[go: up one dir, main page]

DE60109583T2 - Verzerrungsarmer treiberverstärker für integrierte filter - Google Patents

Verzerrungsarmer treiberverstärker für integrierte filter Download PDF

Info

Publication number
DE60109583T2
DE60109583T2 DE60109583T DE60109583T DE60109583T2 DE 60109583 T2 DE60109583 T2 DE 60109583T2 DE 60109583 T DE60109583 T DE 60109583T DE 60109583 T DE60109583 T DE 60109583T DE 60109583 T2 DE60109583 T2 DE 60109583T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
output
current
amplifier according
output current
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE60109583T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60109583D1 (de
Inventor
Paulus Van Zeijl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB filed Critical Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Publication of DE60109583D1 publication Critical patent/DE60109583D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60109583T2 publication Critical patent/DE60109583T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3066Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the collectors of complementary power transistors being connected to the output
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

  • HINTERGRUND
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Funkkommunikationsvorrichtungen, und insbesondere die Verbesserung von Verzerrungscharakteristiken von Verstärkern innerhalb der Transceiver von Funkkommunikationsvorrichtungen.
  • Das US-Patent 5,481,213 offenbart Steuerschaltungen einer hohen Seite und einer niedrigen Seite, die gekoppelt sind, um eine gleichzeitige Leitung in Ausgangsleistungstransistoren eines Verstärkers in einer Audioausgangsschaltung zu verhindern.
  • Selektivitätsfilter sind herkömmlich in Transceivern von Funkkommunikationsvorrichtungen verwendet worden, um zu ermöglichen, dass sich die Transceiver auf einen erwünschten Kanal "abstimmen" bzw. "einstellen", während sie andere benachbarte Kanäle zurückweisen. Historisch bestanden Selektivitätsfilter aus diskreten RLC-Komponenten oder akustischen Oberflächenwellen-(SAW = Surface Acoustic Wave)-Vorrichtungen. Diese Typen von Selektivitätsfiltern waren allgemein linear und trugen somit nicht signifikant zur Intermodulationsverzerrung oder zum 1 dB-Kompressionspunkt (P1dB) des gesamten Transceivers bei. Eine Intermodulationsverzerrung tritt dann auf, wenn zwei Störer bei zwei benachbarten Kanälen eine Intermodulationskomponente erzeugen, die in das Selektivitätsfilterband fallen. Wie es im Stand der Technik bekannt ist, stellt der Intercept-Punkt dritter Ordnung (IP3) des Filters eine Standardmaßnahme der Intermodulationsleistungsfähigkeit der Schaltung zur Verfügung. Der 1 dB-Kompressionspunkt (P1dB) stellt ein Maß für die Linearität des Filters dar und ist der Punkt, bei welchem die Differenz zwischen einer gemessenen Ausgangsleistung vom Filter 1 dB unter derjenigen ist, die aufgrund einer entsprechenden Erhöhung bezüglich einer Eingangsleistung zum Filter erwartet werden würde.
  • In letzter Zeit sind Selektivitätsfilter, wie beispielsweise Zwischenfrequenz-(IF = Intermediate Frequency)-Filter zusammen mit zugehörigen Treiberverstärkern neu auf derselben anwendungsspezifischen integrierten Schaltung (ASIC = Application Specific Integrated Circuit) wie eine andere Transceiverschaltung angeordnet worden. Eine Integration aus IF-Verstärker und Filtern hat jedoch allgemein eine Leistungsfähigkeit bezüglich einer Verzerrung verschlechtert. Ein IF-Verstärker 105, der ein integriertes IF-Filter 110 in einer herkömmlichen integrierten Transceiverschaltung 100 antreibt, wie beispielsweise derjenigen, die in 1 gezeigt ist, hat typischerweise einen IP3, der 10–14 dB höher als der P1dB ist.
