DE1078194B

DE1078194B - Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschluessen

Info

Publication number: DE1078194B
Application number: DES55311A
Authority: DE
Inventors: Dr Reinhard Dahlberg
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1957-09-27
Filing date: 1957-09-27
Publication date: 1960-03-24
Also published as: GB874713A; CH365452A; US3414784A; FR1201776A

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrisches Bauelement, beispielsweise einen Transistor, mit dicht nebeneinanderliegenden Konkatanschlüssen.

Bei manchen Transistoren ist es notwendig, auf sehr kleinen Kontaktflächen mit einer Lineardimension von 20 bis 40 μ, die im Abstand von etwa 20 μ voneinander liegen, elektrische Zuleitungen anzubringen. Es läßt sich noch eine Reihe weiterer Halbleiteranordnungen angeben, die auch mit sehr kleinen Abmessungen erwünscht sind. Beispiele hierfür bilden Richtleiter für Höchstfrequenzen, die Kontaktierung kleinster Einkristallproben, z. B. von Boreinkristallen, sowie die Kontaktierung von kleindimensionierten Hallgeneratoren. Ein anderes, nicht aus der Halbleitertechnik entnommenes Beispiel sind kleine Thermo- elemente oder Bolometer, wie sie für hochempfindliche Strahlungsmesser verwendet werden.

Bei den genannten Beispielen und einer Reihe weiterer ähnlicher Geräte kleinster Abmessungen tritt die Aufgabe auf, Kontaktierungsdrähte mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschlüssen kleinster Kontaktflächen zu verbinden.

Das Anlöten von Drähten auf derartigen Flächen ist technologisch schwierig durchzuführen und führt auch nicht ohne weiteres zu elektrisch und mechanisch stabilen Kontakten.

Gleiches gilt für auf die Kontaktflächen aufgesetzte Kontaktspitzen.

Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement sind diese Nachteile dadurch vermieden, daß die Kontaktanschlüsse von einer Isolierstoffmasse umgeben sind, die die Kontaktflächen mindestens teilweise frei läßt, und daß auf der Isolierstoffmasse elektrisch leitende Bahnen aufgebracht sind, die zu den Kontaktflächen führen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung und erfindungsgemäße Verfahrensschritte werden im folgenden an Hand der Figur beschrieben.

Auf einen Halbleiterkörper 1, beispielsweise aus Germanium, sind zwei Elektroden 2 auflegiert. Die 4» eine Elektrode besteht beispielsweise aus Aluminium, die andere aus Gold. Der Halbleiterkörper 1 ist in eine Isolierstoffmasse 3, beispielsweise aus Siliconlack, eingebettet. Durch die Isolierstoffmasse sind verhältnismäßig starke elektrische Zuleitungen 4 geführt. Von den Zuleitungen 4 zu den Kontaktstellen 2 führen elektrisch leitende Bahnen 5, die z. B. durch Aufdampfen elektrisch leitender Stoffe im Hochvakuum oder durch Aufspritzen oder durch chemisches, elektrochemisches oder mechanisches Aufbringen von leitenden Lacken oder mittels einer Kombination dieser Verfahren hergestellt sind.

In einer anderen Ausbildung der Erfindung wird zuerst der Körper 1 ganz in Isolierstoff eingebettet, Elektrisches Bauelement

mit dicht nebeneinanderliegenden

Kontaktans chlüss en

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2

Dr. Reinhard Dahlberg, Freiburg (Breisgau),
ist als Erfinder genannt worden

so daß also· von dem Isolierstoff auch die Kontaktflächen bedeckt sind, und erst nachträglich werden die Kontaktflächen mindestens teilweise wieder freigelegt. Dies kann mit an sich bekannten Mitteln auf chemischem, thermischem, elektrischem oder mechanischem Wege erfolgen.

Claims

Patentansprüche:

1. Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschlüssen, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktanschlüsse von einer Isolierstoffmasse umgeben sind, die die Kontaktflächen mindestens teilweise frei läßt, und daß auf der Isolierstoffmasse elektrisch leitende Bahnen aufgebracht sind, die zu den Kontaktflächen führen.

2. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch der Zwischenraum zwischen den Kontaktanschlüssen von Isolierstoffmasse frei gelassen ist.

3. Verfahren zur Herstellung der Kontaktanschlüsse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstellen zunächst von der Isolierstoffmasse unter Freilassung mindestens eines Teils der Kontaktflächen umgeben werden und daß dann die elektrisch leitenden Bahnen auf die Isolierstoffmasse aufgebracht werden.

4. Verfahren zur Herstellung der Kontaktanschlüsse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstellen ganz von der Isolierstoffmasse umgeben und mit dieser Masse bedeckt werden, daß dann die Kontaktflächen wieder min-

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destens teilweise freigelegt werden und daß dann die elektrisch leitenden Bahnen auf die Isolierstoffmasse aufgebracht werden.

5. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen zu

den einlegierten Elektroden eines Transistors gehören, daß diese Kontaktflächen Linearabmessungen zwischen etwa 20 und 40 μ aufweisen und daß der Abstand zwischen den Kontaktflächen etwa 20 μ beträgt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen