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JP2001111353A - ミキサ回路 - Google Patents

ミキサ回路

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Publication number
JP2001111353A
JP2001111353A JP29116599A JP29116599A JP2001111353A JP 2001111353 A JP2001111353 A JP 2001111353A JP 29116599 A JP29116599 A JP 29116599A JP 29116599 A JP29116599 A JP 29116599A JP 2001111353 A JP2001111353 A JP 2001111353A
Authority
JP
Japan
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transistor
node
current
electrode
transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29116599A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Komurasaki
浩史 小紫
Hisayasu Sato
久恭 佐藤
Takahiro Miki
隆博 三木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP29116599A priority Critical patent/JP2001111353A/ja
Priority to DE10015177A priority patent/DE10015177B4/de
Priority to US09/547,920 priority patent/US6826393B1/en
Publication of JP2001111353A publication Critical patent/JP2001111353A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • H03D7/14Balanced arrangements
    • H03D7/1425Balanced arrangements with transistors
    • H03D7/1433Balanced arrangements with transistors using bipolar transistors
    • HELECTRICITY
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    • H03D2200/00Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0001Circuit elements of demodulators
    • H03D2200/0025Gain control circuits
    • HELECTRICITY
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    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D2200/00Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
    • H03D2200/0041Functional aspects of demodulators
    • H03D2200/0043Bias and operating point

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 変換利得が大きく、歪みが小さいミキサ回路
を得ることである。 【解決手段】 トランジスタQ1(1)、Q2(2)か
らなる第1の差動トランジスタ対と、トランジスタQ3
(3)、Q4(4)からなる第2の差動トランジスタ対
と、第1の差動トランジスタ対に接続するインピーダン
ス素子8と、第2の差動トランジスタ対に接続するイン
ピーダンス素子9と、ノードA及びノードBに接続する
インダクタ7と、ノードAに接続する電流源5と、ノー
ドBに接続する電流源6と、コンデンサ10とで構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はミキサ回路、特に
高利得なミキサ回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図10は従来のギルバートセル型ミキサ
回路の回路図である。図10を参照して、このミキサ回
路1000は定電流源2IEE1007、トランジスタQ
1〜Q6(1003〜1006)から構成され、V1は
第1の入力電圧、V2は第2の入力電圧、i1は第1の
出力電流、i2は第2の出力電流である。
【0003】また、トランジスタQ3(1003)及び
Q4(1004)のエミッタ端子は互いに共通接続さ
れ、トランジスタQ5(1005)及びQ6(100
6)のエミッタ端子も互いに共通接続される。また、ト
ランジスタQ3(1003)及びQ5(1005)のコ
レクタ端子は互いに共通接続され、トランジスタQ4
(1004)及びQ6(1006)のコレクタ端子も互
いに共通接続される。
【0004】さらに、トランジスタQ1(1001)及
びQ2(1002)のコレクタ端子はそれぞれトランジ
スタQ3(1003)及びQ4(1004)の共通エミ
ッタ端子に接続され、トランジスタQ5(1005)及
びQ6(1006)の共通エミッタ端子にも接続され
る。
【0005】また、トランジスタQ1(1001)、Q
2(1002)のベースには互いに相補な電圧V1+、
V1−が入力される。さらにトランジスタQ3(100
3)及びQ6(1006)のベースには電圧V2+が、
トランジスタQ4(1004)及びQ5(1005)の
ベースには電圧V2−が接続される。電圧V2+、V2
−も互いに相補である。
【0006】次に動作について説明する。第1の入力電
圧V1及び第2の入力電圧V2は、それぞれ異なる周波
数f1、f2の信号である。入力される周波数f1の信
号はトランジスタQ1(1001)、Q2(1002)
とで構成されるエミッタ差動対回路によって、トランジ
スタQ1(1001)、Q2(1002)のそれぞれの
コレクタ電流という形式で信号が増幅される。
【0007】トランジスタQ1(1001)、Q2(1
002)のそれぞれのコレクタ電流は、トランジスタQ
3(1003)及びQ4(1004)とで構成されるエ
ミッタ差動対回路と、トランジスタQ5(1005)及
びQ6(1006)とで構成されるエミッタ差動対回路
の底電流となる。
【0008】入力される周波数f2の信号はそれぞれト
ランジスタQ3(1003)及びQ4(1004)とで
構成されるエミッタ差動対回路と、トランジスタQ5
(1005)及びQ6(1006)とで構成されるエミ
ッタ差動対回路によって信号が増幅される。
【0009】この関係を式で表すと以下のようになる。
但し、VTは熱電対(thermal voltag
e)であり、V1=V1+−V1−、V2=V2+−V
2−である。トランジスタQ1(1001)、Q2(1
002)のそれぞれのコレクタ電流をic1、ic2と
する。
【0010】 ic1=2IEE/{1+exp(−V1/VT)} (式1) ic2=2IEE/{1+exp(V1/VT)} (式2)
【0011】次に、Q3(1003)、Q4(100
4)、Q5(1005)、Q6(1006)のそれぞれ
のコレクタ電流をic3、ic4、ic5、ic6とす
る。
【0012】 ic3=ic1/{1+exp(−V2/VT)} (式3) ic4=ic1/{1+exp(V2/VT)} (式4) ic5=ic2/{1+exp(V2/VT)} (式5) ic6=ic2/{1+exp(−V2/VT)} (式6)
