[go: up one dir, main page]

DE1094303B - Elektronischer Umschalter mit drei und vier stabilen Lagen - Google Patents

Elektronischer Umschalter mit drei und vier stabilen Lagen

Info

Publication number
DE1094303B
DE1094303B DES65117A DES0065117A DE1094303B DE 1094303 B DE1094303 B DE 1094303B DE S65117 A DES65117 A DE S65117A DE S0065117 A DES0065117 A DE S0065117A DE 1094303 B DE1094303 B DE 1094303B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
transistors
switching
transistor
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES65117A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Phil Abund Wist
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES65117A priority Critical patent/DE1094303B/de
Priority claimed from DES65121A external-priority patent/DE1105913B/de
Priority to CH1058460A priority patent/CH389681A/de
Priority to BE595314A priority patent/BE595314A/fr
Publication of DE1094303B publication Critical patent/DE1094303B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/661Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals
    • H03K17/662Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals each output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
    • H03K17/663Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals each output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor using complementary bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/665Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
    • H03K17/666Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
    • H03K17/667Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor using complementary bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/30Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using a transformer for feedback, e.g. blocking oscillator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/45Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of non-linear magnetic or dielectric devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft einen elektronischen Umschalter mit drei und vier stabilen Lagen, der besonders als elektronischer Ersatz eines gepolten Telegrafenrelais mit Mittelstellung der Kontaktzunge gedacht ist.
Ein gepoltes Telegrafenrelais mit Mittelstellung muß entsprechend den drei möglichen Zuständen »positiver Strom«, »negativer Strom« und »kein Strom« auf einer ankommenden Leitung drei stabile Lagen einnehmen können. Auch eine vollwertige, elektronische Ersatzschaltung muß diese drei stabilen Zustände nachbilden können.
Eine bekanntgewordene elektronische Ersatzschaltung eines gepolten Telegrafenrelais mit Mittelstellung enthält drei Transistoren und weist drei stabile Lagen auf. Jede der drei stabilen Lagen ist durch den Leitzustand, eines Transistors und den Sperrzustand der beiden anderen Transistoren gekennzeichnet.
Im Gegensatz hierzu werden bei dem elektronischen Umschalter gemäß der Erfindung zwei unabhängig voneinander steuerbare bistabile Kippstufen verwendet. Erfindungsgemäß sind diese beiden Kippstufen zu einer Schaltung mit vier stabilen Zuständen verbunden, die bei entsprechender, vorzugsweise impulsweiser Steuerung an den Steuereingängen der Kippstufen positiven« bzw. negativen bzw. keinen Strom an einen an ihren Ausgang angeschlossenen Verbraucher abgibt. Die beiden Kennzustände »positiver Strom« und »negativer Strom« sind hierbei durch unterschiedliche Lagen der Kippstufen (eine Kippstufe im Ein-Zustand und eine Kippstufe im Aus-Zustand), der Kennzustand »kein Strom« durch gleiche Lagen der Kippstufen (beide Kippstufen in der Ein- oder Aus-Lage) gekennzeichnet.
Bei einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel werden zwei jeweils aus einem in einem Nebenstromkreis liegenden Steuertransistor geringer Leistung und einem in dem Hauptstromkreis liegenden Schalttransistor höherer Leistung bestehende bistabile Kippstufen verwendet. Die beiden Kippstufen werden dabei in solcher gegenseitiger Abhängigkeit betrieben, daß nicht beide Schalttransistoren gleichzeitig leitend sind. Für den Kennzustand »kein Strom« ist damit nur die Lage der beiden Kippstufen zugelassen, bei der beide Schalttransistoren gesperrt sind. Da in diesem Zustand· nur die beiden Steuertransistoren leitend sind, ergibt sich bei dem Kennzustand »kein Strom« ein sehr geringer Leistungsverbrauch der Schaltung.
Bei einem vorteilhaften Ausführungsbeispiel wird diese gegenseitige Abhängigkeit der beide» Kippstufen dadurch erreicht, daß im Hauptstromkreis der Schalttransistoren Steuerwiderstände liegen und der Spannungsabfall an dem im Hauptstromkreis eines leitenden Schalttransistors liegenden Steuerwiderstand die
Elektronischer Umschalter
mit drei und vier stabilen Lagen
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dr. phil. Abund Wist, Long Island, N. Y. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden
sichere Sperrung des anderen Schalttransistors bewirkt, vorzugsweise durch Sicherung des Leitzustandes seines Steuertransistors.
Soll der Umschalter für höhere Schaltspannungen als die zulässige Betriebsspannung eines Scthalttransistors betrieben werden, so können in an sich bekannter Weise in jedem der beiden Hauptstromkreise mehrere Schalttransistoren gleichsinnig in Reihe liegen, deren Schaltstrecken durch gegenüber den Durchlaßwiderständen1 hochohmige und gegenüber den Sperrwiderständen niederohmige Widerstände überbrückt sind.
Der erfindungsgemäße Umschalter kann ohne Kondensatoren oder Induktivitäten aufgebaut werden. Dies ist deshalb besonders vorteilhaft, weil sich dadurch sehr steile Flanken der Impulse ergeben.
Gegenüber der bekannten Schaltungsanordnung mit drei Transistoren ergeben sich demnach folgende Vorteile:
1. Durch die Verwendung von unsymmetrischen Kippstufen mit einem Steuertransistor und einem Schalttransistor ergibt sich eine hohe Ansprechempfindlichkeit bei großer Schaltleistung. Um dies bei der bekannten Schaltungsanordnung zu erreichen, müßte man jedem der drei Traneistoren einen Steuertransistor vorschalten, wodurch sich der Aufwand auf sechs Transistoren erhöhen würde.
2. Der erfindungsgemäße Umschalter hat in einer stabilen Lage (beide Schalttransistoren gesperrt) nur einen sehr geringen Leistungsverbraucn.
3. Durch den Aufbau des Umschalters ohne Kondensatoren ergeben sich hohe Schaltfrequenzen und steile Flanken der Impulse.
Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der Zeichnung erläutert.
009 677/337
Fig. 1 zeigt eine bistabile Kippstufe, wie sie vorteilhaft zum Aufbau des erfindungsgemäßen Umschalters verwendet wird. Wird die Eingangsklemme al negativ gegenüber der Eingangsklemme bl, so wird der Transistor Tl gesperrt. Am Widerstand R5 fällt nunmehr keine Sperrspannung für den Transistor T3 ab, wodurch dieser leitend wird. Nunmehr tritt am Widerstand R3 ein Spannungsabfall auf, der größer als der Spannungsabfall am Widerstand R1 ist und dadurch den Sperrzustand des Transistors Tl auch dann sicherstellt, wenn am Eingang E1 keine Sperrspannung mehr anliegt.
Wird die Klemme al positiv gegenüber der Klemme bl, so wird der Transistor Tl leitend. Durch den Spannungsabfall am Widerstandes wird der Transistor T 3 gesperrt. Der Spannungsabfall am Widerstand RS entfällt, so daß der Transistor Tl auch dann leitend bleibt, wenn am Eingang El keine Spannung mehr anliegt. Da diese Schaltung keine Kondensatoren enthält, sind die Flanken der abgegebenen Impulse sehr steil und hauptsächlich nur durch die Transistoreigenschaften (Kapazität; Trägheitseffekt) beeinflußt. Aus demselben Grund beeinflussen relativ starke Versorgungsspannungsänderungen den Schaltzustand dieser Kippschaltung so lange nicht, bis sie in die Größenordnung der an einen geöffneten Transistor abfallenden Spannungen kommen.
Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel gemäß der Erfindung, das sich im wesentlichen durch Zusammenschaltung von zwei Kippstufen nach Fig. 1 ergibt. Jede der beiden Kippstufen ist an den Eingängen El bzw. £2 in der bei Fig. 1 beschriebenen Weise steuerbar. Am Ausgang A ist der Verbraucher Rb angeschlossen. Die vier stabilen Zustände des Umschalters sind folgende:
1. Transistoren Tl und Γ4 leitend, Transistoren T2 und T3 gesperrt. In diesem Fall fließt ein Strom vom Punkt d über den Verbraucher Rb, die Widerstände R13 und R14, den Transistor T4 und den Widerstand R 16 zum negativen Batteriepol.
2. Transistoren T2 und T3 leitend, Transistoren Tl und T 4 gesperrt. In diesem Fall fließt ein Strom vom positiven Batteriepol über die Widerstände R3 und i?4, den Transistor T3, den Widerstand R 6 und den Verbraucherwiderstand Rb zum Punkt d.
3. Transistoren Tl und T2 leitend, Transistoren T3 und T4 gesperrt. In diesem Fall fließt durch den Verbraucherwiderstand Rb kein Strom.
4. Transistoren T3 und T4 leitend, Transistoren Tl und T2 gesperrt. Es fließt nunmehr ein Strom vom positiven Batteriepol über die Widerstände R 3 und R 4 des Transistors T 3, die Widerständet 6, R13 und i?14, den Transistor T 4 und den Widerstand R16 zum negativen Batteriepol. Aus Symmetriegründen tritt zwischen den Punkten c und d keine Spannungsdifferenz auf, und der Verbraucherwiderstand Rb bleibt wiederum stromlos.
Für den Kennzustand »kein Strom« stehen also zwei stabile Lagen des Umschalters zur Verfügung. Da jedoch nur eine stabile Lage für diesen Kennzustand benötigt wird, ist es zweckmäßig, die günstigere der beiden stabilen Lagen auszuwählen!. Da die beiden Transistoren T 3 und T4 wesentlich mehr Leistung verbrauchen als die Transistoren Tl und T 2, ist es vorteilhaft, die stabile Lage des Umschalters für den Kennzustand »kein Strom« zu wählen, bei dem die beiden Transistoren T3 und T4 gesperrt sind.
Der andere Zustand, bei dem die Transistoren T 3 und T4 leitend sind, muß dann unterbunden werden.
