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DE1082297B - Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Loeschverhalten - Google Patents

Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Loeschverhalten

Info

Publication number
DE1082297B
DE1082297B DEL33045A DEL0033045A DE1082297B DE 1082297 B DE1082297 B DE 1082297B DE L33045 A DEL33045 A DE L33045A DE L0033045 A DEL0033045 A DE L0033045A DE 1082297 B DE1082297 B DE 1082297B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
storage
transistor
erase
dominant
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL33045A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Elmar Goetz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL33045A priority Critical patent/DE1082297B/de
Publication of DE1082297B publication Critical patent/DE1082297B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/411Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only
    • G11C11/4113Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using bipolar transistors only with at least one cell access to base or collector of at least one of said transistors, e.g. via access diodes, access transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Löschverhalten bei gleichzeitigem Vorliegen von Speicherund Löschbefehl, dessen Ausgänge zur Lieferung von Steuerbefehlen für Steuerungen auf bestimmte Ruhe-Potentiale gebracht werden.
Ein Speicherelement charakterisiert sich bekanntlich durch zwei Arten von Eingängen, einen Speichereingang s und einen Löscheingang e. Wird der Speichereingang s kurzzeitig erregt, so erscheint ein Signal am Ausgang und bleibt dort so lange erhalten, bis der Löscheingang I kurzzeitig erregt wird. Es gibt dabei zwei grundsätzliche Schaltungsarten. Die eine Art kann durch die Relaisschaltung nach Fig. 1 beschrieben werden, die andere durch die Relaisschaltung nach Fig. 2.
In beiden Schaltungen ist der Speichereingang ^ durch den Kontakt 1 und der Löscheingang/ durch den Kontakt 2 symbolisch dargestellt. Wird der dem Speichereingang 's entsprechende Kontakt 1 geschlossen, so ist ein Stromfluß über diesen Kontakt und das Relais 3 möglich. Dieser Stromfluß wird in einer in dem Ersatzschaltbild der Fig. 1 nicht dargestellten Weise am Ausgang des Speichergliedes nutzbar gemacht. Dazu kann beispielsweise gleichzeitig das Relais 3 dienen, das eine entsprechende Schaltung am Ausgang des Speichergliedes herstellt. Der Stromfluß durch das Relais 3, der sein Ansprechen bewirkt, führt gleichzeitig zum Schließen seines Selbsthaltekontaktes 4. Hört nun die Signalspannung am Eingang j des Speichergliedes auf, so bedeutet das in der gewählten Darstellungsform ein öffnen des Kontaktes 1. Da zu diesem Zeitpunkt aber der Selbsthaltekontakt 4 des Relais geschlossen ist, bleibt der Stromfluß durch das Relais erhalten und damit der dem Eingangssignal entsprechende Wert gespeichert. Tritt an dem Löscheingang / ein Löschsignal auf, so bedeutet dies ein öffnen des Kontaktes 2. Dadurch wird das Relais 3 stromlos, sein Selbsthaltekontakt 4 öffnet sich, und die Speicherung des Eingangssignalwertes ist beendet. Insoweit stimmen die Schaltungen nach Fig. 1 und 2 überein.
Der Unterschied zwischen beiden Schaltungen macht sich dann bemerkbar, wenn gleichzeitig ein Speicherbefehl und ein Löschbefehl vorliegen. Bei der Schaltung nach Fig. 1 überwiegt der Speicherbefehl, bei der Schaltung nach Fig. 2 der Löschbefehl, d. h., die erstgenannte Schaltung hat dominierendes Speicherverhalten, die zweite Schaltung dominierendes Löschverhalten Beide Schaltungen werden in der Steuerungstechnik benötigt. Die bisher dafür verwendeten Anordnungen werden je nach dem gewünschten dominierenden Verhalten unterschiedlich aufgebaut. Das erfordert, daß bei dem Übergang von der einen dominierenden Größe zu der anderen dominierenden Größe Speicherelement