【0013】(式1)〜(式6)よりic3、ic4、
ic5、ic6とV1、V2との関係は次式となる。
【0014】 ic3=2IEE/[{1+exp(−V1/VT)}・{1+exp(−V 2/VT)}] (式7) ic4=2IEE/[{1+exp(−V1/VT)}・{1+exp(V2 /VT)}] (式8) ic5=2IEE/[{1+exp(V1/VT)}・{1+exp(V2/ VT)}] (式9) ic6=2IEE/[{1+exp(V1/VT)}・{1+exp(−V2 /VT)}] (式10)
【0015】以上より差動出力電流は次式のようにな
る。
【0016】 i1−i2=ic3+ic5−(ic6+ic4) =2IEE・{tanh(V1/2VT)}・{tanh(V2/ 2VT)} (式11)
【0017】tanhは次式のように級数展開できる。
【0018】 tanhx=x−x・x・x/3… (式12)
【0019】上式においてxが1より十分小さければ、
下式となる。
【0020】tanhx≒x (式13)
【0021】故に、入力電圧V1、V2と差動出力電流
i1、i2との関係は次式で表される。
【0022】 i1−i2≒2IEE・(V1/2VT)・(V2/2VT) (式14)
【0023】つまり、入力電圧V1及びV2の乗算を行
う回路である。即ち、V1、V2はそれぞれ異なる周波
数f1、f2の信号であるので、その2つの信号の乗算
を行い、2つの信号の周波数の和(|f1+f2|)ま
たは差(|f1−f2|)の周波数成分の信号を出力す
るミキサ動作をする。
【0024】次に、図11は従来の低電圧型ミキサ回路
の回路図である。図11を参照して、このミキサ回路1
100は定電流源IEE1015、1016と、トラン
ジスタQ1〜Q4(1011〜1014)と、180°
移相器1017とから構成され、in1は第1の入力信
号、in2は第2の入力信号、Out+は正の出力電
流、Out−は負の出力電流である。
【0025】また、トランジスタQ1(1011)及び
Q2(1012)のエミッタ端子は互いに共通接続さ
れ、トランジスタQ3(1013)及びQ4(101
4)のエミッタ端子も互いに共通接続される。また、ト
ランジスタQ1(1011)及びQ3(1013)のコ
レクタ端子は互いに共通接続され、トランジスタQ2
(1012)及びQ4(1014)のコレクタ端子も互
いに共通接続される。
【0026】さらに、トランジスタQ1(1011)及
びQ2(1012)の共通エミッタ端子及びトランジス
タQ3(1013)及びQ4(1014)の共通エミッ
タ端子はそれぞれ定電流源IEE1015、1016が
接続され、それぞれの共通エミッタ端子は180°移相
器1017を介して共通接続される。
【0027】また、180°移相器1017は、ノード
Aにおける第1の入力信号in1の180°位相を反転
した信号をノードBに出力する回路である。
【0028】また、iA及びiBは次式のように与えら
れる。iin1は第1の入力信号in1の電流成分であ
る。
【0029】iA=IEE+iin1 iB=IEE−iin1
【0030】次に動作について説明する。第1の入力信
号in1及び第2の入力信号in2は、それぞれ異なる
周波数f1、f2の信号である。トランジスタQ1及び
Q2の共通エミッタ端子とトランジスタQ3及びQ4の
共通エミッタ端子は第1の入力信号in1によって18
0°移相器1017を介して共通接続されているため、
トランジスタQ1及びQ2とで構成される差動対とトラ
ンジスタQ3及びQ4とで構成される差動対の共通エミ
ッタ端子において差動の入力電流を得る。
【0031】ノードA及びノードBにおいて相補の入力
信号を得ることにより、片側入力に比べ入力電流振幅が
2倍になるため、変換利得の低下を極力抑えつつミキサ
操作を行う。この関係を式で表すと以下のようになる。
【0032】トランジスタQ1、Q2、Q3、Q4のコ
レクタ電流をic1、ic2、ic3、ic4とおき、
vin2=in2+−in2−とする。 ic1=(IEE+iin1)/{1+exp(−vin2/VT)} (式15) ic2=(IEE+iin1)/{1+exp(vin2/VT)} (式16)
【0033】 ic3=(IEE−iin1)/{1+exp(vin2/VT)} (式17) ic4=(IEE−iin1)/{1+exp(−vin2/VT)} (式18)
【0034】式15〜18の関係から出力電流は次式と
なる。
【0035】 Out+−Out−=ic1+ic3−(ic2+ic4) =2iin1・{exp(vin2/VT)−exp(−vin2/VT)} /[{1+exp(vin2/VT)}・{1+exp(−vin2/VT)} ] =2iin1・tanh(vin2/2VT) (式19)
【0036】式12及び13との関係を用いると次式と
なる。
【0037】 Out+−Out−≒2iin1・(vin2/2VT) (式20)
【0038】故に、iin1及びvin2の乗算を行う
ことができる。片側入力の場合、式20中のiin1に
かかる係数2がなくなる。
【0039】さらに、定電流源以外に縦積みトランジス
タは一段のため、ギルバートセル型ミキサ回路の二段に
比べて、より低電源電圧で動作する(但し、180°移
相器1017はミキサ部の電源電圧よりも低い電源電圧
で動作するか、受動素子で構成しなければならない)。
【0040】また、180°移相器1017を受動素子
で構成すれば、ギルバートセルの下段差動対に比べ線形
的な特性なので、さらに低歪みな特性を得る。
【0041】また、図12は従来の別のタイプの低電圧
型ミキサ回路の回路図である。図12を参照して、この
ミキサ回路1300は定電流源IEE1035、1036
と、トランジスタQ1〜Q4(1031〜1034)
と、インダクタLE1037と、コンデンサCE103
8とから構成され、in1は第1の入力信号、in2は
第2の入力信号、Out+は正の第1の出力電流、Ou
t−は負の第1の出力電流である。
【0042】また、トランジスタQ1(1031)及び
Q2(1032)のエミッタ端子は互いに共通接続さ
れ、トランジスタQ3(1033)及びQ4(103
4)のエミッタ端子も互いに共通接続される。また、ト
ランジスタQ1(1031)及びQ3(1033)のコ
レクタ端子は互いに共通接続され、トランジスタQ2
(1032)及びQ4(1034)のコレクタ端子も互
いに共通接続される。
【0043】さらに、トランジスタQ1(1031)及
びQ2(1032)の共通エミッタ端子及びトランジス
タQ3(1033)及びQ4(1034)の共通エミッ
タ端子はそれぞれ定電流源IEE1035、1036が
接続され、それぞれの共通エミッタ端子はインダクタL
E1037を介して共通接続される。また、ノードBが
コンデンサCE1038を介して接地されている。
【0044】この動作は、インダクタLE1037及び
コンデンサCE1038が下記の式を満たす場合、ノー
ドBにおいて入力信号in1の180°位相を反転した
信号を得ることができる。
【0045】f1>1/{2π√(LE・CE)}
【0046】しかし、ノードBにおけるトランジスタQ
3(1033)及びQ4(1034)の抵抗成分(この
場合はエミッタ抵抗)が小さいため下式で示すように、
Recpが小さければ小さい程、VA及びVBとの位相
差が180°に達しない(下式において、VA及びVB
はそれぞれノードA及びノードBにおける電圧信号であ
り、RecpはトランジスタQ3(1033)及びQ4
(1034)のエミッタ抵抗を並行合成したもので、小
信号等価抵抗である)。
【0047】 VB/VA=Recp/(1+jω・CE・Recp)/{jω・LE+Re cp/(1+jω・CE・Recp)} =Recp/{jω・LE+(Recp−ω・ω・LE・CE・R ecp)} (式21)
【0048】この2つの信号の位相差が180°に達し
ない場合、両信号の差分信号は下記のように表される。
両信号の振幅は1とおく。
