DE1087705B - Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende Koerper - Google Patents
Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende KoerperInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
-
- H10P95/00—
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft eine Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende Körper,
insbesondere zur Herstellung von Transistoren, Kristalldioden und ähnlichen Halbleiteranordnungen.
Es ist üblich, zu diesem Zweck eine aus Graphit bestehende Vorrichtung, im folgenden kurzhin als
»Legierform« bezeichnet, zu verwenden, in der ein oder mehrere Räume ausgespart sind, die als Lagerort
für ebenso viele halbleitende Körper dienen und bei der eine entsprechende Anzahl öffnungen vorgesehen
sind, in denen das Material für die Kontakte untergebracht wird. Dieses Material ist vorher meist in
Form von sehr kleinen Kugeln gebracht. Das Aufschmelzen selbst erfolgt dadurch, daß die Legierform
in einen Ofen eingeführt und in diesem der Wärmebehandlung unterzogen wird. Die Legierformen bestehen
meist aus Graphit, weil dieser Werkstoff in sehr hoher Reinheit hergestellt werden kann, die hierbei
wesentlich ist. Auch sind Legierformen aus keramischem Material oder nichtrostendem Stahl hergestellt
worden. Bei der Verwendung dieser letztgenannten Werkstoffe lassen sich Verunreinigungen als beim
Graphit vermeiden. Dieser ist jedoch grobkörnig im Vergleich zu den winzigen darin anzubringenden
öffnungen. Außerdem dürfen wegen der geringen Festigkeit des Graphits die Formteile nicht zu klein
bemessen werden. Infolgedessen ist die Zusammensetzung des Gases am Ort der Legierung schwer kontrollierbar.
Nach der Erfindung werden nun Legierformen verwendet, die aus Glimmer bestehende Teile besitzen, in
denen öffnungen vorgesehen sind, um das Kontaktmaterial an Ort und Stelle zu halten. Es hat sich gezeigt,
daß Glimmer nach ausreichender Reinigung keine störenden Verunreinigungen abgibt. Außerdem
wird infolge seiner geringen Dicke der Gaszutritt am Ort der Legierungsschmelze nicht wesentlich behindert.
Die Legierungsform nach der Erfindung wird im folgenden an Hand eines in der Zeichnung dargestellten
Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Die Figur zeigt im Schnitt eine Legierform in vergrößertem Maßstab.
Eine aus Graphit oder Chromeisen bestehende Platte besitzt eine Höhlung 2, in der ein halbleitender Körper
3, z. B. eine Germaniumscheibe, untergebracht ist.
Legierungsform zum Auflegieren
von Kontakten auf halbleitende Körper
von Kontakten auf halbleitende Körper
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg I1 Mönckebexgstr. 7
Hamburg I1 Mönckebexgstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 8. August 1957
Niederlande vom 8. August 1957
Leendert Pellekaan, Eindhoven (Niederlande),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Auf der Platte 1 liegt eine Glimmerplatte 4 mit zwei öffnungen 5, in denen zwei Kügelchen 6 aus Kontaktmaterial,
z. B. Indium, liegen. Die Legierform kann, nachdem sie auf diese Weise gefüllt worden ist, in
einen Ofen eingeführt werden.
Es ist möglich in eine 200 μ starke Glimmerplatte Löcher zu bohren oder zu stanzen, die einen Durchmesser
von 100 μ und einen gegenseitigen Abstand von 50 μ haben. Solche Abmessungen sind bei der
Verwendung von Graphit als Material für ein solches Formteil praktisch nicht erreichbar.
Claims (1)
- Patentanspruch:Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende Körper, insbesondere zur Herstellung von Transistoren, Kristalldioden und ähnlichen Halbleiteranordnungen mit mindestens einem Raum als Lagerort für die halbleitenden Körper und einem mit Öffnungen versehenen Formteil, in denen das Legierungsmaterial angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Formteil mit den öffnungen aus Glimmer besteht.In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschrift Nr. 1 088 286;
USA-Patentschrift Nr. 2 805 968.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| NL219744 | 1957-08-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEN15441A Pending DE1087705B (de) | 1957-08-08 | 1958-08-05 | Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende Koerper |
Country Status (7)
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| CH (1) | CH363095A (de) |
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| GB (1) | GB884557A (de) |
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1958
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Also Published As
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| GB884557A (en) | 1961-12-13 |
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