungsform.
Die Induktoren (oder Übertragungsleitungen) 27 und 28 verbessern die Gleichtaktstabilität am RF-Port, die durch die Einführung der Induktoren 25 und 26 (bzw. 12 und 13) reduziert wird.

Claims

Mischervorrichtung mit einem ersten differenziellen Transistorpaar, das einen ersten und einen zweiten Transistor aufweist, und einem zweiten differenziellen Transistorpaar, das einen dritten und einen vierten Transistor aufweist, und ferner mit einem fünften Transistor und einem sechsten Transistor, wobei jeder Transistor eine Basis, einen Kollektor und einen Emitter aufweist; wobei die Mischervorrichtung weiter einen Lokal-Oszillator-Eingangs-Port aufweist, der mit der Basis des ersten und des vierten Transistors verbunden ist, sowie einen umgekehrten Lokal-Oszillator-Eingangs-Port, der mit der Basis des zweiten und des dritten Transistors verbunden ist; wobei die Emitter des ersten und des zweiten Transistors miteinander gekoppelt und über ein erstes Filter mit dem Kollektor des fünften Transistors verbunden sind und wobei die Emitter des dritten und des vierten Transistors miteinander gekoppelt und über ein zweites Filter mit dem Kollektor des sechsten Transistors verbunden sind; und wobei die Kollektoren des ersten und des dritten Transistors miteinander gekoppelt und mit einem Zwischenfrequenz-Ausgangs-Port verbunden sind und wobei die Kollektoren des zweiten und des vierten Transistors miteinander gekoppelt und mit einem umgekehrten Zwischenfrequenz-Ausgangs-Port verbunden sind; wobei die Mischervorrichtung ferner einen Radiofrequenz-Eingangs-Port aufweist, der mit der Basis des fünften Transistors verbunden ist, sowie einen umgekehrten Radiofrequenz-Eingangs-Port, der mit der Basis des sechsten Transistors verbunden ist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Filter einen ersten Induktor aufweist und wobei das zweite Filter einen zweiten Induktor aufweist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Filter eine erste Übertragungsleitung aufweist und wobei das zweite Filter eine zweite Übertragungsleitung aufweist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 2, wobei das erste Filter eine erste Übertragungsleitung aufweist und wobei das zweite Filter eine zweite Übertragungsleitung aufweist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste und das zweite Filter zur Minimierung des Rauschens und zur Verbesserung der Gleichtaktstabilität des Lokal-Oszillator-Eingangs-Ports und der Linearität der Mischervorrichtung eingerichtet sind.
Mischervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Kollektor des ersten und des vierten Transistors über einen ersten bzw. zweiten Widerstand mit einer positiven Versorgungsspannung verbunden ist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Emitter des fünften und des sechsten Transistors miteinander gekoppelt und mit einer Stromquelle verbunden sind, die mit einer negativen Versorgungsspannung verbunden ist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der fünfte und der sechste Transistor größer als jeder Transistor vom ersten bis zum vierten Transistor sind.