【0049】 VA=sinωt VB=sin(ωt+θ) VA−VB=sinωt−sin(ωt+θ) =2sin(−θ/2)・cos(ωt+θ/2) (式22)
【0050】即ち、式22が示すようにθの絶対値が1
80°よりも小さくなればなるほど、入力信号が小さく
なる。これにより変換利得が低下する。
【0051】また、式21で用いるRecpはin2の
入力信号によって変化する非線形な抵抗であるため、歪
みが生じる。
【0052】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のミ
キサ回路は式22におけるθの絶対値が180°よりも
小さくなればなるほど入力信号が小さくなり、変換利得
が低下する。また、トランジスタQ3(1033)及び
Q4(1034)のエミッタ抵抗の並行合成であるRe
cpは第2の入力信号であるin2の入力信号によって
変化する非線形な抵抗であるため、歪みが生じる。
【0053】
【課題を解決するための手段】この発明に係るミキサ回
路は制御電極に正の第2の入力端子が接続され、第1の
電流電極に正の出力端子が接続される第1のトランジス
タと、制御電極に負の第2の入力端子が接続され、第1
の電流電極に負の出力端子が接続される第2のトランジ
スタと、制御電極に負の第2の入力端子が接続され、第
1の電流電極に正の出力端子が接続される第3のトラン
ジスタと、制御電極に正の第2の入力端子が接続され、
第1の電流電極に負の出力端子が接続される第4のトラ
ンジスタと、第1のトランジスタ及び第2のトランジス
タの第2の電流電極と接続される直流的に未開放の第1
のインピーダンス素子と、第3のトランジスタ及び第4
のトランジスタの第2の電流電極と接続される直流的に
未開放の第2のインピーダンス素子と、第1のインピー
ダンス素子と接続し、第1の入力端子が接続される第1
のノードと、第2のインピーダンス素子と接続する第2
のノードと、第1のノード及び第2のノードとを接続す
るインダクタと、第1の端子が第2のノードに接続さ
れ、第2の端子が接地されるコンデンサと、第1のノー
ド及び第2のノードに接続される電流源とを備えるもの
である。
【0054】また、第1のトランジスタ及び第2のトラ
ンジスタの第2の電流電極と接続する第1の抵抗と、第
3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2の電流
電極と接続する第2の抵抗とを備えるものである。
【0055】また、第1のトランジスタ及び第2のトラ
ンジスタの第2の電流電極と接続する第1のインダクタ
と、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2
の電流電極と接続する第2のインダクタとを備えるもの
である。
【0056】また、第1のトランジスタ及び第2のトラ
ンジスタの第2の電流電極と接続する第1のフィルタ
と、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2
の電流電極と接続する第2のフィルタとを備えるもので
ある。
【0057】また、第1のトランジスタ及び第2のトラ
ンジスタの第2の電流電極を第1のポートの正端子に接
続し、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第
2の電流電極を第2のポートの負端子に接続する相互イ
ンダクタを備えるものである。
【0058】また、制御電極に正の第2の入力端子が接
続され、第1の電流電極に正の出力端子が接続される第
1のトランジスタと、制御電極に負の第2の入力端子が
接続され、第1の電流電極に負の出力端子が接続される
第2のトランジスタと、制御電極に負の第2の入力端子
が接続され、第1の電流電極に正の出力端子が接続され
る第3のトランジスタと、制御電極に正の第2の入力端
子が接続され、第1の電流電極に負の出力端子が接続さ
れる第4のトランジスタと、第1のトランジスタ及び第
2のトランジスタの第2の電流電極と接続する第1のフ
ィルタと、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタ
の第2の電流電極と接続する第2のフィルタと、第1の
フィルタと接続し、第1の入力端子が接続される第1の
ノードと、第2のフィルタと接続する第2のノードと、
第1のノード及び第2のノードとを接続する移相器と、
第1の端子が第2のノードに接続され、第2の端子が接
地されるコンデンサと、第1のノード及び第2のノード
に接続される電流源とを備えるものである。
【0059】また、制御電極に正の第2の入力端子が接
続され、第1の電流電極に正の出力端子が接続される第
1のトランジスタと、制御電極に負の第2の入力端子が
接続され、第1の電流電極に負の出力端子が接続される
第2のトランジスタと、制御電極に負の第2の入力端子
が接続され、第1の電流電極に正の出力端子が接続され
る第3のトランジスタと、制御電極に正の第2の入力端
子が接続され、第1の電流電極に負の出力端子が接続さ
れる第4のトランジスタと、制御電極に定電位が接続さ
れ、第1の電流電極に第1のトランジスタ及び第2のト
ランジスタの第2の電流電極が接続される第5のトラン
ジスタと、制御電極に定電位が接続され、第1の電流電
極に第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2
の電流電極が接続される第6のトランジスタと、第5の
トランジスタの第2の電流電極と接続し、第1の入力端
子が接続される第1のノードと、第6のトランジスタの
第2の電流電極と接続する第2のノードと、第1のノー
ド及び第2のノードとを接続するインダクタと、第1の
端子が第2のノードに接続され、第2の端子が接地され
るコンデンサと、第1のノード及び第2のノードに接続
される電流源とを備えるものである。
【0060】また、第1のノード及び第2のノードとの
間に接続される移相器を備えるものである。
【0061】また、第5のトランジスタの第2の電流電
極と第1のノードとの間に接続される第2のインダクタ
と、第6のトランジスタの第2の電流電極と第2のノー
ドとの間に接続される第3のインダクタとを備えるもの
である。
【0062】さらに、第5のトランジスタの第2の電流
電極と第1のノードとの間に接続される直流的に未開放
の第1のインピーダンス素子と、第6のトランジスタの
第2の電流電極と第2のノードとの間に接続される直流
的に未開放の第2のインピーダンス素子とを備えるもの
である。
【0063】
【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明に
ついて説明する。図1は実施の形態1によるミキサ回路
の回路図である。図1を参照して、このミキサ回路10
0は定電流源IEE5,6と、トランジスタQ1〜Q4
(1〜4)と、インダクタLE7と、コンデンサCE1
0と、直流的に開放ではないインピーダンス素子Zp
8,9とから構成され、in1は第1の入力信号、in
2+は正の第2の入力信号、in2−は負の第2の入力
信号、Out+は正の出力電流、Out−は負の出力電
流である。
【0064】また、トランジスタQ1(1)及びQ2
(2)のエミッタ端子は互いに共通接続され、トランジ
スタQ3(3)及びQ4(4)のエミッタ端子も互いに
共通接続される。また、トランジスタQ1(1)及びQ
3(3)のコレクタ端子は互いに共通接続され、トラン
ジスタQ2(2)及びQ4(4)のコレクタ端子も互い
に共通接続される。また、トランジスタQ1(1)及び
Q4(4)のベース端子にはin2+が印加され、トラ
ンジスタQ2(2)及びQ3(3)のベース端子にはi
n2−が印加される。
【0065】さらに、トランジスタQ1(1)及びQ2
(2)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ3(3)
及びQ4(4)の共通エミッタ端子はそれぞれインピー
ダンス素子Zp8,9を介して定電流源IEE5,6が
接続され、ノードAはインダクタLE7を介してノード
Bと接続される。また、ノードBがコンデンサCE8を