mit "wahlweise dominierendem Speicheroder Löschverhalten
Anmelder:
LICENTIA Patent-Verwaltungs - G. m. b. H., Frankfurt/M., Theodor - Stern - Kai 1
Dipl.-Ing. Elmar Götz, Berlin-Frohnau,
ist als Erfinder genannt worden
ein Auswechseln der entsprechenden Anordnungen erforderlich ist.
Die Erfindung zeigt nun einen Weg, der es gestattet, in beiden Fällen mit dem gleichen Speicherelement auszukommen. Dieses Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Löschverhalten bei gleichzeitigem Vorliegen von Speicher- und Löschbefehl besitzt Ausgänge, die auf bestimmte Ruhepotentiale gebracht werden, um Steuerbefehle zur Auslösung von Steuereinrichtungen zu liefern. Es ist gekennzeichnet durch eine Transistorschaltung mit einem ersten Transistor, der durch einen Speicher- oder Löschbefehl ein negatives Basispotential erhält, und eine Transistorkippstufe mit zwei Transistoren, deren Kollektorwiderstände mit ihrem den Kollektoren zugewandten Pol an je eine Ausgangssignalklemme geführt sind, wobei der, Lösch- oder Speicherbefehl dem einen dieser Transistoren ein negatives Basispotential gibt und zur Speicherung des Signals die Basis des ersten Transistors an die eine Ausgangsklemme geführt ist und die Basis des mit dieser Ausgangsklemme kollektorseitig verbundenen Transistors über eine Diode an den Kollektor des ersten Transistors angeschlossen ist. Dadurch, daß zwei Ausgänge vorhanden sind, ist es möglich, durch wahlweisen Anschluß der Speicherleitung und der Löschleitung an einem der beiden Eingänge dem Speicherelement das jeweils gewünschte dominierende Verhalten zu geben.
In Fig. 3 der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel des Speicherelementes nach der Erfindung dargestellt. Die untereinander gleichberechtigten Eingangsklemmen sind mit 21 und 22 bezeichnet. Die gespeicherten Ausgangssignale treten entweder an der Klemme 23 oder
0C9 527/226
an der Klemme 24 auf. Die Emitter der Tranistoren 5, 6 und 7 liegen über die Klemme 8 am Nullpotential. Die Klemme 9 führt positives, die Klemme 10 ein entsprechend negatives Potential. Das Verhältnis der einzelnen Widerstände zueinander ist dabei durch die Größe der verwendeten Schaltungssymbole angedeutet.
Es sei nun zunächst der Fall betrachtet, daß an den Eingangsklemmen 21 keine Signalspannungen liegen, eine der Klemmen 22 werde dagegen von einer negativen Spannung beaufschlagt. Das hat zur Folge, daß die Basisemitterspannung des Transistors 6 negativ ist. Dieser Transistor ist somit stromführend, so daß der Widerstand 15 in Richtung zum Nullpotential mit negativem Potential beaufschlagt wird. Unter diesen Umständen liegt über den Widerstand 16 die Basis des Transistors 5 auf positivem Potential, so daß dieser Transistor gesperrt ist. Auch die Basis des Transistors 7 ist in diesem Fall positiv vorgespannt. Über den Widerstand 17 liegt dann auch die Ausgangsklemme 24 an negativem Potential, so daß eine entsprechende Ausgangsspannung an dieser Klemme auftritt.
Dieser Zustand bleibt auch erhalten, wenn die Spannung an einer der Eingangsklemmen 22 verschwindet. Da die Widerstände 12 und 13 kleiner als der Widerstand 11 sind, bleibt dis Basis des Transistors 6 weiterhin auf negativem Potential. Die Verhältnisse ändern sich, wenn an eine der Eingangsklemmen 21 eine negative Spannung zu liegen kommt. In diesem Fall wird das Emitterbasispotential des Transistors 5 negativ, so daß dieser Transistor stromführend wird. Es verschwindet damit die negative Spannung am Punkt 18, da ein Strom durch den Widerstand 13 in Richtung auf das negative Potential fließt. Damit gelangt Punkt 14 auf ein positives Potential, so daß auch die Basis des Transistors 6 positiv wird. Dieser Transistor gerät damit in den stromsperrenden Zustand. Über den Widerstand 15 erhalten die Basis des Transistors 7 und die Ausgangsklemme 23 ein negatives Potential. Die negative Basisspannung am Transistor 7 bewirkt einen Stromfluß durch den Widerstand 17 und damit ein Verschwinden der Spannung an der Ausgangsklemme 24. Es steht somit nur noch an der Ausgangsklemme 23 eine Spannung an. Dieser Zustand bleibt auch erhalten, wenn die Eingangsklemmen 21 spannungslos werden. Über den Widerstand 19, die Diode 20 und den Widerstand 15 bleibt das Basispotential des Transistors 5 negativ, so daß sich an dem Schaltzustand nichts ändert.
Für den Fall, daß sowohl an den Eingangsklemmen 21 als auch an den Eingangsklemmen 22 negative Signalspannungen liegen, sind die Transistoren 5 und 6 beide leitend. In diesem Fall bleibt aber die Basis des Transistors 7 auf positivem Potential, so daß dieser Transistor stromsperrend wird. Unter diesen Umständen liegt wiederum die Ausgangsklemme 24 über den Widerstand 17 an negativem Potential. Werden anschließend beide Eingangsklemmenpaare wieder spannungslos, so ändert sich im Hinblick auf die Spannung an den Ausgangsklemmen nichts. Betrachtet man dabei die Eingangsklemmen 21 als Speichereingang 5 und die Eingangsklemmen 22 als Löscheingang /, so besitzt, wenn die Ausgangsspannung an der Klemme 23 abgenommen wird, das Speicherelement dominierendes Löschverhalten. Dominierendes Speicherverhalten dagegen besitzt es, wenn der Speicherbefehl den Eingangsklemmen 22, der Löschbefehl den Eingangsklemmen 21 zugeführt und das Ausgangssignal an der Klemme 24 abgegriffen wird. Mit diesem Speicherelement ohne bewegliche Kontakte ist es also möglich, durch entsprechenden Anschluß jeweils das gewünschte Speicherverhalten zu erzielen.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Löschverhalten bei gleichzeitigem Vorliegen von Speicher- und Löschbefehl, dessen Ausgänge zur Lieferung von Steuerbefehlen für Steuerungen auf bestimmte Ruhepotentiale gebracht werden, gekennzeichnet durch eine Transistorschaltung mit einem ersten Transistor, der durch einen Speicher- oder Löschbefehl ein negatives Basispotential erhält, und eine Transistorkippstufe mit zwei Transistoren, deren Kollektorwiderstände mit ihrem den Kollektoren zugewandten Pol an je eine Ausgangssignalklemme geführt sind, wobei der Lösch- oder Speicherbefehl dem einen dieser Transistoren ein negatives Basispotential gibt und zur Speicherung des Signals die Basis des ersten Transistors an die eine Ausgangsklemme geführt ist und die Basis des mit dieser Ausgangsklemmekollektorseitig verbundenen Transistors über eine Diode an den Kollektor des ersten Transistors angeschlossen ist.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    © 009 527/226 5.60
DEL33045A 1959-04-22 1959-04-22 Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Loeschverhalten Pending DE1082297B (de)

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DEL33045A DE1082297B (de) 1959-04-22 1959-04-22 Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Loeschverhalten

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DEL33045A DE1082297B (de) 1959-04-22 1959-04-22 Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Loeschverhalten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1082297B true DE1082297B (de) 1960-05-25

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ID=7266148

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL33045A Pending DE1082297B (de) 1959-04-22 1959-04-22 Speicherelement mit wahlweise dominierendem Speicher- oder Loeschverhalten

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DE (1) DE1082297B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1119911B (de) * 1959-12-03 1961-12-21 Licentia Gmbh Elektronisches Speicherelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1119911B (de) * 1959-12-03 1961-12-21 Licentia Gmbh Elektronisches Speicherelement

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