DE10023872C1

DE10023872C1 - Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Schichten mit Perforation

Info

Publication number: DE10023872C1
Application number: DE2000123872
Authority: DE
Inventors: Stephan Marksteiner; Robert Aigner; Martin Franosch; Herbert Schaefer
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2000-05-16
Filing date: 2000-05-16
Publication date: 2001-12-13
Anticipated expiration: 2020-05-17

Abstract

Auf eine Schichtfolge mit der zu perforierenden Schicht (3) werden stochastisch verteilte Kristallite (6), insbesondere als Polysilizium-Wachstumskeime, aufgebracht, die die Positionen und die Größen der herzustellenden Löcher definieren. Es wird, vorzugsweise unter Verwendung geeigneter Hilfsschichten (40, 50) mittels LOCOS oder CMP, eine Maskenschicht hergestellt, die die von den Kristalliten frei gelassenen Bereiche bedeckt. Die so hergestellten Löcher besitzen sehr kleine Durchmesser und können nach einer Verwendung als Ätzöffnungen zum Entfernen einer Opferschicht (2) besonders einfach verschlossen werden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren, mit dem sehr kleine Löcher in dünnen Membranen mikromechanischer Bau elemente hergestellt werden können.

Die Herstellung mikromechanischer Bauelemente erfordert oft die Ausbildung von Elementen, die wie z. B. Drucksensormem branen teilweise frei angebracht sind. Die dafür verwendeten Schichten werden ganzflächig auf einer Opferschicht aufge bracht. Nach der Strukturierung der Schichten wird die Opfer schicht entfernt, so dass die herzustellende Struktur beid seitig freigelegt ist. Das Entfernen der Opferschicht ge schieht durch Ätzen, wozu auch in größerflächigen Anteilen, z. B. in einer Membran, kleine Ätzöffnungen in der struktu rierten Schicht angebracht werden. Im Allgemeinen ist die Dicke der Opferschicht sehr viel kleiner als die lateralen Abmessungen der herzustellenden Elemente. Daher ist in der Regel für das Freiätzen eine Anordnung aus einer Vielzahl von Ätzöffnungen erforderlich, damit das Ätzmittel alle zu ent fernenden Anteile der Opferschicht ausreichend schnell er reicht. Eine derartige Perforation der strukturierten Schicht ist aber für viele Anwendungen unerwünscht; so darf eine Mem bran eines Absolutdruckmessers keine Öffnungen aufweisen. Da her muss die strukturierte Schicht in diesen Fällen nach dem Freiätzen abgedichtet werden, indem die Ätzöffnungen Ver schlossen werden. Das geschieht durch Aufbringen einer Ver schlussschicht. Es existieren verschiedene Methoden, um dies zu bewerkstelligen, s. z. B. H. Elderstig und P. Wallgren: "Spin deposition of polymers over holes and cavities" in Sen sors and Actuators A46-47, 95-97 (1995). Die Löcher sind grundsätzlich um so leichter zu verschließen, je kleiner sie sind. In der DE 196 00 400 A1 ist ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil angegeben, bei dem kleine Ätzöffnungen in einer Membran mittels einer fließfähigen Glasschicht verschlossen werden.

Kann man Löcher mit einem Durchmesser von weniger als 100 nm herstellen, können die Löcher mit einem Ofen-TEOS (Tetraethylorthosilicat) verschlossen werden. Bei größeren Lö chern ist dieses Verfahren nicht anwendbar, da das Ofen-TEOS wegen seiner hohen Oberflächendiffusivität in den zuvor frei geätzten Hohlraum unter der Membran eindringt und sich dort absetzt. Sehr kleine Löcher können außerdem mit Plasma- Prozessen (PECVD [plasma enhanced chemical vapor deposition] von Oxid und/oder Nitrid, z. B. SiO₂/Si₃N₄ oder PVD [physical vapor deposition] von Metallen) verschlossen werden. Das bie tet den weiteren Vorteil, dass der Prozess in einem Ul trahochvakuum durchgeführt werden kann, so dass ein durch die so verschlossene Schicht begrenzter Hohlraum einen sehr nied rigen Innendruck aufweist, was für eine Reihe von Anwendungs bereichen erwünscht ist.