Ein derartiges Ausführungsbeispiel ist in Fig. 3 dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel werden die beiden Kippstufen in solcher gegenseitiger Abhängigkeit betrieben, daß die beiden Transistoren T3 und T4 nicht gleichzeitig leitend sein können. Ist beispielsweise der Transistor T4 leitend, so gelangt über den Widerstand R2 negatives Potential an die Basis des
ίο Transistors T1. Der Transistor Tl wird dadurch leitend und sperrt seinerseits den Transistor T3. Somit ist sichergestellt, daß die beiden Transistoren T3 und T4 nicht gleichzeitig leitend sein können.
Im übrigen ist die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach Fig. 3 die gleiche wie die der Schaltungsanordnung nach Fig. 2. Die bei Fig. 2 unter Punkt 1 bis 3 beschriebenen stabilen Lagen bleiben bestehen.
Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel, das fürSchaltspannungen geeignet ist, die höher als die zulässige Betriebsspannung eines der im Hauptstromkreis liegenden Transistoren sind. Zu diesem Zweck liegen in den beiden Hauptstromkreisen die Transistoren T3 und T5 bzw. T4 und T6 gleichsinnig in Reihe. Die Widerstände/? 7 und R8 bzw. R17 und R18 dienen in bekannter Weise zur gleichmäßigen Aufteilung der Sperrspannung. Die Widerstände R9 und RIO bzw. 7? 19 und R20 sind Steuerwiderstände für die Transistoren T 5 bzw. T6. Sie bewirken, daß die Transistoren T5 bzw. T6 sich jeweils in der gleichen Lage wie die Transistoren T 3 bzw. T 4 befinden. Im übrigen unterscheidet sich die Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 4 nicht von der der Schaltung nach Fig. 3.
Selbstverständlich umfaßt die Erfindung sämtliche naheliegenden Abänderungen und Ergänzungen der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele. So können beispielsweise auch andere als in Fig. 1 dargestellte Kippschaltungstypen verwendet werden. Auch kann die Schaltung ganz oder teilweise mit Komplementärtransistoren oder anderen steuerbaren elektronischen Schaltstrecken aufgebaut werden.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Elektronischer Umschalter unter Verwendung von zwei unabhängig voneinander steuerbaren bistabilen Kippstufen, vorzugsweise als Ersatzschaltung eines gepolten Telegrafenrelais mit Mittelstellung der Kontaktzunge, dadurch gekenn- zeichnet, daß die beiden Kippstufen zu einer Schaltung mit vier stabilen Zuständen verbunden sind, die bei entsprechender, vorzugsweise impulsweiser Steuerung an den Steuereingängen' (£1, E2) der Kippstufen positiven bzw. negativen bzw. keinen Strom an einen an ihrem Ausgang (A) angeschlossenen Verbraucher (Rb) abgibt.
2. Umschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei jeweils aus einem in einem Nebenstromkreis liegenden Steuertransistor (Tl, T 2) geringer Leistung und einem in dem Hauptstromkreis liegenden Schalttransistor (T3, T4) höherer Leistung bestehende bistabilen Kippstufen verwendet werden.
3. Umschalter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Kippstufen in solcher gegenseitiger Abhängigkeit betrieben werden, daß nicht beide Schalttransistoren (T3, T4) gleichzeitig leitend sind.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, d'adurch gekennzeichnet, daß im Hauptstromkreis
der Schalttransistoren (T3, T4) Steuerwiderstände (R 13, i?14) liegen und der Spannungsabfall an dem im Hauptstromkreis eines leitenden Schalttransistors (T3 oder T 4) liegenden Steuerwiderstand (R13 oder R 14) die sichere Sperrung des anderen Schalttransistors (T 4 oder T3) bewirkt, vorzugsweise durch Sicherung des Leitzustands seines Steuertransistors (T2 oder Tl).
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 bis 4 für höhere Schaltspannungen, dadurch gekenn-
zeichnet, daß in jedem der beiden Hauptstromkreise mehrere Schaktransistoren (T3, T5, T 4, T 6) gleichsinnig in Reihe liegen und ihre Schaltstrecken durch gegenüber den Durchlaßwiderständen hochohmige und gegenüber den Sperrwiderständen niederohmige Widerstände (R7, RB, R17, RlS) überbrückt sind.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung außer Transistoren nur ohmsche Widerstände enthält.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 009 677/337 11.60
DES65117A 1959-09-25 1959-09-25 Elektronischer Umschalter mit drei und vier stabilen Lagen Pending DE1094303B (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES65117A DE1094303B (de) 1959-09-25 1959-09-25 Elektronischer Umschalter mit drei und vier stabilen Lagen
CH1058460A CH389681A (de) 1959-09-25 1960-09-19 Elektronischer Umschalter mit drei oder vier stabilen Zuständen
BE595314A BE595314A (fr) 1959-09-25 1960-09-22 Inverseur électronique à trois et quatre positions stables.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES65117A DE1094303B (de) 1959-09-25 1959-09-25 Elektronischer Umschalter mit drei und vier stabilen Lagen
DES65121A DE1105913B (de) 1959-09-25 1959-09-25 Schaltungsanordnung zum Erzeugen bipolarer Impulspaare