介して接地されている。また、ノードAにはin1が印
加される。
【0066】この実施の形態1によると、式21に示す
トランジスタQ3(3)及びQ4(4)のエミッタ抵抗
の並行合成であるRecpに直列にインピーダンスZp
が加わり、ノードBにおけるトータルインピーダンスが
高くなる。即ち、ノードA及びノードBにおける信号の
位相差が180°に近づいて、変換利得が高くなる。
【0067】実施の形態2.図2は実施の形態2による
ミキサ回路の回路図である。図2を参照して、このミキ
サ回路200は定電流源IEE15,16と、トランジ
スタQ1〜Q4(11〜14)と、インダクタLE17
と、コンデンサCE20と、抵抗Rp18,19とから
構成され、in1は第1の入力信号、in2+は正の第
2の入力信号、in2−は負の第2の入力信号、Out
+は正の出力電流、Out−は負の出力電流である。
【0068】また、トランジスタQ1(11)及びQ2
(12)のエミッタ端子は互いに共通接続され、トラン
ジスタQ3(13)及びQ4(14)のエミッタ端子も
互いに共通接続される。また、トランジスタQ1(1
1)及びQ3(13)のコレクタ端子は互いに共通接続
され、トランジスタQ2(12)及びQ4(14)のコ
レクタ端子も互いに共通接続される。また、トランジス
タQ1(11)及びQ4(14)のベース端子にはin
2+が印加され、トランジスタQ2(12)及びQ3
(13)のベース端子にはin2−が印加される。
【0069】さらに、トランジスタQ1(11)及びQ
2(12)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ3
(13)及びQ4(14)の共通エミッタ端子はそれぞ
れ抵抗Rp18,19を介して定電流源IEE15,16
が接続され、ノードAはインダクタLE17を介してノ
ードBと接続される。また、ノードBがコンデンサCE
18を介して接地されている。また、ノードAにはin
1が印加される。
【0070】この実施の形態2によると、実施の形態1
同様、式21に示すトランジスタQ3(13)及びQ4
(14)のエミッタ抵抗の並行合成であるRecpに直
列に抵抗Rpが加わり、ノードBにおけるトータルイン
ピーダンスが高くなる。即ち、ノードA及びノードBに
おける信号の位相差が180°に近づいて、変換利得が
高くなる。
【0071】実施の形態3.図3は実施の形態3による
ミキサ回路の回路図である。図3を参照して、このミキ
サ回路300は定電流源IEE35,36と、トランジ
スタQ1〜Q4(31〜34)と、インダクタLE37
と、コンデンサCE40と、インダクタLP38,39
とから構成され、in1は第1の入力信号、in2+は
正の第2の入力信号、in2−は負の第2の入力信号、
Out+は正の出力電流、Out−は負の出力電流であ
る。
【0072】また、トランジスタQ1(31)及びQ2
(32)のエミッタ端子は互いに共通接続され、トラン
ジスタQ3(33)及びQ4(34)のエミッタ端子も
互いに共通接続される。また、トランジスタQ1(3
1)及びQ3(33)のコレクタ端子は互いに共通接続
され、トランジスタQ2(32)及びQ4(34)のコ
レクタ端子も互いに共通接続される。また、トランジス
タQ1(31)及びQ4(34)のベース端子にはin
2+が印加され、トランジスタQ2(32)及びQ3
(33)のベース端子にはin2−が印加される。
【0073】さらに、トランジスタQ1(31)及びQ
2(32)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ3
(33)及びQ4(34)の共通エミッタ端子はそれぞ
れインダクタLP38,39を介して定電流源IEE3
5,36が接続され、ノードAはインダクタLE37を
介してノードBと接続される。また、ノードBがコンデ
ンサCE38を介して接地されている。また、ノードA
にはin1が印加される。
【0074】この実施の形態3によると、トランジスタ
Q1(31)及びQ2(32)の共通エミッタ端子及び
トランジスタQ3(33)及びQ4(34)の共通エミ
ッタ端子がそれぞれインダクタLP38,39を介して
定電流源IEE35,36に接続されるので、実施の形
態1と同様の効果以外に、ノードA、ノードBで生じる
入力信号の高調波がトランジスタQ1(31)及びQ2
(32)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ3(3
3)及びQ4(34)の共通エミッタ端子に入力される
量を低減する。さらに、インダクタLPにおける直流損
失が小さいため、低電圧動作に適している。
【0075】実施の形態4.図4は実施の形態4による
ミキサ回路の回路図である。図4を参照して、このミキ
サ回路500は定電流源IEE55,56と、トランジ
スタQ1〜Q4(51〜54)と、インダクタLE57
と、コンデンサCE60と、相互インダクタMP58と
から構成され、in1は第1の入力信号、in2+は正
の第2の入力信号、in2−は負の第2の入力信号、O
ut+は正の出力電流、Out−は負の出力電流であ
る。
【0076】また、トランジスタQ1(51)及びQ2
(52)のエミッタ端子は互いに共通接続され、トラン
ジスタQ3(53)及びQ4(54)のエミッタ端子も
互いに共通接続される。また、トランジスタQ1(5
1)及びQ3(53)のコレクタ端子は互いに共通接続
され、トランジスタQ2(52)及びQ4(54)のコ
レクタ端子も互いに共通接続される。また、トランジス
タQ1(51)及びQ4(54)のベース端子にはin
2+が印加され、トランジスタQ2(52)及びQ3
(53)のベース端子にはin2−が印加される。
【0077】さらに、トランジスタQ1(51)及びQ
2(52)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ3
(53)及びQ4(54)の共通エミッタ端子はそれぞ
れ相互インダクタMP58の第1ポート及び第2ポート
を介して定電流源IEE55,56が接続され、その接
続方向はノードAの信号の反転信号をノードBに生成す
る向きである。また、ノードAはインダクタLE57を
介してノードBと接続される。また、ノードBがコンデ
ンサCE38を介して接地されている。また、ノードA
にはin1が印加される。
【0078】この実施の形態4によると、実施の形態1
と同様の効果以外に、ノードA及びノードBにおける入
力信号の位相差が180°に近づくように補正される。
【0079】実施の形態5.図5は実施の形態5による
ミキサ回路の回路図である。図5を参照して、このミキ
サ回路700は定電流源IEE75,76と、トランジ
スタQ1〜Q4(71〜74)と、インダクタLE77
と、コンデンサCE80と、Filter78,79と
から構成され、in1は第1の入力信号、in2+は正
の第2の入力信号、in2−は負の第2の入力信号、O
ut+は正の出力電流、Out−は負の出力電流であ
る。
【0080】また、トランジスタQ1(71)及びQ2
(72)のエミッタ端子は互いに共通接続され、トラン
ジスタQ3(73)及びQ4(74)のエミッタ端子も
互いに共通接続される。また、トランジスタQ1(7
1)及びQ3(73)のコレクタ端子は互いに共通接続
され、トランジスタQ2(72)及びQ4(74)のコ
レクタ端子も互いに共通接続される。また、トランジス
タQ1(71)及びQ4(74)のベース端子にはin
2+が印加され、トランジスタQ2(72)及びQ3
(73)のベース端子にはin2−が印加される。
【0081】また、トランジスタQ1(71)及びQ2
(72)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ3(7
3)及びQ4(74)の共通エミッタ端子はそれぞれF
ilter78,79を介して定電流源IEE75,7
6が接続され、ノードAはインダクタLE77を介して
ノードBと接続される。また、ノードBがコンデンサC
E80を介して接地されている。また、ノードAにはi
n1が印加される。