Bisher werden die Ätzlöcher unter Verwendung einer Maske her gestellt, die lithographisch strukturiert ist. Wegen der zu geringen damit erreichbaren Auflösung lassen sich sehr kleine Löcher nur durch zusätzliche Hilfsmittel wie Abstandselemente herstellen. Bei den üblichen runden Löchern werden solche Ab standselemente (spacers) ringsum an der zylindrischen Loch wand angebracht, indem beispielsweise Polysilizium in das Loch abgeschieden wird. Hat das Loch zum Beispiel einen Durchmesser von 0,8 µm mit einer Fertigungstoleranz von ±0,05 µm und besitzt der Spacer eine Dicke von 0,3 µm ±0,03 µm, beträgt der verbleibende Innendurchmesser (lichte Weite) der Löcher 200 nm ± 110 nm. Kleinere Löcher sind nicht realisierbar, wenn der Umfang an produziertem Ausschuss auf ein vernünftiges Maß beschränkt werden soll.

In der DE 42 22 584 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung ei ner Hyperfeinstruktur von Halbleiterbausteinen angegeben, bei dem eine einlagige poröse Schicht aus halbkugelförmigen Teil chen auf eine zu ätzende Schicht aufgebracht wird. Nach dem Auffüllen der Zwischenräume mit Material einer Maske werden die halbkugelförmigen Teilchen selektiv dazu entfernt, so dass das verbleibende Material eine sehr fein strukturierte Ätzmaske bildet, mittels der die in ätzende Schicht perforiert wird.

In der WO 94/25976 ist ein Herstellungsverfahren für Feldemis sionsspitzen in Diamant unter Verwendung von zufällig ver teilten Partikeln als Ätzmaske angegeben.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren an zugeben, mit dem ohne wesentlichen zusätzlichen Aufwand mi krostrukturierte Schichten in einem geringen Abstand zu einer Oberfläche eines Bauelementes hergestellt und bei Bedarf ver schlossen werden können.

Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Ausgestaltungen ergeben sich aus den ab hängigen Ansprüchen.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden stochastisch ver teilte Kristallite aufgebracht, die die Positionen und die Größen der herzustellenden Löcher der Perforation definieren. Die durch die Kristallite gegebene Struktur der Oberflächen bedeckung wird übertragen in Öffnungen einer Maskenschicht, die die von den Kristalliten frei gelassenen Bereiche be deckt, so dass die stochastische Struktur in der Masken schicht invertiert wieder erscheint. Bei bevorzugten Ausfüh rungsformen geschieht das unter Verwendung geeigneter Hilfs schichten. Die Kristallite können durch die Einstellung der für die Abscheidung maßgeblichen Prozessparameter so spora disch verteilt abgeschieden werden, dass nicht zu viele Lö cher hergestellt werden, aber dennoch eine zum Beispiel für das Freiätzen von Strukturen ausreichend dichte Verteilung der Löcher erzielt wird. Die Kristallite können zum Beispiel als polykristallines Silizium mit Hilfe eines an sich bekann ten Abscheideverfahrens, wie zum Beispiel CVD (chemical vapor deposition) hergestellt werden. Der Abscheideprozess wird so kontrolliert, dass keine Polysiliziumschicht abgeschieden wird, sondern nur die Kristallite in der gewünschten Größe und Flächendichte. Ein solcher Abscheideprozess ähnelt einem Verfahren, mit dem Wachstumskeime (poly-seeds) für das epi taktische Aufwachsen von Siliziumschichten abgeschieden wer den.

Auf der zu perforierenden Schicht wird vorzugsweise minde stens eine Hilfsschicht abgeschieden, auf der die Kristallite abgeschieden werden. Unter Verwendung der Kristallite als Maske wird die Struktur der durch die Kristallite gebildeten Oberflächenbedeckung in die Hilfsschicht übertragen, indem in den Bereichen, die von den Kristalliten frei geblieben sind, die Hilfsschicht entfernt wird. Die übrig bleibenden restli chen Anteile der Hilfsschicht dienen dazu, eine Maskenschicht auszubilden, die an den zuvor von den Kristalliten eingenom menen Stellen Öffnungen mit den kleinen Abmessungen der Kri stallite aufweist. Mit Hilfe dieser Maskenschicht wird die zu perforierende Schicht unter den Öffnungen in der Maskenschicht entfernt, so dass die Öffnungen der damit hergestell ten Perforation ebenfalls die sehr kleinen seitlichen Abmes sungen der Kristallite aufweisen. Die Öffnungen sind auf die se Weise so klein herstellbar, dass sie mit Ofen-TEOS oder mit einer Materialabscheidung aus einem Plasma, insbesondere im Ultrahochvakuum, verschlossen werden können.

Es folgt eine genauere Beschreibung von bevorzugten Ausfüh rungsbeispielen des erfindungsgemäßen Verfahrens anhand der Fig. 1 bis 14.

Die Fig. 1 bis 9 zeigen Zwischenprodukte einer Ausfüh rungsform des Verfahrens im Querschnitt.

Die Fig. 10 bis 14 zeigen Zwischenprodukte einer anderen Ausführungsform des Verfahrens im Querschnitt, die bei dieser Alternative statt der in den Fig. 1 bis 6 dargestellten Zwischenprodukte auftreten.

In Fig. 1 ist im Querschnitt ein Substrat 1 mit einer darauf aufgebrachten Opferschicht 2 (sacrificial layer) und einer darauf aufgebrachten zu perforierenden Schicht 3 dargestellt. Das Substrat kann ein Halbleiterkörper, eine Halbleiter schichtfolge oder dergleichen sein. Die Opferschicht ist da für vorgesehen, unter der zu perforierenden Schicht zumindest bereichsweise entfernt zu werden, damit diese Schicht dort zum Substrat hin freigelegt ist. Es sind auf der zu perforie renden Schicht 3 zwei Hilfsschichten 40, 50 aufgebracht, von denen die zuletzt aufgebrachte obere Hilfsschicht 50 ein Ma terial ist, das bezüglich des Materials der zuvor aufgebrach ten unteren Hilfsschicht 40 selektiv ätzbar ist. Die Ausfüh rung unter Verwendung zweier Hilfsschichten ist besonders vorteilhaft, wenn die zu perforierende Schicht 3 Silizium, speziell Polysilizium, ist und Kristallite aus Silizium auf gebracht werden.

Die Kristallite 6, die hier vereinfacht als kleine Tetraeder oder Pyramiden eingezeichnet sind, werden auf die obere Hilfsschicht 50 abgeschieden. Die Prozessapparatur wird dabei so eingestellt und kontrolliert, dass die Kristallite 6 in etwa gleich groß sind und einen genügend großen Abstand ha ben, um die Größe und die Anzahl der herzustellenden Löcher innerhalb der vorgegebenen Grenzen zu halten. Bevorzugte ty pische Werte liegen bei 50 nm für den Durchmesser der Kri stallite und 500 nm für den Abstand nächst benachbarter Kri stallite.

Mit Hilfe der Kristallite 6 als Maske wird entsprechend der Darstellung von Fig. 2 die obere Hilfsschicht 50 struktu riert, wobei die untere Hilfsschicht 40 als Ätzstoppschicht dient. Die obere Hilfsschicht 50 kann ein Oxid sein, z. B. Siliziumoxid, und die untere Hilfsschicht 40 ein Nitrid, z. B. Siliziumnitrid. Die Oxidschicht wird vorzugsweise mit tels eines Trockenätzverfahrens selektiv bezüglich der Ni tridschicht entfernt.

Danach werden die Kristallite 6 entfernt, so dass die in Fig. 3 im Querschnitt dargestellte Schichtstruktur übrig bleibt. Die restlichen Anteile 51 der teilweise entfernten oberen Hilfsschicht besitzen jetzt in guter Übereinstimmung die seitlichen Abmessungen und die Verteilung der Kristalli te.

Die restlichen Anteile 51 der oberen Hilfsschicht dienen nun als Maske, um deren Struktur in die untere Hilfsschicht 40 zu übertragen. Im Fall einer strukturierten Oxidschicht auf ei ner ganzflächigen Nitridschicht geschieht das vorzugsweise mittels eines Trockenätzverfahrens. Nachdem die restlichen Anteile 51 der oberen Hilfsschicht entfernt worden sind, so dass nur noch die restlichen Anteile 41 der unteren Hilfs schicht auf der zu perforierenden Schicht 3 verbleiben, ist die Schichtstruktur gemäß Fig. 4 erreicht.