  • Im integrierten IF-Filter 110 kann jedoch die Differenz zwischen IP3 und P1dB so hoch wie 20 dB sein. Daher begrenzt der IF-Verstärker 105 die Verzerrungscharakteristik der Kombination aus dem IF-Verstärker 105 und dem IF-Filter 110. Der IF-Verstärker 105 trägt somit signifikant zur gesamten Transceiververzerrung bei. Zum Optimieren der gesamten Leistungsfähigkeit eines integrierten Transceivers wäre es daher vorteilhaft, die Verzerrung zu reduzieren, die ein Beitrag des IF-Verstärkers ist, der das IF-Filter antreibt.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die oben beschriebenen und weitere wünschenswerte Charakteristiken werden durch die folgenden beispielhaften Ausführungsbeispiele der Erfindung zur Verfügung gestellt.
  • Gemäß einem beispielhaften Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Verstärker zur Verfügung gestellt. Der Verstärker dieses beispielhaften Ausführungsbeispiels weist folgendes auf: eine erste Differenzialstufe, die eine erste Spannung mit einer zweiten Spannung vergleicht und einen ersten Ausgangsstrom erzeugt, wobei die zweite Spannung von einer Rückkopplungsimpedanz abgeleitet ist; einen ersten Stromspiegel mit einem Eingang, der gekoppelt ist, um den ersten Ausgangsstrom zu empfangen, und einem Ausgang, der einen zweiten Ausgangsstrom zuführt; und einen ersten Ausgangstransistor mit einem Eingangsanschluss, der gekoppelt ist, um den zweiten Ausgangsstrom zu empfangen, einem Ausgangsanschluss zum Zuführen eines dritten Ausgangsstroms zum Antreiben einer Last und einem Anschluss für eine Rückkopplung zum Differenzialverstärker.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden durch Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung in Zusammenhang mit den Zeichnungen verstanden werden, wobei:
  • 1 ein Blockdiagramm eines Teils einer herkömmlichen Transceiverschaltung ist;
  • 2 ein Blockdiagramm eines herkömmlichen Nullorverstärkers ist;
  • 3 ein schematisches Diagramm einer Transkonduktanzverstärkerschaltung gemäß einem ersten beispielhaften Ausführungsbeispiel der Erfindung ist;
  • 4 ein Ausdruck der Ausgabe über der Eingabe des beispielhaften Transkonduktanzverstärkers der 3 ist;
  • 5 ein schematisches Diagramm einer Transkonduktanzverstärkerschaltung gemäß einem zweiten beispielhaften Ausführungsbeispiel der Erfindung ist;
  • 6 eine Ausdruck über der Eingabe des beispielhaften Transkonduktanzverstärkers der 5 ist;
  • 7 ein schematisches Diagramm einer Stromverstärkerschaltung gemäß einem dritten beispielhaften Ausführungsbeispiel der Erfindung ist; und
  • 8 ein Ausdruck der Ausgabe über der Eingabe des beispielhaften Stromverstärkers der 7 ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Bei beispielhaften Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung werden verbesserte Verzerrungskennlinien bzw. -charakteristiken unter Verwendung von Verstärkern erreicht, die in neuen "Nullor"-Konfigurationen entworfen sind. Nulloren sind allgemein im Stand der Technik bekannt und sind beispielsweise in Ernst H. Nordholt, "Design of High-Performance Negative-Feedback Amplifiers", ISBN 0-444-42140-8 (Vol. 7) (Elsevier Scientific Publishing Company 1983) beschrieben, welches Dokument hierdurch hierin durch Bezugnahme in seiner Gesamtheit enthalten ist. Wie es in 2 gezeigt ist, sind herkömmliche Nullorvorrichtungen Verstärkungsvorrichtungen mit vier Anschlüssen mit einem Eingang mit zwei Anschlüssen, der einen positiven Eingangsanschluss 200 und einen negativen Eingangsanschluss 210 aufweist, und einem Ausgang mit zwei Anschlüssen, der einen negativen Ausgangsanschluss 220 und einen positiven Ausgangsanschluss 230 aufweist. Der Rückkopplungskreis wird durch Verbinden des positiven Ausgangsanschlusses 230 mit dem negativen Eingangsanschluss 210 und mit dem ersten Anschluss eines Widerstands R 250 gebildet, der seinen zweiten Anschluss auf Erde gelegt hat. 2 stellt einen Transkonduktanzverstärker oder Spannungs-zu-Strom-Nullorverstärker dar, bei welchem die Eingabe zum positiven Eingangsanschluss 200 eine Spannung (V+) und die Ausgabe vom negativen Ausgangsanschluss 220 ein Strom (i) ist. Die Verstärkung der Nullorvorrichtung wird durch R 250 gemäß der folgenden Beziehung bestimmt:
    Figure 00050001