Mischervorrichtung mit einem ersten differenziellen Transistorpaar, das einen ersten und einen zweiten Transistor aufweist, und einem zweiten differenziellen Transistorpaar, das einen dritten und einen vierten Transistor aufweist, und ferner mit einem fünften Transistor und einem sechsten Transistor, wobei jeder Transistor eine Basis, einen Kollektor und einen Emitter aufweist; wobei die Mischervorrichtung weiter einen Lokal-Oszillator-Eingangs-Port aufweist, der mit der Basis des ersten und des vierten Transistors verbunden ist, sowie einen um gekehrten Lokal-Oszillator-Eingangs-Port, der mit der Basis des zweiten und des dritten Transistors verbunden ist; wobei die Emitter des ersten und des zweiten Transistors miteinander gekoppelt und über ein erstes Filter mit dem Kollektor des fünften Transistors verbunden sind und wobei die Emitter des dritten und des vierten Transistors miteinander gekoppelt und über eine zweite Übertragungsleitung [sic] mit dem Kollektor des sechsten Transistors verbunden sind, wobei die Kollektoren des ersten und des dritten Transistors miteinander gekoppelt und mit einem Zwischenfrequenz-Ausgangs-Port verbunden sind und wobei die Kollektoren des zweiten und des vierten Transistors miteinander gekoppelt und mit einem umgekehrten Zwischenfrequenz-Ausgangs-Port verbunden sind; wobei die Mischervorrichtung ferner einen Radiofrequenz-Eingangs-Port aufweist, der mit der Basis des fünften Transistors verbunden ist, sowie einen umgekehrten Radiofrequenz-Eingangs-Port, der mit der Basis des sechsten Transistors verbunden ist, wobei die Emitter des fünften und des sechsten Transistors jeweils mit Emitter-Degenerierungsmitteln verbunden sind.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die ersten und zweiten Filter einen ersten bzw. einen zweiten Induktor aufweisen.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die ersten und zweiten Filter eine erste bzw. eine zweite Übertragungsleitung aufweisen.
Mischervorrichtung nach Anspruch 10, wobei die ersten und zweiten Filter eine erste bzw. eine zweite Übertragungsleitung aufweisen.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die ersten und zweiten Filter für die Minimierung des Rauschens und die Verbesserung der Gleichtaktstabilität des Lokal-Oszillator-Eingangs-Ports und der Linearität der Mischervorrichtung eingerichtet sind.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Kollektoren des ersten und des vierten Transistors über einen ersten bzw. einen zweiten Widerstand mit einer positiven Versorgungsspannung verbunden sind.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Emitter des fünften und des sechsten mit einer Stromquelle verbunden sind, die mit einer negativen Versorgungsspannung verbunden ist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Emitter-Degenerierungsmittel einen dritten und einen vierten Induktor aufweisen.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei eine Induktanz des dritten und des vierten Induktors verglichen mit der Induktanz des ersten und des zweiten Induktors sehr klein ist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Mischervorrichtung eine Gilbert-Zelle aufweist.
Mischervorrichtung nach Anspruch 9, wobei der fünfte und der sechste Transistor größer sind als jeder Transistor vom ersten bis zum vierten Transistor.
Verfahren zum Mischen eines Eingangssignals mit einem Radiofrequenzsignal unter Verwendung einer Mischervorrichtung mit einem ersten differenziellen Transistorpaar, das einen ersten und einen zweiten Transistor aufweist, und mit einem zweiten differenziellen Transistorpaar, das einen dritten und einen vierten Transistor aufweist, und ferner mit einem fünften Transistor und einem sechsten Transistor, wobei jeder Transistor eine Basis, einen Kollektor und einen Emitter aufweist; wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Einspeisen des Eingangssignals in die Basisanschlüsse des ersten und des vierten Transistors und Einspeisen eines umgekehrten Eingangssignals in die Basisanschlüsse des zweiten und des dritten Transistors; Einspeisen eines ersten Zwischenfrequenz-Ausgangssignals von den gekoppelten Emittern des ersten und des zweiten Transistors über ein erstes Filter in den Kollektoranschluss des fünften Transistors, und Einspeisen eines zweiten Zwischenfrequenz-Ausgangssignals von den gekoppelten Emittern des dritten und des vierten Transistors über ein zweites Filter in den Kollektoranschluss des sechsten Transistors; Einspeisen des Radiofrequenz-Eingangssignals in den Basisanschluss des fünften Transistors und Einspeisen eines umgekehrten Radiofrequenz-Eingangssignals in den Basisanschluss des sechsten Transistors; und Ausgabe eines Ausgangssignals von den gekoppelten Kollektoranschlüssen des ersten und des dritten Transistors und von den gekoppelten Kollektoranschlüssen des zweiten und des vierten Transistors.