Die von den restlichen Anteilen 41 der unteren Hilfsschicht frei gelassenen Bereiche der Oberfläche der zu perforierenden Schicht 3 werden in eine Maskenschicht umgewandelt. In dem bevorzugt interessierenden Fall, dass die zu perforierende Schicht eine Siliziumschicht ist, insbesondere eine bei mi kromechanischen Bauelementen oft eingesetzte Polysilizium schicht, kann die Maskenschicht durch einen LOCOS-Prozess (local oxidation of silicon) hergestellt werden. Hierbei wird das Silizium an der Oberfläche oxidiert. Die restlichen An teile 41 der unteren Hilfsschicht, die hier aus Nitrid sind, dienen als Oxidbarrieren und verhindern das Oxidieren des Si liziums in diesen Bereichen der Oberfläche der zu perforie renden Schicht 3. Zwischen den Nitridflecken entstehen Antei le der Maskenschicht 31, wie das in Fig. 5 dargestellt ist.

Fig. 6 zeigt die Schichtstruktur entsprechend der Fig. 5 nach dem Entfernen der restlichen Anteile 41 der unteren Hilfsschicht. Ist die untere Hilfsschicht Nitrid und die Mas kenschicht oxidiertes Silizium, kann das Nitrid selektiv zum Silizium und zum Siliziumoxid entfernt werden, so dass nur die restlichen Anteile 41 der unteren Hilfsschicht entfernt werden.

Die hergestellte Maskenschicht 31 wird dann gemäß der Dar stellung in Fig. 7 verwendet, um das Material der zu perfo rierenden Schicht 3 unter den Löchern in der Maskenschicht zu entfernen. Dass geschieht vorzugsweise mit einem an sich be kannten Prozess der Grabenätzung. Damit werden die Ätzöffnun gen 7 in der nun perforierten Schicht 32 ausgebildet. Die Ätzöffnungen besitzen etwa den Durchmesser der Kristallite. Die erfindungsgemäß hergestellte Perforation der Schicht kann nun wie vorgesehen in weiteren Prozessschritten zur Herstel lung des vorgesehenen mikromechanischen Bauelementes einge setzt werden.

Die Fig. 8 zeigt die Schichtstruktur gemäß Fig. 7 nach dem Entfernen der Opferschicht, wobei in den Zeichnungen auf die in der Blickrichtung hinter der gezeichneten Schnittebene sichtbaren Konturen verzichtet wurde. Die Verteilung der Kri stallite und damit der Ätzöffnungen wurde so dicht gewählt, dass sich das in die Ätzöffnungen eingebrachte Ätzmittel zur Unterätzung der perforierten Schicht 32 nicht zu weit in der Schichtlage der Opferschicht 2 ausbreiten muss und die Ätzung ausreichend rasch erfolgt.

Die Fig. 9 zeigt die Schichtstruktur nach dem Aufbringen ei ner Verschlussschicht 8, mit der die Ätzöffnungen 7 ver schlossen werden und so die perforierte Schicht wieder abge dichtet wird. Da die erfindungsgemäß hergestellten Ätzöffnun gen einen ausreichend kleinen Durchmesser besitzen, kann die Verschlussschicht 8 relativ einfach aufgebracht werden, ohne dass zu befürchten ist, dass das Material der Verschluss schicht in unerwünschtem Ausmaß in den unter der perforierten Schicht durch das Entfernen der Opferschicht entstandenen Hohlraum gelangt. Die Verschlussschicht kann zum Beispiel ein Ofen-TEOS sein, BPSG (Borphosphorsilikatglas), ein mittels PECVD aufgebrachtes Oxid oder ein aufgestäubtes (sputter) Me tall.

Für die erforderliche Invertierung der durch die Kristallite gegebenen Struktur der Oberflächenbedeckung ist es im Prinzip nur erforderlich, die Maskenschicht in den nicht von den Kri stalliten bedeckten Bereichen herzustellen. Dafür kann es er forderlich sein, Hilfsschichten zu verwenden. Im Unterschied zu dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel kann eine Hilfsschicht genügen, die in den nicht von den Kristalliten bedeckten Bereichen entfernt wird, so dass dort eine Masken schicht hergestellt werden kann, die ihrerseits Öffnungen in den von den Kristalliten bedeckten Bereichen aufweist. Ein Ausführungsbeispiel, das nur eine Hilfsschicht verlangt, wird im Folgenden anhand der Fig. 10 bis 14 beschrieben.