  • Die Verzerrungscharakteristiken der Nullorvorrichtung werden durch die "Schleifenverstärkung" bzw. "Kreisverstärkung" der Rückkopplung durch R 250 zu dem negativen Eingangsanschluss 210 bestimmt.
  • Die beispielhaften Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung erreichen verbesserte Verzerrungscharakteristiken einschließlich eines sehr hohen 1 dB-Kompressionspegels und eines hohen IP3 über die Implementierung einer hohen Kreisverstärkung. Eine hohe Kreisverstärkung wird unter Verwendung einer Differenzialverstärkerstufe zum Antreiben von einem oder mehreren Stromspiegeln erreicht, wobei der eine oder die mehreren Stromspiegel einen Strom zum Antreiben eines Ausgangstransistors zur Verfügung stellen.
  • Ein erstes beispielhaftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist schematisch in 3 dargestellt. Dieses beispielhafte Ausführungsbeispiel stellt einen Spannungs-zu-Strom-Nullorverstärker 300 dar, der entworfen bzw. entwickelt ist, um durch Spannungen angetrieben zu werden, die durch einen Mischer zugeführt werden, und um einen Ausgangsstrom zum Antreiben eines IF-Filters zuzuführen. Der Verstärker 300 weist zwei Schaltungsteile 305 und 310 auf, die auf eine komplementäre Weise arbeiten. Die Summe aus den Ausgangsströmen von den Teilen 305 und 310 treiben den Lastwiderstand Rload 315 an. Da die Teile 305 und 310 auf eine im Wesentlichen gleiche Weise funktionieren, aber auf eine komplementäre Weise, wird sich die folgende Beschreibung auf den oberen Teil 305 des Verstärkers 300 richten.
  • Die "aktive" Hauptschaltung im oberen Teil 305 des Verstärkers 300 weist Transistoren M1a 320 und M2a 325 als eine differenzielle Eingangsstufe auf, Transistoren M3a 335 und M4a 330 als einen Stromspiegel für den Ausgangsstrom des M1a 320, Transistoren M6a 340 und M5a 345 als Strom-"Spiegel" für den Ausgangsstrom von M2a 325, Transistoren M7a 350 und M8a 355 als Strom-"Spiegel" für den Ausgangsstrom von M5a 345 und einen Transistor M9a 370 als die Ausgangsstufe des oberen Teils 305 des Verstärkers 300. Im Betrieb vergleichen n-Kanal-FETs M1a 330 und M2a 325 die Spannung über dem Widerstand Rea 360 mit der Eingangsspannung bei dem Schaltungsknoten ina 365. Jede Differenz zwischen diesen Spannungen wird durch M1a 320 und M2a 325 in Ströme umgewandelt. Der Strom von M1a 320 wird dann zu M4a 330 zugeführt und der Strom von M2a 325 wird zu M6a 340 zugeführt. M4a 330 ist in einer Strom-"Spiegel"-Konfiguration mit M3a 335 konfiguriert, so dass durch M1a 320 zu M4a 330 zugeführter Strom in M3a 335 reproduziert bzw. wiederhergestellt wird. Gleichermaßen ist M6a 340 in einer Strom-"Spiegel"-Konfiguration mit M5a 345 konfiguriert, so dass durch M2a 325 zu M6a 340 zugeführter Strom in M5a 345 reproduziert wird. Der Strom durch M5a 345 wird weiterhin zu M8a 355 zugeführt und über die Strom-"Spiegel"-Konfiguration von M7a 350 und M8a 355 in M7a 350 reproduziert. Der Strom von M8a 355, der in M7a 350 "gespiegelt" ist, und der Strom von M3a 335 dienen zum Antreiben des Gateanschlusses des p-Kanal-FET M9a 370. Ein Kondensator Csa 375 stellt die Stabilität dieses Rückkopplungskreises sicher.
  • Der Drainstrom von M9a 370 stellt den Ausgangsstrom (i0) dar und bezieht sich auf die Eingangsspannung Vi (beim Knoten ina 365) durch die folgende Beziehung:
    Figure 00060001
  • Der Ausgangsstrom i0 treibt den Lastwiderstand Rload 315 an. Eine Gleich- bzw. DC-Vorspannung V3 380 ist weiterhin in Reihe zu Rload 315 geschaltet. Der Widerstand Rga 385 in Verbindung mit dem Quellenstrom iref 390 liefert die Vorspannung des Gateanschlusses des Eingangstransistors M1a 320 und, über den Rückkopplungskreis, auch den Strom durch den Ausgangstransistor M9a 370. Eine Vorspannungs-Stromquelle ibias 395 stellt eine Vorspannung für die Transistoren des gesamten Verstärkers außer für M9a zur Verfügung. Wie es oben diskutiert ist, arbeitet der untere Teil 310 des Verstärkers 300 gleich dem oberen Teil 305, aber auf eine komplementäre Weise. Details des Betriebs des unteren Teils 310 sind daher weggelassen.