【0082】この実施の形態5によると、さらに、ノー
ドA、ノードBで生じる入力信号の高調波がトランジス
タQ1(71)及びQ2(72)の共通エミッタ端子及
びトランジスタQ3(73)及びQ4(74)の共通エ
ミッタ端子に入力される量を低減する。
【0083】実施の形態6.図6は実施の形態6による
ミキサ回路の回路図である。図6を参照して、このミキ
サ回路800は定電流源IEE85,86と、トランジ
スタQ1〜Q4(81〜84)と、移相器87と、Fi
lter88,89とから構成され、in1は第1の入
力信号、in2+は正の第2の入力信号、in2−は負
の第2の入力信号、Out+は正の出力電流、Out−
は負の出力電流である。
【0084】また、トランジスタQ1(81)及びQ2
(82)のエミッタ端子は互いに共通接続され、トラン
ジスタQ3(83)及びQ4(84)のエミッタ端子も
互いに共通接続される。また、トランジスタQ1(8
1)及びQ3(83)のコレクタ端子は互いに共通接続
され、トランジスタQ2(82)及びQ4(84)のコ
レクタ端子も互いに共通接続される。また、トランジス
タQ1(81)及びQ4(84)のベース端子にはin
2+が印加され、トランジスタQ2(82)及びQ3
(83)のベース端子にはin2−が印加される。
【0085】また、トランジスタQ1(81)及びQ2
(82)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ3(8
3)及びQ4(84)の共通エミッタ端子はそれぞれF
ilter88,89を介して定電流源IEE85,8
6が接続され、ノードAは移相器87を介してノードB
と接続される。また、ノードAにはin1が印加され
る。
【0086】また、移相器87はLC移相器に限らず、
どのような移相器でもよい。また、Filterの具体
的構成を図7(a),(b)に示す。図7(a)は抵抗
Rf1及びインダクタLf1を直列接続するものにコン
デンサCf1を並列接続したものである。また、図7
(b)はインダクタLf1及びコンデンサCf1を並列
接続したものである。
【0087】この実施の形態6によると、さらに、ノー
ドA、ノードBで生じる入力信号の高調波がトランジス
タQ1(81)及びQ2(82)の共通エミッタ端子及
びトランジスタQ3(83)及びQ4(84)の共通エ
ミッタ端子に入力される量を低減する。
【0088】実施の形態7.図8は実施の形態7による
ミキサ回路の回路図である。図8を参照して、このミキ
サ回路130は定電流源IEE115,116と、トラ
ンジスタQ1〜Q4(101〜104)と、インダクタ
LE107と、コンデンサCE110と、ベースが一定
電圧VbiasでバイアスされるトランジスタQ5(1
05),Q6(106)とから構成され、in1は第1
の入力信号、in2+は正の第2の入力信号、in2−
は負の第2の入力信号、Out+は正の出力電流、Ou
t−は負の出力電流である。
【0089】また、トランジスタQ1(101)及びQ
2(102)のエミッタ端子は互いに共通接続され、ト
ランジスタQ3(103)及びQ4(104)のエミッ
タ端子も互いに共通接続される。また、トランジスタQ
1(101)及びQ3(103)のコレクタ端子は互い
に共通接続され、トランジスタQ2(102)及びQ4
(104)のコレクタ端子も互いに共通接続される。ま
た、トランジスタQ1(101)及びQ4(104)の
ベース端子にはin2+が印加され、トランジスタQ2
(102)及びQ3(103)のベース端子にはin2
−が印加される。
【0090】さらに、トランジスタQ1(101)及び
Q2(102)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ
3(103)及びQ4(104)の共通エミッタ端子が
ベースに一定電圧Vbiasがバイアスされるトランジ
スタQ5(105),Q6(106)のコレクタにそれ
ぞれ接続され、トランジスタQ5(105),Q6(1
06)のエミッタ端子がそれぞれ定電流源IEE115,
116に接続される。
【0091】また、ノードAはインダクタLE107を
介してノードBに接続される。また、ノードBがコンデ
ンサCE110を介して接地されている。さらに、ノー
ドAにはin1が印加される。
【0092】この実施の形態7によると、ノードA、ノ
ードBで生じるエミッタ抵抗がバイアスされるトランジ
スタのエミッタ抵抗であるため線形であり、ミキサ回路
の低歪み化を実現できる。
【0093】実施の形態8.また、実施の形態8では、
実施の形態7におけるインダクタLEを移相器に置き換
えても同様な効果が得られる(図示せず)。
【0094】実施の形態9.図9は実施の形態9による
ミキサ回路の回路図である。図9を参照して、このミキ
サ回路170は定電流源IEE155,156と、トラ
ンジスタQ1〜Q4(131〜134)と、インダクタ
LE137〜139と、コンデンサCE150と、ベー
スが一定電圧Vbiasでバイアスされるトランジスタ
Q5(135),Q6(136)とから構成され、in
1は第1の入力信号、in2+は正の第2の入力信号、
in2−は負の第2の入力信号、Out+は正の出力電
流、Out−は負の出力電流である。
【0095】また、トランジスタQ1(131)及びQ
2(132)のエミッタ端子は互いに共通接続され、ト
ランジスタQ3(133)及びQ4(134)のエミッ
タ端子も互いに共通接続される。また、トランジスタQ
1(131)及びQ3(133)のコレクタ端子は互い
に共通接続され、トランジスタQ2(132)及びQ4
(134)のコレクタ端子も互いに共通接続される。ま
た、トランジスタQ1(131)及びQ4(134)の
ベース端子にはin2+が印加され、トランジスタQ2
(132)及びQ3(133)のベース端子にはin2
−が印加される。
【0096】さらに、トランジスタQ1(131)及び
Q2(132)の共通エミッタ端子及びトランジスタQ
3(133)及びQ4(134)の共通エミッタ端子が
ベースに一定電圧Vbiasがバイアスされるトランジ
スタQ5(135),Q6(136)のコレクタにそれ
ぞれ接続され、トランジスタQ5(135),Q6(1
36)のエミッタ端子がインダクタLE138,139
を介してそれぞれ定電流源IEE155,156に接続さ
れる。
【0097】また、ノードAはインダクタLE137を
介してノードBと接続される。また、ノードBがコンデ
ンサCE110を介して接地されている。さらに、ノー
ドAにはin1が印加される。
【0098】この実施の形態9によると、インダクタL
Pにおける直流損失が小さいため、低電圧動作に適して
いる。さらに、ノードA、ノードBで生じるエミッタ抵
抗がバイアスされるトランジスタのエミッタ抵抗である
ため線形であり、ミキサ回路の低歪み化を実現できる。
【0099】実施の形態10.また、実施の形態10で
は、実施の形態9におけるインダクタLPを直流的に開
放ではないインピーダンス素子に置き換えても同様な効
果が得られる(図示せず)。
【0100】
【発明の効果】この発明に係るミキサ回路は制御電極に
正の第2の入力端子が接続され、第1の電流電極に正の
出力端子が接続される第1のトランジスタと、制御電極
に負の第2の入力端子が接続され、第1の電流電極に負
の出力端子が接続される第2のトランジスタと、制御電
極に負の第2の入力端子が接続され、第1の電流電極に
正の出力端子が接続される第3のトランジスタと、制御
電極に正の第2の入力端子が接続され、第1の電流電極
に負の出力端子が接続される第4のトランジスタと、第
1のトランジスタ及び第2のトランジスタの第2の電流
電極と接続される直流的に未開放の第1のインピーダン
ス素子と、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタ
の第2の電流電極と接続される直流的に未開放の第2の
インピーダンス素子と、第1のインピーダンス素子と接
続し、第1の入力端子が接続される第1のノードと、第
2のインピーダンス素子と接続する第2のノードと、第