Die Fig. 10 zeigt die in Fig. 1 dargestellte Schichtstruk tur mit dem Unterschied, dass nur eine Hilfsschicht 40, vor zugsweise ein Nitrid, auf der zu perforierenden Schicht 3 aufgebracht wurde. Diese Hilfsschicht 40 dient als Grundlage für das Aufbringen der Kristallite 6 ("Bekeimung").

Gemäß der Darstellung in Fig. 11 werden die Kristallite 6 verwendet, um deren Struktur der Oberflächenbedeckung in die Hilfsschicht 40 so zu übertragen, dass von der Hilfsschicht nur die restlichen Anteile 4 unter den Kristalliten 6 übrig bleiben.

Eine Schicht 90 aus dem für die Maskenschicht vorgesehenen Material, vorzugsweise einem Oxid, wird ganzflächig in einer Dicke abgeschieden, die vorzugsweise der Dicke der Hilfs schicht 40 entspricht oder größer als die Dicke der Hilfs schicht 40 ist (Fig. 12).

Die Schicht 90 wird eingeebnet, was z. B. mittels CMP (chemi cal-mechanical polishing) geschieht. Man erhält damit die Struktur, die in der Fig. 13 dargestellt ist und bei der die eingeebnete Schicht 9 von den restlichen Anteilen 4 der Hilfsschicht unterbrochen ist. Diese Anteile 4 (vorzugsweise Nitrid) werden selektiv zu der Schicht 9 (vorzugsweise Oxid) entfernt, so dass gemäß Fig. 14 die Schicht 9 mit Öffnungen als Maskenschicht auf der Oberseite der zu perforierenden Schicht 3 übrig bleibt. Es schließt sich der bereits be schriebene Verfahrensschritt zur Herstellung der Perforation entsprechend der Fig. 7 und gegebenenfalls die weiteren Ver fahrensschritte entsprechend den Fig. 8 und 9 an.

An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass bei geeigneter Wahl der Materialien der zu perforierenden Schicht 3 und der Kristallite 6 auf die Hilfsschicht 40 auch verzichtet werden kann. In diesem Ausführungsbeispiel entfallen daher die rest lichen Anteile 4 der Hilfsschicht in dem Verfahrensschritt, der in der Fig. 11 dargestellt ist. Eine Schicht 90 aus dem für die Maskenschicht vorgesehenen Material wird entsprechend Fig. 12, hier ebenfalls ohne die Anteile 4, auf die Kristal lite 6 und zwischen die Kristallite abgeschieden und an schließend eingeebnet. Die in Fig. 14 dargestellte Struktur erhält man nach dem Entfernen der Kristallite 6, so dass die eingeebnete Schicht 9 als Maskenschicht übrig bleibt. Ein Beispiel, bei dem in der beschriebenen Weise verfahren werden kann, ist die Perforation einer Siliziumdioxid-Membran mit tels Polysilizium-Kristalliten. Eine dafür geeignete Masken schicht kann beispielsweise aus Wolfram aufgebracht werden.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine nicht lithogra phisch hergestellte stochastische Mikromaskierung und deren Invertierung, vorzugsweise mittels eines LOCOS- oder CMP- Prozesses, verwendet, um feine Ätzlöcher in einer mikromecha nischen Strukturschicht, wie z. B. einer für einen Drucksen sor vorgesehenen Membranschicht, herzustellen. Die hiermit erzielbare geringe Größe der Ätzlöcher liegt deutlich unter der Größe von Ätzlöchern, die mittels der bisher verwendeten Fotolithographie hergestellt werden. Die erfindungsgemäß her gestellten Ätzlöcher können deshalb besonders leicht ver schlossen werden.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Schichten mit Perforation insbesondere von Membranen in mikromechanischen Bauelementen, bei dem
in einem ersten Schritt eine zu perforierende Schicht (3) auf einer auf einem Substrat aufgebrachten Schicht (2) oder Schichtstruktur aufgebracht wird,
in einem zweiten Schritt auf der zu perforierenden Schicht (3) eine Mehrzahl einzelner Kristallite (6) abgeschieden wird und mindestens eine Maskenschicht (9, 31) hergestellt wird, die die von den Kristalliten frei gelassenen Bereiche bedeckt und für die Perforation vorgesehene Bereiche frei lässt, und
in einem dritten Schritt die Perforation hergestellt wird, indem in den von der Maskenschicht (9, 31) frei gelassenen Bereichen die zu perforierende Schicht (3) entfernt wird,
dadurch gekennzeichnet, dass
in dem ersten Schritt die zu perforierende Schicht (3) auf eine Opferschicht (2) aufgebracht wird und
in einem vierten Schritt unter Verwendung der hergestellten Perforation als Ätzöffnungen (7) die Opferschicht (2) ent fernt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem
der zweite Schritt ausgeführt wird, indem eine Schicht (90) aus einem für die Maskenschicht vorgesehenen Material auf die Kristallite (6) und zwischen die Kristallite abgeschieden wird,
diese Schicht (90) eingeebnet wird und
die Kristallite (6) entfernt werden, so dass die eingeebnete Schicht (9) als Maskenschicht übrig bleibt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem
der zweite Schritt ausgeführt wird, indem
in einem ersten weiteren Schritt auf der zu perforierenden Schicht (3) mindestens eine Hilfsschicht (40, 50) und darauf die Mehrzahl der einzelnen Kristallite (6) abgeschieden werden,
in einem zweiten weiteren Schritt unter Verwendung der Kristallite (6) als Maske die Hilfsschicht (40, 50) teilweise entfernt wird,
in einem dritten weiteren Schritt unter Verwendung restlicher Anteile (4, 41) der Hilfsschicht (40, 50) die Maskenschicht (9, 31) hergestellt wird und
in einem vierten weiteren Schritt die restlichen Anteile (4, 41) der Hilfsschicht entfernt werden.