  • Die Kreisverstärkung bzw. Schleifenverstärkung GL der beispielhaften Ausführungsbeispiele kann durch die folgende Beziehung angenähert werden:
    Figure 00070001
    wobei gm der Durchschnitt der gm's von beiden Transistoren M1a und M2a ist und ZOUT die kombinierte Ausgangsimpedanz von M3a 335 und M7a 350 ist.
  • Die hohe kombinierte Ausgangsimpedanz von M3a 335 und M7a 35G erzeugt daher die hohe Schleifenverstärkung. Die hohe Schleifenverstärkung erhöht weiterhin den Intermodulations-Intercept-Punkt dritter Ordnung (IP3). Darüber hinaus resultiert die Ausgangskonfiguration (Transistor M9a 370 und M9b) in nahezu einer Leitungsbahn-zu-Leitungsbahn-Kapazität und somit einem sehr hohen P1dB. Die große Differenz bzw. der große Unterschied zwischen P1dB und IP3 führt zu verbesserten Verzerrungskennlinien gegenüber herkömmlichen IF-Verstärkern.
  • Eine simulierte Leistungsfähigkeit des beispielhaften Verstärkers der 3 ist in 4 ausgedruckt, wobei die Verstärkereingabe in Millivolt über der X-Achse ausgedruckt ist und die Verstärkerausgabe in dBV über der Y-Achse. Die 4 MHz- und 5 MHz-Quellen 307 und 309 der 3 erzeugen Intermodulationskomponenten dritter Ordnung bei 2(4) – 5 = 3 MHz und 2(5) – 4 = 6 MHz. Extrapolationskurven der Intermodulationskomponenten dritter Ordnung 3 MHz und 6 MHz sind jeweils bei 405 und 410 gezeigt. Eine Extrapolationskurve des 5 MHz-Signals ist weiterhin bei 415 gezeigt. Die Schnittstelle der 3 MHz-Extrapolationskurve 405 mit der 5 MHz-Extrapolationskurve 415 zeigt den Intercept-Punkt dritter Ordnung (IP3) 420 an, und die Schnittstelle der 6 MHz-Extrapolationskurve 410 mit der 5 MHz-Extrapolationskurve 415 zeigt den Intercept-Punkt dritter Ordnung (IP3) 425 an. Eine simulierte Leistungsfähigkeit des Verstärkers der 3 ist in Kurven 430, 435 und 440 gezeigt. Die Kurve 430 zeigt den simulierten Transfer der 5 MHz-Quelle 307 vom Eingang zum Ausgang des Verstärkers. Die Kurven 435 und 440 zeigen weiterhin den simulierten Transfer der 6 MHz- und 3 MHz-Intermodulationskomponenten vom Eingang zum Ausgang des Verstärkers. Der Punkt 445 in der Kurve 415 stellt den P1dB-Punkt des Verstärkers dar und zeigt die Stelle an, wo eine Kompression bei der 5 MHz-Ausgabe auftritt (d.h. wo der Unterschied zwischen der 5 MHz-Ausgabe 430 und der 5 MHz-Extrapolationskurve 415 1 dB ist).
  • 5 stellt ein weiteres beispielhaftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar, wobei die Stromspiegel entsprechend denjenigen, die durch die Transistoren M6a und M5a, M7a und M8a, M6b und M5b und M7b und M8b, die bei dem Ausführungsbeispiel der 3 enthalten sind, entfernt worden sind. Eine Entfernung der vier Stromspiegel resultiert vorteilhaft in einer geringeren Verwendung eines Halbleiterbereichs, wenn der Verstärker in einer integrierten Schaltung hergestellt wird. Die Stromspiegel M6a und M5a und M7a und M8a sind bei dem Ausführungsbeispiel der 5 durch Konstantstromquellen I5 500 ersetzt. Die Stromspiegel M6b und M5b und M7b und M8b sind weiterhin durch die Konstantstromquelle I6 505 ersetzt. Da die Stromspiegel, die M5a, M6a, M7a und M8a aufweisen, im Verstärker der 5 nicht vorhanden sind, wird der Strom von M2a nicht im Rückkopplungskreis verwendet. Die Schleifenverstärkung des Verstärkers der 5 ist daher annähernd eine Hälfte der Schleifenverstärkung der 3. Eine simulierte Leistungsfähigkeit des beispielhaften Verstärkers der 5 ist in 6 ausgedruckt, wobei die Verstärkereingabe in Millivolt über der X-Achse ausgedruckt ist und die Verstärkerausgabe in dBV über der Y-Achse. Wie es in 6 gesehen werden kann, ist der Intercept-Punkt dritter Ordnung (IP3) 605 etwa 7 dB niedriger als der in 4 gezeigte IP3. Der P1dB 610 ist jedoch annähernd derselbe. Das Erniedrigen von IP3 stellt daher eine verschlechterte Verzerrungsleistungsfähigkeit im Vergleich mit dem Verstärker der 3 dar.