1のノード及び第2のノードとを接続するインダクタ
と、第1の端子が第2のノードに接続され、第2の端子
が接地されるコンデンサと、第1のノード及び第2のノ
ードに接続される電流源とを備えるので、ノードA及び
ノードBにおける信号の位相差が180°に近づいて、
変換利得が高くなる。
【0101】また、第1のトランジスタ及び第2のトラ
ンジスタの第2の電流電極と接続する第1の抵抗と、第
3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2の電流
電極と接続する第2の抵抗とを備えるので、さらに変換
利得が高くなる。
【0102】また、第1のトランジスタ及び第2のトラ
ンジスタの第2の電流電極と接続する第1のインダクタ
と、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2
の電流電極と接続する第2のインダクタとを備えるの
で、ノードA、ノードBで生じる入力信号の高調波がト
ランジスタQ1及びQ2の共通エミッタ端子及びトラン
ジスタQ3及びQ4の共通エミッタ端子に入力される量
を低減する。
【0103】また、インダクタLPにおける直流損失が
小さいため、低電圧動作に適している。
【0104】また、第1のトランジスタ及び第2のトラ
ンジスタの第2の電流電極と接続する第1のフィルタ
と、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2
の電流電極と接続する第2のフィルタとを備えるので、
ノードA、ノードBで生じる入力信号の高調波がトラン
ジスタQ1及びQ2の共通エミッタ端子及びトランジス
タQ3及びQ4の共通エミッタ端子に入力される量を低
減する。
【0105】また、第1のトランジスタ及び第2のトラ
ンジスタの第2の電流電極を第1のポートの正端子に接
続し、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第
2の電流電極を第2のポートの負端子に接続する相互イ
ンダクタを備えるので、ノードA及びノードBにおける
入力信号の位相差が180°に近づくように補正され
る。
【0106】また、制御電極に正の第2の入力端子が接
続され、第1の電流電極に正の出力端子が接続される第
1のトランジスタと、制御電極に負の第2の入力端子が
接続され、第1の電流電極に負の出力端子が接続される
第2のトランジスタと、制御電極に負の第2の入力端子
が接続され、第1の電流電極に正の出力端子が接続され
る第3のトランジスタと、制御電極に正の第2の入力端
子が接続され、第1の電流電極に負の出力端子が接続さ
れる第4のトランジスタと、第1のトランジスタ及び第
2のトランジスタの第2の電流電極と接続する第1のフ
ィルタと、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタ
の第2の電流電極と接続する第2のフィルタと、第1の
フィルタと接続し、第1の入力端子が接続される第1の
ノードと、第2のフィルタと接続する第2のノードと、
第1のノード及び第2のノードとを接続する移相器と、
第1の端子が第2のノードに接続され、第2の端子が接
地されるコンデンサと、第1のノード及び第2のノード
に接続される電流源とを備えるので、さらに、ノードA
及びノードBで生じる入力信号の高調波がトランジスタ
Q1及びQ2の共通エミッタ端子及びトランジスタQ3
及びQ4の共通エミッタ端子に入力される量を低減す
る。
【0107】また、制御電極に正の第2の入力端子が接
続され、第1の電流電極に正の出力端子が接続される第
1のトランジスタと、制御電極に負の第2の入力端子が
接続され、第1の電流電極に負の出力端子が接続される
第2のトランジスタと、制御電極に負の第2の入力端子
が接続され、第1の電流電極に正の出力端子が接続され
る第3のトランジスタと、制御電極に正の第2の入力端
子が接続され、第1の電流電極に負の出力端子が接続さ
れる第4のトランジスタと、制御電極に定電位が接続さ
れ、第1の電流電極に第1のトランジスタ及び第2のト
ランジスタの第2の電流電極が接続される第5のトラン
ジスタと、制御電極に定電位が接続され、第1の電流電
極に第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2
の電流電極が接続される第6のトランジスタと、第5の
トランジスタの第2の電流電極と接続し、第1の入力端
子が接続される第1のノードと、第6のトランジスタの
第2の電流電極と接続する第2のノードと、第1のノー
ド及び第2のノードとを接続するインダクタと、第1の
端子が第2のノードに接続され、第2の端子が接地され
るコンデンサと、第1のノード及び第2のノードに接続
される電流源とを備えるので、ミキサ回路の低歪み化を
実現できる。
【0108】また、第1のノード及び第2のノードとの
間に接続される移相器を備えるので、さらにミキサ回路
の低歪み化を実現できる。
【0109】また、第5のトランジスタの第2の電流電
極と第1のノードとの間に接続される第2のインダクタ
と、第6のトランジスタの第2の電流電極と第2のノー
ドとの間に接続される第3のインダクタとを備えるの
で、さらにミキサ回路の低歪み化を実現できる。
【0110】さらに、第5のトランジスタの第2の電流
電極と第1のノードとの間に接続される直流的に未開放
の第1のインピーダンス素子と、第6のトランジスタの
第2の電流電極と第2のノードとの間に接続される直流
的に未開放の第2のインピーダンス素子とを備えるの
で、さらにミキサ回路の低歪み化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1によるミキサ回路の
回路図である。
【図2】 この発明の実施の形態2によるミキサ回路の
回路図である。
【図3】 この発明の実施の形態3によるミキサ回路の
回路図である。
【図4】 この発明の実施の形態4によるミキサ回路の
回路図である。
【図5】 この発明の実施の形態5によるミキサ回路の
回路図である。
【図6】 この発明の実施の形態6によるミキサ回路の
回路図である。
【図7】 この発明の実施の形態6によるミキサ回路の
Filterの構成図である。
【図8】 この発明の実施の形態7によるミキサ回路の
回路図である。
【図9】 この発明の実施の形態9によるミキサ回路の
回路図である。
【図10】 従来のギルバートセル型ミキサ回路の回路
図である。
【図11】 従来の低電圧型ミキサ回路の回路図であ
る。
【図12】 従来の別のタイプの低電圧型ミキサ回路の
回路図である。
【符号の説明】 1 トランジスタQ1 2 トラン
ジスタQ2 3 トランジスタQ3 4 トラン
ジスタQ4 5 定電流源IEE 6 定電流源IEE 7 インダクタLE 8 インピ
ーダンスZp 9 インピーダンスZp 10 コンデンサCE 18 抵抗RP 19 抵抗
RP 38 インダクタLP 39 イン
ダクタLP 58 相互インダクタ 78 Filter 79 Fi
lter 87 移相器 88 Filter 89 Fi
lter 105 トランジスタQ5 106 ト
ランジスタQ6 135 トランジスタQ5 136 ト
ランジスタQ6 138 インダクタLP 139 イ
ンダクタLP

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 制御電極に正の第2の入力端子が接続さ
    れ、第1の電流電極に正の出力端子が接続される第1の
    トランジスタと、 制御電極に負の第2の入力端子が接続され、第1の電流
    電極に負の出力端子が接続される第2のトランジスタ
    と、 制御電極に前記負の第2の入力端子が接続され、第1の
    電流電極に前記正の出力端子が接続される第3のトラン
    ジスタと、 制御電極に前記正の第2の入力端子が接続され、第1の
    電流電極に前記負の出力端子が接続される第4のトラン
    ジスタと、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタの
    第2の電流電極と接続される直流的に未開放の第1のイ
    ンピーダンス素子と、 前記第3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの
    第2の電流電極と接続される直流的に未開放の第2のイ
    ンピーダンス素子と、 前記第1のインピーダンス素子と接続し、第1の入力端
    子が接続される第1のノードと、 前記第2のインピーダンス素子と接続する第2のノード
    と、 前記第1のノード及び前記第2のノードとを接続するイ
    ンダクタと、 第1の端子が前記第2のノードに接続され、第2の端子
    が接地されるコンデンサと、 前記第1のノード及び前記第2のノードに接続される電
    流源とを備えるミキサ回路。
  2. 【請求項2】 第1のトランジスタ及び第2のトランジ
    スタの第2の電流電極と接続する第1の抵抗と、 第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2の電
    流電極と接続する第2の抵抗とを備える請求項1記載の
    ミキサ回路。
  3. 【請求項3】 第1のトランジスタ及び第2のトランジ
    スタの第2の電流電極と接続する第1のインダクタと、 第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2の電
    流電極と接続する第2のインダクタとを備える請求項1
    記載のミキサ回路。
  4. 【請求項4】 第1のトランジスタ及び第2のトランジ
    スタの第2の電流電極と接続する第1のフィルタと、 第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2の電
    流電極と接続する第2のフィルタとを備える請求項1記
    載のミキサ回路。
  5. 【請求項5】 第1のトランジスタ及び第2のトランジ
    スタの第2の電流電極を第1のポートの正端子に接続
    し、第3のトランジスタ及び第4のトランジスタの第2
    の電流電極を第2のポートの負端子に接続する相互イン
    ダクタを備える請求項1記載のミキサ回路。
  6. 【請求項6】 制御電極に正の第2の入力端子が接続さ
    れ、第1の電流電極に正の出力端子が接続される第1の
    トランジスタと、 制御電極に負の第2の入力端子が接続され、第1の電流
    電極に負の出力端子が接続される第2のトランジスタ
    と、 制御電極に前記負の第2の入力端子が接続され、第1の
    電流電極に前記正の出力端子が接続される第3のトラン
    ジスタと、 制御電極に前記正の第2の入力端子が接続され、第1の
    電流電極に前記負の出力端子が接続される第4のトラン
    ジスタと、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタの
    第2の電流電極と接続する第1のフィルタと、 前記第3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの
    第2の電流電極と接続する第2のフィルタと、 前記第1のフィルタと接続し、第1の入力端子が接続さ
    れる第1のノードと、 前記第2のフィルタと接続する第2のノードと、 前記第1のノード及び前記第2のノードとを接続する移
    相器と、 第1の端子が前記第2のノードに接続され、第2の端子
    が接地されるコンデンサと、 前記第1のノード及び前記第2のノードに接続される電
    流源とを備えるミキサ回路。
  7. 【請求項7】 制御電極に正の第2の入力端子が接続さ
    れ、第1の電流電極に正の出力端子が接続される第1の
    トランジスタと、 制御電極に負の第2の入力端子が接続され、第1の電流
    電極に負の出力端子が接続される第2のトランジスタ
    と、 制御電極に前記負の第2の入力端子が接続され、第1の
    電流電極に前記正の出力端子が接続される第3のトラン
    ジスタと、 制御電極に前記正の第2の入力端子が接続され、第1の
    電流電極に前記負の出力端子が接続される第4のトラン
    ジスタと、 制御電極に定電位が接続され、第1の電流電極に前記第
    1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタの第2の
    電流電極が接続される第5のトランジスタと、 制御電極に定電位が接続され、第1の電流電極に前記第
    3のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの第2の
    電流電極が接続される第6のトランジスタと、 前記第5のトランジスタの第2の電流電極と接続し、第
    1の入力端子が接続される第1のノードと、 前記第6のトランジスタの第2の電流電極と接続する第
    2のノードと、 前記第1のノード及び前記第2のノードとを接続するイ
    ンダクタと、 第1の端子が前記第2のノードに接続され、第2の端子
    が接地されるコンデンサと、 前記第1のノード及び前記第2のノードに接続される電
    流源とを備えるミキサ回路。
  8. 【請求項8】 第1のノード及び第2のノードとの間に
    接続される移相器を備える請求項7記載のミキサ回路。
  9. 【請求項9】 第5のトランジスタの第2の電流電極と
    第1のノードとの間に接続される第2のインダクタと、 第6のトランジスタの第2の電流電極と第2のノードと
    の間に接続される第3のインダクタとを備える請求項7
    記載のミキサ回路。
  10. 【請求項10】 第5のトランジスタの第2の電流電極
    と第1のノードとの間に接続される直流的に未開放の第
    1のインピーダンス素子と、 第6のトランジスタの第2の電流電極と第2のノードと
    の間に接続される直流的に未開放の第2のインピーダン
    ス素子とを備える請求項7記載のミキサ回路。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10222622A1 (de) * 2002-05-17 2003-11-27 Marconi Comm Gmbh Aufwärts-Frequenzumsetzer
US20040116095A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-17 Irf Semiconductor, Inc. High dynamic range radio frequency mixer
US20050220224A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Silicon Laboratories Inc. Polyphase filter with passband compensation and method therefor
US7042272B2 (en) * 2004-05-25 2006-05-09 Silicon Laboratories, Inc. Transconductance amplifier with substantially constant resistance and mixer using same
US7538596B2 (en) * 2004-05-25 2009-05-26 Silicon Laboratories, Inc. Low distortion quadrature mixer and method therefor
US7471134B2 (en) * 2004-05-25 2008-12-30 Silicon Laboratories, Inc. Mixer with clock resynchronization and method therefor
KR100677146B1 (ko) * 2004-10-30 2007-02-02 삼성전자주식회사 I/q 직교 복조기