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1094303B true DE1094303B (de) 1960-12-08

Family

ID=25995860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES65117A Pending DE1094303B (de) 1959-09-25 1959-09-25 Elektronischer Umschalter mit drei und vier stabilen Lagen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1094303B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1152440B (de) * 1961-07-06 1963-08-08 Siemens Ag Kippschaltung mit drei stabilen Zustaenden
DE1280309B (de) * 1964-04-30 1968-10-17 Siemens Ag Kippstufe mit drei stabilen Zustaenden

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1152440B (de) * 1961-07-06 1963-08-08 Siemens Ag Kippschaltung mit drei stabilen Zustaenden
DE1280309B (de) * 1964-04-30 1968-10-17 Siemens Ag Kippstufe mit drei stabilen Zustaenden

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1200356B (de) Schaltungsanordnung zur elektronischen Nachbildung eines Telegrafenrelais fuer Doppelstrombetrieb
DE1050376B (de) Einrichtungen an bistabilen HaIbleiterkippschaltungen als Gedächtniselemente in Steuer und Regelanlagen zur Vermeidung von Fch'kommandos nach Netzspannungsausfallen
DE1094303B (de) Elektronischer Umschalter mit drei und vier stabilen Lagen
DE1537236B2 (de) Im Takt geschalteter ein und ruck stellbarer FUp Flop
DE2600389A1 (de) Speicher
DE69128456T2 (de) Hysterese schaltung
CH389681A (de) Elektronischer Umschalter mit drei oder vier stabilen Zuständen
DE2524680C3 (de) Transistorbestückter Multivibrator
DE1963225B1 (de) Monolithisch integrierbare Flipflop-Schaltung
DE2202282A1 (de) Schaltungsanordnung zum Umschalten von zwei Ausgangsanschluessen
DE1098034B (de) Schaltungsanordnung zum Umschalten der Stromrichtung in einem Verbraucher
DE2316865C3 (de) Anordnung zum Umschalten eines Doppelelektromagneten
DE1164476B (de) Bistabile Kippschaltung mit Transistoren
DE1094302B (de) Bistabiler Einfachstromschalter mit zwei in Reihe geschalteten mit ihren Emittern verbundenen Transistoren komplementaeren Leitfaehigkeitstyps
DE1196241B (de) Mit Stromuebernahme arbeitende Schaltungs-anordnung zur Durchfuehrung logischer Operationen
DE1563280C (de) Anordnung zur Lastumschaltung bei Stufentransformatoren mit antiparallel geschalteten Thyristoren
DE1135958B (de) Transistor-Schaltungsanordnung mit zwei stabilen Zustaenden
DE2226757A1 (de) Schaltungsanordnung fuer telegrafiegeraete zur wandlung von einfachstromzeichen eines kontaktsenders in doppelstromzeichen
DE2258722A1 (de) Telegraphenrelais
DE1156849B (de) Elektronischer Doppelschalter
DE1290186B (de) Schaltung zur Steuerung ruhender logischer Schaltelemente mit dynamischen Eingaengen mittels mechanischer Kontakte
DE1100693B (de) An Emitterschaltung betriebener Transistorschalter mit einer Diode zur Vermeidung einer UEbersaettigung der Basis mit Minoritaetentraegern
DE2441596A1 (de) Elektronische schalteinrichtung
DE1176901B (de) Verzoegernde Torschaltung fuer binaere Informationen
DE1098035B (de) Bistabile Kippschaltung mit einem Magnetkern und einem Hallgenerator