  • 7 stellt ein weiteres beispielhaftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar, wobei ein Verstärker 700 entwickelt bzw. entworfen worden ist, um Eingangsstromsignale anstelle von Spannungssignalen zu empfangen. Der Verstärker 700 stellt somit einen Strom-zu-Strom-Verstärker dar. Widerstände Rfa 705 und Rfb 710 sind als zusätzliche Rückkopplungswiderstände hinzugefügt worden, und zum Definieren der Verstärkerverstärkung. Die Verstärkung des Verstärkers 700 ist als die folgende definiert:
    Figure 00090001
  • Zum Sicherstellen einer Stabilität sind die Kondensatoren C9 715 und C8 720 jeweils parallel zu Rfa 705 und Rfb 710 platziert, um eine "Phantom-Null" zu erzeugen.
  • 8 stellt die extrapolierte und simulierte Leistungsfähigkeit des Stromverstärkers der 7 dar, wobei die Verstärkereingaben derart angenommen sind, dass sie 6 und 9 MHz-Signale sind. Bei Eingangssignalen von 6 und 9 MHz sind die Intermodulationskomponenten dritter Ordnung 2(6) – 9 = 3 MHz und 2(9) – 6 = 12 MHz. Die 3 MHz-Intermodulationskomponente ist durch eine Kurve 705 gezeigt. Der P1dB ist bei 710 gezeigt und ist sehr ähnlich zu denjenigen in den 4 und 6. Die Extrapolation dritter Ordnung ist als Kurve 715 ausgedruckt zeigt. Wie es aus dem Ausdruck gesehen werden kann, stimmt die 3 MHz-Intermodulationskurve 705 nicht mit der 3 MHz-Extrapolationskurve 715 überein. Die tatsächliche Neigung bzw. Steigung der Kurve 705 ist steiler als bei der extrapolierten Kurve 715, was anzeigt, dass die Intermodulation tatsächlich fünfter und nicht dritter Ordnung ist. Folglich kann ein IP3 nicht definiert werden. Vergleicht man das Maß der Intermodulation für einen gegebenen Ausgangspegel der Ausdrucke der 9 und 5 kann gesehen werden, dass die Leistungsfähigkeit der 8 annähernd 10 dB besser als diejenige der 4 ist.
  • Obwohl die in den 3, 5 und 7 gezeigten beispielhaften Ausführungsbeispiele FETs verwenden, wird ein Fachmann auf dem Gebiet erkennen, dass gleichermaßen BJTs zum Erreichen einer ähnlichen Leistungsfähigkeit verwendet werden könnten. Zusätzlich wird ein Fachmann auf dem Gebiet erkennen, dass die verschiedenen Transistoren bei den unterschiedlichen beispielhaften Ausführungsbeispielen in Kaskade bzw. in Reihe geschaltet sein könnten, um die Ausgangsimpedanz der Stromspiegel zu erhöhen, um dadurch die Schleifenverstärkung bei niedrigen Frequenzen zu verbessern.
  • Bei den beispielhaften Ausführungsbeispielen der 3 und der 5 koppeln Kondensatoren Cina 302 und Cinb 304 Eingangsspannungen V0 307 und V1 309 mit dem oberen 305 und dem unteren 310 Teil des Verstärkers. Jedoch wird ein Fachmann auf dem Gebiet erkennen, dass diese Kondensatoren durch eine herkömmliche DC-Pegelverschiebeschaltung ersetzt werden können. Weiterhin sind bei den in 3 und in 5 gezeigten beispielhaften Ausführungsbeispielen die Eingänge des Verstärkers über ein Koppeln von Kondensatoren Cina 302 und Cinb 304 parallel geschaltet. Jedoch kann in Abhängigkeit von der bestimmten erwünschten Anwendung ein Eingang alternativ geerdet sein, während der andere als Eingang verwendet wird, oder können beide Eingänge mit zwei unterschiedlichen Spannungsquelleneingaben verbunden sein und zum Addieren/Subtrahieren der Spannungseingaben verwendet werden.
  • Obwohl bei den beispielhaften Ausführungsbeispielen der 3, 5 und 7 der obere 305 und der untere 310 Teil des Verstärkers miteinander verbunden sind und auf eine komplementäre Weise funktionieren, ist es bei bestimmten Anwendungen möglich, alternative Ausführungsbeispiele der Erfindung zu haben, die nur einen Schaltungsteil (305 oder 310) verwenden. Beispielsweise dann, wenn das Spannungseingangssignal lediglich eine positive DC- bzw. Gleichspannung sein würde, wäre der obere Teil 305 der beispielhaften Ausführungsbeispiele zum Verstärken des Signals ausreichend.
  • Obwohl hierin eine Anzahl von Ausführungsbeispielen zum Zwecke einer Darstellung beschrieben ist, sollen diese Ausführungsbeispiele nicht beschränkend sein. Fachleute auf dem Gebiet werden Modifikationen erkennen, die bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel durchgeführt werden können.