US7886239B2 (en) * 2005-08-04 2011-02-08 The Regents Of The University Of California Phase coherent differtial structures
US7904036B2 (en) * 2005-12-02 2011-03-08 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Modulation method and apparatus
US7355466B2 (en) * 2006-01-26 2008-04-08 Honeywell International Inc. Passive mixer with direct current bias
US20080113644A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Saverio Trotta Low Noise Mixer
EP2263308B1 (en) * 2008-03-25 2011-09-28 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (PUBL) A combined mixer and balun design
TWI473419B (zh) * 2010-01-19 2015-02-11 Ind Tech Res Inst 倍頻器
US9979069B2 (en) 2016-05-02 2018-05-22 Motorola Solutions, Inc. Wireless broadband/land mobile radio antenna system

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4233607A (en) 1977-10-28 1980-11-11 Ball Corporation Apparatus and method for improving r.f. isolation between adjacent antennas
NL8302438A (nl) * 1983-07-08 1985-02-01 Philips Nv Dubbel-gebalanceerde mengschakeling.
US4937516A (en) * 1987-11-13 1990-06-26 U.S. Philips Corporation Balanced voltage-current converter and double-balanced mixer circuit comprising such a converter
US5060293A (en) 1989-10-20 1991-10-22 Motorola, Inc. Antenna switch for transmit-receive operation using relays and diodes
JPH0417405A (ja) * 1990-05-10 1992-01-22 Alps Electric Co Ltd ミキサ回路
US5264862A (en) 1991-12-10 1993-11-23 Hazeltine Corp. High-isolation collocated antenna systems
CA2095304C (en) 1993-04-30 1998-06-23 Ronald H. Johnston Polarization pattern diversity antenna
US5379457A (en) 1993-06-28 1995-01-03 Hewlett-Packard Company Low noise active mixer
CA2127189A1 (en) 1993-08-06 1995-02-07 James John Crnkovic Apparatus and method for attenuating an undesired signal in a radio transceiver
US5771449A (en) 1994-03-17 1998-06-23 Endlink, Inc. Sectorized multi-function communication system
US5521545A (en) * 1994-10-21 1996-05-28 Motorola, Inc. Collector-injection mixer with radio frequency signal applied to collectors of lower transistor pair
US5515014A (en) * 1994-11-30 1996-05-07 At&T Corp. Interface between SAW filter and Gilbert cell mixer
US6026286A (en) * 1995-08-24 2000-02-15 Nortel Networks Corporation RF amplifier, RF mixer and RF receiver
US5884154A (en) * 1996-06-26 1999-03-16 Raytheon Company Low noise mixer circuit having passive inductor elements
US5859558A (en) * 1997-04-11 1999-01-12 Raytheon Company Low voltage analog front end
JPH10322135A (ja) 1997-05-21 1998-12-04 Mitsubishi Electric Corp ミキサ回路
US6122497A (en) * 1997-08-21 2000-09-19 Analog Devices, Inc. RF mixer with inductive degeneration
US5847623A (en) * 1997-09-08 1998-12-08 Ericsson Inc. Low noise Gilbert Multiplier Cells and quadrature modulators
US6094571A (en) * 1998-10-02 2000-07-25 Nokia Mobile Phones Ltd. Differential class AB mixer circuit
US6184739B1 (en) * 1998-12-04 2001-02-06 Intel Corporation Advanced near ideal mixer
US6230001B1 (en) * 1999-05-27 2001-05-08 Rockwell Collins, Inc. Active commutated double balanced mixer
US6255889B1 (en) * 1999-11-09 2001-07-03 Nokia Networks Oy Mixer using four quadrant multiplier with reactive feedback elements
EP1128546A1 (en) * 2000-02-28 2001-08-29 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Upconverter mixer circuit
US6345178B1 (en) * 2000-07-17 2002-02-05 Nokia Networks Oy Linear balanced RF mixer
US6404263B1 (en) * 2001-07-11 2002-06-11 International Business Machines Corporation Mixer having compensation for harmonics of local oscillator signal

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