4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem der dritte weitere Schritt ausgeführt wird, indem eine Schicht (90) aus einem für die Maskenschicht vorgesehenen Ma terial ganzflächig abgeschieden und mit Ausnahme von Anteilen (9), die sich zwischen den restlichen Anteilen (4) der Hilfs schicht (40) befinden, entfernt wird, wobei auch die Kristal lite (6) entfernt werden.

5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem für die Maskenschicht (9) Siliziumoxid abgeschieden wird.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, bei dem das teilweise Entfernen der Schicht (90) aus dem für die Mas kenschicht vorgesehenen Material mittels chemisch-mechani schen Polierens (CMP) geschieht.

7. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem
in dem ersten weiteren Schritt mindestens zwei Hilfsschichten (40, 50) aufgebracht werden, von denen die zuletzt aufge brachte Hilfsschicht (50) ein Material ist, das bezüglich des Materials der zuvor aufgebrachten Hilfsschicht (40) selektiv ätzbar ist,
in dem zweiten weiteren Schritt die zuletzt aufgebrachte Hilfsschicht (50) selektiv bezüglich der zuvor aufgebrachten Hilfsschicht (40) teilweise entfernt wird und
der dritte weitere Schritt ausgeführt wird,
indem die Kristallite (6) entfernt werden, und
zwischen den restlichen Anteilen (51) der teilweise entfernten Hilfsschicht (50) die zu perforierende Schicht (3) frei gelegt und mit der Maskenschicht (31) versehen wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem in dem ersten weiteren Schritt eine erste Hilfsschicht (40) aus Siliziumnitrid und darauf eine zweite Hilfsschicht (50) aus Siliziumoxid aufgebracht werden.

9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei dem
in dem ersten Schritt die zu perforierende Schicht (3) aus Silizium aufgebracht wird und
in dem dritten weiteren Schritt die freigelegten Anteile der zu perforierenden Schicht zu der Maskenschicht (31) oxidiert werden.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem in einem fünften Schritt die perforierte Schicht (32) durch Aufbringen einer Verschlussschicht (8) verschlossen wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Kristallite (6) mit einem maximalen Durchmesser von 100 nm abgeschieden werden und die Verschlussschicht (8) ein Ofen-TEOS ist.

12. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Kristallite (6) mit einem maximalen Durchmesser von 100 nm abgeschieden werden und die Verschlussschicht (8) mit einem Plasma-Prozess hergestellt wird.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die Kristallite (6) aus Silizium abgeschieden werden.