Claims (18)

  1. Verstärker, der folgendes aufweist: eine erste Differenzialstufe (320, 325), die eine erste Spannung mit einer zweiten Spannung vergleicht und einen ersten Ausgangsstrom erzeugt, wobei die zweite Spannung von einer Rückkopplungsimpedanz abgeleitet wird und bei einem Basisanschluss eingegeben wird; einen ersten Stromspiegel (330, 335) mit einem Eingang, der gekoppelt ist, um den ersten Ausgangsstrom zu empfangen, und einem Ausgang, der einen zweiten Ausgangsstrom zuführt; und einen ersten Ausgangstransistor (370) mit einem Eingang, der gekoppelt ist, um den zweiten Ausgangsstrom zu empfangen, einem Ausgangsanschluss zum Zuführen eines dritten Ausgangsstroms zum Antreiben einer Last und einem Anschluss, der ein anderer als der Anschluss zum Zuführen des Ausgangsstroms ist, für eine Rückkopplung zu der ersten Differenzialstufe.
  2. Verstärker nach Anspruch 1, wobei die erste Differenzialstufe (320, 325) einen vierten Ausgangsstrom basierend auf dem Vergleich zwischen der ersten und der zweiten Spannung erzeugt.
  3. Verstärker nach Anspruch 2, der weiterhin einen zweiten Stromspiegel (340, 345) mit einem Eingang, der gekoppelt ist, um den vierten Ausgangsstrom zu empfangen, und einem Ausgang, der einen fünften Ausgangsstrom zuführt, aufweist.
  4. Verstärker nach Anspruch 3, der weiterhin einen dritten Stromspiegel (350, 355) mit einem Eingang, der gekoppelt ist, um den fünften Ausgangsstrom zu empfangen, und einem Ausgang, der einen sechsten Ausgangsstrom zuführt, aufweist.
  5. Verstärker nach Anspruch 4, wobei der Eingang des ersten Ausgangstransistors (370) weiterhin gekoppelt ist, um den sechsten Ausgangsstrom zu empfangen.
  6. Verstärker nach Anspruch 1, wobei wenigstens eines von der ersten Differenzialstufe (320, 325), des ersten Stromspiegels (330, 335) und des ersten Ausgangstransistors (370) wenigstens einen FET-Transistor aufweist.
  7. Verstärker nach Anspruch 1, wobei wenigstens eines von der ersten Differenzialstufe (320, 325), des ersten Stromspiegels (330, 335) und des ersten Ausgangstransistors (370) wenigstens einen BJT-Transistor aufweist.
  8. Verstärker nach Anspruch 1, wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Spannungen über einen Kopplungskondensator (302) gekoppelt ist.
  9. Verstärker nach Anspruch 1, wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Spannungen über eine DC-Pegelverschiebungsschaltung gekoppelt ist.
  10. Verstärker nach Anspruch 1, der weiterhin folgendes aufweist: eine zweite Differenzialstufe (M1b, M2b), die eine dritte Spannung mit einer vierten Spannung vergleicht und einen vierten Ausgangsstrom erzeugt; einen zweiten Stromspiegel (M3b, M4b) mit einem Eingang, der gekoppelt ist, um den vierten Ausgangsstrom zu empfangen, und einem Ausgang, der einen fünften Ausgangsstrom zuführt; und einen zweiten Ausgangstransistor (M9b) mit einem Eingangsanschluss, der gekoppelt ist, um den fünften Ausgangsstrom zu empfangen, einem Ausganganschluss zum Zuführen eines sechsten Ausgangsstroms zum Antreiben der Last und einem Anschluss zur Rückkopplung zu dem zweiten Stromspiegel.
  11. Verstärker nach Anspruch 10, wobei die zweite Differenzialstufe (M1b, M2b) basierend auf dem Vergleich zwischen der dritten und der vierten Spannung weiterhin einen siebten Ausgangsstrom erzeugt.
  12. Verstärker nach Anspruch 11, der weiterhin einen dritten Stromspiegel (M5b, M6b) mit einem Eingang, der gekoppelt ist, um den siebten Ausgangsstrom zu empfangen, und einem Ausgang, der einen achten Ausgangsstrom zuführt, aufweist.
  13. Verstärker nach Anspruch 12, der weiterhin einen vierten Stromspiegel (M7b, M8b) mit einem Eingang, der gekoppelt ist, um den achten Ausgangsstrom zu empfangen, und einem Ausgang, der einen neunten Ausgangsstrom zuführt, aufweist.
  14. Verstärker nach Anspruch 13, wobei der Eingang des zweiten Ausgangstransistors (M9b) weiterhin gekoppelt ist, um den neunten Ausgangsstrom zu empfangen.
  15. Verstärker nach Anspruch 14, wobei die vierte Spannung von einer Rückkopplungsimpedanz abgeleitet wird.
  16. Verstärker nach Anspruch 10, wobei wenigstens eines von der ersten Differenzialstufe (320, 325), der zweiten Differenzialstufe (M1b, M2b), des ersten Stromspiegels (330, 335), des zweiten Stromspiegels (M3b, M4b), des ersten Ausgangstransistors (370) und des zweiten Ausgangstransistors (M9b) wenigstens einen FET-Transistor aufweist.
  17. Verstärker nach Anspruch 10, wobei wenigstens eines von der ersten Differenzialstufe (320, 325), der zweiten Differenzialstufe (M1b, M2b), des ersten Stromspiegels (330, 335), des zweiten Stromspiegels (M3b, M4b), des ersten Ausgangstransistors (370) und des zweiten Ausgangstransistors (M9b) wenigstens einen BJT-Transistor aufweist.
  18. Verstärkungsverfahren, das folgendes aufweist: Vergleichen einer ersten Spannung mit einer zweiten Spannung und Erzeugen eines ersten Ausgangsstroms daraus, wobei die zweite Spannung aus einer Rückkopplungsimpedanz abgeleitet wird und bei einem Basisanschluss eingegeben wird; Erzeugen eines zweiten Ausgangsstroms durch Spiegeln des ersten Ausgangsstroms; und Empfangen des zweiten Ausgangsstroms bei einem ersten Anschluss, daraus Erzeugen eines dritten Ausgangsstroms aus einem Antreiben einer Last bei einem zweiten Anschluss und einem Erzeugen einer Rückkopplung von einem dritten Anschluss.
DE60109583T 2000-01-28 2001-01-17 Verzerrungsarmer treiberverstärker für integrierte filter Expired - Fee Related DE60109583T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US493259 2000-01-28
US09/493,259 US6489847B1 (en) 2000-01-28 2000-01-28 Low distoration driving amplifier for integrated filters
PCT/EP2001/000449 WO2001056149A2 (en) 2000-01-28 2001-01-17 Low distortion driving amplifier for integrated filters

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60109583D1 DE60109583D1 (de) 2005-04-28
DE60109583T2 true DE60109583T2 (de) 2006-05-11

Family

ID=23959515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60109583T Expired - Fee Related DE60109583T2 (de) 2000-01-28 2001-01-17 Verzerrungsarmer treiberverstärker für integrierte filter

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6489847B1 (de)
EP (1) EP1254510B1 (de)
KR (1) KR20020077393A (de)
AT (1) ATE291792T1 (de)
AU (1) AU2001248305A1 (de)
DE (1) DE60109583T2 (de)
MY (1) MY124800A (de)
WO (1) WO2001056149A2 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1017773C2 (nl) * 2001-04-04 2002-10-07 Ericsson Telefon Ab L M Versterker-mixer inrichting.
US6590453B2 (en) * 2001-09-21 2003-07-08 Silicon Storage Technology, Inc. Folded cascode high voltage operational amplifier with class AB source follower output stage
US6939736B2 (en) * 2003-07-31 2005-09-06 Texas Instruments Incorporated Ideal operational amplifier layout techniques for reducing package stress and configurations therefor
JP4375025B2 (ja) * 2004-01-13 2009-12-02 株式会社デンソー 出力回路およびオペアンプ
KR102478167B1 (ko) 2016-11-29 2022-12-16 한국전자통신연구원 주파수 할당 방법 및 그 방법을 수행하는 전송 장치
FR3088157A1 (fr) * 2018-11-06 2020-05-08 Parrot Faurecia Automotive Sas Dispositif electronique et procede de reception d'un signal radioelectrique, circuit integre implementant un tel dispositif
IT202200009332A1 (it) * 2022-05-06 2023-11-06 St Microelectronics Srl Circuito amplificatore, amplificatore a guadagno variabile, dispositivo e procedimento corrispondenti

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55132112A (en) 1979-03-31 1980-10-14 Toshiba Corp Power amplifying circuit
IT1185638B (it) 1985-07-18 1987-11-12 Sgs Microelettronica Spa Amplificatore operazionale tutto differenziale per circuiti integrati in tecnologia mos
US4897611A (en) 1988-10-28 1990-01-30 Micro Linear Corporation Very high gain positive feedback CMOS transconductance amplifier
EP0389654B1 (de) * 1989-03-29 1994-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Integrierbare Verstärkerschaltung
JPH0787314B2 (ja) * 1990-05-10 1995-09-20 株式会社東芝 増幅器
DE4192545T (de) 1990-10-10 1992-10-08
JP3038952B2 (ja) * 1991-03-15 2000-05-08 日本電気株式会社 増幅回路
US5166635A (en) * 1991-03-27 1992-11-24 Level One Communications, Inc. Digital data line driver
GB2261785B (en) 1992-02-13 1995-07-05 Audio Solutions Ltd Amplifier circuit
US5302917A (en) 1993-02-12 1994-04-12 Concorso James A Linear amplifier circuit for audio equipment
US5481213A (en) 1993-12-17 1996-01-02 National Semiconductor Corporation Cross-conduction prevention circuit for power amplifier output stage
EP0684698B1 (de) * 1994-05-23 1999-11-17 STMicroelectronics S.r.l. Verstärkerausgangsstufe der Klasse "AB"
US5475343A (en) * 1994-08-15 1995-12-12 Elantec, Inc. Class AB complementary output stage
US5504458A (en) * 1994-09-30 1996-04-02 Apple Computer, Inc. CMOS class AB amplifier for driving capacitive and resistive loads
US5568093A (en) 1995-05-18 1996-10-22 National Semiconductor Corporation Efficient, high frequency, class A-B amplifier for translating low voltage clock signal levels to CMOS logic levels
US5734293A (en) 1995-06-07 1998-03-31 Linear Technology Corporation Fast current feedback amplifiers and current-to-voltage converters and methods maintaining high DC accuracy over temperature
JP3360501B2 (ja) * 1995-09-20 2002-12-24 三菱電機株式会社 増幅回路及び携帯電話用半導体集積回路装置
FR2750514A1 (fr) * 1996-06-26 1998-01-02 Philips Electronics Nv Dispositif de regulation de tension a faible dissipation interne d'energie
US5815040A (en) 1996-12-30 1998-09-29 Anthony T. Barbetta Wide bandwidth, current sharing, MOSFET audio power amplifier with multiple feedback loops
IT1291676B1 (it) * 1997-04-28 1999-01-19 Sgs Thomson Microelectronics Stadio di uscita a cmos esente da fenomeni di deriva
JP3920427B2 (ja) * 1997-11-19 2007-05-30 富士通株式会社 差動増幅回路及びオペアンプ回路
JPH11163644A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Fujitsu Ltd 差動増幅回路の出力回路
JP2000151291A (ja) * 1998-11-12 2000-05-30 Fujitsu Ltd 演算増幅器
US6175277B1 (en) * 1999-02-08 2001-01-16 Texas Instruments Incorporated Bias network for CMOS power devices
US6160450A (en) * 1999-04-09 2000-12-12 National Semiconductor Corporation Self-biased, phantom-powered and feedback-stabilized amplifier for electret microphone

Also Published As

Publication number Publication date
EP1254510B1 (de) 2005-03-23
AU2001248305A1 (en) 2001-08-07
MY124800A (en) 2006-07-31
US6489847B1 (en) 2002-12-03
WO2001056149A3 (en) 2001-12-27
ATE291792T1 (de) 2005-04-15
EP1254510A2 (de) 2002-11-06
DE60109583D1 (de) 2005-04-28
WO2001056149A2 (en) 2001-08-02
KR20020077393A (ko) 2002-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69318054T2 (de) Pulsweitenmodulator für Klasse-D Verstärker
DE69620330T2 (de) Verbesserter Eintakt/Differenzumsetzer mit beschränktem Gleichtakteingangssignalbedarf
DE69431905T2 (de) Leitungstreiber mit adaptiver ausgangsimpedanz
DE4498744B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Frequenzkompensieren eines Operationsverstärkers
DE2219122A1 (de) Feldeffekttransistorstufe, insbesondere als Mischer und HF-Verstärker mit verbesserter Intermodulationsunterdrückung
EP1522142B1 (de) Verstärkerschaltung mit einstellbarer verstärkung und sendeanordnung mit der verstärkerschaltung
DE60109583T2 (de) Verzerrungsarmer treiberverstärker für integrierte filter
DE69434163T2 (de) Pulsbreitenmodulationsverstärker
DE60313621T2 (de) System und verfahren zum aufbau der eingangsimpedanz einer gestapelte verstärkeranordnung
DE19950714B4 (de) Schaltung und Verfahren zum Kombinieren einer Vorspannung mit Signalen mit wahlweise variabler Signalverstärkung
EP0195299A2 (de) Dynamischer Frequenzteiler mit Mischstufe und Verstärker
DE102006030820A1 (de) Differenzierende Superpositionsschaltung zur Linearisierung
EP1903672A2 (de) Dreistufiger Verstärker
EP1310043A1 (de) Differentieller, komplementärer verstärker
DE10344876B3 (de) Signalverarbeitungseinrichtung, insbesondere für den Mobilfunk
WO2002001710A1 (de) Integrierter schaltkreis mit einem analogverstärker
DE2601193A1 (de) Breitband-transistorverstaerker
EP0133618A1 (de) Monolithisch integrierte Transistor-Hochfreqzenz-Quarzoszillatorschaltung
DE102004038851B4 (de) Monolithisch integrierter Leistungsverstärker
DE102009012583B4 (de) Modulator
DE2646035A1 (de) Verstaerkerschaltung fuer wechselspannung
DE19637292B4 (de) Verstärkerschaltung, insbesondere zur Verstärkung von Audiosignalen und Audioverstärker
DE10104260A1 (de) Elektrische Symmetrierschaltung
DE10309877A1 (de) Transimpedanzverstärker mit hoher Verstärkungsbandbreite zum Konvertieren eines DAC-Ausgangsstroms
DE102010003208B4 (de) Reduzierung von verstärkungsschaltungsinduzierten Phasensprüngen in hochdynamischen Abwärtsumsetzungsmischern

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee